TWI457878B - 顯示裝置與用於顯示裝置的修補方法 - Google Patents

Description

顯示裝置與用於顯示裝置的修補方法

本發明是有關於一種電子裝置與用於電子裝置的修補方法，且特別是有關於一種顯示裝置與用於顯示裝置的修補方法。

就顯示器而言，具有高畫質、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優越特性之薄膜電晶體液晶顯示顯示面板(Thin film transistor liquid crystal display panel,簡稱TFT-LCD panel)已逐漸成為市場之主流。

一般而言，薄膜電晶體液晶顯示顯示面板主要是會有一顯示區、一線路接合區以及連接顯示區與線路接合區的多條導線，其中這些導線所在區域例如是面板的外引腳接合區(outer lead bonding,OLB)。一般來說，若外引腳接合區(outer lead bonding,OLB)中的線路刮傷時，通常會造成產品畫面異常或線缺陷(line defect)，從而衍生出無法修復造成產品報廢的問題。

通常，因斷線缺陷的關係而使得一條導線變為兩線段時，較低成本之維修法例如是以雷射分別於兩線段上做出接觸窗(contact hole)後，其中二線段上配置有介電層，意即需於介電層上形成暴露出二線段的接觸窗。接著，再以導電奈米金/銀膠塗佈，並經熱烘槍350℃烘烤6分鐘左右，即可將斷線線路修補成功，即導電膠便可透過接觸窗與兩線段電性連接，從而使得兩線段可透過導電膠而電性連接。

然而，一般為了於介電層上形成可暴露出二線段的接觸窗時，需根據介電層的厚度而調整雷射光束的能量，以避免雷射光束能量過大時而打穿二線段，或是避免雷射光束能量過小而未暴露出第一線段與第二線段。再加上，各廠所製作之膜厚差異(如上述的介電層)及雷射光束之能量的穩定性或精度不佳，因此都會再再地降低接觸窗可精準地暴露出二線段的成功率。一般來說，依上述此法而可使導線成功被修補而導通的機率約41.18%。換言之，為了能夠精準地形成暴露出二線段的接觸窗，需反覆調變(modulate)方可獲得適當的雷射光束能量以及條件，此舉將大幅增加製程所需的時間。此外，導電膠若僅各自與二線段之一接觸窗電性連接，其所形成的電阻值亦較大。

本發明提供一種顯示裝置，其具有較佳的電性表現。

本發明另提供一種修補方法，其適於修補上述的顯示裝置中的導線，而可使顯示裝置具有較佳的電性表現。

本發明提出一種顯示裝置，其包括一顯示面板以及一導電膠。顯示面板具有多條導線以及一覆蓋這些導線之介電層。這些導線至少其中之一具有一斷線缺陷(open defect)。介電層具有至少三個位置對應於斷線缺陷之修補接觸窗(repair vias)。具有斷線缺陷的導線被至少部分這些修補接觸窗暴露。導電膠配置於斷線缺陷處，並透過這些修補接觸窗與具有斷線缺陷處之導線電性連接。

本發明另提出一種修補方法，適用於一顯示面板。顯示面板具有多條導線以及一覆蓋這些導線之介電層，其中導線至少其中之一具有一斷線缺陷(open defect)。修補方法包括下列步驟。首先，於對應於斷線缺陷處的介電層中形成至少三個修補接觸窗(repair vias)，以使具有斷線缺陷的導線被至少部分這些修補接觸窗暴露。之後，於對應於斷線缺陷處形成一導電膠，以使導電膠透過這些修補接觸窗與具有斷線缺陷處之導線電性連接。

基於上述，由於本發明之顯示裝置藉由使介電層具有至少三個位置對應於具有斷線缺陷之導線的修補接觸窗，且具有斷線缺陷的導線會被這些修補接觸窗暴露，因此，當導電膠配置於斷線缺陷處，導電膠可透過這些修補接觸窗與具有斷線缺陷處之導線電性連接，進而修補具有斷線缺陷的導線，如此一來，可在雷射挖孔的穩定度不佳或覆蓋於導線上介電層厚度不確定的情況下，仍可具有較佳修補導線的成功率與準確性。本發明提供一種可修補導線的方法，其適用於顯示裝置上，而具有較佳的修補良率。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1為本發明一實施例之顯示裝置的示意圖，圖2A為圖1之顯示裝置的其中一條導線的局部示意圖，而圖2B則為圖2A之導線的剖示圖。請同時參考圖1、圖2A與圖2B，本實施例之顯示裝置100包括一顯示面板110以及一導電膠120。顯示面板110具有多條導線112以及一覆蓋這些導線112之介電層114。

