JP4530090B2 - 試し書き方法、情報記録方法及び情報記録装置 - Google Patents

試し書き方法、情報記録方法及び情報記録装置 Download PDF

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Description

本発明は、記録媒体にエネルギーを注入して未記録部とは異なるマークを形成すること
によって情報を記録するための試し書き方法、情報記録方法及び記録装置に関するもので
ある。
光ディスクに精度良く情報を記録するために,試し書きが行われている。試し書きとは
,より良い品質の記録マークを形成するため,そのときの環境温度やドライブに搭載され
ているレーザの特性等に応じて,最適記録パラメータを求める動作を指す。DVD−RW
,DVD+RW,BD−REなどの光ディスクは,記録膜にいわゆる共晶系と呼ばれる組
成の材料を用いている。現在製品化されている記録装置では,通常,これらの光ディスク
に試し書きを行う場合,まず光ディスクに予め書かれた記録条件を読み出し,その後レー
ザパワーの調整を行う。ここでいう記録条件とは,例えば,高レーザパワーである記録パ
ワーレベル(Pw)と中間パワーである消去パワーレベル(Pe),バイアスパワーレベ
ル(Pb)で表されるレーザパワー設定値や,マルチパルス波形を構成している始端パル
スと後続する複数個の中間パルス及び後端パルスの各パルス幅などである。
実際の試し書きでは,これらの記録条件を元に,光ディスクに予め書き込まれたP0と
Peの比を固定し,レーザパワーをパラメータとして記録最適条件を求める手法を採用し
ている。この方法をOptimum Power Control(OPC)という。B
D1倍速あるいはDVD−RW2.4倍速など,比較的低速での記録では,このようなP
w/Pe一定でのレーザパワーのみを変化させた試し書きをすることで良好な記録品質を
得ることができた。
これらの光ディスクにおける高速記録再生技術の研究開発が進んでいる。例えば,Opti
cal Data Storage 2003, Proceedings of SPIE Vol.5069(2003),p130(非特許文献1)に
は,BD6倍速に相当する記録速度216Mbpsでの記録技術が述べられている。記録
速度の高速化に伴い,高速化に適した記録波形,いわゆる2T系ストラタジの研究も進め
られてきている。2T系ストラタジとは、隣り合った1対の偶数長マークと奇数長マーク
の記録パルス数を同じにした記録波形をいう。具体的には,図2に示すように,例えば最
短マーク長が2Tマークの場合,2Tマークと3Tマークでは1つの矩形パルスを発生し,
4Tマークと5Tマークでは始端パルスと後端パルスの2つのパルスを発生する。6Tマー
クと7Tマークは始端パルス,1個の中間パルス,後端パルスの計3個のパルスを発生す
る。
この2T系ストラタジの例として、特開平9−134525号公報(対応USP5,732,062
、特許文献1)には、始端パルスと後続する複数個の中間パルス及び後端パルスからなる
マルチパルス記録方式において,記録チャンネルクロック周期に対する偶数長と奇数長の
いずれか一方のマーク長を記録する場合に,始端パルスと後端パルスのパルス幅を記録チ
ャンネルクロック周期と略同一とすることが記載されている。
また、特開平11−175976号公報(対応USP6,256,277、特許文献2)では,マル
チパルス中の最短パルス幅を検出窓幅の1/2倍より長くなるように記録波形を組むとい
う手法が提案されている。これにより,記録媒体の冷却時間が十分確保できるようになり
,あるいはレーザ駆動電流の周波数成分が低減されるので,高転送速度時でもマークを十
分な精度で形成することができることが述べられている。
更に、特開2003−30833号公報(特許文献3)では,特開平11−17597
6号公報と同様に中間パルス列の周期を記録チャンネルクロック周期よりも長くするだけ
でなく,先行するスペースや後続のスペースに依存して始端パルスと後端パルスのエッジ
位置を変化させて記録する手法をとっている。本方法により,高密度・高転送レートで記
録する場合に問題となるトラック方向の熱干渉によるエッジシフトを極力抑制することが
できるため,高精度の記録制御を実現することができることが記載されている。
また、特開2001−331936号(対応US2001/053115A1、特許文献4)には、偶
数符号列と奇数符号列で基準クロックをずらし、また,偶数用と奇数用の記録パルス波形
について,始端パルス及び後端パルスのデューティー比を奇数用と偶数用でそれぞれ変え
て生成することが記載されている。
なお、高転送レート記録時における2T系ストラテジの記録マーク形状制御効果は,例え
ば,Optical Data Storage 2000, Proceedings of SPIE Vol.4090(2000),p135(非特許文
献2)に詳述されている。
特開平9−134525号
特開平11−175976号 特開2003−30833号 特開2001−331936号 Optical Data Storage 2003, Proceedings of SPIE Vol.5069(2003),p130 Optical Data Storage 2000, Proceedings of SPIE Vol.4090(2000),p135
上記従来技術の試し書き方式,いわゆるOPC方式では,Pw/Peを一定としたレー
ザパワーの最適化を行い,その中で最良の品質の記録条件を求めていた。しかしながら,
本発明者らの検討の結果、新たに、BD4倍速,あるいはDVD±RW8倍速以上の記録
速度を達成しようとすると,Pw/Pe固定のレーザパワーをパラメータにするOPC方
式では,十分良好なマーク品質を得ることが困難となることがわかった。それは以下の理
由による。BD1倍速やDVD±RW2.4倍速のような低速記録の場合,上記始端パル
スを照射してから次のパルス(中間パルスあるいは後端パルス)を照射するまでの時間が
十分あるために,次のパルス照射時には,記録膜は十分に冷却される。しかしながら,高
速記録では,始端パルスを照射後次のパルスを照射するまでの時間が短くなるため,記録
膜の冷却速度が相対的に不十分となり,始端パルスで形成した前エッジ部分が十分冷えな
いという問題が生じる。前エッジ部分が十分冷却していない状態で次のパルスを照射する
と,前エッジ部分で結晶化が起こり,エッジゆらぎやエッジシフトが発生してしまう。こ
れはマーク品質が低下することに等しく,高速化によって記録性能が劣化するという問題
が発生した。
また,記録高速化に伴い,市販のドライブに搭載されているレーザ特性の個体ばらつき
も無視できなくなる。例えばBD4倍速での記録チャンネルクロック周期Tは約3.8n
sとなり,1ns以下でレーザ波形を制御する必要が生じる。しかしながら,現在のレー
ザの立ち上がり,立下り時間は1〜2ns程度であるので,1nsの波形制御は物理限界
に近く,レーザの立ち上がり,立下りの個体差が記録マーク形状に大きく影響するように
なる。さらに,スポット径のドライブ間ばらつき等で発光波形がドライブ間で異なる場合
等,低速記録では媒体で装置の個体差を吸収できた問題が,高速記録では表面化してしま
うという問題が生じた。
そこで、本発明では、以下の構成とする。
(1)記録符号列中のマーク長を、検出窓幅の自然数n倍長のマークに対して、nを2以
上の整数定数で除算した剰余にしたがって分類される記録パターンを、それぞれ記録して
再生を行い、その再生結果を基に、最適記録パルス波形を設定する。これにより、剰余に
従って分類される記録パターン毎に、パルス調整量を揃えることができるので、高速に対
応可能な最適パルスを効率的に求めることができる。
即ち、2T系ストラタジの場合は、以下のようになる。基準クロック周期の偶数倍に対
応する長さの記録マークで構成された偶数長記録パターンと,奇数倍に対応する長さの記
録マークで構成された奇数長記録パターンとを,各々記録して再生を行い、その再生結果
を基に、偶数長の最適記録パルス波形と、奇数長の最適記録パルス波形を設定する。言い
換えると、一つの記録マークの時間的な長さをnTとし(Tは基準クロック周期,nは2
以上の自然数),L個のパルスからなる記録用レーザビームを用いて試し書き用の記録波
形を形成する場合,記録パターンは,(A)nT=2LTなるマーク,すなわち前記基準
クロック周期の偶数倍に対応する長さの記録マークで形成された偶数長記録パターンと,
(B)nT=(2L+1)Tなるマーク,すなわち奇数倍に対応する長さの記録マークで
形成された奇数長記録パターンとし、(A)偶数長記録パターンと(B)奇数長パターン
とを各々記録する。そして、これら記録パターンの再生を行い,その結果をもとに最適記
録パルス条件を設定する過程で,各々求めた偶数長記録パルス波形と奇数長記録パルス波
形をもとに最適記録パルス波形を設定する。
続いて、3T系ストラタジの場合は、以下のようになる。nT=3LT系の場合には、
(A)nT=3LTなるマークで形成された記録パターンと,(B)nT=(3L−2)
Tなるマークで形成された記録パターンと,(C)nT=(3L−1)Tなるマークで形
成された記録パターンとを用い,これらを各々記録し,その後各々求めた3セットの記録
パルス波形をもとに最適記録パルス波形を設定する。
また、4T系ストラタジの場合は、以下のようになる。nT=4LTの場合は、(A)
nT=4LTのマークで形成された記録パターンと、(B)nT=(4L−2)Tなるマ
ークで形成された記録パターンと,(C)nT=(4L−1)Tなるマークで形成された
記録パターンと,(D)nT=(4L+1)Tなるマークで形成された記録パターンとを
用い、これらを各々記録し,その後各々求めた4セットの記録パルス波形をもとに最適記
録パルス波形を設定する。
(2)また、最適パルス波形の設定について、剰余に応じて分類された記録パルス波形
の始端パルス照射開始位置同士の相対的位置関係を調整することにより最適記録パルス波
形を設定する。これにより、簡便な構成で、最適記録波形を得ることができる。
(3)また、試し書き時のパラメータをPw/Peを一定としたレーザパワーとせず,P
w,Peを各々独立に可変とし,また,パルス幅,パルス開始位置を可変とすることによ
り,レーザの立ち上がり,立下りの装置間ばらつきや,装置によるスポット形状差を吸収
できる。また,このようなパラメータにすることで,媒体の冷却時間を考慮した発光波形
を設定することができるため,エッジ揺らぎやエッジシフトを極力抑えることが可能とな
る。これらのパラメータは全て変えながら試し書きをしてもいいし,あるパラメータを固
定値とし,残りのパラメータを変えて最適波形を求めてもよい。
このとき,2T系ストラテジでは,偶数長マークと奇数長マークを別々に試し書きするこ
とが有効である。
このような方法は,記録膜が1層あるタイプの光ディスクだけでなく,記録層が複数層
ある種類の光ディスクにも特に有効である。例えば,記録層が2層存在する光ディスクの
場合,各記録層での記録マージンが,記録層が単層のディスクのそれよりも狭くなってし
まうという課題が発生するが,本発明のように,レーザパワーの制御だけでなく記録パワ
ーPw,消去パワーPeを各々設定したり,パルス幅を可変にすることで,記録マージン
を広げることが可能となる。
これらは、特に,DVD−RW,DVD+RW,BD−REなど,共晶系記録膜を用いた
書換可能タイプの媒体を用いたときの試し書きで有効である。
これらの試し書きを行うことにより,従来よりも試し書きに多少時間がかかる場合が生
じるが,DVD±RWやBD−REのような,記録に“焼く”という言葉を用いる媒体の
場合,試し書きに要する時間は2〜3秒であり,“焼く”(記録する)作業に要する時間(
例えば10分)のほうが圧倒的に長いため,試し書き所要時間が5倍に増えたとしても,
ユーザを待たせる時間はほとんど変わらず,光ディスクの使い勝手が悪くなることはなく
,またユーザのデメリットになることはない。
本発明によれば、試し書きの精度を高めることができるので,より記録品質の良好な高
速対応光ディスクを提供することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
まず,本実施例で用いる記録方式について述べる。光ディスクにデータを書き込む場合
にマルチパルスによるマークエッジ記録方式を用い,データをマークとスペースの長さ情
報としてディスクに書き込む。また,マークの長さが3Tから14T,スペースの長さが
3Tから14Tの整数値の組み合わせである変調方式を用いた。図3に、本発明で用いた
記録波形の一例を示す。本実施例では,2T系ストラテジを用いた。3Tマークは単一パ
ルスから形成され,4Tマーク及び5Tマークは始端パルスと後端パルスの2つのパルス
から形成される。6Tマーク及び7Tマークは始端パルスと後端パルス,及び1つの中間
パルスの計3つのパルスから構成され,8Tマークと9Tマークは始端パルスと後端パル
ス,及び2つの中間パルスの計4つの記録パルスからなる。以降,マーク長が長くなるに
従って中間パルス数が増える。ここで,記録マークをnT(Tは基準クロック周期,nは
2以上の自然数)とすると,4T,6Tマークなどの偶数長マークはnT=2LTで表さ
れ,3T,5Tマークなどの奇数長マークはnT=(2L+1)Tで表すことができる。
このとき,Lは自然数で,記録パルス数を表す。
ディスクには,12倍速記録が可能な書換型DVD(赤色光源対応相変化ディスク)を用
い,線速度は約41.9 m/sとした。図3でのクロック周期Tは約3.2nsである
本実施例での試し書き方法の動作を説明するフローチャートを図1に示し,これにした
がって本発明を説明する。まず,第1のステップ(S101)として,ディスクに記録し
てある推奨記録パワー,パルス幅等の記録条件を読み出し,レーザパワーとして記録パワ
ー(Pw)130mW,消去パワー(Pe)6mW,バイアスパワー(Pb)0.5mW
を得た。第2のステップ(S102)としてこの付近のレーザパワー条件を設定し,第3
のステップ(S103)としてディスク上に試し書きを行った。レーザパワー条件は,P
bの値は固定し,Pw/Peを固定値とせず,Pwを116mWから144mWの間を2
mW刻みで,Peを5.5mWから6.5mWの間を0.5mW刻みで変化させた。第3
のステップ(S103)での試し書きの結果,第4のステップ(S104)として,Pw
が134mW,Peが6mWで最小ジッター6.2%が得られた。最適記録パワーを選択
するための,第3のステップで用いる試し書き用記録パターンは,全てのマーク長とスペ
ース長が入り組んだ,いわゆるランダム信号でないことが好ましい。高速記録の場合,記
録パルス幅等記録波形が最適化されていない状態でランダム信号を記録すると,本来最適
記録パワー付近でもジッターが下がらない場合がある。これは,不適当な記録波形を用い
て記録していることが原因で,その結果,本来最適パワーとなるレーザパワーを選択でき
ないという問題が発生する。従って,第3のステップで用いる試し書き用記録パターンは
,単一マークとスペースの繰り返し記録パターン,あるいは,数種類のマークと長いスペ
ースを用いた記録パターンなど,マーク間の熱干渉が生じないような,簡単な記録パター
ンが好ましい。
第4のステップにおいて選択した最適記録パワーを用いて,次に,第5及び第6のステ
ップ(S105及びS106)として,記録マークの記録パルス幅及び記録パルス開始位
置の最適条件を求めるための記録を行った。このとき,図1に示したように,偶数長マー
クのみで構成された試し書きパターンと,奇数長マークのみで構成された試し書き用記録
パターンをそれぞれ用いて記録することが重要である。本実施例では,偶数長マークのみ
から成る偶数長マーク用試し書きパターンには,4T,6T,8T,10T,12T,1
4Tの偶数長マーク6種類と3〜14Tの12種類の長さのスペースがランダムに配置さ
れている。同様に,奇数長マークのみから成る奇数長マーク用マーク試し書きパターンに
は,3T,5T,7T,9T,11T,13Tの奇数長マーク6種類と3〜14Tの12
種類の長さのスペースがランダムに配置されている。ここでは,これらの記録パターン中
のスペース長として,偶数長と奇数長を混在させたものを用いた。スペース長に関しては
,例えば偶数長用試し書きパターンに偶数長スペースだけ設けるなどの限定を設ける必要
はない。
2T系ストラテジでは,隣り合う1対の偶数長マークと奇数長マークの記録パルス数が
等しい。例えば,図3をみるとわかるように,4Tマークと5Tマークは各々2つの記録
パルスから構成されており,6Tマークと7Tマークは3つの記録パルスから成り立って
いる。ここで特徴的なのは,4Tマークの始端パルス照射後のPbレベルパルス幅(W1
)と6Tマークのそれ(W1)とはほぼ同じ長さであり,同様に,5Tマークの始端パル
ス照射後のPbレベルパルス幅(W2)と7Tマークのそれ(W2)とはほぼ同じ長さと
なることである。始端パルスが形成する記録マークの前エッジ位置は,始端パルスの次に
くる記録パルスの開始位置に影響される。例えば,始端パルスの次にくる記録パルスが始
端パルスから遠くなると,記録膜が溶融した後に再結晶化してしまう領域が少なくなるた
め,前エッジ位置のシュリンクが少なく,溶融領域前端に近い位置に固定される。反対に
,始端パルスの次にくる記録パルスが始端パルスから近くなると,記録膜が溶融した後に
再結晶化してしまう領域が広くなるため,前エッジ位置のシュリンクが激しく,溶融領域
よりも後方に前エッジ位置が固定される。
4Tマークと6Tマーク,5Tマークと7Tマークはそれぞれ,始端パルスの次にくる
記録パルス(中間パルスあるいは後端パルス)照射による前エッジ位置への影響が各々ほ
ぼ同じであると考えられる。図3のように(図2には記載していないが),8Tマークは
4Tおよび6Tマークと類似した前エッジ位置となる。このような,類似の熱的特性をも
つマークのみで構成した試し書き用記録パターンを用いることで,複数種類の記録パルス
形状から生じるエッジ位置変動分によるジッタ増大が見えにくくなるため,正確かつ効率
的に最適記録パルス幅を求めることができる。
第7及び第8のステップ(S107及びS108)にて求めた最適条件を満たす記録パ
ルスのパルス幅及び位置に設定した各記録マークの記録波形を用い,第9のステップ(S
109)である試し書きを行った。具体的には,S107及びS108で求めた偶数長マ
ークの始端パルス開始位置と奇数長マークのそれとの相対位置をパラメータとして,図3
に記載のΔTを求めた。第9のステップ(S109)での試し書きの結果,第10のステ
ップ(S110)にて,最適ΔTは0.07Tw,最適ジッターは6.4%を得た。
本実施例での中間パルス幅は偶数長マークと奇数長マークで同一幅としたが,それぞれの
中間パルスの幅や中間パルスのデューティーを各々設定することにより,より良好な記録
条件を求めることができる。
本実施例では,図3に示したように,単一パルスで形成される3Tマークに関しては,
始端パルス位置を含む記録パルス条件を独立に設定した。3Tマークは単一パルスから成
るために,他の複数の記録パルスから構成されるマークとは,前エッジ位置が決まるプロ
セスが異なるからである。本実施例では,ステップS109の試し書きにて,第10のス
テップ(S110)でΔTを求めると同時に,3Tマークの記録パルス条件も求めた。
また,本実施例では,4Tマークと5Tマークが同じ記録パルス数となるような,nT=2
LTとnT=(2L+1)Tの記録パルスが等しい場合としたが,5Tと6Tが同じパル
ス数となるような,nT=2LTとnT=(2L−1)Tの記録パルスが等しい場合も,
本発明の効果は変わらない。
さらに,本実施例では,個々の記録マークの始端パルス開始位置を個別パラメータとし
て試し書きを行った。具体的には,各マークの始端パルス開始位置,始端パルス幅,中間
パルス列開始位置及びパルス幅,後端パルス開始位置及び後端パルス幅を求めた。結果と
して,図3にあるように,4Tマーク以上の長さの偶数長マーク間でクロックに対する始
端パルス開始位置は同一であり,5Tマーク以上の長さの奇数長マーク間でも同様に同一
の始端パルス開始位置を得た。このように,結果として,偶数長マーク間,奇数長マーク
間で,最適始端パルス開始位置が各々同一の場合になることがある。したがって,実際の
量産ドライブでの試し書きでは,S105とS106のステップで行われる各々の試し書
き用記録パターン内で,始端パルス開始位置を予め同一として設定しておくことにより,
試し書きに要する時間が短縮でき,さらに試し書きに必要なエリアの使用を少なくするこ
とができる。
また,本実施例では,再生特性の評価要素としてジッターを用いたが,評価要素の種類を
変えたとしても,本発明の効果に変わりはない。例えば再生性能評価にPRMLなどを用
いてもよい。
さらに,本実施例では,記録パワーPw,消去パワーPeを可変としたが,ディスクに
記録してある推奨記録パワーを固定値とし,パルス幅を可変とすることにより,最適記録
条件を求めることも可能である。この試し書き方式では,レーザパワーを固定値とするた
め試し書き時のパラメータ数が減るので,試し書きに要する時間を短縮でき,また,試し
書き領域の使用エリアを少なくするという利点がある。
実際のユーザデータの記録は、これら試し書きの結果、得られた記録波形を用いて行われ
る。
実施例1においては,試し書き用記録パターンを,nT=2LTで表される偶数長マー
クと,nT=(2L+1)Tで表される奇数長マークとに分けて,各々記録し,最適記録
波形を得た。すなわち,実施例1では図6に示すように,偶数長マークの最適記録波形を
決めるための試し書きに,例えば1トラック用いたとすると,同様に奇数長マークの最適
記録波形を決めるための試し書きに,さらに1トラック必要となる。
本実施例では,1つの試し書き用記録パターンの中に,偶数長マークのみで構成された記
録パターン領域と奇数長マークのみで構成された記録パターン領域を設け(図9,1),
夫々の再生特性を別々に測定することにより,試し書きの効率向上を実現した例を述べる
。即ち、偶数長マークで構成された記録パターンと奇数長マークで構成された記録パター
ンとを連続して形成する。
ディスクには,6倍速記録が可能な青色光源対応相変化ディスクを用いた。線速度は約
31.7m/sとした。本実施例での試し書き方法の動作を説明するフローチャートを図
4に示す。まず,第1のステップ(S201)として,ディスクに記録してある推奨記録
パワー等記録条件を読み出し,記録パワー(Pw)18mW,消去パワー(Pe)3.4
mW,バイアスパワー(Pb)0.25mWを得た。第2のステップ(S202)として
この付近のレーザパワー条件を設定し,第3のステップ(S203)としてディスク上に
試し書きを行った。レーザパワー条件は,Pbの値は固定し,Pwを16mWから20m
Wの間を0.2mW刻みで,Peを3.1mWから3.7mWの間を0.2mW刻みで変
化させた。第3のステップ(S203)での試し書きの結果,第4のステップ(S204
)として,Pwが18.2mW,Peが3.2mWで最小ジッター4.5%が得られた。
第4のステップ(S204)において選択した最適記録パワーを用いて,次に,第5の
ステップ(S205)として,記録マークの記録パルス幅及び記録パルス開始位置の最適
条件を求めるための記録を行った。このとき,1つの試し書き用記録パターンの中に,偶
数長マーク(nT=2LT)のみで構成された記録パターン領域と奇数長マーク(nT=
(2L+1)T)のみで構成された記録パターン領域を設け,これらの記録パターン領域
での再生信号を別々に測定評価することにより,偶数長,奇数長マーク各々の最適記録パ
ルス条件を求めた。パルス幅は,1/16T刻みで変化させた。この結果,偶数長マーク
の始端パルス幅は設定値0.81Tに対して,0.88Tのパルス幅が得られた。また,
奇数長マークの始端パルス幅は設定値0.88Tに対して,0.94Tのパルス幅が得ら
れた。ここでは,始端パルス幅について述べたが,後端パルス幅や後端パルス照射後のク
ーリングレベルの下向きパルス幅も最適化している。
第6及び第7のステップ(S206及びS207)にて求めた最適条件を満たす記録パ
ルスのパルス幅及び位置に設定した各記録マークの記録波形を用い,第8のステップ(S
208)である試し書きを行った。具体的には,S206及びS207で求めた偶数長マ
ークの始端パルス開始位置と奇数長マークのそれとの相対位置をパラメータとして,図2
に記載のΔTを求めた。第8のステップ(S208)での試し書きの結果,第9のステッ
プ(S209)にて,最適ΔTは0.1T,最適ジッターは5.0%を得た。
2Tマーク及び3Tマークのように単一パルスで形成されるマークに関しては,実施例
1と同様,始端パルス位置を含む記録パルス条件を独立に設定した。2T及び3Tマーク
は単一パルスから成るために,他の複数の記録パルスから構成されるマークとは,前エッ
ジ位置が決まるプロセスが異なるからである。本実施例では,ステップS208の試し書
きにて,第9のステップ(S209)でΔTを求めると同時に,2Tマーク及び3Tマー
クの記録パルス条件も求めた。
最後に,ステップS204にて求めた最適記録パワーの微調整を行った(S210)。
ステップS204では,Pwが18.2mW,Peが3.2mWで最小ジッターが得られ
たが,ステップS210では,Pwが18.5mWにて最小ジッターを得た。Peは3.
2mWで変わらなかった。このように,記録パワーを定め,その記録パワーを用いて記録
パルス条件を設定したあとで,再び記録パワーを微調整することで,より適正な記録条件
を求めることができる。
実際の記録は、この試し書き記録により決定された記録波形を用いて行われる。
実施例2では,1つの試し書き用記録パターンの中に,偶数長マークのみで構成された
記録パターン領域と奇数長マークのみで構成された記録パターン領域を設けた。本実施例
では,試し書き用記録パターンに,全てのマーク長とスペース長が入り組んだいわゆるラ
ンダム信号を用い,再生時に偶数長と奇数長に分けて読み込んで,偶数長マークと奇数長
マークの最適記録条件を求める試し書き方式とした。本方式では,1つの記録パターンか
ら,偶数長,奇数長マークの再生特性を別々に測定するため,特別な試し書き用記録パタ
ーンを用意する必要がない。従って,現状からの変更点が少なくて済み,また,偶数奇数
別々に記録パターンを持つ試し書き方式と比較して,試し書きに必要な時間及び領域が短
くなる,という利点がある。
本実施例で用いたディスクは実施例2のディスクと同一であり,線速度も同じく約31
.7m/sとした。図11に,本実施例での試し書き方法の動作を説明するフローチャー
トを示す。第1のステップ(S301)から第4のステップ(S304)までは,実施例
2に記載した動作(図4のS201からS204)と同一のため,ここでは説明を省略す
る。
第4のステップ(S304)において選択した最適記録パワー(Pw18.2mW,P
e3.2mW)を用いて,次に,第5のステップ(S305)として,記録マークの記録
パルス幅及び記録パルス開始位置の最適条件を求めるための記録を行った。本実施例では
,試し書き用記録パターンとしてランダム信号を用いた。第6及び第7のステップ(S3
06及びS307)にて,ランダムに配置された偶数長マークと奇数長マークの再生信号
を同時測定し,それを偶数長と奇数長に分けて評価し,第8及び第9のステップ(S30
8及びS309)にて偶数長,奇数長マーク各々の最適記録パルス条件を求めた。
第8及び第9のステップにて求めた最適条件を満たす記録パルスのパルス幅及び位置に
設定した各記録マークの記録波形を用い,第10のステップ(S310)である試し書き
を行った。具体的には,S308及びS309で求めた偶数長マークの始端パルス開始位
置と奇数長マークのそれとの相対位置をパラメータとして,図2に記載のΔTを求めた。
第10のステップ(S310)での試し書きの結果,第11のステップ(S311)にて
,最適ΔTは0.1T,最適ジッターは5.1%と,実施例2と同等の性能を得ることが
できた。
2Tマーク及び3Tマークのように単一パルスで形成されるマークに関しては,実施例2
と同様の扱いとした。最適記録パワーの微調整(S312)の結果,実施例2と同じPw
18.5mW,Pe3.2mWが得られた。
このような方法は,記録膜が1層あるタイプの光ディスクだけでなく,記録膜が複数層
ある種類の光ディスクの試し書き方法として,特に有効である。記録層が2層存在するB
D−RE4倍速対応光ディスクの場合,単層4倍速BD−REディスクでの記録マージン
と比較して,各記録層の記録マージンが2〜5ポイント程度狭くなってしまうが,本発明
のように,レーザパワーの制御だけでなく記録パワーPw,消去パワーPeを各々設定し
たり,パルス幅を可変にすることで,記録マージンを単層BDと同程度まで広げることが
可能となる。
実施例2では2T系ストラテジを用いたため,試し書き用記録パターンを偶数長マーク
と奇数長マークに分けた。本実施例では、3T系ストラテジの例を示す。3T系ストラテ
ジとは,nT=3LT,nT=(3L−2)T,nT=(3L−1)Tで表されるマーク
の記録パルス数を同一にした記録系である。例えば、4T〜6Tマークは2つの記録パル
スで構成され、7T〜9Tマークは3つの記録パルスで構成される。このような3T系ス
トラタジを図5に示す。
本実施例では、実施例2で用いたディスク及びテスタを用い,3の倍数で表されるマー
ク長と,3の倍数から1を引いた数となるマーク長,及び3の倍数から2を引いた数とな
るマーク長から構成される3種類の試し書き用記録パターンを記録した。具体的には,n
T=3LTマーク用試し書きパターンには,6T,9Tマーク2種類と3〜14Tの12
種類の長さのスペースがランダムに配置されている。同様に,nT=(3L−1)Tマー
ク用試し書きパターンには,5T,8Tマーク2種類と3〜14Tの12種類の長さのス
ペースがランダムに配置されており,nT=(3L−2)Tマーク用試し書きパターンに
は,4T,7Tマーク2種類と3〜14Tの12種類の長さのスペースがランダムに配置
されている。
そして、上記実施例1,2と同様,各パルス幅及び各パルス開始位置を求め,その後,
図5に示したnT=(3L−1)TマークとnT=(3L−2)Tマークのパルス開始位
置の差であるΔT1(例えば4Tと5Tの間隔,7Tと8Tの間隔)をパラメータとして
求めた。また、nT=(3L−1)TマークとnT=3LTマークのパルス開始位置の差
であるΔT2(例えば5Tと6Tの間隔、8Tと9Tの間隔)、つまりnT=(3L−1
)TマークとnT=3LTマークの始端パルス相対位置をパラメータとして求めた。その
結果、ΔT1,ΔT2ともに,0.07Tが得られた。
本実施例では,8倍速記録が可能な青色光源対応相変化ディスクを用いて,より高速化
に適応した4T系ストラテジの例を示す。4T系ストラテジとは、隣接する4つのマーク
長を構成する記録パルス数を同一にした系である。例えば,nT=4LT,nT=(4L
−2)T,nT=(4L−1)T,nT=(4L+1)Tで表されるマークの記録パルス
数を同一にする。
この試し書き用記録パターンの一例を図10に示す。5T〜8Tマークは2つの記録パ
ルスで構成され、9T〜12Tマークは3つの記録パルス,13T〜14Tマークは4つ
の記録パルスで構成される。この4T系ストラテジを用いて,試し書き記録を行った。本
実施例では,実施例3と同様,試し書き用記録パターンに,全てのマーク長とスペース長
が入り組んだランダム信号を用いた。再生時に4パターンのグループに分けて読み込んで
,各グループの最適記録条件を求める試し書き方式とした。上記4パターンのグループと
は,具体的に,5,9,13Tマークのグループ,6,10,14Tマークのグループ,
7,11Tマークのグループ,そして,8,12Tマークのグループである。そして、上
記実施例と同様、各パルス幅及び各パルス開始位置を求め,その後,これら4グループの
始端パルス開始位置の相対的な位置調整を行った。ここでは,3Tマークと4Tマークの
記録パルスは独立に設定した。
上記実施例と同様に試し書きを行った結果,図10に示したnT=(4L−2)Tマー
クとnT=(4L−1)Tマークのパルス開始位置の差であるΔT1,nT=(4L−1
)TマークとnT=4LTマークのパルス開始位置の差であるΔT2、nT=4LTマー
クとnT=(4L+1)Tマークのパルス開始位置の差であるΔT3をパラメータとして
求めた。その結果、ΔT1,ΔT3の値として0.05T,ΔT2の値として0.06T
が得られた。また,始端パルス幅は,nT=(4L+1)Tで表されるマーク,すなわち
5,9,13Tマークのグループのみ設定値と異なるパルス幅となり,1/16Tだけ短
いパルス幅となった。
また、これら実施例1〜5は、特に、高密度,高転送レートでの記録条件を精度良く求め
ることに適している。
実施例1から5では,記録パルス幅及びパルス位置を変えることにより最適記録パルス
波形を求めた。本実施例では,実施例2で用いたディスクを使って,偶数長マークと奇数
長マークでパルス開始位置を一定とし,記録パワーを変えて最適記録波形を求める試し書
き方法を用いた。具体的には,図12に示すように,図2でのΔTを0とし,偶数長マー
クの記録パワーをPw1,奇数長マークの記録パワーをPw2とし,これらのPw1,P
w2を各々設定することにより,ジッターが最小となるPw1,Pw2を求めた。その結
果,Pw1が18.5mW,Pw2が18.2mWにて最小ジッターを得た。
本実施例では,始端パルスの記録パワーを変化させたが,始端パルスだけでなく,中間
パルスや後端パルスの記録パワーを変えても良い。これらのパルスの記録パワーを各々設
定することにより,レーザパワーレベルが増えて記録波形は複雑になるが,最適な記録条
件を求めることができるという利点がある。
なお、ここでは、パワーレベルを変える実施例を記載したが、より複雑にはなるが、パワ
ーだけでなく、パルス幅も同時に変化させて最適記録条件を求めることも可能である。
本実施例では,2T系ストラテジにおいて,ある所定の条件を満たした場合,偶数長マ
ークと奇数長マークの始端パルス開始位置を合わせた試し書き方式について説明する。
本実施例では,実施例2と同一のディスクを用い,線速度も実施例2と同じく約31.7
m/sとした。本実施例での試し書き方法の動作を説明するフローチャートを図13に示
す。まず,第1のステップ(S401)として,ディスクに記録してある推奨記録パワー
を読み出し,記録パワー(Pw)18mW,消去パワー(Pe)3.4mW,バイアスパ
ワー(Pb)0.25mWを得た。第2のステップ(S402)としてこの付近のレーザ
パワー条件を設定し,第3のステップ(S403)としてディスク上に試し書きを行った
。レーザパワー条件は,Pbの値は固定し,Pwを16mWから20mWの間を0.2m
W刻みで,Peを3.1mWから3.7mWの間を0.2mW刻みで変化させた。第3の
ステップ(S403)での試し書きの結果,第4のステップ(S404)として,Pwが
18.2mW,Peが3.2mWで最小ジッター4.5%が得られた。ここまでは,実施
例2と同様である。
第4のステップ(S404)において選択した最適記録パワーを用いて,次に,第5の
ステップ(S405)として,記録マークの記録パルス幅及び記録パルス開始位置の最適
条件を求めるための記録を行った。本実施例では,実施例3と同様,試し書き用記録パタ
ーンとしてランダム信号を用いた。S406からS411までのフローは実施例3と略同
一のため,説明を省く。試し書きの結果,第11のステップ(S411)にて,最適ΔT
(図2に記載)は0.1T,最適ジッターは5.1%を得た。
次に,第12のステップ(ステップ412)として,偶数長マークの始端パルス開始位
置T1と奇数長マークの始端パルス開始位置T2のほぼ中間位置T0を算出した。図7に
始端パルス開始位置T1,T2とその中間位置T0と,ジッターとの関係の一例を示す。
本実施例では,所定値をジッター5.8%とした。偶数長マークの始端パルス開始位置を
T0としたときのジッターσ1を測定(ステップ413),同じく,奇数長マークの始端
パルス開始位置をT0としたときのジッターσ2を測定(ステップ414),σ1及びσ
2が所定値よりも低いか否かをステップ415にて判定した。本実施例でのσ1は5.7
%,σ2は5.3%であり,所定値以下の値が得られたため,ステップS416にて偶数
長マークと奇数長マークの始端パルス開始位置をT0に決定した。このように,偶数長マ
ークと奇数長マークの始端パルス開始位置をそろえることにより,再生特性は多少悪くな
ってしまうが,記録波形が簡素化するため,実際の記録時に高速化できるという利点があ
る。
本実施例では,中間点をとるパラメータとして始端パルス開始位置を用いたが,実施例
6のように,パラメータとして記録パワーを用いても良い。この場合,実施例6で示した
Pw1とPw2の中間パワー(Pw1+Pw2)/2が設定パワーとなる。
また、ここでは、特性評価手段として、ジッタを用いたが、PRMLに適用されるレベルジッ
タなどを用いても同様である。
本実施例は、上記実施例で行った試し書きや実際の記録を行う上での装置を説明する。
ここでは、装置の一例として、実施例2のような2T系ストラタジの装置の例を示す。装
置の全体図を図8及び図14に示す。記録データは、符号化回路で記録符号語に変換され
、同期信号発生回路で発生した同期信号と合成回路で合成され、パルス変換回路に入力さ
れる。引き続き、パルス変換回路でパルスデータに変換され、記録パルス整形回路でパル
ス状に整形され、光源を駆動させる。ここまでは,図8及び図14で共通している。
偶数長マークと奇数長マークを分類して記録パターンを発生させる,偶奇分類試し書き
パターン発生回路を具備した装置を図8に示す。偶奇分類試し書きパターン発生回路は,
偶数長マークから成る試し書き用記録パターンと奇数長マークから成る試し書き用記録パ
ターンを各々発生しディスクに記録する。記録された信号は,検出回路にて検出され,再
生回路にて再生性能を評価,パルス波形決定回路で次のパルス波形を決定,調整量記憶手
段をへて記録パルス整形回路に戻る。パルス波形決定回路では,中間パルスのデューティ
ー比,始端パルス幅,後端パルス幅,後端パルス照射後のクーリングレベルの下向きパル
ス幅,各記録パワー値,始端パルス開始位置などのパルス形状を変えることができる。な
お、図8では、偶奇分類試し書きパターン発生回路について説明したが、検出窓幅の自然
数n倍長のマークに対して、nを2以上の整数定数で除算した剰余にしたがって分類され
た試し書きパターン発生回路であれば良い。
図14は,偶数長と奇数長で試し書き用記録パターンを分けずに,ランダム信号を利用
したときの装置の構成図(一例)を示している。試し書きにて記録されたランダム信号は
,検出回路にて検出され,その後,偶奇分類回路で,偶数長マークと奇数長マークに分類
される。図14では,偶数長マーク,奇数長マークそれぞれ専用の再生回路,パルス波形
決定回路,調整量記憶手段,記録パルス整形回路を具備していることが特徴である。これ
らの回路は,1つの回路の中に容易に実現でき,また,2個以上の複数個に増やすことも
容易である。また、図14では、偶奇分類回路について説明したが、検出窓幅の自然数n
倍長のマークに対して、nを2以上の整数定数で除算した剰余にしたがって分類する分類
回路でも、同様に適用できる。
本発明の一実施例にかかる試し書き方式の処理フロー図。 本発明で用いた記録パルス波形の一例。 本発明で用いた記録パルス波形の一例。 本発明の一実施例にかかる試し書き方式の処理フロー図。 本発明で用いた記録パルス波形の一例。 偶数長マークと奇数長マークの試し書き用記録パターンを用いた場合に用いる試し書き領域の一例。 始端パルス開始位置とその中間位置,及びジッターとの関係の一例。 本発明に用いた装置の一例。 本発明で用いた試し書き用記録パターンの一例。 本発明で用いた記録パルス波形の一例。 本発明の一実施例にかかる試し書き方式の処理フロー図。 本発明で用いた記録パルス波形の一例。 本発明の一実施例にかかる試し書き方式の処理フロー図。 本発明に用いた装置の一例。
符号の説明
1.試し書きエリア。

Claims (6)

  1. 情報記録媒体に対し、所定のライトストラテジを用いて記録符号を記録する情報記録方法において、
    前記情報記録媒体に、複数の奇数長マークと複数の偶数長マークとがランダムに配置されて構成されたランダム信号を記録し、
    当該ランダム信号の再生信号を、前記奇数長マークに対応する再生信号と前記偶数長マークに対応する再生信号とに弁別し、
    当該弁別された再生信号をもとに、前記ライトストラテジを構成する記録パルスの位置条件を設定することを特徴とする情報記録方法。
  2. 請求項1に記載の情報記録方法において、
    前記奇数長マークに対応する再生信号を用いて、前記ライトストラテジを構成する記録パルスのうち、奇数長マークを記録する際に使用する記録パルスの位置条件を設定し、
    前記偶数長マークに対応する再生信号を用いて、前記ライトストラテジを構成する記録パルスのうち、偶数長マークを記録する際に使用する記録パルスの位置条件を設定することを特徴とする情報記録方法。
  3. 請求項2に記載の情報記録方法において、
    前記設定された偶数長マーク用の記録パルスの始端パルス照射開始位置と、奇数長マーク用の記録パルスの始端パルス照射開始位置とを更に調整することを特徴とする情報記録方法。
  4. 請求項1に記載の情報記録方法において、
    前記ライトストラテジとして、nを自然数、検出窓幅をTとしてnT系ライトストラテジと表現されるライトストラテジを用い、
    前記ランダム信号の再生信号を、前記nを2以上の整数で除算した剰余と前記Tの積で表現されるマーク長のマークに対する再生信号毎に弁別し、
    当該弁別された再生信号をもとに、前記剰余と前記Tの積で表現されるマーク長のマークを記録するために使用される記録パルスの位置条件を設定することを特徴とする情報記録方法。
  5. 請求項4に記載の情報記録方法において、
    前記nT系ライトストラテジとして、3T系ライトストラテジまたは4T系ライトストラテジを用いることを特徴とする情報記録方法。
  6. 情報記録媒体に対し、所定のライトストラテジを用いて記録符号を記録する際の記録条件を設定するための試し書き方法であって、
    前記情報記録媒体に、複数の奇数長マークと複数の偶数長マークとがランダムに配置されて構成されたランダム信号を記録し、
    当該ランダム信号の再生信号を、前記奇数長マークに対応する再生信号と前記偶数長マークに対応する再生信号とに弁別し、
    当該弁別された再生信号をもとに、前記ライトストラテジを構成する記録パルスの位置条件を設定することを特徴とする試し書き方法。
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