JP4008900B2 - 超臨界処理方法 - Google Patents
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Description
この問題を解消する技術として、超臨界状態の流体を用い、表面張力が作用しない状態としてから乾燥を行うことで、パターンの倒れなどの問題を解消する技術が提案されている(特許文献1,2,3、非特許文献2参照)。
この後、バルブ305を閉じてバルブ307を開放し、反応室302内の圧力を低下させ、反応室302内に注入された超臨界状態の二酸化炭素を気化させれば、超臨界乾燥が終了する。
例えば、超臨界乾燥では、図4(a)に示すように、基板401上のパターン402がリンス液403に浸漬されている状態に、図4(b)に示すように、液化二酸化炭素404を追加する。この追加により、図4(c)に示すように、基板401の表面を濡らしていたリンス液403のほとんどは除去される。しかしながら、パターン402の微細な隙間までは液化二酸化炭素404が含浸しにくいため、隙間にはリンス液403が残る場合がある。
微細なパターンの間であっても、液化二酸化炭素を導入した状態を長時間保持すれば、パターン間のリンス液を液化二酸化炭素に置換することも可能である。しかしながら、置換に長時間を必要とする状態では、実際のプロセスに適用することは現実的ではない。
従って、第4工程では、液体をフッ化物の臨界温度以上とすることで、フッ化物の超臨界状態が得られる。
なお、上記超臨界処理方法において、フッ化物は、ハイドロフロロエーテル及びハイドロフロロエステルの少なくとも1つであればよい。
まず、図1(a)に示すように、所定のパターン101aが形成された基板101に対して洗浄処理を行い、基板101の表面及びパターン101aが洗浄液102に浸漬された状態とする。洗浄液102は、例えば水である。
ハイドロフロロエーテルとしては、例えば、CF3CF2CH2OCHF2,CF3CF2OCH2CF3,C3F7OCH3,CHF2CF2OCH2CF3,CF3CHFOCHF2がある。
また、ハイドロフロロエステルとしては、例えば、CHF2COOCH2CH3,(CF3)2CHCOOCH3がある。これらは、20℃・大気圧程度の状態で液体であるが、150〜200℃程度に加熱することで超臨界状態となる。なお、臨界温度が低いフッ化物を用いるほど、処理のコストが低減できることはいうまでもない。
また、超臨界乾燥装置201は、処理室202の底部に誘電子203を備えている。誘電子203は、制御部204に制御され、誘電子203の上部に数MHz〜数10MHzの高周波交流電界を形成する。
この状態で、制御部204の制御により誘電子203を動作させ、誘電子203の上部に数MHz〜数10MHzの高周波交流電界を形成し、容器211に収容されているフッ化物の液体212を誘導加熱する。
まず、酸化シリコン層の上に単結晶シリコン層が形成された基板を用意し、公知の電子線リソグラフィー技術及びエッチング技術により、単結晶シリコン層に酸化シリコン層にまで貫通する開口パターンを形成する。例えば、50nmの間隔で50nmの幅の複数のストライプ状の開口パターンが、単結晶シリコン層に形成された状態とする。この後、パターン形成領域の酸化シリコン層を、フッ酸を用いたウエットエッチングにより除去し、ステンシル構造とする。
ついで、基板が浸漬されているCF3CHFOCHF2液を収容している容器を、反応室内の搬入し、反応室を密閉状態とした後、容器に収容されているCF3CHFOCHF2液を加熱することで、CF3CHFOCHF2液を超臨界状態にする。
この後、上記容器内部の圧力を低下させることで、超臨界状態のCF3CHFOCHF2を気化させる。反応室の内部圧力が大気圧程度となったところで、基板を搬出する。搬出された基板においては、形成されているステンシル構造のパターンに変形などがない状態で、乾燥された状態が得られる。
ついで、基板が浸漬されている(CF3)2CHCOOCH3液を収容している容器を、反応室内の搬入し、反応室を密閉状態とした後、容器に収容されている(CF3)2CHCOOCH3液を加熱することで、(CF3)2CHCOOCH3液を超臨界状態にする。
Claims (3)
- 基板の上の所定のパターン及びレジストパターンが、大気圧下でフッ化物の液体に浸漬された状態とする第1工程と、
前記レジストパターンを前記液体に溶解させる第2工程と、
前記パターンが前記液体に浸漬されている状態で、前記基板を密閉されて一定の容積に保持された空間内に配置する第2工程と、
前記パターンが浸漬されている液体を加熱して前記液体を超臨界状態とし、前記パターンが前記フッ化物の超臨界流体に浸漬された状態とする第3工程と、
前記パターンが浸漬されている前記超臨界流体を気化させる第4工程と
を少なくとも備え、
前記第4工程では、加熱されて気化した前記フッ化物の気体の増加により前記空間内の圧力を前記フッ化物の臨界圧力とする
ことを特徴とする超臨界処理方法。 - 請求項1記載の超臨界処理方法において、
前記第3工程では、前記空間内に気体を導入して大気圧以上としておく
ことを特徴とする超臨界処理方法。 - 請求項1又は2記載の超臨界処理方法において、
前記フッ化物は、ハイドロフロロエーテル及びハイドロフロロエステルの少なくとも1つである
ことを特徴とする超臨界処理方法。
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