在本實施例中，顯示面板110具有一顯示區P1與一位於顯示區P1外之線路接合區P2，而本實施例所舉之導線112是以從顯示區P1延伸至線路接合區P2的導線作為舉例說明，非限於此。於其他實施例中，導線112也可以是泛指主動元件陣列區(active device array area)中的掃瞄線(scan line)或資料線(data line)，或者是線路接合區P2內的導線。另外，上述的顯示面板110例如是以液晶顯示面板作為舉例說明，非以此為限。於其他實施例中，顯示面板110也可以是有機電激發光顯示面板、電漿顯示面板、電泳顯示面板或電濕潤顯示面板。

於顯示面板110中，上述的導線112至少其中之一具有一斷線缺陷112a，而覆蓋於導線112上的介電層114則具有至少三個位置對應於斷線缺陷112a之修補接觸窗(repair vias)114a，如圖2A與圖2B所示。具體來說，若導線112具有斷線缺陷112a時，則代表導線112呈現開路狀態，此時電訊號便無法靠此條導線112進行傳遞。也就是說，具有斷線缺陷112a的導線112會被區分為一第一線段L1與一第二線段L2，其中第一線段L1與第二線段L2會如圖2A與圖2B中所繪示之於斷線缺陷112a處彼此分離。當然，圖2A是以導線112具有一個斷線缺陷112a為例進行說明，但本發明並非以此為限。換言之，於其他可能的情況下，導線112可能同時具有至少二斷線缺陷，進而被區分成至少三線段。

於圖2A與圖2B所繪示之導線112被斷線缺陷112a分為第一線段L1與第二線段L2的情況下，上述的修補接觸窗114a包括m個第一修補接觸窗W1與n個第二修補接觸窗W2，其中m個第一修補接觸窗W1暴露出導線112的第一線段L1，而n個第二修補接觸窗W2暴露出第二線段L2。於本實施例中，由於修補接觸窗114a的數量為大於或等於三個，因此m+n3。

具體而言，上述的修補接觸窗114a的數量是以如圖2A與圖2B所繪示之12個為例進行說明，但本發明並不以圖式為限，於其他可能的實施例中，使用者可依據其所需之設計及需要而適當地調整修補接觸窗114a的數量。舉例而言，上述的m、n的限制條件可以是m=1，且n>1，又或者是m>1且n>1的實施情況，此部份端視使用者的需求與設計而定。須注意的是，修補接觸窗114a的數量需大於等於三個以上，才會達到如後續段落中所提及的優點。

請繼續參考圖2A與圖2B，本實施例之修補接觸窗114a可以是都具有相同的深度H1或是具有多種不同深度H1，且至少部分修補接觸窗114a的深度H1大於介電層114的厚度D1，因此上述具有斷線缺陷112a的導線112便可被介電層114的修補接觸窗114a所暴露。具體而言，若修補接觸窗114a是以雷射開孔製程形成之，則透過調整雷射光束的能量便可形成具有不同深度H1的修補接觸窗114a，其中具有不同深度H1的修補接觸窗114a的排列順序可視使用者的需求與設計而不同。為了方便說明，本實施例是以修補接觸窗114a的排列順序可依一特定之排列順序進行說明，其說明如下，但本發明並不以此為限。

詳細而言，修補接觸窗114a主要是用來修補導線112具有斷線缺陷112a的情況以使導線112可繼續傳導電訊號，因此修補接觸窗114a的位置通常會對應於斷線缺陷112a。在圖2A與圖2B所繪示的實施形態中，以雷射開孔製程形成具有不同深度H1的修補接觸窗114a的方式可先於靠近斷線缺陷112a的部分施加較強的雷射能量，而後依據遠離斷線缺陷112a的方向減少雷射能量，如此則可使較靠近斷線缺陷112a的修補接觸窗114a具有較大的深度H1，並使較遠離斷線缺陷112a的修補接觸窗114a可具有較小的深度，如圖2A與圖2B所示。換言之，具有不同的深度H1的這些修補接觸窗114a可沿著具有斷線缺陷112a處之導線112的延伸方向排列。

於另一實施形態中，具有不同的深度H1的這些修補接觸窗114a並不一定要依照如圖2A與圖2B所繪示的排列方式。舉例來說，亦可於靠近斷線缺陷112a的部分施加較弱的雷射能量並往遠離斷線缺陷112a的方向上逐漸增加雷射能量，以於靠近斷線缺陷112a處形成具有深度H1較淺的修補接觸窗114a，並於較遠離斷線缺陷112a形成具有深度H1較深的修補接觸窗114a。此外，具有不同深度H1的修補接觸窗114a的排列順序除了可以是採用上述的排列方式外，其也可以是亂序排列，也就是說，不同深度H1的修補接觸窗114a的排列方式可以使用者的喜好或需求而定，非僅限於上述的舉例方式。

需要說明的是，上述皆是以修補接觸窗114a具有不同的深度H1作為說明，於其他可能的實施例中，上述的修補接觸窗114a之深度H1亦可皆為相同，或是部分相同，此部份端視使用者的需求與設計而定，本發明並不以此為限。

此外，若適當地調整雷射光束的寬度則可使得具有斷線缺陷112a處之導線112被各修補接觸窗114a所暴露出的面積A1實質上相同，如圖2A與圖2B所示。於另一實施例中，具有斷線缺陷112a處之導線112被各修補接觸窗114a所暴露出的面積A1也可以是不相同，或是部分相同部分不同，本實施例是以面積A1相同作為舉例，但本發明並不以此為限。需要說明的是，上述的修補接觸窗114a之深度H1與面積A1可參考上述的說明，而作任意適當的組合。舉例來說，修補接觸窗114a之深度H1可以是皆相同、皆為不同或是部分相同部分不同，而形成修補接觸窗114a的排列方式可以是採用前述的順序排列或亂序排列，且修補接觸窗114a的面積A1可為相同、不同或部分相同部分不同，此部份端視使用者依其需求而可作任意的調整，上述僅為舉例說明。

另外，為了更清楚說明本實施例之技術特徵，介電層114的厚度例如是定義為D1，而具有斷線缺陷112a處之導線112與介電層114的厚度總和則定義為D2，如此一來，為了可使介電層114可適當地暴露出導線112，上述至少部分修補接觸窗114a的深度H1的數值是介於D1與D2之間。在圖2B中，部分較遠離斷線缺陷112a的修補接觸窗W1的深度H1可小於D1，而部分靠近斷線缺陷112a的修補接觸窗114a的深度H1實質上可等於D2。

請繼續參考圖2A與圖2B，導電膠120配置於斷線缺陷112a處，且由於導線112可被介電層114的修補接觸窗114a所暴露，因此導電膠120便可透過這些修補接觸窗114a而與具有斷線缺陷112a處之導線112電性連接。

具體而言，由於導線112具有斷線缺陷112a，因此導線112便會被分為如圖2A與圖2B所繪示的第一線段L1與第二線段L2而斷線，從而導致電訊號無法於導線112上傳遞。為了使導線112可繼續導通而傳遞電訊號，因此可透過使位於第一線段L1上的第一修補接觸窗W1暴露出第一線段L1，以及使位於第二線段L2上的第二修補接觸窗W1暴露出第一線段L1，如此一來，當導電膠120配置於斷線缺陷112a處及其附近時，導電膠120便可分別透過第一修補接觸窗W1與第二修補接觸窗W2而分別與第一線段L1與第二線段L2接觸，從而可使第一線段L1與第二線段L2透過導電膠120而電性連接。

特別的是，於修補接觸窗114a中，第一修補接觸窗W1與第二修補接觸窗W2的數量總和至少為三個以上。究其原因便在於，若修補接觸窗114a的數量為三個或三個以上時，則可減少以雷射開孔製程測試形成修補接觸窗所需深度的時間；若是第一修補接觸窗W1與第二修補接觸窗W2成功暴露出導線112的數量總和至少為三個以上時，更可降低導電膠120與第一線段L1及第二線段L2的電阻值。仔細來說，一般為了於介電層上形成可暴露出第一線段與第二線段的修補接觸窗時，需根據介電層的厚度而調整雷射光束的能量，以避免雷射光束能量過大時而第一線段與第二線段打穿，或是避免雷射光束能量過小而未暴露出第一線段與第二線段。換言之，為了精準地形成可暴露出第一線段與第二線段的修補接觸窗，需反覆測試出所需的適當雷射光束能量，從而會增加製程的測試時間。

反觀本實施例之修補接觸窗114a的數量為三個以上，且由分別位於第一線段L1與第二線段L2上的第一與第二修補接觸窗W1、W2的深度H1可沿遠離斷線缺陷112a處的方向而逐漸變小之技術特徵可發現，本實施例可先於靠近於斷線缺陷112a處施於較強的雷射光束能量以形成深度H1較深的第一與第二修補接觸窗W1、W2，其中此深度H1可為上述的厚度D2。接著，再往遠離斷線缺陷112a處方向上逐次減小雷射光束能量，而形成深度不同的第一與第二修補接觸窗W1、W2，如圖2B所繪示。換言之，本實施例是透過調整雷射光束的能量大小以多次形成多個深度不同的修補接觸窗，其中至少部分修補接觸窗114a會分別暴露出第一線段L1與第二線段L2，進而使得導電膠120配置於介電層114時第一線段與第二線段便可透過導電膠而導通。因此，具有上述修補接觸窗114a結構的顯示裝置100便可減少其在進行測試製程所需的時間。

在顯示裝置100中，導電膠120的分佈範圍可涵蓋上述的修補接觸窗114a，且導電膠120的材質可以是熱固化導電膠或光固化導電膠。

上述圖2A與圖2B均是以12個修補接觸窗114a作為舉例說明，於另一實施形態中，修補接觸窗114a的數量亦可為三個，如圖2C所繪示。於圖2C中，由於修補接觸窗114a的數量為三個，並皆暴露出第一線段L1與第二線段L2，因此，當導電膠120配置於斷線缺陷112a處時，導電膠120可透過修補接觸窗114a而分別與第一線段L1與第二線段L2接觸，從而使得第一線段L1與第二線段L2可透過導電膠120而電性連接。另外，由於修補接觸窗114a皆暴露出導線112，因此導電膠120與導線112的接觸面積便會增加，如此一來，除了修補了導線112之斷線缺陷的問題外，亦可提升導線112被修補後之傳導率使電阻值降低。

於再一實施例中，修補接觸窗114a亦可為四個，如圖2D所示。於圖2D中，位於第二線段的二個第二修補接觸窗W2可用來先測試出何種雷射能量可使得第二線段被暴露出來而不會將第二線段L2打掉，而後再以可暴露出第二線段之雷射能量於第一線段上形成二個第一修補接觸窗W1，如圖2D所示。同樣地，由於修補接觸窗114a至少有三個暴露出導線112，因此導電膠120與導線112的接觸面積便會增加，如此一來，除了修補了導線112之斷線缺陷的問題外，亦可提升導線112被修補後之傳導率使電阻值降低。

上述皆是以一條導線112具有斷線缺陷112a作為舉例說明，以下將舉例說明若至少兩條導線皆具有斷線缺陷時，導線112可能被修補的實施形態。

在一實施例中，上述多條導線112中的二條相鄰導線112若具有如圖3所繪示之彼此鄰近之斷線缺陷112a時，則導電膠120的分佈範圍可涵蓋二條導線112的這些斷線缺陷112a，且導電膠120於二條導線112之間具有一切割溝渠122，以避免二條導線112透過導電膠120而彼此短路(short)。需要說明的是，圖3所繪示的具有斷線缺陷112a的二條導線112同樣地可依照如圖2B中所描述的方式形成有多個修補接觸窗之結構，其相關說明可參考上述，在此不再贅述。

基於上述，本實施例亦可提出一種修補方法，其適用於上述的顯示面板110，其中圖4A～圖4B為一種修補導線的剖面示意圖。本實施例之修補方法可包括以下步驟。首先，發現或提供如圖4A中所繪示具有斷線缺陷112a的導線112。

然後，於對應於斷線缺陷112a處的介電層114中形成至少三個如前述的修補接觸窗114a，以使具有斷線缺陷112a的導線112被這些修補接觸窗114a所暴露，如圖4B所繪示。在本實施例中，形成這些修補接觸窗114a的方法例如是採用前述的雷射開孔(laser drilling)製程，而欲形成如圖4B中具有不同深度H1之修補接觸窗114a例如是逐次調變雷射開孔製程中所使用之雷射的能量，以沿著具有斷線缺陷112a處之導線112的延伸方向而形成這些修補接觸窗。另外，若欲形成及決定如圖2A中所繪示的面積A1大小則可根據調變雷射開孔製程中雷射的照射面積，以沿著具有斷線缺陷112a處之導線112的延伸方向而可形成尺寸不同之修補接觸窗，其中此尺寸大小不同的意思即為前述面積A1大小不同。

在本實施例中，在形成上述的多個修補接觸窗的方法中，至少部分修補接觸窗114a的深度H1大於介電層114的厚度D1，如此一來，導線的第一線段與第二線段才可被暴露出來，如圖4B或圖2B中所示。

接著，於對應於斷線缺陷112a處形成前述的導電膠120，以使導電膠120可透過修補接觸窗114a與具有斷線缺陷112a處之導線112電性連接，如圖2B所示。在本實施例中，形成導電膠的方式可以其所採用的材質而定。舉例而言，若導電膠120的材質為熱固化之導電膠時，則點膠於斷線缺陷112a處時，可透過加熱過程而固化導電膠120；若導電膠120的材質為光固化導電膠時，則點膠於斷線缺陷112a處時，可透過照光過程而固化導電膠120。至此，則大致完成一種導線的修補方法。

在一實施例中，若多條導線中有二條導線分別具有彼此鄰近之斷線缺陷112a時，如圖3所示，則上述的修補方法中關於導電膠120的形成方式還可以包括先形成一分佈範圍涵蓋二條導線之這些斷線缺陷112a的導電膠120，如圖5所示。之後，移除部分導電膠120，以於二條導線之間形成前述的切割溝渠122，以避免這二條導線112透過導電膠120而彼此短路。在本實施例中，形成切割溝渠120的方法是以雷射切割製程為例進行說明，但本發明不限於此。

綜上所述，本發明之顯示裝置及適用於顯示裝置的修補方法至少具有下列優點。首先，於顯示面板中，由於多條導線至少其中之一具有斷線缺陷時，介電層會具有至少三個位置對應於斷線缺陷之修補接觸窗，且具有斷線缺陷的導線被這些修補接觸窗暴露，因此，當導電膠配置於斷線缺陷處，導電膠可透過這些修補接觸窗與具有斷線缺陷處之導線電性連接，進而可修補具有斷線缺陷的導線，使其可導通。

另外，由於介電層具有至少三個以上位置對應於斷線缺陷之修補接觸窗，且此修補接觸窗例如是以雷射開孔製程形成之，因此可在雷射挖孔的穩定度不佳或覆蓋於導線上介電層厚度不確定的情況下，仍可具有較佳修補導線的成功率與準確性。

換言之，本發明提供一種可修補導線的方法，其適用於顯示裝置上，而具有較佳的修補良率。

惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。另外本發明的任一實施例或申請專利範圍不須達成本發明所揭露之全部目的或優點或特點。此外，摘要部分和標題僅是用來輔助專利文件搜尋之用，並非用來限制本發明之權利範圍。

100．．．顯示裝置

110．．．顯示面板

112．．．導線

112a．．．斷線缺陷

114．．．介電層

114a．．．修補接觸窗

120．．．導電膠

122．．．切割溝渠

A1．．．面積

P1．．．顯示區

P2．．．線路接合區

L1‧‧‧第一線段

L2‧‧‧第二線段

W1‧‧‧第一修補接觸窗

W2‧‧‧第二修補接觸窗

H1‧‧‧深度

D1、D2‧‧‧厚度

圖1為本發明一實施例之顯示裝置的示意圖。

圖2A為圖1之顯示裝置的其中一條導線的局部示意圖。

圖2B則為圖2A之導線的剖示圖。

圖2C與圖2D分別為圖2A之其他可能形態之導線的剖示圖。

圖3為圖1之顯示裝置的二條導線的局部示意圖。

圖4A～圖4B為一種修補圖1之顯示裝置的其中一條導線的剖面示意流程圖。

圖5為一種修補圖1之顯示裝置的其中二條導線的剖面示意流程圖。

112．．．導線

112a．．．斷線缺陷

114．．．介電層

114a．．．修補接觸窗

120．．．導電膠

L1．．．第一線段

L2．．．第二線段

W1．．．第一修補接觸窗

W2．．．第二修補接觸窗

H1．．．深度

D1、D2．．．厚度

Claims (22)

1. 一種顯示裝置，包括：一顯示面板，具有多條導線以及一覆蓋該些導線之介電層，其中該些導線至少其中之一具有一斷線缺陷(open defect)，而該介電層具有至少三個位置對應於該斷線缺陷之修補接觸窗(repair vias)，且具有該斷線缺陷的該導線被至少部分該些修補接觸窗暴露；以及一導電膠，配置於該斷線缺陷處，並透過該些修補接觸窗與具有該斷線缺陷處之導線電性連接，其中該些導線中的二條相鄰導線具有彼此鄰近之斷線缺陷，該導電膠的分佈範圍涵蓋該二條導線的該些斷線缺陷，且該導電膠於該二條導線之間具有一切割溝渠，以避免該二條導線透過該導電膠彼此電性連接。
2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中具有該斷線缺陷的該導線包括一第一線段與一第二線段，該第一線段與該第二線段於該斷線缺陷處彼此分離，而該修補接觸窗包括m個第一修補接觸窗與n個第二修補接觸窗，而該m個第一修補接觸窗暴露出該第一線段，該n個第二修補接觸窗暴露出該第二線段，且m+n3。
3. 如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，其中m=1，且n>1。
4. 如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，其中m>1，且n>1。
5. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中具有該斷線缺陷處之導線被各該修補接觸窗所暴露出的面積實 質上相同。
6. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中具有該斷線缺陷處之導線被各該修補接觸窗所暴露出的面積不相同。
7. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該顯示面板具有一顯示區、一位於該顯示區外之線路接合區，而該些導線從該顯示區延伸至該線路接合區。
8. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該些修補接觸窗具有多種不同深度，該些修補接觸窗的位置對應於該斷線缺陷，且至少部分修補接觸窗的深度大於該介電層的厚度。
9. 如申請專利範圍第8項所述之顯示裝置，其中較靠近該斷線缺陷的修補接觸窗具有較大的深度，而較遠離該斷線缺陷的修補接觸窗具有較小的深度。
10. 如申請專利範圍第8項所述之顯示裝置，其中該介電層的厚度為D1，具有該斷線缺陷處之導線與該介電層的厚度總和為D2，且至少部分修補接觸窗的深度介於D1與D2之間。
11. 如申請專利範圍第10項所述之顯示裝置，其中部分修補接觸窗的深度小於D1。
12. 如申請專利範圍第10項所述之顯示裝置，其中部分修補接觸窗的深度實質上等於D2。
13. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該顯示面板包括一液晶顯示面板、一有機電激發光顯示面板、一電漿顯示面板、一電泳顯示面板或一電濕潤顯示面板。
14. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該些修補接觸窗沿著具有該斷線缺陷處之導線的延伸方向排列。
15. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該導電膠的分佈範圍涵蓋該些修補接觸窗。
16. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該導電膠包括熱固化導電膠或光固化導電膠。
17. 一種修補方法，適用於一顯示面板，該顯示面板具有多條導線以及一覆蓋該些導線之介電層，該些導線中的二條導線分別具有彼此鄰近之斷線缺陷(open defect)，而該修補方法包括：於對應於該斷線缺陷處的該介電層中形成至少三個修補接觸窗(repair vias)，以使具有該斷線缺陷的該導線被該些修補接觸窗暴露；形成一分佈範圍涵蓋該二條導線之該些斷線缺陷的該導電膠；以及移除部分該導電膠，以於該二條導線之間形成一切割溝渠，以避免該二條導線透過該導電膠彼此電性連接。
18. 如申請專利範圍第17項所述之修補方法，其中形成該些修補接觸窗的方法包括雷射開孔(laser drilling)製程。
19. 如申請專利範圍第18項所述之修補方法，其中形成該些修補接觸窗的方法包括：逐次調變雷射開孔製程中所使用之雷射的能量，以沿著具有該斷線缺陷處之導線的延伸方向形成該些修補接觸 窗。
20. 如申請專利範圍第18項所述之修補方法，其中形成該些修補接觸窗的方法包括：調變雷射開孔製程中雷射的照射面積，以沿著具有該斷線缺陷處之導線的延伸方向形成該些尺寸不同之修補接觸窗。
21. 如申請專利範圍第19項所述之修補方法，其中形成該些修補接觸窗的方法包括：於對應於該斷線缺陷處的該介電層中形成多個修補接觸窗(repair vias)，其中至少部分修補接觸窗的深度大於該介電層的厚度。
22. 如申請專利範圍第21項所述之修補方法，其中該些修補接觸窗的深度不同。