JP4515466B2 - 電子インク表示装置及びその修復方法 - Google Patents
電子インク表示装置及びその修復方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4515466B2 JP4515466B2 JP2007000927A JP2007000927A JP4515466B2 JP 4515466 B2 JP4515466 B2 JP 4515466B2 JP 2007000927 A JP2007000927 A JP 2007000927A JP 2007000927 A JP2007000927 A JP 2007000927A JP 4515466 B2 JP4515466 B2 JP 4515466B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel electrode
- electrode
- pixel
- electronic ink
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000008439 repair process Effects 0.000 title claims description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 39
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 34
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 33
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 11
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 4
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 claims description 3
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 45
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 18
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/165—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
- G02F1/166—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect
- G02F1/167—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect by electrophoresis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
- G02F1/136268—Switch defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
本発明のもう一つの目的は、修復する際に画素ユニットの構造が破壊されることを防ぎ、電子インク表示装置の製造歩留りを向上させる電子インク表示装置及びその修復方法を提供することにある。
図1を参照する。図1は、本発明の好適な一実施形態による薄膜トランジスタアレイ基板の画素ユニットを示す平面図である。図1に示すように、画素ユニット200は、第1の基板100上に配置され、薄膜トランジスタ300及び画素電極210を含み、走査線314及びデータ線326により駆動される。薄膜トランジスタ300は、ゲート電極312及びソース/ドレイン電極321を含み、ゲート電極312が走査線314と電気的に接続され、ソース/ドレイン電極の第1の端部322がデータ線326と電気的に接続され、ソース/ドレイン電極の第2の端部324がコンタクト窓302を介して画素電極210と電気的に接続されている。ここで注意しなければならないことは、画素ユニット200は、反射式の電子インク表示装置に応用することができ、データ線326、走査線314及び薄膜トランジスタ300の上方の領域が画素電極210により覆われている点である。
(1)画素ユニットの画素電極と走査線とを電気的に接続し、欠陥を有する画素ユニットを修復し、電子インク表示装置の表示品質を向上させることができる。
(2)走査線の上方の領域を画素電極で覆い、走査線上に修復点を直接形成することができるため、修復構造を他に設置する必要がない。
(3)走査線上の突起部において修復を行うため、走査線に断線が発生することを防ぎ、電子インク表示装置の製造歩留りを向上させることができる。
200 画素ユニット
900 画素ユニット
210 画素電極
300 薄膜トランジスタ
302 コンタクト窓
310 第1の導電層
312 ゲート電極
314 走査線
315 走査線
316 第1の誘電体層
320 第2の導電層
321 ソース/ドレイン電極
322 第1の端部
324 第2の端部
326 データ線
328 突起部
330 チャネル層
340 第2の誘電体層
500 第2の基板
510 透明電極
600 電子インク層
612 液体
614 帯電粒子
616 正電粒子
618 負電粒子
710 修復点
720 修復点
715 溶接部
800 電子インク表示装置
Claims (7)
- 複数の画素ユニットを有し、前記画素ユニットの各々は走査線及びデータ線と接続されており、そして前記画素ユニットの少なくとも一つに欠陥がある電子インク表示装置の薄膜トランジスタアレイ基板の修復方法であって、
前記画素ユニットの各々は薄膜トランジスタ及び画素電極を含み、前記薄膜トランジスタはゲート電極及びソース/ドレイン電極を含んでおり、そして前記ゲート電極は前記走査線と電気的に接続され、前記ソース/ドレイン電極の第1の端部は前記データ線と電気的に接続され、前記ソース/ドレイン電極の第2の端部は前記画素電極と電気的に接続され、そして前記画素電極は前記走査線の上方の領域に配置され、前記走査線は突起部を含んでいる、前記薄膜トランジスタアレイ基板を準備する工程と、
前記画素電極と前記走査線を電気的に接続するのに活用され、そして前記画素電極が前記突起部を覆っている、前記走査線の前記突起部と前記画素電極との間のスペースに修復点を形成する工程と
を含むことを特徴とする、前記修復方法。 - 前記画素電極と前記走査線とを溶接するために、レーザの焦点深度を調整する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の修復方法。
- 複数の画素ユニットを有し、前記画素ユニットの各々は走査線及びデータ線と接続されており、そして前記画素ユニットの少なくとも一つに欠陥がある電子インク表示装置の薄膜トランジスタアレイ基板の修復方法であって、
前記画素ユニットの各々は薄膜トランジスタ及び画素電極を含み、前記薄膜トランジスタはゲート電極及びソース/ドレイン電極を含んでおり、そして前記ゲート電極は前記走査線と電気的に接続され、前記ソース/ドレイン電極の第1の端部は前記データ線と電気的に接続され、前記ソース/ドレイン電極の第2の端部は前記画素電極と電気的に接続され、前記走査線は突起部を有しており、そして前記画素電極は前記走査線の上方の領域に配置され、前記画素電極は前記突起部を覆っている、前記薄膜トランジスタアレイ基板を準備する工程と、
前記画素電極と前記走査線を電気的に接続するのに活用される、前記走査線の前記突起部と前記画素電極との間のスペースに修復点を形成する工程と
を含むことを特徴とする、前記修復方法。 - 前記修復点を形成するために、レーザ溶接を使用する形成工程を含むことを特徴とする、請求項3に記載の修復方法。
- 電子インク表示装置であって、
