JP4536073B2 - ボディー‐ソース交差カップリングを用いた差動増幅器 - Google Patents
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Description
図示したように、差動構造において、共通ゲート9,29が仮想接地を形成し、ゲートにDC電圧を加えてバイアス回路を形成する。MOSFETのソース端子5,6,25,26に電流源3,4,23,24を設けることで、動作電流を流しながら高いインピーダンスを維持することができる。MOSFETのドレイン端子7,8,27,28には、負荷10,11,30,31を設ける。MOSFETの両側ボディーがそれぞれ自身のソースと連結(tie)することで、ボディー効果を除去する。MOSFETのソース側差動入力端子5,6,25,26に差動信号を入力し、ドレインの差動出力端子7,8,27,28を通して増幅された差動信号を得る。
上記のように、差動増幅器におけるボディー効果によって、共通ゲート増幅器の利得を向上できるが、ボディーの電位をソース電位より低下させるべきであって、トランジスタの降伏電圧が低くなるという問題点があった。
本発明は、一つの電圧源下に少なくとも一つ以上の前記ボディー‐ソース交差カップリングを用いた差動増幅器と共通ゲート差動増幅器とを混合し、多数段のカスケード形態で構成されることを特徴とする。
本発明に係るボディー‐ソース交差カップリングを用いた差動増幅器は、共通ソース差動増幅器及び共通ゲート差動増幅器によって構成されたカスコード差動増幅器において、前記共通ゲート差動増幅器の両側ボディーをそれぞれ反対位相側のソースと交差カップリングすることを特徴とする。
このとき、前記一つ以上の共通ゲート差動増幅器の全部または一部の共通ゲート差動増幅器の両側ボディーをそれぞれ反対位相側のソースと交差カップリングすることを特徴とする。
本発明において、前記共通ゲート差動増幅器を構成するNMOSは、トリプルウェル構造で形成され、PMOSは、ツインウェルやトリプルウェル構造で形成されることを特徴とする。
また、本発明は、高電流動作条件でも既存の共通ゲート差動増幅器より利得が向上するが、低電流動作条件で利得が一層大きく向上するので、低電力アナログ回路と低電力RF回路に適用したとき、利得面で非常に有利である。
図4及び図5は、本発明に係るボディー‐ソース交差カップリングを用いた差動増幅器を、それぞれNMOSとPMOSを適用して形成した回路構成図である。
図示したように、共通ゲート差動増幅器の両側ボディーは、それぞれ反対位相側のソースと交差カップリングする。
そして、NMOSFET及びPMOSFETのドレイン端子45,46,55,56には、図6〜図8に示すように負荷110,111,130,131,150,151を設ける。
AV=(gm+gmb)RLOAD
しかしながら、本発明において、共通ゲート増幅器を差動構造で具現し、ボディー‐ソースを交差カップリングで構成する場合、差動構造の両側が対称をなすとき、DCモードでは、各MOSFETの両側ボディーとソースの電位が全く同一になる。そのため、ボディー効果が表れず、降伏電圧も低下しない。
上記のように、本発明に係るボディー‐ソース交差カップリングを用いた共通ゲート差動増幅器の利得を増加でき、ボディー効果によって降伏電圧が低くなるという短所を既存の差動増幅器と比較して緩和できる。実際に、降伏電圧降下は、DCモードでは深刻な現象であり、AC降伏電圧がDC降伏電圧より高いため、相対的に降伏電圧降下による短所を緩和できる。
図10に示すように、共通ソース差動増幅器323,324と共通ゲート差動増幅器321,322とがカスケード形態で連結されたカスコード差動増幅器において、共通ゲート差動増幅器321,322をなすMOSFETの両側ボディーをそれぞれ反対位相側のソースと交差カップリングする。
共通ゲート差動増幅器321,322のドレイン端子327,328には、図3に示すように負荷310,311を設ける。
このとき、両側共通ゲート差動増幅器のMOSFET321,322のボディーは、NMOSである場合、図11に示したトリプルウェル工程によって形成され、PMOSである場合、ツインウェルまたはトリプルウェル工程によって両側のボディーが電気的に独立的に形成される。
すなわち、ボディー‐ソース交差カップリングを用いた共通ゲート差動増幅器において、DCモードでは両側のボディー電位がソース電位と同一であるが、ACモードではボディーにソース入力信号と反対位相の信号が入力されるため、電位差が存在する。このとき、正常な動作のために、図11に示したボディーとソースとの間のPN接合ダイオードは、ターンオンされてはならない。したがって、AC信号は、ボディーとソースとの間のPN接合ダイオードがターンオンされない範囲の小信号領域の電圧範囲で正常に動作する。
上記のように、ACモードではソース電圧変化と反対性向にボディー電圧が変わるので、ボディー効果が表れて利得も増加し、結果的に、カスコード差動増幅器の利得が向上する。
図12に示すように、増幅器が最大利得を得る高電流条件であるとき、本発明のボディー‐ソース交差カップリングを用いた共通ゲート差動増幅器が全体周波数範囲で1〜2dBだけ向上したことが分かる。
図13に示すように、増幅器が低い利得を得る低電流条件であるとき、本発明のボディー‐ソース交差カップリングを用いた共通ゲート差動増幅器が全体周波数範囲で2〜7dBだけ向上したことが分かる。
上記のように、従来の増幅器は、低電流条件で、高電流条件と比較して利得が大きく低下するが、本発明の増幅器は、低電流条件でもボディー効果による利得向上が大きいので、利得低下が小さくなる。
図14に示すように、増幅器が最大利得を得る高電流条件であるとき、本発明のボディー‐ソース交差カップリングを用いた共通ゲート差動増幅器が全体周波数範囲で1〜2dBだけ向上したことが分かる。
図15に示すように、増幅器が低い利得を得る低電流条件であるとき、本発明のボディー‐ソース交差カップリングを用いた共通ゲート差動増幅器が全体周波数範囲で10〜14dBだけ向上したことが分かる。
上記のように、従来の増幅器は、低電流条件で、高電流条件と比較して利得が大きく低下するが、本発明の増幅器は、低電流条件でもボディー効果による利得向上が大きいので、利得低下が小さくなる。
また、従来のボディー効果による降伏電圧減少は、DCモードでなくACモードで表れるので、降伏電圧減少も緩和される。
21,22,51,52 PMOSFET
3,4,23,24 電流源
5,25,43,53 差動入力ポート(+)
6,26,44,54 差動入力ポート(−)
7,27,45,55 差動出力ポート(+)
8,28,46,56 差動出力ポート(−)
9,29,47,57 共通ゲートポート
10,11,30,31 負荷
101,102,121,122,141,142,201,202,203,204,205,206 NMOSFET
103,104 電流源
123,124 インダクター
143,144 抵抗
105,125,145,209 差動入力ポート(+)
106,126,146,210 差動入力ポート(−)
107,127,147,211 差動出力ポート(+)
108,128,148,212 差動出力ポート(−)
109,129,149,213,214,215 共通ゲートポート
110,111,130,131,150,151,216,217 負荷
301,302,303,304,321,322,323,324 NMOSFET
305,325 差動入力ポート(+)
306,326 差動入力ポート(−)
307,327 差動出力ポート(−)
308,328 差動出力ポート(+)
309,329 共通ゲートポート
310,311 負荷
Claims (7)
- 共通ゲート増幅器を差動構造で具現した共通ゲート差動増幅器において、
前記差動増幅器の両側ボディーをそれぞれ反対位相側のソースと交差カップリングし、
両側ソースが差動入力端子として用いられ、両側ドレインが差動出力端子として用いられることを特徴とするボディー‐ソース交差カップリングを用いた差動増幅器。
- 一つの電圧源下に少なくとも一つ以上の前記ボディー‐ソース交差カップリングを用いた差動増幅器と共通ゲート差動増幅器とを混合し、多数段のカスケード形態で構成されることを特徴とする請求項1に記載のボディー‐ソース交差カップリングを用いた差動増幅器。
- 前記共通ゲート差動増幅器を構成するNMOSは、トリプルウェル構造で形成され、PMOSは、ツインウェルやトリプルウェル構造で形成されることを特徴とする請求項1または2に記載のボディー‐ソース交差カップリングを用いた差動増幅器。
- 共通ソース差動増幅器及び共通ゲート差動増幅器によって構成されたカスコード差動増幅器において、
前記共通ゲート差動増幅器の両側ボディーをそれぞれ反対位相側のソースと交差カップリングすることを特徴とするボディー‐ソース交差カップリングを用いた差動増幅器。 - 一つの電圧源下に一つの前記カスコード構造のボディー‐ソース交差カップリングを用いた差動増幅器を挿入し、前記差動増幅器と負荷との間に一つ以上の共通ゲート差動増幅器を挿入して多数段のカスケード形態で構成されることを特徴とする請求項4に記載のボディー‐ソース交差カップリングを用いた差動増幅器。
- 前記一つ以上の共通ゲート差動増幅器の全部または一部の共通ゲート差動増幅器の両側ボディーをそれぞれ反対位相側のソースと交差カップリングすることを特徴とする請求項5に記載のボディー‐ソース交差カップリングを用いた差動増幅器。
- 前記共通ゲート差動増幅器を構成するNMOSは、トリプルウェル構造で形成され、PMOSは、ツインウェルやトリプルウェル構造で形成されることを特徴とする請求項4乃至6のうち何れか1項に記載のボディー‐ソース交差カップリングを用いた差動増幅器。
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US7583116B2 (en) * | 2007-08-03 | 2009-09-01 | International Business Machines Corporation | High output resistance, wide swing charge pump |
US8577305B1 (en) * | 2007-09-21 | 2013-11-05 | Marvell International Ltd. | Circuits and methods for generating oscillating signals |
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US9450649B2 (en) | 2012-07-02 | 2016-09-20 | Marvell World Trade Ltd. | Shaping near-field transmission signals |
US9236841B2 (en) * | 2013-09-19 | 2016-01-12 | Analog Devices, Inc. | Current-feedback operational amplifier |
US9473101B2 (en) * | 2015-02-09 | 2016-10-18 | Qualcomm Incorporated | Amplifier with integral notch filter |
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Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56143710A (en) * | 1980-03-13 | 1981-11-09 | Philips Nv | Current source circuit |
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---|---|---|---|---|
US6380787B1 (en) | 1999-08-31 | 2002-04-30 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit and method for minimizing clock skews |
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US6680650B2 (en) * | 2001-01-12 | 2004-01-20 | Broadcom Corporation | MOSFET well biasing scheme that migrates body effect |
KR100413182B1 (ko) * | 2001-11-30 | 2003-12-31 | 한국전자통신연구원 | 차동 선형 증폭기 |
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KR100587566B1 (ko) * | 2004-10-04 | 2006-06-08 | 삼성전자주식회사 | 가변 이득 증폭기 |
KR100694065B1 (ko) * | 2004-11-11 | 2007-03-12 | 삼성전자주식회사 | 가변 이득 증폭기 |
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