修復された複数の画素ユニットを有し、前記画素ユニットの各々は走査線及びデータ線と接続され、前記画素ユニットの少なくとも一つは修復されており、そして前記走査線は突起部を含んでいる、第1の基板と、そして
透明電極層を有し、前記第1の基板と対向した位置に配置される第2の基板と、
複数の帯電粒子及び液体を含んでおり、前記液体中の前記帯電粒子の分布状態により少なくとも1つの前記画素ユニットの表示状態が変えられる、前記第1の基板と前記第2の基板の間に配置された電子インク層と、を備えており、
前記画素ユニットの各々は薄膜トランジスタ及び画素電極を含み、前記薄膜トランジスタはゲート電極及びソース/ドレイン電極を有しており、そして前記ゲート電極は前記走査線と電気的に接続され、前記ソース/ドレイン電極の第1の端部は前記データ線と電気的に接続され、前記ソース/ドレイン電極の第2の端部は前記画素電極と電気的に接続されており、前記画素電極と前記走査線を電気的に接続するために前記走査線の前記突起部と前記画素電極との間のスペースに修復点が形成されており、そして前記画素電極は前記走査線の上方の領域に配置され、前記画素電極は前記突起部を覆っていることを特徴とする、前記電子インク表示装置。 - 前記画素電極と前記走査線の前記突起部との間のスペースには、前記画素電極と前記走査線とを電気的に接続するために溶接部が形成されていることを特徴とする、請求項5に記載の電子インク表示装置。
- 前記電子インク層は、複数のマイクロカプセルを含むことを特徴とする、請求項5に記載の電子インク表示装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW095110154A TWI320602B (en) | 2006-03-23 | 2006-03-23 | E-ink display and method for repairing the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007256919A JP2007256919A (ja) | 2007-10-04 |
JP4515466B2 true JP4515466B2 (ja) | 2010-07-28 |
Family
ID=38532424
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007000927A Active JP4515466B2 (ja) | 2006-03-23 | 2007-01-09 | 電子インク表示装置及びその修復方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7687806B2 (ja) |
JP (1) | JP4515466B2 (ja) |
KR (1) | KR100851390B1 (ja) |
TW (1) | TWI320602B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101346921B1 (ko) | 2008-02-19 | 2014-01-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판 표시 장치 및 그 제조방법 |
KR101285637B1 (ko) | 2008-12-26 | 2013-07-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전기영동 표시장치용 어레이 기판과 그 제조 방법 및 리페어 방법 |
TWI457878B (zh) * | 2010-07-15 | 2014-10-21 | Au Optronics Corp | 顯示裝置與用於顯示裝置的修補方法 |
CN103246121B (zh) * | 2012-02-07 | 2016-07-27 | 元太科技工业股份有限公司 | 电子墨水显示装置 |
US9759979B2 (en) * | 2012-02-07 | 2017-09-12 | E Ink Holdings Inc. | Electronic ink display device with water-proof glue |
US9296223B2 (en) | 2012-03-30 | 2016-03-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electronic paper and printing device |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02124538A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-11 | Fujitsu Ltd | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
JPH04331923A (ja) * | 1991-05-08 | 1992-11-19 | Sharp Corp | アクティブマトリクス表示装置 |
JP2002350900A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-12-04 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板 |
JP2003535355A (ja) * | 1999-07-21 | 2003-11-25 | イー−インク コーポレイション | アクティブマトリクス駆動電子ディスプレイの性能を高めるための蓄電キャパシタの使用 |
JP2004070182A (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-04 | Advanced Display Inc | 表示装置、表示装置の画素修復方法及び表示装置の製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4574180A (en) * | 1984-06-19 | 1986-03-04 | Westinghouse Electric Corp. | Beam alignment system for laser welding system |
KR100440711B1 (ko) * | 1997-02-27 | 2004-10-06 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치의하이픽셀을수리하는방법 |
US5961804A (en) * | 1997-03-18 | 1999-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Microencapsulated electrophoretic display |
US6232950B1 (en) * | 1997-08-28 | 2001-05-15 | E Ink Corporation | Rear electrode structures for displays |
KR100293503B1 (ko) * | 1998-12-17 | 2001-07-12 | 구본준, 론 위라하디락사 | 박막트랜지스터형 액정 디스플레이소자 및 그 장치의 리페어방법 |
US7012600B2 (en) * | 1999-04-30 | 2006-03-14 | E Ink Corporation | Methods for driving bistable electro-optic displays, and apparatus for use therein |
JP2003207794A (ja) | 2002-01-11 | 2003-07-25 | Sanyo Electric Co Ltd | アクティブマトリクス型表示装置 |
JP2004061775A (ja) * | 2002-07-26 | 2004-02-26 | Alps Electric Co Ltd | アクティブマトリクス型表示装置 |
KR20040062139A (ko) * | 2002-12-31 | 2004-07-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치와 그 리페어 방법 |
JP3772888B2 (ja) * | 2003-05-02 | 2006-05-10 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
-
2006
- 2006-03-23 TW TW095110154A patent/TWI320602B/zh active
-
2007
- 2007-01-09 JP JP2007000927A patent/JP4515466B2/ja active Active
- 2007-02-23 US US11/709,987 patent/US7687806B2/en active Active
- 2007-03-07 KR KR1020070022337A patent/KR100851390B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02124538A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-11 | Fujitsu Ltd | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
JPH04331923A (ja) * | 1991-05-08 | 1992-11-19 | Sharp Corp | アクティブマトリクス表示装置 |
JP2003535355A (ja) * | 1999-07-21 | 2003-11-25 | イー−インク コーポレイション | アクティブマトリクス駆動電子ディスプレイの性能を高めるための蓄電キャパシタの使用 |
JP2002350900A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-12-04 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板 |
JP2004070182A (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-04 | Advanced Display Inc | 表示装置、表示装置の画素修復方法及び表示装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070096805A (ko) | 2007-10-02 |
TWI320602B (en) | 2010-02-11 |
US7687806B2 (en) | 2010-03-30 |
US20070221951A1 (en) | 2007-09-27 |
TW200736784A (en) | 2007-10-01 |
JP2007256919A (ja) | 2007-10-04 |
KR100851390B1 (ko) | 2008-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8330886B2 (en) | Thin film transistor array substrate and repair method thereof | |
JP5279248B2 (ja) | 電気泳動表示装置の駆動方法 | |
JP4515466B2 (ja) | 電子インク表示装置及びその修復方法 | |
KR100795392B1 (ko) | 전자 잉크 디스플레이 디바이스의 박막 트랜지스터 어레이기판 | |
JP2007256930A (ja) | 電子インク表示装置及びその修復方法 | |
US6992747B2 (en) | Method and repairing defects in a liquid crystal display | |
US20160349585A1 (en) | Thin film transistor array substrate and liquid crystal display panel | |
JP2010145875A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
US8436956B2 (en) | Display apparatus | |
US7829895B2 (en) | Pixel structure and repairing method thereof | |
US20080217687A1 (en) | Active device array substrate and repairing method thereof | |
CN100585863C (zh) | 有源元件阵列基板及其修补方法 | |
CN101174638B (zh) | 电子墨水显示装置及其修补方法 | |
JP2007052286A (ja) | 半導体素子、液晶表示装置およびそれらの修復方法 | |
KR100695614B1 (ko) | 레이저 화학증착장비를 이용한 원 픽셀 리페어 방법 및 이를 이용하여 리페어된 액정표시소자의 기판 | |
CN101174639B (zh) | 电子墨水显示装置及其修补方法 | |
US7072005B2 (en) | IPS LCD and repair method of cutting defective pixel electrode by forming window in capacitor storage circuit | |
KR20080027568A (ko) | 박막트랜지스터 기판 및 이의 리페어 방법 | |
KR100963414B1 (ko) | 액정표시소자 및 그 제조방법 | |
US8902146B2 (en) | Array substrate and display panel having the same | |
KR101192072B1 (ko) | 액정표시장치 | |
WO2011135758A1 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP6265807B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
CN114815425A (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
KR20050069533A (ko) | 액정표시장치 제조용 원판 어레이 패널 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090521 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090602 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090902 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100112 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100118 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100511 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100512 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4515466 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140521 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |