JP4509125B2 - 直鎖のペンテンニトリルの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、２−メチル−３−ブテンニトリルを含む流れの異性化による３−ペンテンニトリルの製造方法に関する。

ナイロンの製造で重要な中間体のアジポニトリルの製造において、リン配位子で安定させたニッケル（０）の存在下、１，３−ブタジエンをシアン化水素と最初に反応させて、ペンテンニトリルを得る。ヒドロシアン化の主生成物の３−ペンテンニトリル及び２−メチル−３−ブテンニトリルに加え、非常に多くの副成分も得られる。その例は、２−ペンテンニトリル、２−メチル−２−ブテンニトリル、Ｃ₉ニトリル及びメチルグルタロニトリルである。２−メチル−３−ブテンニトリルを有意な量で形成する。使用される触媒に応じて、形成される２−メチル−３−ブテンニトリルの、３−ペンテンニトリルに対するモル比は、２：１以下であっても良い。

次いで、第２のヒドロシアン化において、３−ペンテンニトリルをシアン化水素と反応させて、同一のニッケル触媒上でルイス酸を添加してアジポニトリルを得る。第２のヒドロシアン化の場合、３−ペンテンニトリルは２−メチル−３−ブテンニトリルを実質的に含んでいないのが最も重要である。２−メチル−３−ブテンニトリルのヒドロシアン化により、望ましくない副生成物を構成するメチルグルタロニトリルがもたらされるであろう。従って、アジポニトリルを製造する経済的な方法において、３−ペンテンニトリルと２−メチル−３−ブテンニトリルを分離する必要がある。

アジポニトリルの製造の場合に２−メチル−３−ブテンニトリルを同様に利用することができるようにするため、２−メチル−３−ブテンニトリルを直鎖のペンテンニトリル、特に３−ペンテンニトリルに異性化する方法が提案された。

例えば、特許文献１では、Ｎｉ（０）、ホスフィット配位子及び所定のルイス酸の存在下、２−メチル−３−ブテンニトリルを異性化する不連続のバッチ法が記載されている。異性化後、これにより得られた生成混合物を触媒組成物から蒸留除去する。この方法は、異性化中の滞留時間が長いこと、異性化中及びその後の蒸留において熱感応性触媒に対する熱応力が高い点において、不都合である。触媒に対する熱応力が高いことにより、触媒の望ましくない分解がもたらされる。

本願の優先日において先の優先日を有しているが、非公開であったＢＡＳＦ ＡＧのドイツ特許出願である特許文献２は、Ｎｉ（０）触媒及びルイス酸を含む組成物の存在下、２−メチル−３−ブテンニトリルを直鎖のペンテンニトリルに異性化する方法を開示している。この場合、２−メチル−３−ブテンニトリルと直鎖のペンテンニトリルを含む混合物が、異性化中に反応混合物から蒸留によって取り出される。この方法は、取り出される生成物流が未転化の２−メチル−３−ブテンニトリルを明確な量で依然として含んでいる点で不都合である。

２−メチル−３−ブテンニトリルを異性化する全ての公知の方法では、２−メチル−３−ブテンニトリルを、熱力学的平衡の位置に起因して、３−ペンテンニトリルに完全に転化できないのが一般的である。処理を経済的に行うために、未転化２−メチル−３−ブテンニトリルを異性化工程に供給する必要がある。しかしながら、２−メチル−３−ブテンニトリルの異性化において、（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを副生成物として得て、それが２−メチル−３−ブテンニトリルを循環させる場合に循環流中に蓄積するであろう。なぜなら、３−ペンテンニトリルを蒸留によって異性化生成物流から除去する際に、蒸気圧が極めて低いことに起因して、２−メチル−３−ブテンニトリルと一緒に蒸留するからである。

特許文献３は、２−メチル−２−ブテンニトリルを、２−メチル−３−ブテンニトリルとの混合物から除去する方法を開示している。ニトリルの混合物を、スルフィットイオン及びビスルフィットイオンからなる水溶液で処理することによって除去が行われる。これにより、水性相に移る２−メチル−２−ブテンニトリルのビスルフィット付加体が形成する。これにより得られる有機相を、２−メチル−２−ブテンニトリルの当初の含有量に対して、５０％まで低減させる。特許文献３の方法は困難である。なぜなら、有機相を水性相から相分離する必要があるからである。更に、かかる分離を、アジポニトリルの製造方法全体に困難を伴って組み込むことしかできない。この方法の不都合は、得られる有機相から水を最初に十分に除去してから、ニッケル（０）触媒を用いるリン（ＩＩＩ）配位子とのヒドロシアン化反応で使用する必要があることである。なぜなら、そうでなければ、リン（ＩＩＩ）配位子が不可逆的に加水分解され、これにより不活性化されるからである。上記の方法の別の不都合は、共役ニトリルを再利用する場合、得られるビスルフィット付加体を特許文献３に記載されているように、厳しい条件下で且つ中位の収率を持って解離させることしかできない点にある。

ＵＳ３６７６４８１ ＤＥ１０３１１１１９．０ ＵＳ３８６５８６５

従って、本発明の目的は、２−メチル−３−ブテンニトリルの異性化により３−ペンテンニトリルを製造する方法であって、異性化の触媒を簡易な手法で反応混合物から取り除いて、これを再循環させることができ、そして２−メチル−３−ブテンニトリルからの（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルの除去と（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを低減させた２−メチル−３−ブテンニトリルの再循環との両方を可能にする方法を提供することにある。上記の方法は、簡易且つ経済的に行われ、そしてアジポニトリルを製造する方法全体に取込可能であることが望ましい。

上記目的は、本発明に基づく３−ペンテンニトリルの製造方法によって達成される。

（第１実施の形態）（Embodiment I）
第１実施の形態において、本発明の方法は、以下の処理工程：
（ａ）２−メチル−３−ブテンニトリルを含む反応物質流を、少なくとも１種の溶解又は分散状態の異性化触媒上で異性化して、少なくとも１種の異性化触媒、２−メチル−３−ブテンニトリル、３−ペンテンニトリル及び（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを含む流れ１を得る工程、
（ｂ）流れ１を蒸留して、２−メチル−３−ブテンニトリル、３−ペンテンニトリル及び（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを含む流れ２を頂部生成物として得て、そして少なくとも１種の異性化触媒を含む流れ３を底部生成物として得る工程、
（ｃ）流れ２を蒸留して、流れ２における全てのペンテンニトリルの合計に対して（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを流れ２より豊富に含む流れ４を頂部生成物として得て、そして流れ２における全てのペンテンニトリルの合計に対して３−ペンテンニトリル及び２−メチル−３−ブテンニトリルを流れ２より豊富に含む流れ５を底部生成物として得る工程、
（ｄ）流れ５を蒸留して、３−ペンテンニトリルを含む流れ６を底部生成物として得て、そして２−メチル−３−ブテンニトリルを含む流れ７を頂部生成物として得る工程、
を含むことを特徴とする。

［反応物質流］
処理工程（ａ）において、２−メチル−３−ブテンニトリルを含む反応物質流の異性化は、少なくとも１種の異性化触媒上で行われる。

本発明の方法における特定の実施の形態において、反応物質流は、以下の処理工程：
（ｅ）１，３−ブタジエンを少なくとも１種のヒドロシアン化触媒上でシアン化水素を用いてヒドロシアン化して、少なくとも１種のヒドロシアン化触媒、３−ペンテンニトリル、２−メチル−３−ブテンニトリル、１，３−ブタジエン及びシアン化水素の残留物を含む流れ８を得る工程、
（ｆ）流れ８を１回以上蒸留して、１，３−ブタジエンを含む流れ９と、少なくとも１種のヒドロシアン化触媒を含む流れ１０と、３−ペンテンニトリル及び２−メチル−３−ブテンニトリルを含む流れ１１と、を得る工程、
（ｇ）流れ１１を蒸留して、３−ペンテンニトリルを含む流れ１２を底部生成物として得て、そして２−メチル−３−ブテンニトリルを含む流れ１３を頂部生成物として得る工程、
により得られる。

処理工程（ｅ）において、反応物質流は、１，３−ブタジエンを少なくとも１種のシアン化触媒上でシアン化水素を用いて最初にヒドロシアン化して、少なくとも１種のヒドロシアン化触媒、３−ペンテンニトリル、２−メチル−３−ブテンニトリル及び未転化１，３−ブタジエンを含む流れ８を得ることによって調製される。

ヒドロシアン化触媒として、リン配位子で安定化された均一系ニッケル（０）触媒を使用するのが好ましい。

ニッケル（０）錯体のリン配位子及び遊離リン配位子は、単座配位又は二座配位のホスフィン、ホスフィット、ホスフィニット及びホスホニットから選択されるのが好ましい。

これらのリン配位子は、式Ｉ：

を有しているのが好ましい。

本発明において、化合物Ｉは、単一の化合物又は上記式の異なる化合物の混合物である。

本発明によると、Ｘ¹、Ｘ²、及びＸ³はそれぞれ独立に酸素又は単結合を表わす。Ｘ¹、Ｘ²、及びＸ³の全部が単結合の場合には、化合物（Ｉ）は式Ｐ（Ｒ¹Ｒ²Ｒ³）で表わされるホスフィンである。Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³の意味は以下に示す。

Ｘ¹、Ｘ²、及びＸ³のうちの２個が単結合であり、１個が酸素である場合には、化合物（Ｉ）は式Ｐ（ＯＲ¹）（Ｒ²）（Ｒ³）又はＰ（Ｒ¹）（ＯＲ²）（Ｒ³）又はＰ（Ｒ¹）（Ｒ²）（ＯＲ³）で表わされるホスフィニットである。Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³の意味は以下に示す。

Ｘ¹、Ｘ²、及びＸ³のうちの１個が単結合であり、２個が酸素である場合には、化合物（Ｉ）は式Ｐ（ＯＲ¹）（ＯＲ²）（Ｒ³）又はＰ（Ｒ¹）（ＯＲ²）（ＯＲ³）又はＰ（ＯＲ¹）（Ｒ²）（ＯＲ³）で表わされるホスホニットである。Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³の意味は以下に示す。

好ましい実施の形態において、Ｘ¹、Ｘ²、及びＸ³の全てが酸素である。すなわち、化合物（Ｉ）は式Ｐ（ＯＲ¹）（ＯＲ²）（ＯＲ³）で表わされるホスフィットであるのが好ましい。Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³の意味は以下に示す。

本発明によれば、Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³はそれぞれ互いに独立に同一であっても異なっていても良い有機基である。Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³はそれぞれ独立に、アルキル基、好ましくは炭素原子数が１〜１０個であるアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、アリール基、例えばフェニル、ｏ−トリル、ｍ−トリル、ｐ−トリル、１−ナフチル、２−ナフチル、又はヒドロカルビル基、好ましくは炭素原子数が１〜２０個のヒドロカルビル基、例えば１，１’−ビフェノール、１，１’−ビナフトールである。Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³は互いに直接結合していても良く、すなわち中心のリン原子を介して単独で結合していなくとも良い。Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³は互いに直接結合していないのが好ましい。

好ましい実施の形態において、基Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³は、フェニル、ｏ−トリル、ｍ−トリル、ｐ−トリルからなる群から選択される基である。特に好ましい形態では、Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³のうちの最大２個がフェニル基である。

他の好ましい形態では、Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³のうちの最大２個がｏ−トリル基である。

使用可能な特に好ましい化合物Ｉは、式Ｉａ：

で表わされる化合物である。式中のｗ、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ自然数であるが、ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝３であり、ｗ、ｚ≦２である。

かかる化合物Ｉａとしては、例えば、（ｐ−トリル−Ｏ−）（フェニル−Ｏ−）₂Ｐ、（ｍ−トリル−Ｏ−）（フェニル−Ｏ−）₂Ｐ、（ｏ−トリル−Ｏ−）（フェニル−Ｏ−）₂Ｐ、（ｐ−トリル−Ｏ−）₂（フェニル−Ｏ−）Ｐ、（ｍ−トリル−Ｏ−）₂（フェニル−Ｏ−）Ｐ、（ｏ−トリル−Ｏ−）₂（フェニル−Ｏ−）Ｐ、（ｍ−トリル−Ｏ−）（ｐ−トリル−Ｏ−）（フェニル−Ｏ−）Ｐ、（ｏ−トリル−Ｏ−）（ｐ−トリル−Ｏ−）（フェニル−Ｏ−）Ｐ、（ｏ−トリル−Ｏ−）（ｍ−トリル−Ｏ−）（フェニル−Ｏ−）Ｐ、（ｐ−トリル−Ｏ−）₃Ｐ、（ｍ−トリル−Ｏ−）（ｐ−トリル−Ｏ−）₂Ｐ、（ｏ−トリル−Ｏ−）（ｐ−トリル−Ｏ−）₂Ｐ、（ｍ−トリル−Ｏ−）₂（ｐ−トリル−Ｏ−）Ｐ、（ｏ−トリル−Ｏ−）₂（ｐ−トリル−Ｏ−）Ｐ、（ｏ−トリル−Ｏ−）（ｍ−トリル−Ｏ−）（ｐ−トリル−Ｏ−）Ｐ、（ｍ−トリル−Ｏ−）₃Ｐ、（ｏ−トリル−Ｏ−）（ｍ−トリル−Ｏ−）₂Ｐ、（ｏ−トリル−Ｏ−）₂（ｍ−トリル−Ｏ−）Ｐ、又はこれらの化合物の混合物が挙げられる。

（ｍ−トリル−Ｏ−）₃Ｐ、（ｍ−トリル−Ｏ−）₂（ｐ−トリル−Ｏ−）Ｐ、（ｍ−トリル−Ｏ−）（ｐ−トリル−Ｏ−）₂Ｐ、及び（ｐ−トリル−Ｏ−）₃Ｐを含む混合物は、例えば、原油を蒸留精製して得られるｍ−クレゾール及びｐ−クレゾールを含む混合物、特に２：１のモル比でｍ−クレゾール及びｐ−クレゾールを含む混合物を、三ハロゲン化リン、例えば三塩化リンと反応させることによって得ることができる。

他の同様に好ましい形態では、リン配位子はＤＥ−Ａ−１９９５３０５８に詳細に記載されているような、式Ｉｂ：

で表わされるホスフィットである。

但し、上記の式中のＲ¹は、芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してオルト位にＣ₁−Ｃ₁₈−アルキル置換基を有している芳香族基、又は芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してオルト位に芳香族置換基を有している芳香族基、又は芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してオルト位に縮合芳香族環を有している芳香族基を表し、
Ｒ²は、芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してメタ位にＣ₁−Ｃ₁₈−アルキル置換基を有している芳香族基、又は芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してメタ位に芳香族置換基を有している芳香族基、又は芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してメタ位に縮合芳香族環を有している芳香族基であって、芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してオルト位に水素を有する芳香族基を表し、
Ｒ³は、芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してパラ位にＣ₁−Ｃ₁₈−アルキル置換基を有している芳香族基、又は芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してパラ位に芳香族置換基を有している芳香族基であって、芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してオルト位に水素を有する芳香族基を表し、
Ｒ⁴は、芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してｏ、ｍ、及びパラ位にＲ¹、Ｒ²及びＲ³に対して上述した基以外の基を有している芳香族基であって、芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してオルト位に水素を有する芳香族基を表し、
ｘは１又は２を表し、
ｙ、ｚ、ｐはそれぞれ独立に０、１又は２を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｐ＝３である。

式（Ｉｂ）で表わされる好ましいホスフィットは、ＤＥ−Ａ−１９９５３０５８号公報に記載されている。Ｒ¹は、好ましくはｏ−トリル、ｏ−エチルフェニル、ｏ−ｎ−プロピルフェニル、ｏ−イソプロピルフェニル、ｏ−ｎ−ブチルフェニル、ｏ−ｓ−ブチルフェニル、ｏ−ｔ−ブチルフェニル、（ｏ−フェニル）フェニル又は１−ナフチルであっても良い。

Ｒ²は、ｍ−トリル、ｍ−エチルフェニル、ｍ−ｎ−プロピルフェニル、ｍ−イソプロピルフェニル、ｍ−ｎ−ブチルフェニル、ｍ−ｓ−ブチルフェニル、ｍ−ｔ−ブチルフェニル、（ｍ−フェニル）フェニル、又は２−ナフチルであるのが好ましい。

有利なＲ³基は、ｐ−トリル、ｐ−エチルフェニル、ｐ−ｎ−プロピルフェニル、ｐ−イソプロピルフェニル、ｐ−ｎ−ブチルフェニル、ｐ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル又は（ｐ−フェニル）フェニル基である。

Ｒ⁴基は、フェニルが好ましい。ｐは０（ゼロ）が好ましい。化合物Ｉｂ中の指数ｘ、ｙ、ｚ及びｐに関し、以下のものが可能である。

式（Ｉｂ）で表わされる好ましいホスフィットは、ｐが０であり、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³がそれぞれ独立にｏ−イソプロピルフェニル、ｍ−トリル、及びｐ−トリルから選択され、Ｒ⁴がフェニルである化合物である。

式（Ｉｂ）で表わされる特に好ましいホスフィットは、Ｒ¹がｏ−イソプロピルフェニル、Ｒ²がｍ−トリル、Ｒ³がｐ−トリルで各指数が上記の表に示された値を有する化合物、Ｒ¹がｏ−トリル、Ｒ²がｍ−トリル、Ｒ³がｐ−トリルで各指数が上記の表に示された値を有する化合物、更にＲ¹が１−ナフチル、Ｒ²がｍ−トリル、Ｒ³がｐ−トリルで各指数が上記の表に示された値を有する化合物、Ｒ¹がｏ−トリル、Ｒ²が２−ナフチル、Ｒ³がｐ−トリルで各指数が上記の表に示された値を有する化合物、そしてＲ¹がｏ−イソプロピルフェニル、Ｒ²が２−ナフチル、Ｒ³がｐ−トリルで各指数が上記の表に示された値を有する化合物並びにこれらのホスフィットの混合物である。

式（Ｉｂ）で表わされるホスフィットは、
ａ）三ハロゲン化リンをＲ¹ＯＨ、Ｒ²ＯＨ、Ｒ³ＯＨ及びＲ⁴ＯＨ又はこれらの混合物からなる群から選択されたアルコールと反応させて、ジハロゲン化リンモノエステルを得る工程、
ｂ）得られたジハロゲン化リンモノエステルをＲ¹ＯＨ、Ｒ²ＯＨ、Ｒ³ＯＨ及びＲ⁴ＯＨ又はこれらの混合物からなる群から選択されたアルコールと反応させ、モノハロゲン化リンジエステルを得る工程、
ｃ）得られたモノハロゲン化リンジエステルをＲ¹ＯＨ、Ｒ²ＯＨ、Ｒ³ＯＨ及びＲ⁴ＯＨ又はこれらの混合物からなる群から選択されたアルコールと反応させ、式（Ｉｂ）で表わされるホスフィットを得る工程、
ことにより得ることができる。

反応は、３工程の独立した工程で行うことができる。同様に、上述の３工程のうちの２工程、すなわち、ａ）工程とｂ）工程又はｂ）工程とｃ）工程、を組み合わせることもできる。また、ａ）、ｂ）、ｃ）工程の全てを互いに組み合わせることもできる。

Ｒ¹ＯＨ、Ｒ²ＯＨ、Ｒ³ＯＨ及びＲ⁴ＯＨ又はこれらの混合物からなる群から選択されたアルコールの量及び反応に適したパラメーターは、数回の簡単な予備実験により決定することができる。

有用な三ハロゲン化リンは、原則として全ての三ハロゲン化リンであるが、使用されるハロゲンがＣｌ、Ｂｒ、Ｉ、特にＣｌである化合物又はこれらの混合物が好ましい。三ハロゲン化リンとして、種々の同一の又は異なるハロゲンで置換されたホスフィンの混合物を使用することもできる。特に好ましいのはＰＣｌ₃である。ホスフィット（Ｉｂ）の製造における反応条件及び精製に関する詳細は、ＤＥ−Ａ−１９９５３０５８号公報に記載されている。

ホスフィット（Ｉｂ）は、異なるホスフィット（Ｉｂ）の混合物の形態で、配位子として使用することもできる。このような混合物は、例えばホスフィット（Ｉｂ）の製造において得ることができる。

しかしながら、多座、特に二座のリン配位子が好ましい。従って、使用される配位子は、好ましくは、式ＩＩ：

（但し、Ｘ¹¹、Ｘ¹²、Ｘ¹³、Ｘ²¹、Ｘ²²、Ｘ²³が、それぞれ独立して、酸素又は単結合であり、
Ｒ¹¹、Ｒ¹²が、それぞれ独立して同一又は異なる、分離した又は橋状結合した有機基であり、
Ｒ²¹、Ｒ²²が、それぞれ独立して同一又は異なる、分離した又は橋状結合した有機基であり、
Ｙが、橋状結合基である。）を有している。

本発明の場合、化合物ＩＩは、単一化合物又は上述した式の異なる化合物の混合物である。

好ましい実施の形態では、Ｘ¹¹、Ｘ¹²、Ｘ¹³、Ｘ²¹、Ｘ²²、Ｘ²³は、それぞれ酸素であって良い。このような場合、橋状結合した基Ｙは、ホスフィット（ホスファイト：phosphite）基に結合される。

他の好ましい実施の形態では、Ｘ¹¹及びＸ¹²は、それぞれ酸素であり、及びＸ¹³が単結合であり、又はＸ¹¹及びＸ¹³がそれぞれ酸素であり、及びＸ¹²が単結合であり、従って、Ｘ¹¹、Ｘ¹²及びＸ¹³に囲まれたリン原子が、ホスファイトの中心原子である。このような場合、Ｘ²¹、Ｘ²²及びＸ²³が、それぞれ酸素、又はＸ²¹とＸ²²がそれぞれ酸素でＸ²³が単結合で良く、又はＸ²¹とＸ²³がそれぞれ酸素でＸ²²が単結合で良く、又はＸ²³が酸素でＸ²¹とＸ²²がそれぞれ単結合で良く、又はＸ²¹が酸素でＸ²²とＸ²³がそれぞれ単結合で良く、又はＸ²¹、Ｘ²²及びＸ²³が、それぞれ単結合で良く、従って、Ｘ²¹、Ｘ²²及びＸ²³に囲まれたリン原子が、ホスファイト、ホスホナイト、ホスフィナイト、又はホスフィン、好ましくはホスホナイトの中心原子である。

他の好ましい実施の形態では、Ｘ¹³が酸素であり、及びＸ¹¹とＸ¹²がそれぞれ単結合で良く、又は、Ｘ¹¹が酸素であり、及びＸ¹²とＸ¹³がそれぞれ単結合で良く、従って、Ｘ¹¹、Ｘ¹²及びＸ¹³に囲まれたリン原子が、ホスホナイトの中心原子である。このような場合、Ｘ²¹、Ｘ²²及びＸ²³がそれぞれ酸素で良く、又はＸ²³が酸素であり、及びＸ²¹とＸ²²がそれぞれ単結合で良く、又は、Ｘ²¹が酸素であり、及びＸ²²とＸ²³がそれぞれ単結合で良く、又は、Ｘ²¹、Ｘ²²及びＸ²³がそれぞれ単結合で良く、従って、Ｘ²¹、Ｘ²²及びＸ²³に囲まれたリン原子が、ホスファイト、ホスフィナイト、又はホスフィン、好ましくはホスフィナイトの中心原子である。

他の好ましい実施の形態では、Ｘ¹¹、Ｘ¹²及びＸ¹³がそれぞれ単結合で良く、従って、Ｘ¹¹、Ｘ¹²及びＸ¹³囲まれたリン原子がホスフィンの中心原子である。このような場合、Ｘ²¹、Ｘ²²及びＸ²³がそれぞれ酸素、又はＸ²¹、Ｘ²²及びＸ²³がそれぞれ単結合で良く、従って、Ｘ²¹、Ｘ²²及びＸ²³に囲まれたリン原子がホスファイト、又はホスフィン、好ましくはホスフィンの中心原子である。

橋状結合した基Ｙは、例えば、Ｃ₁−Ｃ₄−アリール、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン、トリフルオロメチル等のハロゲン化アルキル、フェニル等のアリールによって置換されたアリール基であることが好ましく、又は好ましくは６個〜２０個の炭素原子を芳香族系に有する無置換のアリール基、特にピロカテコール、ビス（フェノール）又はビス（ナフトール）が好ましい。

Ｒ¹¹及びＲ¹²基は、それぞれ独立して、同一又は異なる有機基であって良い。有利なＲ¹¹及びＲ¹²基はアリール基であり、このアリール基は６個〜１０個の炭素原子を有していることが好ましく、このアリール基は、無置換又は、特にＣ₁−Ｃ₄−アリキル、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン、トリフルオロメチル等のハロゲン化アルキル、フェニル等のアリール、又は無置換のアリール基によって単一置換（モノ置換）、又は多置換（ポリ置換）されたアリール基であって良い。

Ｒ²¹及びＲ²²基は、それぞれ独立して、同一又は異なる有機基であって良い。有利なＲ²¹及びＲ²²基は、好ましくは６個〜１０個の炭素原子を有するアリール基であり、アリール基は、無置換又は、特にＣ₁−Ｃ₄−アリール、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン、トリフルオロメチル等のハロゲン化アルキル、フェニル等のアリール、又は無置換のアリール基によって置換されたアリール基である。

Ｒ¹¹及びＲ¹²基は、それぞれが分離されて良く、又橋状結合して良い。Ｒ²¹及びＲ²²基も、それぞれが分離されて良く、又橋状結合して良い。Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ²¹及びＲ²²基は、それぞれが分離されて良く、２種が橋状結合し、そして２種が分離されて良く、又は４種全てが橋状結合して良く、その方法は上述のものである。

特に好ましい実施の形態では、有用な化合物は、ＵＳ５７２３６４１に記載された式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ、及びＶのものである。特に好ましい実施の形態では、有用な化合物は、ＵＳ５５１２６９６に記載された式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ、Ｖ、ＶＩ、及びＶＩＩのものであり、特に、実施例１〜３１に使用されている化合物である。特に好ましい実施の形態では、有用な化合物は、ＵＳ５８２１３７８に記載された式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ、Ｖ、ＶＩ、ＶＩＩ、ＶＩＩＩ、ＩＸ、Ｘ、ＸＩ、ＸＩＩ、ＸＩＩＩ、ＸＩＶ及びＸＶのものであり、特に実施例１〜７３に使用されている化合物である。

特に好ましい実施の形態では、有用な化合物は、ＵＳ５５１２６９５に記載された式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ、Ｖ及びＶＩのものであり、特に、実施例１〜６に使用された化合物である。特に好ましい実施の形態では、有用な化合物は、ＵＳ５９８１７７２に記載された式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ、Ｖ、ＶＩ、ＶＩＩ、ＶＩＩＩ、ＩＸ、Ｘ、ＸＩ、ＸＩＩ、ＸＩＩＩ及びＸＩＶのものであり、特に実施例１〜６６に使用された化合物である。

特に好ましい実施の形態では、有用な化合物は、ＵＳ６１２７５６７に記載された化合物であり、及び実施例１〜２９に使用された化合物である。特に好ましい実施の形態では、有用な化合物は、ＵＳ６０２０５１６に記載された式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ、Ｖ、ＶＩ、ＶＩＩ、ＶＩＩＩ、ＩＸ及びＸのものであり、特に実施例１〜３３に記載された化合物である。特に好ましい実施の形態では、有用な化合物は、ＵＳ５９５９１３５に記載された化合物であり、及び実施例１〜１３に使用された化合物である。

特に好ましい実施の形態では、有用な化合物は、ＵＳ５８４７１９１に記載された式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩのものである。特に好ましい実施の形態では、有用な化合物は、ＵＳ５５２３４５３に記載されたものであり、特に同文献に式１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０及び２１で説明された化合物である。特に好ましい実施の形態では、有用な化合物は、ＷＯ０１／１４３９２に記載されたものであり、好ましくは、同文献に式Ｖ、ＶＩ、ＶＩＩ、ＶＩＩＩ、ＩＸ、Ｘ、ＸＩ、ＸＩＩ、ＸＩＩＩ、ＸＩＶ、ＸＶ、ＸＶＩ、ＸＶＩＩ、ＸＸＩ、ＸＸＩＩ、ＸＸＩＩＩで説明された化合物である。

特に好ましい実施の形態では、有用な化合物は、ＷＯ９８／２７０５４に記載された化合物である。特に好ましい実施の形態では、有用な化合物は、ＷＯ９９／１３９８３に記載された化合物である。特に好ましい実施の形態では、有用な化合物は、ＷＯ９９／６４１５５に記載された化合物である。

特に好ましい実施の形態では、有用な化合物は、ドイツ特許出願ＤＥ１００３８０３７に記載されたものである。特に好ましい実施の形態では、有用な化合物は、ドイツ特許出願ＤＥ１００４６０２５に記載されたものである。特に好ましい実施の形態では、有用な化合物は、ドイツ特許出願ＤＥ１０１５０２８５に記載されたものである。

特に好ましい実施の形態では、有用な化合物は、ドイツ特許出願ＤＥ１０１５０２８６に記載されたものである。特に好ましい実施の形態では、有用な化合物は、ドイツ特許出願ＤＥ１０２０７１６５に記載されたものである。本発明の更に特に好ましい実施の形態では、有用なリンキレート配位子は、ＵＳ２００３／０１００４４２Ａ１に記載されたものである。

本発明の更に特に好ましい実施の形態では、有用なリンキレート配位子は、ドイツ特許出願の参照番号ＤＥ１０３５０９９９．２（１０．３０．２００３）に記載されたものであるが、同文献は、先の優先日を有しており、しかし本出願の優先日の時点では非公開であった。

上記化合物Ｉ、Ｉａ、Ｉｂ及びＩＩ及びその製造はそれ自体公知である。使用するリン配位子は、化合物Ｉ、Ｉａ、Ｉｂ及びＩＩの少なくとも２種を含む混合物でも良い。

本発明に従う方法の特に好ましい実施の形態では、ニッケル（０）錯体のリン配位子及び／又は遊離(free) リン配位子は、トリトリルホスファイト、二座のリンキレート配位子及び式Ｉｂ：

（但し、Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³が、それぞれ独立してｏ−イソプロピルフェニル、ｍ−トリル及びｐ−トリルから選ばれ、Ｒ⁴が、フェニルであり；ｘが１又は２であり、及びｙ、ｚ、ｐが、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｐ＝３を条件として、それぞれ独立して０、１又は２である。）で表されるホスファイト、及びこれらの混合物から選択される。

本発明に従う方法の工程（ａ）は、当業者に公知である好適な装置で行なうことができる。従って、反応のための有用な装置は、例えば、Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ，Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，第４版．第２０巻，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ １９９６， １０４０〜１０５５頁に記載されているような通常の装置であり、例えば、攪拌タンク反応器、ループ反応器、ガス循環反応器、バブルカラム反応器（気泡塔反応器）、又はチューブ反応器（管型反応器）等であり、各場合において、適宜、反応熱を除去する装置を有していても良い。反応は、２又は３基等の複数の装置で行なっても良い。

本発明に従う方法の好ましい実施の形態では、有利な反応器は、逆混合(backmixing)特性を有するもの、又は逆混合特性を有する反応器群に見出される。逆混合特性を有する有利な反応器群は、シアン化水素の計量に関し、クロス流モード(crossflow mode)で運転されるものであることがわかった。

ヒドロシアン化（hydrocyanation）は、溶剤の存在下又は不存在下に行なわれて良い。溶剤が使用される場合、溶剤は所定の反応温度及び反応圧力において液体であり、そして不飽和化合物及び少なくとも１種の触媒に対して不活性であるべきである。通常、使用する溶剤は、炭化水素、例えばベンゼン、又はキシレン、又はニトリル、例えば、アセトニトリル、又はベンゾニトリルである。しかしながら、溶剤として配位子を使用することが好ましい。

反応は、非連続方式（バッチ方式）、連続方式、又は準非連続方式（半バッチ方式）で操作されても良い。

ヒドロシアン化反応は、装置に全ての反応物を充填して行なって良い。しかしながら、装置に触媒、不飽和有機化合物、及び所望により溶剤が充填されることが好ましい。気体状シアン化水素は、反応混合物の表面に浮くか、又は反応混合物に通されることが好ましい。装置に充填する別の手順は、装置に触媒、シアン化水素、及び所望により、溶剤を充填し、そして反応混合物に徐々に不飽和化合物を計量導入することである。この代わりに、反応物を反応器に導入し、そして反応混合物が反応温度とされ、この温度で、シアン化水素が液体状態で混合物に加えられることも可能である。更に、反応温度に加熱する前にシアン化水素を加えても良い。反応は、温度、雰囲気、反応温度等に関して通常のヒドロシアン化条件で行なわれる。

ヒドロシアン化を、１段階以上の撹拌処理工程で連続して行なうことが好ましい。複数の工程が使用される場合、直列状に連結された工程が好ましい。この場合、製造物は、ある工程から次の工程へと直接的に移される。シアン化水素は、最初の工程に直接的に、又は個々の工程間に供給されて良い。

本発明の方法が半バッチ方式で行なわれる場合、最初に触媒化合物を充填し、そして１，３−ブタジエンを反応器に充填し、この間にシアン化水素が反応時間にわたって、反応混合物に計量導入されることが好ましい。

反応は、好ましくは、０．１〜５００ＭＰａの絶対圧、より好ましくは、０．５〜５０ＭＰａの絶対圧、特に１〜５ＭＰａの絶対圧で行なわれる。反応は、好ましくは、２７３Ｋ〜４７３Ｋの温度、より好ましくは、３１３Ｋ〜４２３Ｋの温度、特に３３３Ｋ〜３９３Ｋの温度で行なわれる。液体反応相（liquid reactor phase）での有利な平均滞留時間は、０．００１〜１００時間の範囲、好ましくは０．０５〜２０時間の範囲、より好ましくは０．１〜５時間の範囲に見出され、この時間は、各場合において反応器ごとものものである。

一実施の形態において、反応は、気体相の存在下に、及び所望により固体懸濁相の存在下に、液体相中で行なわれて良い。出発材料、シアン化水素、及び１，３−ブタジエンは、それぞれ、液体又は気体状態で計量導入されて良い。

他の実施の形態では、反応は、液体相中で行なわれ、この場合、反応器内の圧力は、１，３−ブタジエン、シアン化水素、及び少なくとも１種の触媒等の全供給原料が、液体状態で計量導入されるものであり、そして、反応混合物内の液相中に存在するものである。固体の懸濁相は、反応混合物中に存在して良く、及び少なくとも１種の触媒と共に計量導入しても良いが、触媒は、例えば特にニッケル（ＩＩ）を含む触媒組成物の分解生成物から成るものである。

処理工程（ｅ）において、３−ペンテンニトリル、２−メチル−３−ブテンニトリル、少なくとも１種の触媒及び未転化の１，３−ブタジエンを含む流れ８（流８）を得る。

次いで、３−ペンテンニトリル、２−メチル−３−ブテンニトリル、少なくとも１種の触媒及び未転化の１，３−ブタジエンを含む流れ８を処理工程（ｆ）において蒸留装置に移す。この蒸留装置では、流れ８を１回以上蒸留して、１，３−ブタジエンを含む流れ９と、少なくとも１種のヒドロシアン化触媒を含む流れ１０と、３−ペンテンニトリル及び２−メチル−３−ブテンニトリルを含む流れ１１と、を得る。

処理工程（ｆ）の蒸留は、ＤＥ−Ａ１０２００４００４７２０に記載されている処理工程（ｂ）及び（ｃ）のように、二段階で行っても良い。処理工程（ｆ）の蒸留は、ＤＥ−Ａ１０２００４００４７２９に記載されている処理工程（ｂ）及び（ｃ）のように行うことも可能である。

処理工程（ｆ）の蒸留は、当業者にとって公知である如何なる好適な装置でも行なうことができる。蒸留のために好適な装置は、例えば、Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ，Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｔｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，第４版．，第８巻，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ，１９９６，３３４−３４８頁に記載されているように、網目プレートカラム、バブルキャップトレイカラム（泡鐘トレイ塔）、構造化充填物又は不規則充填物を有するカラム等の装置であり、隔壁塔として稼働させることも可能である。これらの蒸留装置には、それぞれ、蒸発のための好適な装置、例えば落下フィルム(falling-film)蒸発器、薄厚フィルム蒸発器、多相らせんチューブ蒸発器、自然循環蒸発器、又は強制循環フラッシュ蒸発器と、そして更に蒸気流の凝縮のための装置とが設けられている。個々の蒸留は、２又は３基等の複数の装置で行なって良く、好ましくは単一の装置で行なって良い。

供給物流の部分蒸発を行う場合、蒸留は、一段階で更に行われても良い。

処理工程（ｆ）の圧力は、好ましくは０．００１〜１００バール、より好ましくは０．０１〜１バール、特に０．０２〜０．５バールである。蒸留は、蒸留装置の塔底内の温度が、好ましくは３０〜２００℃、より好ましくは５０〜１５０℃、特に６０〜１２０℃の範囲となるように行なわれる。蒸留は、蒸留装置の塔頂における凝縮温度が、好ましくは−５０〜１５０℃、より好ましくは−１５〜６０℃、特に５〜４５℃の範囲となるように行なわれる。本発明に従う方法の特に好ましい実施の形態では、上述した温度範囲が、蒸留装置の塔頂及び塔底の両方で維持される。

次いで、流れ１１を他の処理工程（ｇ）において蒸留に付す。蒸留は、当該分野で公知の好適な装置で行っても良い。蒸留に好適な装置は、例えば、Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ，Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｔｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，第４版．， 第８巻，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ，１９９６，３３４−３４８頁に記載されているように、網目プレートカラム、バブルキャップトレイカラム（泡鐘トレイ塔）、構造化充填物又は不規則充填物を有するカラム等の装置であり、隔壁塔として稼働させることも可能である。これらの蒸留装置には、それぞれ、蒸発のための好適な装置、例えば流下薄膜型蒸発器、薄厚フィルム蒸発器、多相らせんチューブ蒸発器、自然循環蒸発器、又は強制循環フラッシュ蒸発器と、更に蒸気流の凝縮のための装置とが設けられている。蒸留は、２又は３基等の複数の装置で行なって良く、単一の装置で行うのが有利である。給流の部分蒸発を行う場合、蒸留は、一段階で更に行われても良い。

処理工程（ｇ）の圧力は、好ましくは０．００１〜１００バール、より好ましくは０．０１〜２０バール、特に０．０５〜２バールである。蒸留は、蒸留装置の塔底内の温度が、好ましくは３０〜２５０℃、より好ましくは５０〜２００℃、特に６０〜１８０℃の範囲となるように行なわれる。蒸留は、蒸留装置の塔頂における凝縮温度が、好ましくは−５０〜２５０℃、より好ましくは０〜１８０℃、特に１５〜１６０℃の範囲となるように行なわれる。本発明に従う方法の特に好ましい実施の形態では、上述した温度範囲が、蒸留装置の塔頂及び塔底の両方で維持される。

処理工程（ｇ）において、流れ１２を、３−ペンテンニトリルを含む底部生成物として得て、流れ１３を、２−メチル−３−ブテンニトリルを含む頂部生成物として得る。流れ１３は、３−ペンテンニトリルを調製する本発明の方法において反応物質流として使用されるのが好ましい。

本発明の方法により他の好ましい実施の形態において、処理工程（ｅ）で得られる流れ８を、処理工程（ｇ）に直接移す。かかる処理工程（ｇ）において、その後に、３−ペンテンニトリル及び少なくとも１種のヒドロシアン化触媒を実質的に含む流れが底部を介して得られる。更に、２−メチル−３−ブテンニトリル及び１，３−ブタジエンを実質的に含む流れが頂部を介して得られる。この、２−メチル−３−ブテンニトリル及び１，３−ブタジエンが豊富に含まれる流れは、同様に、３−ペンテンニトリルを製造する本発明の方法において反応物質流として用いられても良い。かかる反応物質流を本発明の方法で使用する場合、この流れにおける２−メチル−３−ブテンニトリル含有量は、各々の流れに対して、１０〜９０質量％であり、更に好ましくｋは２０〜８５質量％であり、特に３０〜８０質量％である。

或いは、処理工程（ｅ）で得られる流れ８を、処理工程（ｆ）において１，３−ブタジエンのみ低減させることも可能である。その後、処理工程（ｆ）での底部を介して、３−ペンテンニトリル、２−メチル−３−ブテンニトリル及び少なくとも１種のヒドロシアン化触媒を実質的に含む流れ１１ａを得る。その場合、次いで、流れ１１ａを処理工程（ｇ）で更に後処理して、一方で３−ペンテンニトリル及び少なくとも１種のヒドロシアン化触媒が除去され、他方で、２−メチル−３−ブテンニトリルが更に除去される。蒸留の頂部において処理工程（ｇ）から得られる流れ１３ａは、２−メチル−３−ブテンニトリルを実質的に含む。かかる流れ１３ａも同様に、３−ペンテンニトリルを製造する本発明の方法において反応物質流として用いられても良い。

他の実施の形態において、処理工程（ｆ）において、処理工程（ｅ）より得られる流れ８から１，３−ブタジエンを取り除き（低減させ）、そしてしょりこうて（ｇ）に移し、そこで、３−ペンテンニトリル及びヒドロシアン化触媒を含む流れ１２を底部から得る。

本発明の他の実施の形態において、処理工程（ｅ）のヒドロシアン化及び次の処理工程（ｆ）における後処理から生ずる反応物質流を使用し、その場合、適宜、１，３−ブタジエンの低減を処理工程（ｆ）で行う。これにより得られる流れ１１ｂを、次いで、本発明の方法における処理工程（ａ）に移す。その後、流れ１１ｂに含まれるヒドロシアン化触媒を、本発明の方法における処理工程（ａ）での少なくとも１種のヒドロシアン化触媒として使用するのが好ましい。更に、好適なルイス酸、例えばＤＥ−Ａ１０２００４００４６９６に記載されているようなルイス酸を添加することも可能である。

本発明の他の実施の形態において、本発明の処理工程（ａ）で使用される反応物質流は、処理工程（ｆ）の流れ１１に相当していても良く、これにより、処理工程（ｇ）の分離を省略しても良い。

本発明の方法における他の実施の形態において、使用される反応物質流は、処理工程（ｅ）から生ずる流れ８である。この場合、処理工程（ｆ）及び（ｇ）は、本発明の方法の反応物質流の製造において省略しても良い。

［処理工程（ａ）］
処理工程（ａ）において、２−メチル−３−ブテンニトリルを含む反応物質流を、少なくとも１種の異性化触媒上で異性化する。これにより、異性化触媒、未転化２−メチル−３−ブテンニトリル、３−ペンテンニトリル及び（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを含む流れ１を得る。

本発明によれば、異性化は、以下の成分：
ａ）ニッケル（０）、
ｂ）三価のリンを含み、配位子としてニッケル（０）をキレート化する化合物、適宜、
ｃ）ルイス酸、
を含む組成物（系）の存在下で行われる。

ニッケル（０）含有触媒系は、それ自体公知の方法によって製造することができる。

異性化触媒の配位子は、処理工程（ｅ）で使用されるヒドロシアン化触媒に使用されるのと同じリン配位子であっても良い。従って、ヒドロシアン化触媒は、異性化触媒と同一であっても良い。しかしながら、処理工程（ａ）及び（ｅ）における反応に用いられる配位子の選択は、同一とする必要はない。

更に、組成物は、適宜ルイス酸を含む。

本発明の場合、ルイス酸は、単一のルイス酸又は複数、例えば２種、３種若しくは４種のルイス酸の混合物である。

有用なルイス酸は、カチオンが、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、銅、亜鉛、ホウ素、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、カドミウム、レニウム及びスズから成る群より選択される無機又は有機金属化合物である。かかる化合物の例示は、例えば米国特許第６１２７５６７号、同第６１７１９９６号及び同第６３８０４２１号に記載されているに、ＺｎＢｒ₂、ＺｎＩ₂、ＺｎＣｌ₂、ＺｎＳＯ₄、ＣｕＣｌ₂、ＣｕＣｌ、Ｃｕ（Ｏ₃ＳＣＦ₃）₂、ＣｏＣｌ₂、ＣｏＣｌ₂、ＦｅＩ₂、ＦｅＣｌ₃、ＦｅＣｌ₂、ＦｅＣｌ₂（ＴＨＦ）₂、ＴｉＣｌ₄（ＴＨＦ）₂、ＴｉＣｌ₄、ＴｉＣｌ₃、ＣｌＴｉ（Ｏ−イソプロピル）₃、ＭｎＣｌ₂、ＳｃＣｌ₃、ＡｌＣｌ₃、（Ｃ₈Ｈ₁₇）ＡｌＣｌ₂、（Ｃ₈Ｈ₁₇）₂ＡｌＣｌ、（ｉ−Ｃ₄Ｈ₉）₂ＡｌＣｌ、（Ｃ₆Ｈ₅）₂ＡｌＣｌ、（Ｃ₆Ｈ₅）ＡｌＣｌ₂、ＲｅＣｌ₅、ＺｒＣｌ₄、ＮｂＣｌ₅、ＶＣｌ₃、ＣｒＣｌ₂、ＭｏＣｌ₅、ＹＣｌ₃、ＣｄＣｌ₂、ＬａＣｌ₃、Ｅｒ（Ｏ₃ＳＣＦ₃）₃、Ｙｂ（Ｏ₂ＣＣＦ₃）₃、ＳｍＣｌ₃、Ｂ（Ｃ₆Ｈ₅）₃、ＴａＣｌ₅が挙げられる。例えば、米国特許第３４９６２１７号、同第３４９６２１８号及び同第４７７４３５３号に記載されているような、金属塩、例えばＺｎＣｌ₂、ＣｏＩ₂及びＳｎＣｌ₂、そして有機金属化合物、例えばＲＡｌＣｌ₂、Ｒ₂ＡｌＣｌ、ＲＳｎＯ₃ＳＣＦ₃およびＲ₃Ｂ（但し、Ｒは、アルキル又はアリール基である）も有用である。米国特許第３７７３８０９号によると、助触媒（促進剤）として、亜鉛、カドミウム、ベリリウム、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、エルビウム、ゲルマニウム、スズ、バナジウム、ニオブ、スカンジウム、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、レニウム、パラジウム、トリウム、鉄およびコバルト、好ましくは、亜鉛、カドミウム、チタン、スズ、クロム、鉄およびコバルトから成る群より選択されるカチオン形態の金属を使用しても良く、その化合物のアニオン部分は、フッ化物、塩化物、臭化物およびヨウ化物、２〜７個の炭素原子を有する低級脂肪酸のアニオン、ＨＰＯ₃ ^2-、Ｈ₃ＰＯ^2-、ＣＦ₃ＣＯＯ^-、Ｃ₇Ｈ₁₅ＯＳＯ₂ ^-またはＳＯ₄ ^2-から成る群より選択することができる。米国特許第３７７３８０９号により開示されている他の好適な助触媒は、ホウ素化水素、有機ホウ素化水素、ならびに式Ｒ₃ＢおよびＢ（ＯＲ）₃（但し、Ｒは、水素、６から１８個の炭素原子を有するアリール基、１から７個の炭素原子を有するアルキル基で置換されたアリール基、および１から７個の炭素原子を有するシアノ置換アルキル基で置換されたアリール基から成る群より選択される。）で表されるホウ酸エステルであり、有利にはトリフェニルボロンである。さらに、米国特許第４８７４８８４号に記載されているように、触媒組成物の活性を増大させるために、ルイス酸の相乗活性化合物を使用することができる。好適な助触媒は、例えば、ＣｄＣｌ₂、ＦｅＣｌ₂、ＺｎＣｌ₂、Ｂ（Ｃ₆Ｈ₅）₃およびＢ（Ｃ₆Ｈ₅）₃ＳｎＸ（この場合、Ｘ＝ＣＦ₃ＳＯ₃、ＣＨ₃Ｃ₆Ｈ₄ＳＯ₃または（Ｃ₆Ｈ₅）₃ＢＣＮである。）から成る群より選択することができ、ニッケルに対する助触媒の好ましい比率は、約１：１６から約５０：１である。

本発明の場合、ルイス酸なる用語は、米国特許第３４９６２１７号、同第３４９６２１８号、同第４７７４３５３号、同第４８７４８８４号、同第６１２７５６７号、同第６１７１９９６号および同第６３８０４２１号に規定されている助触媒も含む。

上述したルイス酸の中で特に好ましいルイス酸は、特に金属塩、更に好ましくはハロゲン化金属、例えばフッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、特に塩化物であり、これらの中で塩化亜鉛、塩化鉄（ＩＩ）及び塩化鉄（ＩＩＩ）が特に好ましい。

異性化は、液体の希釈剤、
−例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロへキサン、ベンゼン、デカヒドロナフタレン等の炭化水素、
−例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、グリコールジメチルエーテル、アニソール等のエーテル、
−例えば、酢酸エチル、安息香酸メチル等のエステル、又は
−例えば、アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル、又は
−上記の希釈剤の混合物
の存在下で行うことができる。

特に好ましい実施の形態において、有用な異性化は、上記の液体の希釈剤の不存在下である。

さらに、処理工程（ａ）の異性化が非酸化雰囲気下、例えば、窒素または希ガス（例えばアルゴン）から成る保護気体雰囲気下で行われる場合に有利であることが判明した。

処理工程（ａ）は、当業者に公知の好適な装置で行うことができる。この反応に有用な装置は、例えば、Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ，Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、第４版、第２０巻、Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、１９９６、１０４０〜１０５５頁に記載されているように、攪拌タンク反応器、ループ反応器、ガス循環反応器、バブルカラム反応器（気泡塔反応器）又はチューブ反応器（管型反応器）等の一般的な装置である。反応は、複数の装置、例えば２基又は３基の装置において行うことができる。

本発明の方法における好ましい実施の形態において、異性化は、区画化管型反応器（compartmented tubular reactor）において行われる。

本発明の方法における他の好ましい実施の形態において、異性化は、直列に連結させた少なくとも２基の反応器において行われ、その場合、第１の反応器は、実質的に撹拌タンク特性を有しており、第２の反応器は、実質的に管型特性を有するように設計される。

本発明の方法における特に好ましい実施の形態において、異性化は、２〜２０基の撹拌槽、特に３〜１０基の撹拌槽に対応する撹拌槽群の特性を有する反応器中で行われる。

本発明の一実施の形態において、反応は、１基の蒸留装置において行われも良く、その場合、異性化反応は、蒸留装置の少なくとも底部領域で起こる。当業者等に公知の蒸留装置が適当であり、例えば、Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ，Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｔｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，第４版．，第８巻，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ，１９９６，３３４−３４８頁に記載されているように、網目プレートカラム、バブルキャップトレイカラム（泡鐘トレイ塔）、構造化充填物又は不規則充填物を有するカラム等の装置であり、隔壁塔として稼働させることも可能である。これらの蒸留装置には、それぞれ、蒸発のための好適な装置、例えば流下薄膜型蒸発器、薄厚フィルム蒸発器、多相らせんチューブ蒸発器、自然循環蒸発器、又は強制循環フラッシュ蒸発器か、そして更に蒸気流の凝縮のための装置が設けられている。併発反応を伴う蒸留は、２又は３基等の複数の装置で行なって良く、好ましくは単一の装置で行なって良い。供給物流の部分蒸発を行う場合、蒸留は、一段階で更に行われても良い。

本発明の方法における処理工程（ａ）は、０．１ｍｂａｒ（ミリバール）〜１００ｂａｒ（バール）の絶対圧下で行われるのが好ましく、さらに好ましくは１ｍｂａｒ〜１６ｂａｒであり、特に１０ｍｂａｒ〜６ｂａｒの絶対圧である。処理工程（ａ）の温度は、好ましくは２５〜２５０℃、さらに好ましくは３０〜１８０℃、特に４０〜１４０℃である。

直鎖のペンテンニトリルに対する２−メチル−３−ブテンニトリルのモル比及びこれにより得られる、使用された２−メチル−３−ブテンニトリルの転化率に関して、取り出された流れの組成は、供給物流の組成に応じて、温度、触媒濃度、滞留時間及び反応器の形態に基づき技術的に簡易な手法で調節することができる。本発明の方法における好ましい実施の形態において、転化率は、３回の測定により、１０〜９９％の範囲、更に好ましくは３０〜９５％の範囲、特に６０〜９０％の範囲の値に調節される。

［処理工程（ｂ）］
処理工程（ｂ）では、処理工程（ａ）で得られた流れ１を蒸留する。これにより、２−メチル−３−ブテンニトリル、３−ペンテンニトリル及び（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを含む流れ２を頂部生成物として得る。更に、処理工程（ｂ）において、少なくとも１種の異性化触媒を含む流れ３を底部生成物として得る。

本発明の方法における処理工程（ｂ）は、当業者にとって公知の好適な装置でも行なうことができる。蒸留のために好適な装置は、例えば、Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ，Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｔｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，第４版．，第８巻，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ，１９９６，３３４−３４８頁に記載されているように、網目プレートカラム、バブルキャップトレイカラム（泡鐘トレイ塔）、構造化充填物又は不規則充填物を有するカラム等の装置であり、隔壁塔として稼働させることも可能である。これらの蒸留装置には、それぞれ、蒸発のための好適な装置、例えば流下薄膜型蒸発器、薄厚フィルム蒸発器、多相らせんチューブ蒸発器、自然循環蒸発器、又は強制循環フラッシュ蒸発器と、そして更に蒸気流の凝縮のための装置が設けられている。蒸留は、２又は３基等の複数の装置で行なって良く、有利には単一の装置で行われる。供給物流の部分蒸発を行う場合、蒸留は、一段階で更に行われても良い。

本発明の方法における処理工程（ｂ）の圧力は、好ましくは０．１ミリバール〜１００バール、より好ましくは１ミリバール〜６バール、特に１０ミリバール〜５００ミリバールの絶対圧である。蒸留は、蒸留装置の塔底内の温度が、好ましくは２５〜２５０℃、より好ましくは４０〜１８０℃、特に６０〜１４０℃の範囲となるように行なわれる。蒸留は、蒸留装置の塔頂における温度が、好ましくは−１５〜２００℃、より好ましくは５〜１５０℃、特に１０〜１００℃の範囲となるように行なわれる。本発明に従う方法の特に好ましい実施の形態では、上述した温度範囲が、蒸留装置の塔頂及び塔底の両方で維持される。

本発明の特に好ましい実施の形態において、処理工程（ｂ）で行われる流れ１の蒸留は、混合物中に存在する異性化触媒が処理工程（ａ）のときより低い活性となるか、又は不活性となるような圧力及び温度の条件下で行われる。

本発明の好ましい実施の形態において、処理工程（ｂ）で得られ、少なくとも１種の異性化触媒を含む流れ３を少なくとも部分的に処理工程（ａ）に再循環させる。

本発明の方法における他の実施の形態において、処理工程（ａ）及び（ｂ）を同一の装置で行う。少なくとも１種の異性化触媒を含む流れ３を処理工程（ｂ）から取り出さず、処理工程（ａ）及び（ｂ）の共通の装置に残すことも可能である。

或いは、少なくとも１種の異性化触媒を含み、処理工程（ｂ）から得られる流れ３の少なくとも一部を用いて、本発明に従う処理工程（ｅ）で使用される反応物質流を製造することも可能である。処理工程（ｅ）において、かかる少なくとも１種の異性化触媒は、その後にヒドロシアン化触媒として機能する。

［処理工程（ｃ）］
処理工程（ｃ）において、流れ２を蒸留する。これにより、流れ２に含まれる全てのペンテンニトリルの合計に対して（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを流れ２より豊富に含む流れ４を頂部生成物として得る。更に、流れ２に含まれる全てのペンテンニトリルの合計に対して（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを流れ２より少なく含む流れ５を底部生成物として得る。

処理工程（ｃ）は、当業者にとって公知の好適な装置でも行なうことができる。蒸留のために好適な装置は、例えば、Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ，Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｔｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，第４版．，第８巻，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ，１９９６，３３４−３４８頁に記載されているように、網目プレートカラム、バブルキャップトレイカラム（泡鐘トレイ塔）、構造化充填物又は不規則充填物を有するカラム等の装置であり、隔壁塔として稼働させることも可能である。これらの蒸留装置には、それぞれ、蒸発のための好適な装置、例えば流下薄膜型蒸発器、薄厚フィルム蒸発器、多相らせんチューブ蒸発器、自然循環蒸発器、又は強制循環フラッシュ蒸発器と、そして更に蒸気流の凝縮のための装置が設けられている。蒸留は、２又は３基等の複数の装置で行なって良く、有利には単一の装置で行われる。供給物流の部分蒸発を行う場合、蒸留は、一段階で更に行われても良い。

本発明の方法における処理工程（ｃ）の圧力は、好ましくは０．１ミリバール〜１００バール、より好ましくは１ミリバール〜６バール、特に１０ミリバール〜５００ミリバールの絶対圧である。蒸留は、蒸留装置の塔底内の温度が、好ましくは２５〜２５０℃、より好ましくは４０〜１８０℃、特に６０〜１４０℃の範囲となるように行なわれる。蒸留は、蒸留装置の塔頂における温度が、好ましくは−１５〜２００℃、より好ましくは５〜１５０℃、特に１０〜１００℃の範囲となるように行なわれる。本発明に従う方法の特に好ましい実施の形態では、上述した温度範囲が、蒸留装置の塔頂及び塔底の両方で維持される。

本発明の方法における特に好ましい実施の形態において、処理工程（ｂ）及び（ｃ）を１基の蒸留装置で同時に行い、その場合、少なくとも１種の異性化触媒を含む流れ３を底部生成物として得て、（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを含む流れ４を頂部生成物として得て、そして３−ペンテンニトリル及び２−メチル−３−ブテンニトリルを含む流れ５を塔の側部取り出し部から得る。

本発明の方法における他の好ましい実施の形態において、処理工程（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）を１基の蒸留装置で同時に行う。その場合、（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを含む流れ４を頂部生成物として得る。３−ペンテンニトリル及び２−メチル−３−ブテンニトリルを含む流れ５を蒸留塔の側部取り出し部から得る。この実施の形態において、異性化触媒は、蒸留塔の底部に残留しているのが好ましい。

［処理工程（ｄ）］
３−ペンテンニトリル及び２−メチル−３−ブテンニトリルを含み、処理工程（ｃ）で得られる流れ５を、その後、他の蒸留装置に移す。かかる蒸留装置において、流れ５を、底部生成物として取り出される３−ペンテンニトリル流と、頂部生成物として取り出される２−メチル−３−ブテンニトリル流と、に分離する。

処理工程（ｄ）は、当業者にとって公知の好適な装置でも行なうことができる。蒸留のために好適な装置は、例えば、Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ，Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｔｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，第４版．，第８巻，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ，１９９６，３３４−３４８頁に記載されているように、網目プレートカラム、バブルキャップトレイカラム（泡鐘トレイ塔）、構造化充填物又は不規則充填物を有するカラム等の装置であり、隔壁塔として稼働させることも可能である。これらの蒸留装置には、それぞれ、蒸発のための好適な装置、例えば流下薄膜型蒸発器、薄厚フィルム蒸発器、多相らせんチューブ蒸発器、自然循環蒸発器、又は強制循環フラッシュ蒸発器と、更に蒸気流の凝縮のための装置が設けられている。蒸留は、２又は３基等の複数の装置で行なって良く、有利には単一の装置で行われる。供給物流の部分蒸発を行う場合、蒸留は、一段階で更に行われても良い。

処理工程（ｄ）の絶対力は、好ましくは０．００１〜１００バール、より好ましくは０．０１〜２０バール、特に０．０５〜２バールである。蒸留は、蒸留装置の塔底内の温度が、好ましくは３０〜２５０℃、より好ましくは５０〜２００℃、特に６０〜１８０℃の範囲となるように行なわれる。蒸留は、蒸留装置の塔頂における凝縮温度が、好ましくは−５０〜２５０℃、より好ましくは０〜１８０℃、特に１５〜１６０℃の範囲となるように行なわれる。

本発明の方法における特に好ましい実施の形態において、上述した温度範囲が、蒸留装置の塔頂及び塔底の両方で維持される。

本発明の方法における特に好ましい実施の形態において、処理工程（ｄ）及び（ｇ）を同じ蒸留装置で行う。その場合、流れ６及び１２並びに流れ７及び１３が同時に生じる。更に、かかる好ましい実施の形態において、流れ５を、処理工程（ｄ）及び（ｇ）の共通の装置に直接誘導する。この場合、流れ５及び１１の導入位置は、蒸留装置として蒸留塔の場合、同一であっても又は異なっていても良い。

本発明の方法における他の実施の形態において、処理工程（ｃ）及び（ｇ）を共通の蒸留塔で行う。その場合、処理工程（ｄ）が省略され、処理工程（ｂ）から得た流れ２及び処理工程（ｆ）から得た流れ１１を処理工程（ｇ）に導き、そして処理工程（ｇ）において、流れ４を、（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを含む頂部生成物として得て、流れ１２を、３−ペンテンニトリルを含む底部生成物として得て、流れ１３を、２−メチル−３−ブテンニトリルを含む側部取り出し流として得る。

本発明に従う方法の第１実施の形態において、流れ２を処理工程（ｇ）に直接再循環させ、反応物質流を処理工程（ｃ）に直接導き、その場合、処理工程（ｃ）から得られた流れ５ａを処理工程（ａ）の異性化に再循環させることが可能である。

或いは、流れ２を処理工程（ｇ）に直接再循環させ、そして反応物質流を処理工程（ｃ）に導き、その場合、処理工程（ｃ）から得られた流れ５を処理工程（ｆ）に再循環させることも可能である。

或いは、流れ２を処理工程（ｇ）に直接再循環させ、そして反応物質流を処理工程（ｃ）に導き、そして処理工程（ｃ）から得られた流れ５を処理工程（ｅ）に再循環させることも可能である。

（第２実施の形態）
更に本発明は、第２実施の形態（embodiment II）に基づく３−ペンテンニトリルの製造方法であって、以下の処理工程：
（ａ’）２−メチル−３−ブテンニトリルを含む反応物質流を、少なくとも１種の溶解又は分散状態の異性化触媒上で異性化して、少なくとも１種の異性化触媒、２−メチル−３−ブテンニトリル、３−ペンテンニトリル及び（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを含む流れ１’を得る工程、
（ｂ’）流れ１’を蒸留して、２−メチル−３−ブテンニトリル及び（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを含む流れ２’を得て、それを処理工程（ａ’）に再循環させ、少なくとも１種の異性化触媒を含む流れ３’を底部生成物として得て、それを異性化工程（ａ’）に再循環させ、そして３−ペンテンニトリルを含む流れ４’を蒸留塔の側部取り出し部から得る工程、
を有することを特徴とする３−ペンテンニトリルの製造方法を提供する。

本発明の方法における第２実施の形態により処理工程（ａ’）で用いられる反応物質流は、本発明の方法における第１実施の形態による反応物質流を製造する上述の方法によって得ることができる。

第２実施の形態による処理工程（ａ’）の場合、第１実施の処理工程（ａ）と同一の条件が適用され、特に使用される触媒錯体と遊離配位子に関して同条件が用いられる。

処理工程（ｂ’）の絶対圧は、好ましくは０．００１〜１００バール、より好ましくは０．０１〜２０バール、特に０．１〜２バールである。蒸留は、蒸留装置の塔底内の温度が、好ましくは２５〜２５０℃、より好ましくは４０〜１８０℃、特に６０〜１４０℃の範囲となるように行なわれる。蒸留は、蒸留装置の塔頂における凝縮温度が、好ましくは−５０〜２５０℃、より好ましくは０〜１５０℃、特に１０〜１００℃の範囲となるように行われる。

（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルの蓄積を防ぐために、流れ２’の部分排出が適当な場合もある。残留流を工程（ａ’）に再循環させる。

本発明の方法における第２実施の形態の一変体において、反応物質流を処理工程（ａ’）に導く代わりに、処理工程（ｂ’）に導く。

本発明の方法における第２実施の形態の処理工程（ｂ’）から出た流れ２’を、適宜、他の任意の処理工程（ｃ’）において、蒸留に付しても良い。これにより、（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルが豊富な流れ５’と、（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルが少ない流れ６’とを形成するのが好ましく、そして流れ５’を処理工程（ａ’）に再循環させるのが好ましい。

適宜行われる処理工程（ｃ’）は、処理工程（ａ’）の装置で行われても良く、その場合、蒸留装置をその後に処理工程（ａ’）で使用し、その蒸留装置の底部で、異性化反応が生じ、流れ１’が蒸留装置の底部から取り出され、（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルの豊富な流れ６’が蒸留装置の頂部から取り出される。

本発明によれば、第１実施の形態及び第２実施の形態による方法において、３−ペンテンニトリルを得る。本発明の場合、３−ペンテンニトリルなる用語は、３−ペンテンニトリルの単一の異性体、又は２種、３種、４種又は５種の相互に異なる上記の異性体の混合物である。異性体には、ｃｉｓ−２−ペンテンニトリル、ｔｒａｎｓ−２−ペンテンニトリル、ｃｉｓ−３−ペンテンニトリル、ｔｒａｎｓ−３−ペンテンニトリル、４−ペンテンニトリル又はこれらの混合物が含まれ、好ましくはｃｉｓ−３−ペンテンニトリル、ｔｒａｎｓ−３−ペンテンニトリル、４−ペンテンニトリル又はこれらの混合物であり、これらは、個々に、そして混合物として、３−ペンテンニトリルとして本願発明に取り込まれる。

本発明の方法は、利点を有している。例えば、アジポニトリルの製造する統合法において、異性化により得られる未転化２−メチル−３−ブテンニトリルの再循環は経済的に必要である。なぜなら、３−ペンテンニトリルへの２−メチル−３−ブテンニトリルの転化率が熱力学的平衡によって制限されるからである。かかる再循環では、２−メチル−３−ブテンニトリル循環で蓄積する（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルの除去を必要とする。本発明の方法において、除去は蒸留によって行われ、これにより、工程（ｃ）において、工程（ａ）が行われた後だけ２−メチル−３−ブテンニトリルと（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを分離して、価値ある生成物の損失を制御された手法で最小限にすることができる。

第１実施の形態の好ましい説明に基づく本発明の方法を、図１を参照しつつ詳細に説明する。

反応器Ｒ１において、シアン化水素及び１，３−ブタジエンをニッケル（０）触媒の存在下に供給する。反応器において、ヒドロシアン化が起こって、流れ８を形成する。この流れ８は、３−ペンテンニトリル、２−メチル−３−ブテンニトリル、ヒドロシアン化触媒及び未転化１，３−ブタンジエンを含んでいる。次に、流れ８を蒸留塔Ｋ１に移し、そこで、１，３−ブタジエン（流れ９）を頂部において流れ８から除去する。蒸留塔Ｋ１の底部において、ヒドロシアン化触媒を含む流れ１０を得る。蒸留塔Ｋ１の側部取り出し部において、３−ペンテンニトリル及び２−メチル−３−ブテンニトリルを含む流れ１１を得る。次いで、流れ１１を蒸留塔Ｋ２に移す。

蒸留塔Ｋ２において、流れ１１を、３−ペンテンニトリルを含む流れ１２と、２−メチル−３−ブテンニトリルを含む流れ１３と、に分離する。

次いで、流れ１３を異性化装置Ｒ２に移す。この異性化装置Ｒ２において、流れ１３に存在する２−メチル−３−ブテンニトリルが異性化触媒上で異性化される。この異性化から得られる流れ１は、３−ペンテンニトリル、２−メチル−３−ブテンニトリル、（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリル、そして更に異性化触媒を含んでいる。

次いで、流れ１を蒸留塔Ｋ３において分離する。これにより、異性化触媒を含む流れ３を形成する（底部）。蒸留塔Ｋ３の頂部において、流れ２が取り出される。かかる流れ２は、３−ペンテンニトリル、（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリル及び２−メチル−３−ブテンニトリルを含んでいる。次いで、この流れ２を蒸留塔Ｋ４に移す。

蒸留塔Ｋ４において、流れ２を、異性化中に形成した（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルに分離する（流れ４）。更に、流れ５を蒸留塔Ｋ４の底部で得て、これは、３−ペンテンニトリル及び２−メチル−３−ブテンニトリルを含んでいる。この流れ５を蒸留塔Ｋ２に移し、そしてこの蒸留塔において、３−ペンテンニトリルを流れ５から得る。

流れ９と１０を反応器Ｒ１に部分的に又は完全に再循環させるか、或いは全く再循環させなくても良い。同様のことが、反応器Ｒ２の方向の流れ３にも適用される。これらの変体は、図１に示されていない。

第２実施の形態の好ましい説明に基づく本発明の方法を、図２を参照しつつ詳細に説明する。

反応器Ｒ１において、シアン化水素及び１，３−ブタジエンをニッケル（０）触媒の存在下に供給する。反応器において、ヒドロシアン化が起こって、流れ８を形成する。この流れ８は、３−ペンテンニトリル、２−メチル−３−ブテンニトリル、ヒドロシアン化触媒及び未転化１，３−ブタンジエンを含んでいる。次に、流れ８を蒸留塔Ｋ１に移し、そこで、１，３−ブタジエン（流れ９）を頂部において流れ８から除去する。蒸留塔Ｋ１の底部において、ヒドロシアン化触媒を含む流れ１０を得る。蒸留塔Ｋ１の側部取り出し部において、３−ペンテンニトリル及び２−メチル−３−ブテンニトリルを含む流れ１１を得る。次いで、流れ１１を異性化装置Ｒ２に移す。

異性化装置Ｒ２において、それぞれ蒸留塔Ｋ２から得られる異性化触媒（流れ３’）及び２−メチル−３−ブテンニトリル（流れ２’）を更に導入する。異性化装置Ｒ２において、異性化が起こる。次に、これにより得られる流れ１’を蒸留装置Ｋ２に移し、そこで流れ１’を、Ｒ２に再循環させる流れ２’（２−メチル−３−ブテンニトリル）と、Ｒ２に再循環させる流れ３’（異性化触媒）と、３−ペンテンニトリルを含む流れ４’と、に分離する。

異性化触媒を含む流れをＲ２に供給することにより、流れ３’からの必須の排出物を補填することができるので、Ｒ２におけるＮｉ（０）含有量は一定となる。

流れ９と１０を反応器Ｒ１に部分的に又は完全に再循環させるか、或いは全く再循環させなくても良い。

このような再循環及び排出の変体は、図２に示されていない。

（第３実施の形態）
第３実施の形態（embodiment III）において、処理工程ａ^*）及びｅ^*）に触媒作用を及ぼすヒドロシアン化及び異性化Ｎｉ（０）触媒の配位子を使用する。

触媒として好ましく使用され、リン配位子及び／又は遊離リン配位子を含むニッケル（φ）錯体は、均一に溶解したニッケル（φ）錯体であるのが好ましい。

ニッケル（０）錯体のリン配位子及び遊離リン配位子は、好ましくは単座又は二座のホスフィン、ホスフィット、ホスフィニット及びホスホニットから選択され、単座又は二座のホスフィット、ホスフィニット及びホスホニットから選択されるのが好ましく、更に好ましくは単座又は二座のホスフィット及びホスホニットから選択され、特に単座のホスフィット、ホスフィニット及びホスホニットから選択され、最も好ましくは単座のホスフィット及びホスホニットから選択される。

これらのリン配位子は、式Ｉ：

を有しているのが好ましい。

本発明において、化合物Ｉは、単一の化合物又は上記式の異なる化合物の混合物である。

本発明によると、Ｘ¹、Ｘ²、及びＸ³はそれぞれ独立に酸素又は単結合を表わす。Ｘ¹、Ｘ²、及びＸ³の全部が単結合の場合には、化合物Ｉは式Ｐ（Ｒ¹Ｒ²Ｒ³）で表わされるホスフィンである。Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³の意味は以下に示す。

Ｘ¹、Ｘ²、及びＸ³のうちの２個が単結合であり、１個が酸素である場合には、化合物Ｉは式Ｐ（ＯＲ¹）（Ｒ²）（Ｒ³）又はＰ（Ｒ¹）（ＯＲ²）（Ｒ³）又はＰ（Ｒ¹）（Ｒ²）（ＯＲ³）で表わされるホスフィニットである。Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³の意味は以下に示す。

Ｘ¹、Ｘ²、及びＸ³のうちの１個が単結合であり、２個が酸素である場合には、化合物Ｉは式Ｐ（ＯＲ¹）（ＯＲ²）（Ｒ³）又はＰ（Ｒ¹）（ＯＲ²）（ＯＲ³）又はＰ（ＯＲ¹）（Ｒ²）（ＯＲ³）で表わされるホスホニットである。Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³の意味は以下に示す。

一実施の形態において、Ｘ¹、Ｘ²、及びＸ³の全てが酸素である。すなわち、化合物Ｉは式Ｐ（ＯＲ¹）（ＯＲ²）（ＯＲ³）で表わされるホスフィットである。Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³の意味は以下に示す。

本発明によれば、Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³はそれぞれ互いに独立に同一であっても異なっていても良い有機基である。Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³はそれぞれ独立に、アルキル基、好ましくは炭素原子数が１〜１０個であるアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、アリール基、例えばフェニル、ｏ−トリル、ｍ−トリル、ｐ−トリル、１−ナフチル、２−ナフチル、又はヒドロカルビル基、好ましくは炭素原子数が１〜２０個のヒドロカルビル基、例えば１，１’−ビフェノール、１，１’−ビナフトールである。Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³は互いに直接結合していても良く、すなわち中心のリン原子を介して単独で結合していなくとも良い。Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³は互いに直接結合していないのが好ましい。

一実施の形態において、基Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³は、フェニル、ｏ−トリル、ｍ−トリル、ｐ−トリルからなる群から選択される基である。特に好ましい形態では、Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³のうちの最大２個がフェニル基である。

他の実施の形態では、Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³のうちの最大２個がｏ−トリル基である。

使用可能な化合物Ｉは、式Ｉａ：

で表わされる化合物である。式中のｗ、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ自然数であるが、ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝３であり、ｗ、ｚ≦２である。

かかる化合物Ｉａとしては、例えば、（ｐ−トリル−Ｏ−）（フェニル−Ｏ−）₂Ｐ、（ｍ−トリル−Ｏ−）（フェニル−Ｏ−）₂Ｐ、（ｏ−トリル−Ｏ−）（フェニル−Ｏ−）₂Ｐ、（ｐ−トリル−Ｏ−）₂（フェニル−Ｏ−）Ｐ、（ｍ−トリル−Ｏ−）₂（フェニル−Ｏ−）Ｐ、（ｏ−トリル−Ｏ−）₂（フェニル−Ｏ−）Ｐ、（ｍ−トリル−Ｏ−）（ｐ−トリル−Ｏ−）（フェニル−Ｏ−）Ｐ、（ｏ−トリル−Ｏ−）（ｐ−トリル−Ｏ−）（フェニル−Ｏ−）Ｐ、（ｏ−トリル−Ｏ−）（ｍ−トリル−Ｏ−）（フェニル−Ｏ−）Ｐ、（ｐ−トリル−Ｏ−）₃Ｐ、（ｍ−トリル−Ｏ−）（ｐ−トリル−Ｏ−）₂Ｐ、（ｏ−トリル−Ｏ−）（ｐ−トリル−Ｏ−）₂Ｐ、（ｍ−トリル−Ｏ−）₂（ｐ−トリル−Ｏ−）Ｐ、（ｏ−トリル−Ｏ−）₂（ｐ−トリル−Ｏ−）Ｐ、（ｏ−トリル−Ｏ−）（ｍ−トリル−Ｏ−）（ｐ−トリル−Ｏ−）Ｐ、（ｍ−トリル−Ｏ−）₃Ｐ、（ｏ−トリル−Ｏ−）（ｍ−トリル−Ｏ−）₂Ｐ、（ｏ−トリル−Ｏ−）₂（ｍ−トリル−Ｏ−）Ｐ、又はこれらの化合物の混合物が挙げられる。

（ｍ−トリル−Ｏ−）₃Ｐ、（ｍ−トリル−Ｏ−）₂（ｐ−トリル−Ｏ−）Ｐ、（ｍ−トリル−Ｏ−）（ｐ−トリル−Ｏ−）₂Ｐ、及び（ｐ−トリル−Ｏ−）₃Ｐを含む混合物は、例えば、原油を蒸留精製して得られるｍ−クレゾール及びｐ−クレゾールを含む混合物、特に２：１のモル比でｍ−クレゾール及びｐ−クレゾールを含む混合物を、三ハロゲン化リン、例えば三塩化リンと反応させることによって得ることができる。

一実施の形態では、リン配位子はＤＥ−Ａ−１９９５３０５８に詳細に記載されているような、式Ｉｂ：

で表わされるホスフィットである。

但し、上記の式中のＲ¹は、芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してオルト位にＣ₁−Ｃ₁₈−アルキル置換基を有している芳香族基、又は芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してオルト位に芳香族置換基を有している芳香族基、又は芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してオルト位に縮合芳香族環を有している芳香族基を表し、
Ｒ²は、芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してメタ位にＣ₁−Ｃ₁₈−アルキル置換基を有している芳香族基、又は芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してメタ位に芳香族置換基を有している芳香族基、又は芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してメタ位に縮合芳香族環を有している芳香族基であって、芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してオルト位に水素を有する芳香族基を表し、
Ｒ³は、芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してパラ位にＣ₁−Ｃ₁₈−アルキル置換基を有している芳香族基、又は芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してパラ位に芳香族置換基を有している芳香族基であって、芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してオルト位に水素を有する芳香族基を表し、
Ｒ⁴は、芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してｏ、ｍ、及びパラ位にＲ¹、Ｒ²及びＲ³に対して上述した基以外の基を有している芳香族基であって、芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してオルト位に水素を有する芳香族基を表し、
ｘは１又は２を表し、
ｙ、ｚ、ｐはそれぞれ独立に０、１又は２を表し、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｐ＝３である。

式Ｉｂで表わされる好ましいホスフィットは、ＤＥ−Ａ−１９９５３０５８号公報に記載されている。Ｒ¹は、好ましくはｏ−トリル、ｏ−エチルフェニル、ｏ−ｎ−プロピルフェニル、ｏ−イソプロピルフェニル、ｏ−ｎ−ブチルフェニル、ｏ−ｓ−ブチルフェニル、ｏ−ｔ−ブチルフェニル、（ｏ−フェニル）フェニル又は１−ナフチルであっても良い。

Ｒ²は、ｍ−トリル、ｍ−エチルフェニル、ｍ−ｎ−プロピルフェニル、ｍ−イソプロピルフェニル、ｍ−ｎ−ブチルフェニル、ｍ−ｓ−ブチルフェニル、ｍ−ｔ−ブチルフェニル、（ｍ−フェニル）フェニル、又は２−ナフチルであるのが好ましい。

有利なＲ³基は、ｐ−トリル、ｐ−エチルフェニル、ｐ−ｎ−プロピルフェニル、ｐ−イソプロピルフェニル、ｐ−ｎ−ブチルフェニル、ｐ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル又は（ｐ−フェニル）フェニル基である。

Ｒ⁴基は、フェニルが好ましい。ｐは０（ゼロ）が好ましい。化合物Ｉｂ中の指数ｘ、ｙ、ｚ及びｐに関し、以下のものが可能である。

式Ｉｂで表わされる好ましいホスフィットは、ｐが０であり、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³がそれぞれ独立にｏ−イソプロピルフェニル、ｍ−トリル、及びｐ−トリルから選択され、Ｒ⁴がフェニルである化合物である。

式Ｉｂで表わされる特に好ましいホスフィットは、Ｒ¹がｏ−イソプロピルフェニル、Ｒ²がｍ−トリル、Ｒ³がｐ−トリルで各指数が上記の表に示された値を有する化合物、Ｒ¹がｏ−トリル、Ｒ²がｍ−トリル、Ｒ³がｐ−トリルで各指数が上記の表に示された値を有する化合物、更にＲ¹が１−ナフチル、Ｒ²がｍ−トリル、Ｒ³がｐ−トリルで各指数が上記の表に示された値を有する化合物、Ｒ¹がｏ−トリル、Ｒ²が２−ナフチル、Ｒ³がｐ−トリルで各指数が上記の表に示された値を有する化合物、そしてＲ¹がｏ−イソプロピルフェニル、Ｒ²が２−ナフチル、Ｒ³がｐ−トリルで各指数が上記の表に示された値を有する化合物並びにこれらのホスフィットの混合物である。

式Ｉｂで表わされるホスフィットは、
ａ）三ハロゲン化リンをＲ¹ＯＨ、Ｒ²ＯＨ、Ｒ³ＯＨ及びＲ⁴ＯＨ又はこれらの混合物からなる群から選択されたアルコールと反応させて、ジハロリンのモノエステルを得る工程、
ｂ）得られたジハロリンのモノエステルをＲ¹ＯＨ、Ｒ²ＯＨ、Ｒ³ＯＨ及びＲ⁴ＯＨ又はこれらの混合物からなる群から選択されたアルコールと反応させ、モノハロリンのジエステルを得る工程、
ｃ）得られたモノハロリンのジエステルをＲ¹ＯＨ、Ｒ²ＯＨ、Ｒ³ＯＨ及びＲ⁴ＯＨ又はこれらの混合物からなる群から選択されたアルコールと反応させ、式Ｉｂで表わされるホスフィットを得る工程、
ことにより得ることができる。

反応は、３工程の独立した工程で行うことができる。同様に、上述の３工程のうちの２工程、すなわち、ａ）工程とｂ）工程又はｂ）工程とｃ）工程、を組み合わせることもできる。また、ａ）、ｂ）、ｃ）工程の全てを互いに組み合わせることもできる。

Ｒ¹ＯＨ、Ｒ²ＯＨ、Ｒ³ＯＨ及びＲ⁴ＯＨ又はこれらの混合物からなる群から選択されたアルコールの量及び反応に適したパラメーターは、数回の簡単な予備実験により決定することができる。

有用な三ハロゲン化リンは、原則として全ての三ハロゲン化リンであるが、使用されるハロゲンがＣｌ、Ｂｒ、Ｉ、特にＣｌである化合物又はこれらの混合物が好ましい。三ハロゲン化リンとして、種々の同一の又は異なるハロゲンで置換されたホスフィンの混合物を使用することもできる。特に好ましいのはＰＣｌ₃である。ホスフィットＩｂの製造における反応条件及び精製（後処理）に関する詳細は、ＤＥ−Ａ−１９９５３０５８号公報に記載されている。

ホスフィットＩｂは、異なるホスフィットＩｂの混合物の形態で、配位子として使用することもできる。このような混合物は、例えばホスフィットＩｂの製造において得ることができる。

同様に、多座、特に二座のリン配位子が好ましい。従って、使用される配位子は、好ましくは、式ＩＩ：

（但し、Ｘ¹¹、Ｘ¹²、Ｘ¹³、Ｘ²¹、Ｘ²²、Ｘ²³が、それぞれ独立して、酸素又は単結合であり、
Ｒ¹¹、Ｒ¹²が、それぞれ独立して同一又は異なる、分離した又は橋状結合した有機基であり、
Ｒ²¹、Ｒ²²が、それぞれ独立して同一又は異なる、分離した又は橋状結合した有機基であり、
Ｙが、橋状結合基である。）を有している。

本発明の場合、化合物ＩＩは、単一化合物又は上述した式の異なる化合物の混合物である。

一実施の形態では、Ｘ¹¹、Ｘ¹²、Ｘ¹³、Ｘ²¹、Ｘ²²、Ｘ²³は、それぞれ酸素であって良い。このような場合、橋状結合した基Ｙは、ホスフィット基に結合される。

他の実施の形態では、Ｘ¹¹及びＸ¹²は、それぞれ酸素であり、及びＸ¹³が単結合であり、又はＸ¹¹及びＸ¹³がそれぞれ酸素であり、及びＸ¹²が単結合であり、従って、Ｘ¹¹、Ｘ¹²及びＸ¹³に囲まれたリン原子が、ホスファイトの中心原子である。このような場合、Ｘ²¹、Ｘ²²及びＸ²³が、それぞれ酸素、又はＸ²¹とＸ²²がそれぞれ酸素でＸ²³が単結合で良く、又はＸ²¹とＸ²³がそれぞれ酸素でＸ²²が単結合で良く、又はＸ²³が酸素でＸ²¹とＸ²²がそれぞれ単結合で良く、又はＸ²¹が酸素でＸ²²とＸ²³がそれぞれ単結合で良く、又はＸ²¹、Ｘ²²及びＸ²³が、それぞれ単結合で良く、従って、Ｘ²¹、Ｘ²²及びＸ²³に囲まれたリン原子が、ホスファイト、ホスホナイト、ホスフィナイト、又はホスフィン、好ましくはホスホナイトの中心原子である。

他の実施の形態では、Ｘ¹³が酸素であり、及びＸ¹¹とＸ¹²がそれぞれ単結合で良く、又は、Ｘ¹¹が酸素であり、及びＸ¹²とＸ¹³がそれぞれ単結合で良く、従って、Ｘ¹¹、Ｘ¹²及びＸ¹³に囲まれたリン原子が、ホスホナイトの中心原子である。このような場合、Ｘ²¹、Ｘ²²及びＸ²³がそれぞれ酸素で良く、又はＸ²³が酸素であり、及びＸ²¹とＸ²²がそれぞれ単結合で良く、又は、Ｘ²¹が酸素であり、及びＸ²²とＸ²³がそれぞれ単結合で良く、又は、Ｘ²¹、Ｘ²²及びＸ²³がそれぞれ単結合で良く、従って、Ｘ²¹、Ｘ²²及びＸ²³に囲まれたリン原子が、ホスファイト、ホスフィナイト、又はホスフィン、好ましくはホスフィナイトの中心原子である。

他の実施の形態では、Ｘ¹¹、Ｘ¹²及びＸ¹³がそれぞれ単結合で良く、従って、Ｘ¹¹、Ｘ¹²及びＸ¹³囲まれたリン原子がホスフィンの中心原子である。このような場合、Ｘ²¹、Ｘ²²及びＸ²³がそれぞれ酸素、又はＸ²¹、Ｘ²²及びＸ²³がそれぞれ単結合で良く、従って、Ｘ²¹、Ｘ²²及びＸ²³に囲まれたリン原子がホスファイト、又はホスフィン、好ましくはホスフィンの中心原子である。

橋状結合した基Ｙは、例えば、Ｃ₁−Ｃ₄−アリール、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン、トリフルオロメチル等のハロゲン化アルキル、フェニル等のアリールによって置換されたアリール基であることが好ましく、又は好ましくは６個〜２０個の炭素原子を芳香族系に有する無置換のアリール基、特にピロカテコール、ビス（フェノール）又はビス（ナフトール）が好ましい。

Ｒ¹¹及びＲ¹²基は、それぞれ独立して、同一又は異なる有機基であって良い。有利なＲ¹¹及びＲ¹²基はアリール基であり、このアリール基は６個〜１０個の炭素原子を有していることが好ましく、このアリール基は、無置換又は、特にＣ₁−Ｃ₄−アリキル、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン、トリフルオロメチル等のハロゲン化アルキル、フェニル等のアリール、又は無置換のアリール基によってモノ置換、又はポリ置換されたアリール基であって良い。

Ｒ²¹及びＲ²²基は、それぞれ独立して、同一又は異なる有機基であって良い。有利なＲ²¹及びＲ²²基は、好ましくは６個〜１０個の炭素原子を有するアリール基であり、アリール基は、無置換又は、特にＣ₁−Ｃ₄−アリール、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン、トリフルオロメチル等のハロゲン化アルキル、フェニル等のアリール、又は無置換のアリール基によって置換されたアリール基である。

Ｒ¹¹及びＲ¹²基は、それぞれが分離されて良く、又橋状結合して良い。Ｒ²¹及びＲ²²基も、それぞれが分離されて良く、又橋状結合して良い。Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ²¹及びＲ²²基は、それぞれが分離されて良く、２種が橋状結合し、そして２種が分離されて良く、又は４種全てが橋状結合して良く、その方法は上述のものである。

一実施の形態では、有用な化合物は、ＵＳ５７２３６４１に記載された式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ、及びＶのものである。一実施の形態では、有用な化合物は、ＵＳ５５１２６９６に記載された式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ、Ｖ、ＶＩ、及びＶＩＩのものであり、特に、実施例１〜３１に使用されている化合物である。一実施の形態では、有用な化合物は、ＵＳ５８２１３７８に記載された式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ、Ｖ、ＶＩ、ＶＩＩ、ＶＩＩＩ、ＩＸ、Ｘ、ＸＩ、ＸＩＩ、ＸＩＩＩ、ＸＩＶ及びＸＶのものであり、特に実施例１〜７３に使用されている化合物である。

一実施の形態では、有用な化合物は、ＵＳ５５１２６９５に記載された式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ、Ｖ及びＶＩのものであり、特に、実施例１〜６に使用された化合物である。一実施の形態では、有用な化合物は、ＵＳ５９８１７７２に記載された式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ、Ｖ、ＶＩ、ＶＩＩ、ＶＩＩＩ、ＩＸ、Ｘ、ＸＩ、ＸＩＩ、ＸＩＩＩ及びＸＩＶのものであり、特に実施例１〜６６に使用された化合物である。

一実施の形態では、有用な化合物は、ＵＳ６１２７５６７に記載された化合物であり、及び実施例１〜２９に使用された化合物である。一実施の形態では、有用な化合物は、ＵＳ６０２０５１６に記載された式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ、Ｖ、ＶＩ、ＶＩＩ、ＶＩＩＩ、ＩＸ及びＸのものであり、特に実施例１〜３３に記載された化合物である。一実施の形態では、有用な化合物は、ＵＳ５９５９１３５に記載された化合物であり、及び実施例１〜１３に使用された化合物である。

一実施の形態では、有用な化合物は、ＵＳ５８４７１９１に記載された式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩのものである。一実施の形態では、有用な化合物は、ＵＳ５５２３４５３に記載されたものであり、特に同文献に式１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０及び２１で説明された化合物である。一実施の形態では、有用な化合物は、ＷＯ０１／１４３９２に記載されたものであり、好ましくは、同文献に式Ｖ、ＶＩ、ＶＩＩ、ＶＩＩＩ、ＩＸ、Ｘ、ＸＩ、ＸＩＩ、ＸＩＩＩ、ＸＩＶ、ＸＶ、ＸＶＩ、ＸＶＩＩ、ＸＸＩ、ＸＸＩＩ、ＸＸＩＩＩで説明された化合物である。

一実施の形態では、有用な化合物は、ＷＯ９８／２７０５４に記載された化合物である。一実施の形態では、有用な化合物は、ＷＯ９９／１３９８３に記載された化合物である。一実施の形態では、有用な化合物は、ＷＯ９９／６４１５５に記載された化合物である。

一実施の形態では、有用な化合物は、ドイツ特許出願ＤＥ１００３８０３７に記載されたものである。一実施の形態では、有用な化合物は、ドイツ特許出願ＤＥ１００４６０２５に記載されたものである。一実施の形態では、有用な化合物は、ドイツ特許出願ＤＥ１０１５０２８５に記載されたものである。

一実施の形態では、有用な化合物は、ドイツ特許出願ＤＥ１０１５０２８６に記載されたものである。一実施の形態では、有用な化合物は、ドイツ特許出願ＤＥ１０２０７１６５に記載されたものである。本発明の他の実施の形態では、有用なリンキレート配位子は、ＵＳ２００３／０１００４４２Ａ１に記載されたものである。

本発明の他の実施の形態では、有用なリンキレート配位子は、ドイツ特許出願の参照番号ＤＥ１０３５０９９９．２（１０．３０．２００３）に記載されたものであるが、同文献は、先の優先日を有しており、しかし本出願の優先日の時点では発行されていない。

上記化合物Ｉ、Ｉａ、Ｉｂ及びＩＩ及びその製造はそれ自体公知である。使用するリン配位子は、化合物Ｉ、Ｉａ、Ｉｂ及びＩＩの少なくとも２種を含む混合物でも良い。

本発明に従う方法の特に好ましい実施の形態では、ニッケル（０）錯体のリン配位子及び／又は遊離リン配位子は、式Ｉｂ：

（但し、Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³が、それぞれ独立してｏ−イソプロピルフェニル、ｍ−トリル及びｐ−トリルから選ばれ、Ｒ⁴が、フェニルであり；ｘが１又は２であり、及びｙ、ｚ、ｐが、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｐ＝３を条件として、それぞれ独立して０、１又は２である。）で表されるホスファイト、及びこれらの混合物、すなわち、式Ｉｂで表される化合物の２種類以上、好ましくは２〜１０種類、更に好ましくは２〜６種類の混合物から選択される。

第３実施の形態において、本発明の方法は、以下の処理工程：
（ａ^*）２−メチル−３−ブテンニトリルを含む反応物質流を、少なくとも１種の溶解又は分散状態の異性化触媒上で異性化して、少なくとも１種の異性化触媒、２−メチル−３−ブテンニトリル、３−ペンテンニトリル及び（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを含む流れ１を得る工程、
（ｂ^*）流れ１を蒸留して、２−メチル−３−ブテンニトリル、３−ペンテンニトリル及び（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを含む流れ２を頂部生成物として得て、そして少なくとも１種の異性化触媒を含む流れ３を底部生成物として得る工程、
（ｃ^*）流れ２を蒸留して、流れ２における全てのペンテンニトリルの合計に対して（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを流れ２より豊富に含む流れ４を頂部生成物として得て、そして流れ２における全てのペンテンニトリルの合計に対して３−ペンテンニトリル及び２−メチル−３−ブテンニトリルを流れ２より豊富に含む流れ５を底部生成物として得る工程、
（ｄ^*）流れ５を蒸留して、３−ペンテンニトリルを含む流れ６を底部生成物として得て、そして２−メチル−３−ブテンニトリルを含む流れ７を頂部生成物として得る工程、
（ｈ^*）流れ３からの副流１４及び流れ１０からの副流１６における触媒をニッケル（０）含有量を高めるために再生して、流れ１８を生じさせる工程、
（ｉ^*）適宜、希釈剤Ｆを流れ１８に添加して、流れ１９を生じさせる工程、
（ｊ^*）ジニトリル流２０及び炭化水素流２１を添加することによって、流れ１８又は流れ１９が存在する場合には流れ１８と流れ１９から触媒成分及び／又は阻害成分を抽出して、２種類の非混和性相２２及び２３（但し、流れ２２は、触媒成分を主割合で含み、流れ２３は、阻害成分を主割合で含む。）を生じさせる工程、
（ｋ^*）流れ２２の触媒成分から炭化水素を蒸留除去して、触媒成分を主割合で含む流れ２５を生じさせ、適宜、流れ２５を完全に又は部分的に処理工程（ａ^*）又は（ｅ^*）に再循環させる工程、
を有することを特徴とする。

［反応物質流］
処理工程（ａ^*）において、２−メチル−３−ブテンニトリルを含む反応物質流の異性化は、少なくとも１種の異性化触媒上で行われる。

本発明の方法における特定の実施の形態において、反応物質流は、以下の処理工程：
（ｅ^*）１，３−ブタジエンを少なくとも１種のヒドロシアン化触媒上でシアン化水素を用いてヒドロシアン化させて、少なくとも１種のヒドロシアン化触媒、３−ペンテンニトリル、２−メチル−３−ブテンニトリル、１，３−ブタジエン及びシアン化水素の残留物を含む流れ８を得る工程、
（ｆ^*）流れ８を１回以上蒸留して、１，３−ブタジエンを含む流れ９と、少なくとも１種のヒドロシアン化触媒を含む流れ１０と、３−ペンテンニトリル及び２−メチル−３−ブテンニトリルを含む流れ１１と、を得る工程、
（ｇ^*）流れ１１を蒸留して、３−ペンテンニトリルを含む流れ１２を底部生成物として得て、そして２−メチル−３−ブテンニトリルを含む流れ１３を頂部生成物として得る工程、
により得られる。

［処理工程（ｅ^*）］
処理工程（ｅ^*）において、反応物質流を製造するために、最初に、１，３−ブタジエンを少なくとも１種のヒドロシアン化触媒上でシアン化水素を用いてヒドロシアン化させて、少なくとも１種のヒドロシアン化触媒、３−ペンテンニトリル、２−メチル−３−ブテンニトリル及び未転化１，３−ブタジエンを含む流れ８を得る。

処理工程（ｅ^*）は、当業者に公知である好適な装置で行なうことができる。従って、反応のための有用な装置は、例えば、Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ，Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，第４版．第２０巻，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ １９９６， １０４０〜１０５５頁に記載されているような通常の装置であり、例えば、攪拌タンク反応器、ループ反応器、ガス循環反応器、バブルカラム反応器（気泡塔反応器）、又はチューブ反応器（管型反応器）等であり、各場合において、適宜、反応熱を除去する装置を有していても良い。反応は、２基又は３基等の複数の装置で行なっても良い。

本発明に従う方法の好ましい実施の形態では、有利な反応器は、逆混合特性を有するもの、又は逆混合特性を有する反応器群に見出される。逆混合特性を有する有利な反応器群は、シアン化水素の計量に関し、クロス流モードで運転されるものであることがわかった。

ヒドロシアン化は、溶剤の存在下又は不存在下に行なわれて良い。溶剤が使用される場合、溶剤は所定の反応温度及び反応圧力において液体であり、そして、不飽和化合物及び少なくとも１種の触媒に対して不活性であるべきである。通常、使用する溶剤は、炭化水素、例えばベンゼン、又はキシレン、又はニトリル、例えば、アセトニトリル、又はベンゾニトリルである。しかしながら、溶剤として配位子を使用することが好ましい。

反応は、バッチ方式、連続方式、又は半バッチ方式で操作されても良い。

ヒドロシアン化反応は、装置に全ての反応物を充填して行なって良い。しかしながら、装置に触媒、不飽和有機化合物、及び所望により溶剤が充填されることが好ましい。気体状シアン化水素は、反応混合物の表面に浮くか、又は反応混合物に通されることが好ましい。装置に充填する別の手順は、装置に触媒、シアン化水素、及び所望により、溶剤を充填し、そして反応混合物に徐々に不飽和化合物を計量導入することである。この代わりに、反応物を反応器に導入し、そして反応混合物が反応温度とされ、この温度で、シアン化水素が液体状態で混合物に加えられることも可能である。更に、反応温度に加熱する前にシアン化水素を加えても良い。反応は、温度、雰囲気、反応温度等に関して通常のヒドロシアン化条件で行なわれる。

ヒドロシアン化を、１段階以上の撹拌処理工程で連続して行なうことが好ましい。複数の工程が使用される場合、直列状に連結された工程が好ましい。この場合、生成物は、所定の工程から次の工程へと直接的に移される。シアン化水素は、最初の工程に直接的に、又は個々の工程間に供給されて良い。

本発明の方法が半バッチ方式で行なわれる場合、最初に触媒化合物を充填し、そして１，３−ブタジエンを反応器に充填し、この間にシアン化水素が反応時間にわたって、反応混合物に計量導入されることが好ましい。

反応は、好ましくは、０．１〜５００ＭＰａの絶対圧、より好ましくは、０．５〜５０ＭＰａの絶対圧、特に１〜５ＭＰａの絶対圧で行なわれる。反応は、好ましくは、２７３Ｋ〜４７３Ｋの温度、より好ましくは、３１３Ｋ〜４２３Ｋの温度、特に３３３Ｋ〜３９３Ｋの温度で行なわれる。液体反応相での有利な平均滞留時間は、０．００１〜１００時間の範囲、好ましくは０．０５〜２０時間の範囲、より好ましくは０．１〜５時間の範囲に見出され、この時間は、各場合において反応器ごとものものである。

一実施の形態において、反応は、気相の存在下に、及び所望により固体懸濁相の存在下に、液体相中で行なわれて良い。出発材料、シアン化水素、及び１，３−ブタジエンは、それぞれ、液体又は気体状態で計量導入されて良い。

他の実施の形態では、反応は、液相中で行なわれ、この場合、反応器内の圧力は、１，３−ブタジエン、シアン化水素、及び少なくとも１種の触媒等の全供給原料が、液体状態で計量導入されるものであり、そして、反応混合物内の液相中に存在するものである。固体の懸濁相は、反応混合物中に存在して良く、及び少なくとも１種の触媒と共に計量導入しても良いが、触媒は、例えば特にニッケル（ＩＩ）を含む触媒組成物の分解生成物から成るものである。

処理工程（ｅ^*）において、３−ペンテンニトリル、２−メチル−３−ブテンニトリル、少なくとも１種の触媒及び未転化１，３−ブタジエンを含む流れ８を得る。

［処理工程（ｆ^*）］
次いで、３−ペンテンニトリル、２−メチル−３−ブテンニトリル、少なくとも１種の触媒及び未転化１，３−ブタジエンを含む流れ８を処理工程（ｆ^*）において蒸留装置に移す。この蒸留装置では、流れ８を１回以上蒸留して、１，３−ブタジエンを含む流れ９と、少なくとも１種のヒドロシアン化触媒を含む流れ１０と、３−ペンテンニトリル及び２−メチル−３−ブテンニトリルを含む流れ１１と、を得る。

処理工程（ｆ^*）の蒸留は、ＤＥ−Ａ１０２００４００４７２０に記載されている処理工程（ｂ^*）及び（ｃ^*）のように、二段階で行っても良い。処理工程（ｆ^*）の蒸留は、ＤＥ−Ａ１０２００４００４７２９に記載されている処理工程（ｂ^*）及び（ｃ^*）のように行うことも可能である。

処理工程（ｆ^*）の蒸留は、当業者にとって公知である好適な装置でも行なうことができる。蒸留のために好適な装置は、例えば、Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ，Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｔｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，第４版．，第８巻，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ，１９９６，３３４−３４８頁に記載されているように、網目プレートカラム、バブルキャップトレイカラム（泡鐘トレイ塔）、構造化充填物又は不規則充填物を有するカラム等の装置であり、隔壁塔として稼働させることも可能である。これらの蒸留装置には、それぞれ、蒸発のための好適な装置、例えば流下薄膜型蒸発器、薄厚フィルム蒸発器、多相らせんチューブ蒸発器、自然循環蒸発器、又は強制循環フラッシュ蒸発器と、更に蒸気流の凝縮のための装置とが設けられている。個々の蒸留は、２又は３基等の複数の装置で行なって良く、好ましくは単一の装置で行なって良い。

供給物流の部分蒸発を行う場合、蒸留は、一段階で更に行われても良い。

処理工程（ｆ^*）の圧力は、好ましくは０．００１〜１００バール、より好ましくは０．０１〜１バール、特に０．０２〜０．５バールである。蒸留は、蒸留装置の塔底内の温度が、好ましくは３０〜２００℃、より好ましくは５０〜１５０℃、特に６０〜１２０℃の範囲となるように行なわれる。蒸留は、蒸留装置の塔頂における凝縮温度が、好ましくは−５０〜１５０℃、より好ましくは−１５〜６０℃、特に５〜４５℃の範囲となるように行なわれる。本発明に従う方法の特に好ましい実施の形態では、上述した温度範囲が、蒸留装置の塔頂及び塔底の両方で維持される。

次いで、流れ１１を他の処理工程（ｇ^*）において蒸留に付す。蒸留は、当該分野で公知の好適な装置で行っても良い。蒸留に好適な装置は、例えば、Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ，Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｔｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，第４版．， 第８巻，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ，１９９６，３３４−３４８頁に記載されているように、網目プレートカラム、バブルキャップトレイカラム（泡鐘トレイ塔）、構造化充填物又は不規則充填物を有するカラム等の装置であり、隔壁塔として稼働させることも可能である。これらの蒸留装置には、それぞれ、蒸発のための好適な装置、例えば流下薄膜型蒸発器、薄厚フィルム蒸発器、多相らせんチューブ蒸発器、自然循環蒸発器、又は強制循環フラッシュ蒸発器と、更に蒸気流の凝縮のための装置とが設けられている。蒸留は、２又は３基等の複数の装置で行なって良く、単一の装置で行うのが有利である。給流の部分蒸発を行う場合、蒸留は、一段階で更に行われても良い。

処理工程（ｇ^*）の圧力は、好ましくは０．００１〜１００バール、より好ましくは０．０１〜２０バール、特に０．０５〜２バールである。蒸留は、蒸留装置の塔底内の温度が、好ましくは３０〜２５０℃、より好ましくは５０〜２００℃、特に６０〜１８０℃の範囲となるように行なわれる。蒸留は、蒸留装置の塔頂における凝縮温度が、好ましくは−５０〜２５０℃、より好ましくは０〜１８０℃、特に１５〜１６０℃の範囲となるように行なわれる。本発明に従う方法の特に好ましい実施の形態では、上述した温度範囲が、蒸留装置の塔頂及び塔底の両方で維持される。

処理工程（ｇ^*）において、流れ１２を、３−ペンテンニトリルを含む底部生成物として得て、流れ１３を、２−メチル−３−ブテンニトリルを含む頂部生成物として得る。流れ１３は、３−ペンテンニトリルを調製する本発明の方法において反応物質流として使用されるのが好ましい。

本発明の他の実施の形態において、本発明の処理工程（ａ^*）で用いられる反応物質流は、処理工程（ｆ^*）の流れ１１に対応することから、処理工程（ｇ^*）における流れ１１の分離は省略される。

［処理工程（ａ^*）］
処理工程（ａ^*）において、２−メチル−３−ブテンニトリルを含む反応物質流を、少なくとも１種の異性化触媒上で異性化する。これにより、異性化触媒、未転化２−メチル−３−ブテンニトリル、３−ペンテンニトリル及び（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを含む流れ１を得る。

本発明によれば、異性化は、以下の成分：
・ニッケル（０）、
・三価のリンを含み、配位子としてニッケル（０）をキレート化する化合物、
を含む組成物（系）の存在下で行われる。

ニッケル（０）含有触媒組成物は、それ自体公知の方法によって製造することができる。

異性化触媒の配位子は、処理工程（ｅ^*）で使用されるヒドロシアン化触媒に使用されるのと同じリン配位子であっても良い。従って、ヒドロシアン化触媒は、異性化触媒と同一であっても良い。処理工程（ａ^*）及び（ｅ^*）における触媒は、実質的にルイス酸非含有である、すなわち、ルイス酸を如何なるときも触媒に添加せず、そして触媒は、ルイス酸を含んでいないのが好ましい。

本発明の場合、ルイス酸は無機又は有機金属化合物であり、かかる化合物において、カチオンが、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、銅、亜鉛、ホウ素、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、カドミウム、レニウム及びスズから成る群より選択される。かかる化合物の例示は、例えば米国特許第６１２７５６７号、同第６１７１９９６号、同第６３８０４２１号、同第３４９６２１７号、同第３４９６２１８号、同第４７７４３５３号、同第３７７３８０９号、同第３４９６２１７号及び同第４８７４８８４号に記載されているに、ＺｎＢｒ₂、ＺｎＩ₂、ＺｎＣｌ₂、ＺｎＳＯ₄、ＣｕＣｌ₂、ＣｕＣｌ、Ｃｕ（Ｏ₃ＳＣＦ₃）₂、ＣｏＣｌ₂、ＣｏＣｌ₂、ＦｅＩ₂、ＦｅＣｌ₃、ＦｅＣｌ₂、ＦｅＣｌ₂（ＴＨＦ）₂、ＴｉＣｌ₄（ＴＨＦ）₂、ＴｉＣｌ₄、ＴｉＣｌ₃、ＣｌＴｉ（Ｏ−イソプロピル）₃、ＭｎＣｌ₂、ＳｃＣｌ₃、ＡｌＣｌ₃、（Ｃ₈Ｈ₁₇）ＡｌＣｌ₂、（Ｃ₈Ｈ₁₇）₂ＡｌＣｌ、（ｉ−Ｃ₄Ｈ₉）₂ＡｌＣｌ、（Ｃ₆Ｈ₅）₂ＡｌＣｌ、（Ｃ₆Ｈ₅）ＡｌＣｌ₂、ＲｅＣｌ₅、ＺｒＣｌ₄、ＮｂＣｌ₅、ＶＣｌ₃、ＣｒＣｌ₂、ＭｏＣｌ₅、ＹＣｌ₃、ＣｄＣｌ₂、ＬａＣｌ₃、Ｅｒ（Ｏ₃ＳＣＦ₃）₃、Ｙｂ（Ｏ₂ＣＣＦ₃）₃、ＳｍＣｌ₃、Ｂ（Ｃ₆Ｈ₅）₃、ＴａＣｌ₅、ＲＡｌＣｌ₂、Ｒ₂ＡｌＣｌ、ＲＳｎＯ₃ＳＣＦ₃およびＲ₃Ｂ（但し、Ｒは、アルキル又はアリール基である）、Ｂ（Ｃ₆Ｈ₅）₃およびＢ（Ｃ₆Ｈ₅）₃ＳｎＸ（この場合、Ｘ＝ＣＦ₃ＳＯ₃、ＣＨ₃Ｃ₆Ｈ₄ＳＯ₃または（Ｃ₆Ｈ₅）₃ＢＣＮである。）が挙げられる。

異性化は、液体の希釈剤、
−例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロへキサン、ベンゼン、デカヒドロナフタレン等の炭化水素、
−例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、グリコールジメチルエーテル、アニソール等のエーテル、
−例えば、酢酸エチル、安息香酸メチル等のエステル、又は
−例えば、アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル、又は
−上記の希釈剤の混合物
の存在下で行うことができる。

特に好ましい実施の形態において、有用な異性化は、上記の液体の希釈剤の不存在下である。

さらに、処理工程（ａ^*）の異性化が非酸化雰囲気下、例えば、窒素または希ガス（例えばアルゴン）から成る保護気体雰囲気下で行われる場合に有利であることが判明した。

処理工程（ａ^*）は、当業者に公知の好適な装置で行うことができる。この反応に有用な装置は、例えば、Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ，Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、第４版、第２０巻、Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、１９９６、１０４０〜１０５５頁に記載されているように、攪拌タンク反応器、ループ反応器、ガス循環反応器、バブルカラム反応器（気泡塔反応器）又はチューブ反応器（管型反応器）等の一般的な装置である。反応は、複数の装置、例えば２基又は３基の装置において行うことができる。

本発明の方法における好ましい実施の形態において、異性化は、区画化管型反応器において行われる。

本発明の方法における他の好ましい実施の形態において、異性化は、直列に連結させた少なくとも２基の反応器において行われ、その場合、第１の反応器は、実質的に撹拌タンク特性を有しており、第２の反応器は、実質的に管型特性を有するように設計される。

本発明の方法における特に好ましい実施の形態において、異性化は、２〜２０基の撹拌槽、特に３〜１０基の撹拌槽に対応する撹拌槽群の特性を有する反応器中で行われる。

本発明の方法における一実施の形態において、反応は、１基の蒸留装置において行われも良く、その場合、異性化反応は、蒸留装置の少なくとも底部領域で起こる。当業者等に公知の蒸留装置が適当であり、例えば、Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ，Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｔｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，第４版．，第８巻，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ，１９９６，３３４−３４８頁に記載されているように、網目プレートカラム、バブルキャップトレイカラム（泡鐘トレイ塔）、構造化充填物又は不規則充填物を有するカラム等の装置であり、隔壁塔として稼働させることも可能である。これらの蒸留装置には、それぞれ、蒸発のための好適な装置、例えば流下薄膜型蒸発器、薄厚フィルム蒸発器、多相らせんチューブ蒸発器、自然循環蒸発器、又は強制循環フラッシュ蒸発器と、そして更に蒸気流の凝縮のための装置が設けられている。併発反応を伴う蒸留は、２又は３基等の複数の装置で行なって良く、好ましくは単一の装置で行なって良い。供給物流の部分蒸発を行う場合、蒸留は、一段階で更に行われても良い。

本発明の方法における処理工程（ａ^*）は、０．１ｍｂａｒ（ミリバール）〜１００ｂａｒ（バール）の絶対圧下で行われるのが好ましく、さらに好ましくは１ｍｂａｒ〜１６ｂａｒであり、特に１０ｍｂａｒ〜６ｂａｒの絶対圧である。処理工程（ａ^*）の温度は、好ましくは２５〜２５０℃、さらに好ましくは３０〜１８０℃、特に４０〜１４０℃である。

直鎖のペンテンニトリルに対する２−メチル−３−ブテンニトリルのモル比及びこれにより得られる、使用された２−メチル−３−ブテンニトリルの転化率に関して、取り出された流れの組成は、供給物流の組成に応じて、温度、触媒濃度、滞留時間及び反応器の形態に基づき技術的に簡易な手法で調節することができる。本発明の方法における好ましい実施の形態において、転化率は、３回の測定により、１０〜９９％の範囲、更に好ましくは３０〜９５％の範囲、特に６０〜９０％の範囲の値に調節される。

［処理工程（ｂ^*）］
処理工程（ｂ^*）において、処理工程（ａ^*）で得られた流れ１を蒸留する。これにより、２−メチル−３−ブテンニトリル、３−ペンテンニトリル及び（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを含む流れ２を頂部生成物として得る。更に、処理工程（ｂ^*）において、少なくとも１種の異性化触媒を含む流れ３を底部生成物として得る。

本発明の方法における処理工程（ｂ^*）は、当業者にとって公知の好適な装置でも行なうことができる。蒸留のために好適な装置は、例えば、Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ，Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｔｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，第４版．，第８巻，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ，１９９６，３３４−３４８頁に記載されているように、網目プレートカラム、バブルキャップトレイカラム（泡鐘トレイ塔）、構造化充填物又は不規則充填物を有するカラム等の装置であり、隔壁塔として稼働させることも可能である。これらの蒸留装置には、それぞれ、蒸発のための好適な装置、例えば流下薄膜型蒸発器、薄厚フィルム蒸発器、多相らせんチューブ蒸発器、自然循環蒸発器、又は強制循環フラッシュ蒸発器と、そして更に蒸気流の凝縮のための装置が設けられている。蒸留は、２又は３基等の複数の装置で行なって良く、有利には単一の装置で行われる。供給物流の部分蒸発を行う場合、蒸留は、一段階で更に行われても良い。

本発明の方法における処理工程（ｂ^*）の圧力は、好ましくは０．１ミリバール〜１００バール、より好ましくは１ミリバール〜６バール、特に１０ミリバール〜５００ミリバールの絶対圧である。蒸留は、蒸留装置の塔底内の温度が、好ましくは２５〜２５０℃、より好ましくは４０〜１８０℃、特に６０〜１４０℃の範囲となるように行なわれる。蒸留は、蒸留装置の塔頂における温度が、好ましくは−１５〜２００℃、より好ましくは５〜１５０℃、特に１０〜１００℃の範囲となるように行なわれる。本発明に従う方法の特に好ましい実施の形態では、上述した温度範囲が、蒸留装置の塔頂及び塔底の両方で維持される。

本発明の特に好ましい実施の形態において、処理工程（ｂ^*）で行われる流れ１の蒸留は、混合物中に存在する異性化触媒が処理工程（ａ^*）のときより低い活性となるか、又は不活性となるような圧力及び温度の条件下で行われる。

本発明の好ましい実施の形態において、処理工程（ｂ^*）で得られ、少なくとも１種の異性化触媒を含む流れ３を少なくとも部分的に処理工程（ａ^*）に再循環させる。

本発明の方法における他の実施の形態において、処理工程（ａ^*）及び（ｂ^*）を同一の装置で行う。少なくとも１種の異性化触媒を含む流れ３を処理工程（ｂ^*）から取り出さず、処理工程（ａ^*）及び（ｂ^*）の共通の装置に残すことも可能である。

［処理工程（ｃ^*）］
処理工程（ｃ^*）において、流れ２を蒸留する。これにより、流れ２に含まれる全てのペンテンニトリルの合計に対して（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを流れ２より豊富に含む流れ４を頂部生成物として得る。更に、流れ２に含まれる全てのペンテンニトリルの合計に対して（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを流れ２より少なく含む流れ５を底部生成物として得る。

処理工程（ｃ^*）は、当業者にとって公知の好適な装置でも行なうことができる。蒸留のために好適な装置は、例えば、Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ，Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｔｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，第４版．，第８巻，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ，１９９６，３３４−３４８頁に記載されているように、網目プレートカラム、バブルキャップトレイカラム（泡鐘トレイ塔）、構造化充填物又は不規則充填物を有するカラム等の装置であり、隔壁塔として稼働させることも可能である。これらの蒸留装置には、それぞれ、蒸発のための好適な装置、例えば流下薄膜型蒸発器、薄厚フィルム蒸発器、多相らせんチューブ蒸発器、自然循環蒸発器、又は強制循環フラッシュ蒸発器と、そして更に蒸気流の凝縮のための装置が設けられている。蒸留は、２又は３基等の複数の装置で行なって良く、有利には単一の装置で行われる。供給物流の部分蒸発を行う場合、蒸留は、一段階で更に行われても良い。

本発明の方法における処理工程（ｃ^*）の圧力は、好ましくは０．１ミリバール〜１００バール、より好ましくは１ミリバール〜６バール、特に１０ミリバール〜５００ミリバールの絶対圧である。蒸留は、蒸留装置の塔底内の温度が、好ましくは２５〜２５０℃、より好ましくは４０〜１８０℃、特に６０〜１４０℃の範囲となるように行なわれる。蒸留は、蒸留装置の塔頂における温度が、好ましくは−１５〜２００℃、より好ましくは５〜１５０℃、特に１０〜１００℃の範囲となるように行なわれる。本発明に従う方法の特に好ましい実施の形態では、上述した温度範囲が、蒸留装置の塔頂及び塔底の両方で維持される。

本発明の方法における特に好ましい実施の形態において、処理工程（ｂ^*）及び（ｃ^*）を１基の蒸留装置で同時に行い、その場合、少なくとも１種の異性化触媒を含む流れ３を底部生成物として得て、（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを含む流れ４を頂部生成物として得て、そして３−ペンテンニトリル及び２−メチル−３−ブテンニトリルを含む流れ５を塔の側部取り出し部から得る。

本発明の方法における他の好ましい実施の形態において、処理工程（ａ^*）、（ｂ^*）及び（ｃ^*）を１基の蒸留装置で同時に行う。その場合、（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを含む流れ４を頂部生成物として得る。３−ペンテンニトリル及び２−メチル−３−ブテンニトリルを含む流れ５を蒸留塔の側部取り出し部から得る。この実施の形態において、異性化触媒は、蒸留塔の底部に残留しているのが好ましい。

［処理工程（ｄ^*）］
３−ペンテンニトリル及び２−メチル−３−ブテンニトリルを含み、処理工程（ｃ^*）で得られる流れ５を、その後、他の蒸留装置に移す。かかる蒸留装置において、流れ５を、底部生成物として取り出される３−ペンテンニトリル流と、頂部生成物として取り出される２−メチル−３−ブテンニトリル流と、に分離する。

処理工程（ｄ^*）は、当業者にとって公知の好適な装置でも行なうことができる。蒸留のために好適な装置は、例えば、Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ，Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｔｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，第４版．，第８巻，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ，１９９６，３３４−３４８頁に記載されているように、網目プレートカラム、バブルキャップトレイカラム（泡鐘トレイ塔）、構造化充填物又は不規則充填物を有するカラム等の装置であり、隔壁塔として稼働させることも可能である。これらの蒸留装置には、それぞれ、蒸発のための好適な装置、例えば流下薄膜型蒸発器、薄厚フィルム蒸発器、多相らせんチューブ蒸発器、自然循環蒸発器、又は強制循環フラッシュ蒸発器と、更に蒸気流の凝縮のための装置が設けられている。蒸留は、２又は３基等の複数の装置で行なって良く、有利には単一の装置で行われる。供給物流の部分蒸発を行う場合、蒸留は、一段階で更に行われても良い。

処理工程（ｄ^*）の絶対力は、好ましくは０．００１〜１００バール、より好ましくは０．０１〜２０バール、特に０．０５〜２バールである。蒸留は、蒸留装置の塔底内の温度が、好ましくは３０〜２５０℃、より好ましくは５０〜２００℃、特に６０〜１８０℃の範囲となるように行なわれる。蒸留は、蒸留装置の塔頂における凝縮温度が、好ましくは−５０〜２５０℃、より好ましくは０〜１８０℃、特に１５〜１６０℃の範囲となるように行なわれる。

本発明の方法における特に好ましい実施の形態において、上述した温度範囲が、蒸留装置の塔頂及び塔底の両方で維持される。

本発明の方法における特に好ましい実施の形態において、処理工程（ｄ^*）及び（ｇ^*）を同じ蒸留装置で行う。その場合、流れ６及び１２並びに流れ７及び１３が同時に生じる。更に、かかる好ましい実施の形態において、流れ５を、処理工程（ｄ^*）及び（ｇ^*）の共通の装置に直接誘導する。この場合、流れ５及び１１の導入位置は、蒸留装置としての蒸留塔の場合、同一であっても又は異なっていても良い。

本発明の方法における他の実施の形態において、処理工程（ｃ^*）及び（ｇ^*）を共通の蒸留塔で行う。その場合、処理工程（ｄ^*）が省略され、処理工程（ｂ^*）から得た流れ２及び処理工程（ｆ^*）から得た流れ１１を処理工程（ｇ^*）に導き、そして処理工程（ｇ^*）において、流れ４を、（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを含む頂部生成物として得て、流れ１２を、３−ペンテンニトリルを含む底部生成物として得て、流れ１３を、２−メチル−３−ブテンニトリルを含む側部取り出し流として得る。

本発明に従う方法の第３実施の形態において、流れ２を処理工程（ｇ^*）に直接再循環させ、反応物質流を処理工程（ｃ^*）に直接導き、その場合、処理工程（ｃ^*）から得られた流れ５ａを処理工程（ａ^*）の異性化に再循環させることが可能である。

或いは、流れ２を処理工程（ｇ^*）に直接再循環させ、そして反応物質流を処理工程（ｃ^*）に導き、その場合、処理工程（ｃ^*）から得られた流れ５を処理工程（ｆ^*）に再循環させることも可能である。

或いは、流れ２を処理工程（ｇ^*）に直接再循環させ、そして反応物質流を処理工程（ｃ^*）に導き、そして処理工程（ｃ^*）から得られた流れ５を処理工程（ｅ^*）に再循環させることも可能である。

［処理工程（ｈ^*）］
処理工程（ｈ^*）は、少なくとも１種のニッケル（０）中心原子と少なくとも１種のリン配位子とを含むニッケル（０）−リン配位子錯体の製造方法を含む。

以下、還元触媒の合成／再生及びレドックス触媒の合成／再生なる用語は、同義である。

［処理工程（ｈ₁ ^*）］
処理工程（ｈ^*）の好ましい実施の形態において、処理工程（ｈ₁ ^*）として、本発明では、共沸蒸留（予め水性であるが、勿論、共沸蒸留後に乾燥する）によって乾燥された水性のハロゲン化ニッケル（ＩＩ）を、少なくとも１種のリン配位子の存在下に還元する。

［共沸蒸留］
共沸蒸留では、水性のハロゲン化ニッケル（ＩＩ）（水を含むハロゲン化ニッケル（ＩＩ））を使用する。水性ハロゲン化ニッケル（ＩＩ）は、塩化ニッケル、臭化ニッケル及びヨウ化ニッケル（これらは、少なくとも２質量％の水を含んでいる。）からなる群から選択されるハロゲン化ニッケルである。その例は、塩化ニッケル二水和物、塩化ニッケル六水和物、塩化ニッケルの水溶液、臭化ニッケル三水和物、臭化ニッケルの水溶液、ヨウ化ニッケル水和物又はヨウ化ニッケルの水溶液である。塩化ニッケルの場合、塩化ニッケル六水和物又は塩化ニッケルの水溶液を使用するのが好ましい。臭化ニッケル及びヨウ化ニッケルの場合、水溶液を使用するのが好ましい。塩化ニッケルの水溶液を使用するのが特に好ましい。

水溶液の場合、水におけるハロゲン化ニッケル（ＩＩ）の濃度は、それ自体重要ではない。ハロゲン化ニッケル（ＩＩ）及び水の合計質量に対するハロゲン化ニッケル（ＩＩ）の有利な割合は、少なくとも０．０１質量％、好ましくは少なくとも０．１質量％、更に好ましくは少なくとも０．２５質量％、特に好ましくは少なくとも０．５質量％であると見出された。ハロゲン化ニッケル（ＩＩ）及び水の合計質量に対するハロゲン化ニッケル（ＩＩ）の有利な割合は、８０質量％以下の範囲、好ましくは６０質量％以下の範囲、更に好ましくは４０質量％以下の範囲であると見出された。実用上の理由から、ハロゲン化ニッケル及び水の混合物におけるハロゲン化ニッケルの割合を過剰としないことにより、所定の温度及び圧力の条件下で溶液となるようにするのが有利である。従って、塩化ニッケルの水溶液の場合には、実用上の理由から、室温条件下で、塩化ニッケル及び水の合計質量に対するハロゲン化ニッケルの割合を３１質量％以下に選択するのが有利である。より高温では、対応してより高濃度が選択されても良く、これにより塩化ニッケルの水に対する溶解性がもたらされる。

水性ハロゲン化ニッケル（ＩＩ）を乾燥した後に、共沸蒸留により還元する。本発明の好ましい実施の形態において、共沸蒸留は、対応の水性ハロゲン化ニッケル（ＩＩ）から水を除去する処理であり、この処理において、希釈剤と混合する。希釈剤（希釈液）の沸点は、その希釈剤が水と共沸混合物を形成しない場合、以下に述べる蒸留の圧力条件下で水の沸点より高く、そして希釈剤は、水の沸点において液体の状態で存在するか、又は以下に述べる蒸留の圧力及び温度の条件下で水と共沸混合物若しくは異相共沸混合物を形成し、そして、水性のハロゲン化ニッケル（ＩＩ）と上記の希釈剤を含む混合物を蒸留して、水又は上述の共沸混合物又は上述の異相共沸混合物を上記の混合物から除去して、ハロゲン化ニッケル（ＩＩ）及び上記の希釈剤を含む水性混合物を得る。

水性のハロゲン化ニッケル（ＩＩ）に加え、出発混合物は、他の成分、例えばイオン性又は非イオン性の、有機又は無機化合物、特に、出発混合物と均一に又は単相を形成するように混和するか、又は出発混合物に溶解する化合物を更に含んでいても良い。

本発明によれば、水性のハロゲン化ニッケル（ＩＩ）を、蒸留の圧力条件下での沸点が水の沸点より高く且つかかる水の沸点で液体である希釈剤と混合する。

その後の蒸留のための圧力条件は、それ自体重要ではない。有利な圧力は、少なくとも１０^-4ＭＰａ、好ましくは少なくとも１０^-3ＭＰａ、特に少なくとも５×１０^-3ＭＰａであると見出された。有利な圧力は、１ＭＰａ以下、好ましくは５×１０^-1ＭＰａ以下、特に１．５×１０^-1ＭＰａ以下と見出された。

圧力条件及び蒸留すべき混合物の組成に応じて、その後に温度を確立する。この温度条件下で、希釈剤は液体の状態であるのが好ましい。本発明の場合、希釈剤なる用語は、個々の希釈剤、又は希釈剤の混合物であり、その場合、本発明で述べる物理的特性は、かかる混合物に関するものである。

更に、希釈剤は、このような圧力及び温度の条件下で、希釈剤が水と共沸混合物を形成しない場合に、水の沸点より高く、好ましくは少なくとも５℃高く、特に少なくとも２０℃高く、そして好ましくは２００℃以下、特に１００℃以下の沸点を有していることが望ましい。

好ましい実施の形態において、水と共沸混合物又は異相共沸混合物を形成する希釈剤を使用しても良い。混合物における水の量と比較して、希釈剤の量はそれ自体重要ではない。有利には、共沸蒸留により蒸留除去される量に対応するより多くの液体希釈剤を使用し、これにより過剰の希釈剤が底部生成物として残留する。

水と共沸混合物を形成しない希釈剤を使用する場合、混合物における水の量と比較して、希釈剤の量はそれ自体重要ではない。

使用される希釈剤は、特に、有機ニトリル、芳香族炭化水素、脂肪族炭化水素及び上述の溶剤からなる群から選択される。有機ニトリルに関して、アセトニトリル、プロピオニトリル、ｎ−ブチルニトリル、ｎ−バレロニトリル、シアノシクロプロパン、アクリロニトリル、クロトニトリル、アリルシアニド、ｃｉｓ−２−ペンテンニトリル、ｔｒａｎｓ−２−ペンテンニトリル、ｃｉｓ−３−ペンテンニトリル、ｔｒａｎｓ−３−ペンテンニトリル、４−ペンテンニトリル、２−メチル−３−ブテンニトリル、Ｚ−２−メチル−２−ブテンニトリル、Ｅ−２−メチル−２−ブテンニトリル、エチルスクシノニトリル、アジポニトリル、メチルグルタロニトリル又はこれらの混合物を使用するのが好ましい。芳香族炭化水素に関して、ベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン又はこれらの混合物を使用するのが好ましい。脂肪族炭化水素は、直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素から選択されるのが好ましく、更に好ましくは脂環式化合物から選択され、例えばシクロヘキサン又はメチルシクロヘキサンであり、又はこれらの混合物であるのが好ましい。ｃｉｓ−３−ペンテンニトリル、ｔｒａｎｓ−３−ペンテンニトリル、アジポニトリル、メチルグルタロニトリル又はこれらの混合物を溶剤として使用するのが特に望ましい。

使用される希釈剤が有機ニトリル又は少なくとも１種の有機ニトリルを含む混合物である場合、最終混合物におけるハロゲン化ニッケル（ＩＩ）及び希釈剤の合計質量に対するハロゲン化ニッケル（ＩＩ）の割合が少なくとも０．０５質量％、好ましくは少なくとも０．５質量％、更に好ましくは少なくとも１質量％となるように希釈剤の量を選択することが有利であると見出された。

使用される希釈剤が有機ニトリル又は少なくとも１種の有機ニトリルを含む混合物である場合、最終混合物におけるハロゲン化ニッケル（ＩＩ）及び希釈剤の合計質量に対するハロゲン化ニッケル（ＩＩ）の割合が５０質量％以下、好ましくは３０質量％以下、更に好ましくは２０質量％以下となるように希釈剤の量を選択することが有利であると見出された。

本発明によれば、水性のハロゲン化ニッケル（ＩＩ）及び希釈剤を含む混合物を蒸留して、この混合物から水を除去し、ハロゲン化ニッケル（ＩＩ）及び上記の希釈剤を含む無水混合物を得る。好ましい実施の形態において、混合物を最初に調製し、次いで蒸留する。他の好ましい実施の形態において、水性のハロゲン化ニッケル、更に好ましくはハロゲン化ニッケルの水溶液を蒸留中に煮沸希釈剤（boiling diluent）に徐々に添加する。これにより、処理技術の観点から取り扱いが困難な脂肪性の固体の形成を実質的に防止することができる。

ペンテンニトリルを希釈剤として使用する場合、蒸留は、１ＭＰａ以下、好ましくは０．５ＭＰａ以下の条件下で有利に行うことができる。

ペンテンニトリルを希釈剤として使用する場合、蒸留は、少なくとも１ｋＰａ、好ましくは少なくとも５ｋＰａ、更に好ましくは少なくとも１０ｋＰａの条件で行われるのが好ましい。

蒸留は、単一段階蒸発により、好ましくは１基以上、例えば２又は３基の蒸留装置における分留によって有利に行うことができる。蒸留に有用な装置は、このために一般的な装置であり、例えば、Kirk-Othmer, Encyclopedia of Chemical Technology, 第３版, 第７巻, John Wiely & Sons, New York, 1979, 870-881頁に記載されているように、網目プレートカラム、バブルキャップトレイカラム（泡鐘トレイ塔）、構造化充填物又は不規則充填物を有するカラム、側部取り出し部を有するカラム又は隔壁塔である。

蒸留は、バッチ式又は連続的に行われても良い。

［還元］
少なくとも１種のニッケル（０）中心原子と少なくとも１種のリン配位子とを含むニッケル（０）−リン配位子錯体を還元によって製造する方法は、溶剤の存在下で行われるのが好ましい。溶剤は、特に、有機ニトリル、芳香族炭化水素、脂肪族炭化水素及び上述の溶剤からなる群から選択される。有機ニトリルに関して、アセトニトリル、プロピオニトリル、ｎ−ブチルニトリル、ｎ−バレロニトリル、シアノシクロプロパン、アクリロニトリル、クロトニトリル、アリルシアニド、ｃｉｓ−２−ペンテンニトリル、ｔｒａｎｓ−２−ペンテンニトリル、ｃｉｓ−３−ペンテンニトリル、ｔｒａｎｓ−３−ペンテンニトリル、４−ペンテンニトリル、２−メチル−３−ブテンニトリル、Ｚ−２−メチル−２−ブテンニトリル、Ｅ−２−メチル−２−ブテンニトリル、エチルスクシノニトリル、アジポニトリル、メチルグルタロニトリル又はこれらの混合物を使用するのが好ましい。芳香族炭化水素に関して、ベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン又はこれらの混合物を使用するのが好ましい。脂肪族炭化水素は、直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素から選択されるのが好ましく、更に好ましくは脂環式化合物から選択され、例えばシクロヘキサン又はメチルシクロヘキサンであり、又はこれらの混合物であるのが好ましい。ｃｉｓ−３−ペンテンニトリル、ｔｒａｎｓ−３−ペンテンニトリル、アジポニトリル、メチルグルタロニトリル又はこれらの混合物を溶剤として使用するのが特に望ましい。

不活性溶剤を使用するのが望ましい。

溶剤の濃度は、最終反応混合物に対して、１０〜９０質量％の範囲が好ましく、更に好ましくは２０〜７０質量％の範囲であり、特に３０〜６０質量％の範囲である。

本発明の特定の実施の形態において、溶剤は、ハロゲン化ニッケル（ＩＩ）及び希釈剤を含む無水混合物を製造する上述の本発明の方法で使用される希釈剤と同一である。

本発明の方法において、溶剤中の配位子の濃度は、１〜９０質量％の範囲であるのが好ましく、更に好ましくは５から８０質量％の範囲であり、特に５０〜８０質量％の範囲である。

本発明の方法で使用される還元剤は、ニッケル、アルキル金属、電流、錯体水素化物（ヒドリド錯体）及び水素よりプラスに帯電した金属から選択されるのが好ましい。

本発明の方法で使用される還元剤がニッケルよりプラスに帯電した金属である場合、かかる金属は、ナトリウム、リチウム、カリウム、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、チタン、バナジウム、鉄、コバルト、銅、亜鉛、カドミウム、アルミニウム、ガリウム、インジウム、スズ、鉛及びトリウムからなる群から選択されるのが好ましい。本発明の場合、鉄及び亜鉛が好ましい。使用される還元剤がアルミニウムである場合、触媒量の水銀（ＩＩ）塩又はアルキル金属との反応により予備活性化されるのが有利である。予備活性化の場合、トリエチルアルミニウムを好ましくは０．０５〜５０モル％の量、更に好ましくは０．５から１０モル％の量で使用することが望ましい。還元金属は、微細に分散されている（微粒子状である）ことが望ましく、「微細に分散」なる用語は、金属が１０メッシュ未満、更に好ましくは２０メッシュ未満の粒径で用いられることを意味する。

本発明の方法で使用される還元剤がアルキル金属を含む場合、かかる金属は、アルキルリチウム、アルキルナトリウム、アルキルマグネシウム、特にグリニャール試薬、アルキル亜鉛又はアルキルアルミニウムであるのが好ましい。アルキルアルミニウム、例えばトリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム又はこれらの混合物が好ましく、特にトリエチルアルミニウムである。アルキル金属を実質的に、ヘキサン、ヘプタン若しくはトルエン等の不活性有機溶剤に溶解させて使用しても良い。

本発明の方法で使用される還元剤が錯体水素化物を含む場合、水素化金属アルミニウム、例えば水素化リチウムアルミニウム、又は金属ボロヒドリド、例えばナトリウムボロヒドリドを用いるのが好ましい。

ニッケル（ＩＩ）源と還元剤との間におけるレドックス当量（redox equivalent）のモル比は、好ましくは１：１〜１：１００の範囲であり、更に好ましくは１：１〜１：５０の範囲であり、特に１：１〜１：５の範囲である。

本発明の方法において、使用される配位子は、例えば工程ｅ^*）のヒドロシアン化反応又は例えば工程ａ^*）の異性化反応における触媒溶液として既に用いられ、且つニッケル（０）が低減した配位子溶液（リガンド溶液）中に存在していても良い。かかる流れは、それぞれ流れ３と流れ１０であり、工程ｈ^*）及び適宜以下の段階の工程ｉ^*）、ｊ^*）及びｋ^*）が行われるときにはこれらの段階において、選択される副流１４（副流３より得る）と副流１６（副流１０より得る）が部分的に又は個々に導入される。残りの副流１５（流れ３より得る）と１７（流れ１０より得る）は、ｈ^*）、ｉ^*）、ｊ^*）及びｋ^*）を通じて導かれず、むしろこれらを工程ａ^*）又はｅ^*）に直接再循環させる。このような「返還触媒溶液」は、以下の組成：
２〜６０質量％、特に１０〜４０質量％のペンテンニトリル、
０〜６０質量％、特に０〜４０質量％のアジポニトリル、
０〜１０質量％、特に０〜５質量％の他のニトリル、
１０〜９０質量％、特に５０〜９０質量％のリン配位子、及び
０〜２０質量％、特に０〜１質量％のニッケル（０）、
を有しているのが一般的である。

従って、反感触媒溶液に含まれる遊離配位子を本発明の方法においてニッケル（０）錯体に再び転化しても良い。

本発明の特定の実施の形態において、リン配位子に対するニッケル（ＩＩ）源の割合は、１：１〜１：１００の範囲である。リン配位子に対するニッケル（ＩＩ）源の他の好ましい割合は、１：１〜１：３であり、特に１：１〜１：２である。

本発明の方法は所定の圧力条件下で行われても良い。実用上の理由から、０．１バール〜５バールの圧力、好ましくは０．５バール〜１．５バールの圧力が好ましい。

本発明の方法は、バッチ式又は連続的に行うことができる。

本発明の方法において、過剰のハロゲン化ニッケル（ＩＩ）又は還元剤、例えば亜鉛を用いることなく作業することが可能であり、これにより、これをニッケル（０）錯体の形成後に除去する必要がない。

本発明の特定の実施の形態において、本発明の方法は、以下の処理工程：
（１）共沸蒸留によって水性のハロゲン化ニッケル（ＩＩ）を乾燥する工程、
（２）共沸により乾燥したハロゲン化ニッケル（ＩＩ）をリン配位子の存在下に溶剤中で予備キレート化する工程、
（３）処理工程（２）から生じた溶液又は懸濁液に少なくとも１種の還元剤を２０〜１２０℃の添加温度条件下で添加する工程、
（４）処理工程（３）から生じた懸濁液又は溶液を２０〜１２０℃の反応温度で撹拌する工程、
を含む。

予備キレート化温度、添加温度及び反応温度は、それぞれ２０〜１２０℃の範囲であっても良い。予備キレート化、添加及び反応を３０〜８０℃の範囲の温度で行うのが特に好ましい。

予備キレート化時間、添加時間及び反応時間は、相互に独立して１分〜２４時間である。予備キレート化時間は、特に、１分〜３時間である。添加時間は、１分〜３０分であるのが好ましい。反応時間は、２０分〜５時間であるのが望ましい。

［処理工程（ｈ₂ ^*）］
処理工程（ｈ^*）の他の好ましい実施の形態は、本発明において処理工程（ｈ₂ ^*）として記載するものであり、流れ１４又は１６のニッケル（０）含有量を、例えばニッケル粉末での撹拌によって補充する工程を含む。これが行われる場合、流れ１４又は１６における遊離リン配位子を錯体形成相手として用いるか、又は新たな配位子を添加する。

触媒化合物は、開始剤としての好適なハロゲン化物源、例えばリン、ヒ素又はアンチモンのハロゲン化物又はアルキル置換ハロゲン化物、例えばＣＨ₃ＰＣｌ₂、ＣＨ₃ＡｓＣｌ₂又はＣＨ₃ＳｂＣｌ₂、或いは好適な金属ハロゲン化物、元素のハロゲン、例えば塩素、臭素又はヨウ素、又は対応のハロゲン化水素又はハロゲン化チオニルを用いてニッケル粉末から調製可能である。本発明により使用される金属ハロゲン化物は、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｈｇ、Ｓｎ、Ｌｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｃｅ、Ｖ、Ｍｎ、Ｂｅ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｔｈ、Ｚｒ及びＨｆのハロゲン化物である。ハロゲン化物は、塩化物、臭化物又はヨウ化物であっても良い。特に好適なハロゲン化物源は、ＰＸ₃、ＴｉＸ₄、ＺｒＸ₄、ＨｆＸ₄又はＨＸ（但し、Ｘは塩化物、臭化物又はヨウ化物を表す。）である。本発明の方法が行われる場合、２種以上の開始剤又は触媒の混合物を使用しても良い。

触媒の再生は、０〜２００℃、好ましくは２５〜１４５℃、更に好ましくは５０〜１００℃の温度条件下、バッチ、例えばＵＳ３９０３１２０に類似のバッチ式で、又はＵＳ４４１６８２５に類似した連続式で行われても良い。触媒の残留時間を、広範囲にて変更しても良く、一般に１５分〜１０時間の範囲であり、好ましくは２０分〜５時間の範囲であり、更に好ましくは３０分〜２時間の範囲である。

処理工程（ｈ₂ ^*）が処理工程（ｈ₁ ^*）の代わりに行われる場合、処理工程（ｉ^*）（ｊ^*）及び（ｋ^*）を、適宜、部分的に又は完全に行っても良い。

［処理工程（ｉ^*）］
必要により、流れ１８を凝縮した後に、例えば０．１〜５０００ミリバール（絶対圧）、好ましくは０．５〜１０００ミリバール、特に１〜２００ミリバールの圧力及び１０〜１５０℃、好ましくは４０〜１００℃の温度条件での蒸留による工程ｉ）を行うか、或いは他の好適な処置として、当初の体積に対して、５０〜９５％、好ましくは６０〜９０％を形成しても良い。特に好ましい実施の形態において、その後、かかる流れは、１０質量％以下の濃度、すなわち０〜１０質量％、好ましくは０．０１〜８質量％のペンテンニトリルを含んでいる。

［工程ｉ^*）］無極性の非プロトン性液体Ｌの添加
工程ｉ^*）において、無極性の非プロトン性液体Ｌを流れ１８に添加して、流れ１９を得る。本発明の場合、液体は、化合物Ｌが工程ｉ^*）の圧力及び温度条件下で液体の状態で存在することを意味し；他の圧力及び温度条件下で、Ｌは、固体又は気体であっても良い。

好適な無極性（又は非極性）の非プロトン性液体Ｌは、工程ｉ^*）の条件下で全ての液体の化合物であり、これは、触媒、例えばリン配位子及び／又は遊離リン配位子を有するＮｉ（０）錯体を化学的に又は物理的に僅かにだけ変更する。液体Ｌとして好適な化合物は、分子中にイオン化可能なプロトンを含まず、低い比誘電率（ε_r＜１５）と低い双極子モーメント（μ＜２．５デバイ）を有しているのが一般的である。

特に好適なのは、例えば、ハロゲン化されていても良い炭化水素、更にアミン、特に第三級アミン、そして二硫化炭素である。

好ましい実施の形態において、液体Ｌは、炭化水素Ｈ^*である。好適な炭化水素Ｈ^*は、脂肪族、脂環式又は芳香族化合物である。好適な脂肪族炭化水素は、例えば、炭素原子数５〜３０の範囲、好ましくは５〜１６の範囲の直鎖又は分岐のアルカン又はアルケン、特にペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン及びドデカン（それぞれ全ての異性体を含む）である。

好適な脂環式炭化水素は、例えば、５〜１０個の炭素原子を有しており、例えばシクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン及びシクロドデカンである。置換、特にＣ_1-10アルキル置換の脂環式化合物、例えばメチルシクロヘキサンも好適である。好適な芳香族炭化水素は、炭素原子数６〜２０のものであり、特にベンゼン、トルエン、ｏ−、ｍ−及びｐ−キシレン、ナフタレン及びアントラセンである。置換、好ましくはＣ_1-10アルキル置換の芳香族化合物、例えばエチルベンゼンを用いることも可能である。

炭化水素Ｈ^*は、炭化水素Ｈに関して以下に述べる化合物から選択されるのが更に好ましい。炭化水素Ｈ^*は、炭化水素Ｈと同一であるのが極めて好ましく、すなわち、同一の炭化水素を工程ｊ）での抽出のために且つ液体Ｌとして使用する。

［液体の添加の形態］
無極性の非プロトン性液体Ｌを、通常の混合装置中において流れ１８に添加しても良い。処理技術の観点から特に簡易であることから、無極性の非プロトン性液体Ｌを、撹拌容器又はポンプ循環系において工程ｉ^*）で流れ１８と混合するのが好ましい。

無極性の非プロトン性液体を流れ１８と密に混合することが好ましい。好適な撹拌容器（撹拌器付き容器）は、一般的な液体用混合機であり、激しい混合の混合機素子及び／又は静的若しくは可動性のインターナルが設けられていても良い。

同様に、ポンプ循環系（ポンプ循環装置）を用いることも好ましい。一般に、ポンプ循環系からの出力に対するポンプ循環における量の割合が０．１：１〜１０００：１の範囲、好ましくは１：１〜１００：１の範囲、更に好ましくは２：１〜２５：１の範囲となるように操作される。好適な循環ポンプは、例えば３〜１０バール（絶対圧）の所定の圧力下で開くオーバーフローバルブに対して働くのが好ましい。

同一の炭化水素を工程ｉ^*）及びｊ^*）で使用する場合、両方の工程で、新鮮な炭化水素をそれぞれ使用することができる。同様に、工程ｉ^*）及びｊ^*）で使用される炭化水素を再利用するか、又は工程ｉ^*）後に工程ｊ^*）で使用された炭化水素を循環させて、それを再利用しても良い。

極めて好ましい実施の形態において、液体Ｌは、工程ｊ^*）で得られる流れ２２の副流（サブストリーム）（触媒を豊富に含む炭化水素Ｈ、以下を参照されたい）である。これは、流れ２２の一部を工程ｊ^*）で分岐させて、分岐分を工程ｉ^*）で流れ１８に添加することを意味する。かかる実施の形態において、流れ２２の一部をそれに応じて循環させる。

他の、同様に好ましい実施の形態において、無極性の非プロトン性液体Ｌを遅延領域（以下を参照）、例えばその開始位置に直接計量導入する。

液体Ｌを、０〜１５０℃、好ましくは１０〜１００℃、特に２０〜８０℃の温度及び０．０１〜１００バール（絶対圧）、好ましくは０．１〜１０バール、特に０．５〜５バールの圧力の条件下で添加するのが一般的である。

必要とされる液体Ｌの量は、広範囲にて変更可能である。一般に、工程ｊ^*）で行われる抽出において用いられる炭化水素Ｈの量より少ないが、多くても良い。液体Ｌの量は、工程ｊ^*）での抽出に使用される炭化水素Ｈの量に対して、０．１〜２００体積％、特に１〜５０体積％、更に好ましくは５〜３０体積％とすることが望ましい。

［必要により行われるアンモニア又はアミンを用いた処理］
工程ｈ^*）がレドックス再生を含む場合、適宜、アンモニア又は第一級、第二級若しくは第三級の、芳香族若しくは脂肪族アミンを流れ１８又は流れ１９に、又は工程ｉ^*）中それ自体又は工程ｊ^*）中それ自体に添加しても良い。芳香族化合物には、アルキル芳香族化合物が含まれ、脂肪族化合物には、脂環式化合物が含まれる。

このようなアンモニア又はアミンでの処理により、ジニトリルが豊富に含まれる第２の相（流れ２３）での抽出（工程ｊ^*））において、触媒、特にニッケル（０）錯体又は配位子の含有量を低減可能であること、すなわち、抽出において、２相間におけるＮｉ（０）錯体又は配位子の分配を第１の相（流れ２２）のためにシフトすることが見出された。アンモニア又はアミンでの処理により、流れ２２における触媒の濃度が改善され、これは、触媒循環で触媒の損失が小さくなり、ヒドロシアン化の経済的な可能性を改善することを意味する。

従って、かかる実施の形態において、抽出前に、流れ１８又は流れ１９をアンモニア又はアミンで処理するか、かかる処理を抽出中に行う。抽出中の処理は抽出前の処理より望ましくない。

アンモニア又はアミンを無極性の非プロトン性液体Ｌと一緒に添加することが特に好ましい。特に、液体Ｌとアンモニア又はアミンを同一の混合装置中に添加する。

アミンとして、モノアミン、ジアミン、トリアミン又は更に高官能性アミン（ポリアミン）を使用する。モノアミンは、炭素原子数１〜３０のアルキル基、アリール基又はアリールアルキル基を有しているのが一般的であり；好適なモノアミンは、例えば、第一級アミン、例えばモノアルキルアミン、第二級又は第三級アミン、例えばジアルキルアミンである。好適な第一級モノアミンは、例えば、ブチルアミン、シクロヘキシルアミン、２−メチルシクロヘキシルアミン、３−メチルシクロヘキシルアミン、４−メチルシクロヘキシルアミン、ベンジルアミン、テトラヒドロフルフリルアミン及びフルフリルアミンである。有用な第二級モノアミンは、例えば、ジエチルアミン、ジブチルアミン、ジ−ｎ−プルピルアミン及びＮ−メチルベンジルアミンである。好適な第三級アミンは、例えば、Ｃ_1-10アルキル基を有するトリアルキルアミン、例えばトリメチルアミン、トリエチルアミン又はトリブチルアミンである。

好適なジアミンは、例えば、式Ｒ¹−ＮＨ−Ｒ²−ＮＨ−Ｒ³（但し、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³は、相互に独立して、それぞれ水素又は炭素原子数１〜２０のアルキル基、アリール基又はアリールアルキル基を表す。）で表されるジアミンである。アルキル基は、直鎖であっても、又は特にＲ²の場合、環式であっても良い。好適なジアミンは、例えば、エチレンジアミン、プロピレンジアミン（１，２−ジアミノプロパン及び１，３−ジアミノプロパン）、Ｎ−メチルエチレンジアミン、ピペラジン、テトラメチレンジアミン（１，４−ジアミノブタン）、Ｎ，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ−エチルエチレンジアミン、１，５−ジアミノペンタン、１，３−ジアミノ−２，２−ジエチルプロパン、１，３−ビス（メチルアミノ）プロパン、ヘキサメチレンジアミン（１，６−ジアミノヘキサン）、１，５−ジアミノ−２−メチルペンタン、３−（プロピルアミノ）プロピルアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−アミノプロピル）ピペラジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−アミノプロピル）ピペラジン及びイソホロンジアミン（ＩＰＤＡ）である。

好適なトリアミン、テトラアミン又はより高官能性アミンは、例えば、トリス（２−アミノエチル）アミン、トリス（２−アミノプロピル）アミン、ジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラアミン（ＴＥＴＡ）、テトラエチレンペンタアミン（ＴＥＰＡ）、イソプロピレントリアミン、ジプロピレントリアミン及びＮ，Ｎ’−ビス（３−アミノプロピレンジアミン）である。２個以上のアミノ基を有するアミノベンジルアミン及びアミノヒドラジドも同様に好適である。

勿論、アンモニアと１種以上のアミンの混合物、又は複数のアミンの混合物を使用することも可能である。

アンモニア又は脂肪族アミン、特にアルキル基の炭素原子数が１〜１０のトリアルキルアミン、例えばトリメチルアミン、トリエチルアミン又はトリブチルアミン、そして更にジアミン、例えばエチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン又は１，５−ジアミノ−２−メチルペンタンを使用するのが好ましい。

アンモニアを単独で使用するのが特に好ましく、すなわち、アンモニアの他にアミンを使用しないのが特に好ましい。無水アンモニアが極めて好ましく、本発明の場合、無水は、１質量％未満、好ましくは１０００質量ｐｐｍ未満、特に１００質量ｐｐｍ未満の水含有量を意味する。

アンモニアに対するアミンのモル比は、広範囲内にて変更可能であり、１００００：１〜１：１００００の範囲が一般的である。

使用されるアンモニア又はアミンの量を決定する要素として、触媒、例えばニッケル（０）触媒の種類及び量、及び／又は配位子の種類及び量、使用される場合には、ヒドロシアン化の促進剤として使用されるルイス酸の種類及び量が含まれる。一般に、ルイス酸に対するアンモニア又はアミンのモル比は、少なくとも１：１である。かかるモル比の上限は、正当な判断基準に基づいていないのが一般的であり、例えば１００：１であるが、過剰のアンモニア又はアミンは、Ｎｉ（０）錯体又はその配位子が分解するので望ましくない。ルイス酸に対するアンモニア又はアミンのモル比は、１：１〜１０：１の範囲が好ましく、更に好ましくは１．５：１〜５：１の範囲であり、特に約２：１である。アンモニアとアミンの混合物を使用する場合、かかるモル比は、アンモニアとアミンの合計に対して適用される。

アンモニア又はアミンでの処理における温度は、一般に重要ではなく、例えば、１０〜１４０℃、好ましくは２０〜１００℃、特に２０〜９０℃である。圧力も一般に重要ではない。

アンモニア又はアミンを、溶解において気体、液体（加圧下で）又は溶解状態で流れ１８に添加する。好適な溶剤は、例えば、ニトリル、特にヒドロシアン化に存在するニトリル、そして更に、本発明の方法における抽出剤として使用されるような脂肪族、脂環式又は芳香族炭化水素、例えばシクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン又はｎ−オクタンである。

アンモニア又はアミンを通常の装置、例えば気体導入のための装置又は液体用混合機中に添加する。沈殿した固体は、多くの場合、流れ１８に残る、すなわち懸濁液を抽出に供給するか、或いは以下に述べるように除去される。

［必要により行われる固体の除去］
好ましい実施の形態において、本発明の方法の工程ｉ^*）で沈澱した固体を流れ１９から除去してから抽出（工程ｊ^*））を行う。

多くの場合、これにより本発明の方法における抽出性能が更に改善される。なぜなら、発生した個体は、屡々、抽出装置の分離性能を低下させるからである。再度の抽出前の固体除去により、多くの場合、望ましくないラグ（小片）の形成を明らかに減らすか、又は完全に抑制する。

５μｍを超え、特に１μｍを超え、更に好ましくは１００ｎｍを超える水力直径を有する固体粒子が取り除かれるように固体の除去を形作ることが好ましい。

固体の除去の場合、通常の処理方法、例えばろ過、交差流ろ過、遠心分離、沈降、分級又は好ましくはデカンテーションを用いることができ、そのために、共通の装置、例えばろ過器、遠心分離器又はデカンターを使用しても良い。

固体除去における温度及び圧力は、一般に重要ではない。例えば、上述の又は以下に述べる温度及び圧力の範囲で作用することが可能である。

固体の除去は、アンモニア又はアミンを用いた流れ１８又は流れ１９の任意の処理前、処理中又は処理後に行っても良い。アンモニア又はアミン処理中又は処理後に除去するのが好ましく、処理後に除去することが特に好ましい。

固体をアンモニア又はアミン処理中又は処理後に除去する場合、固体は、通常、ルイス酸又は促進剤を有するアンモニア又はアミンの化合物であり、これは、流れ１８に対する溶解性が乏しい。例えば、ＺｎＣｌ₂を使用する場合、実質的に乏しい可溶性のＺｎＣｌ₂・２ＮＨ₃がアンモニア処理中に沈澱する。

固体をアンモニア又はアミン処理前に除去するか、又はアンモニア又はアミンで全く処理しない場合、固体は、通常、＋ＩＩの酸化状態のニッケル化合物、例えばシアン化ニッケル（ＩＩ）又は類似のシアニド含有ニッケル（ＩＩ）化合物か、或いはルイス酸又はその化合物である。例えば、上述の化合物が沈澱しても良い。なぜなら、例えば温度を変えることによって溶解性を低下させるからである。

［必要により設けられている遅延領域］
工程ｅ^*）による溶出液としての流れ１９を、例えば配管によって工程ｊ^*）に直接移しても良い。直接（的）とは、配管における流れ１９の平均滞留時間が１分未満であることを意味する。

しかしながら、本発明の方法における好ましい実施の形態において、流れ１９を、工程ｉ^*）後で且つ工程ｊ^*）前に遅延領域（delay zone）に通過させる。従って、遅延領域（ディレイ領域）は、液体Ｌの添加の下流側で且つ抽出の上流側に在る。

好適な遅延領域は、例えば、配管、静的混合機、撹拌又は非撹拌容器又は容器バッテリーであり、これらの素子の組み合わせでも良い。遅延領域は、その遅延領域での流れ１９の平均滞留時間が少なくとも１分、好ましくは少なくとも５分となるように形作られるのが好ましい。

上述した任意の固体除去は、遅延領域で行われても良い。この場合、遅延領域は、固体が沈降可能な沈静化領域として働く。このようにして、遅延領域は、デキャンター又は交差流ろ過器のように機能する。固体の運搬及び／又は排出のための装置が設けられていても良い。

好ましい実施の形態において、上述したように、無極性の非プロトン性液体Ｌを遅延領域、例えばその開始位置に直接計量導入する。かかる実施の形態において、流れ１８と液体Ｌの密な混合を保証する遅延領域を選択することが特に好ましい。同様に上述したように、遅延領域は、流れ１９の相分離を引き起こしても良い。

遅延領域は、０〜２００℃、好ましくは１０〜１５０℃、特に２０〜１００℃の温度、及び０．０１〜１００バール（絶対圧）、好ましくは０．１〜１０バール、特に０．５〜５バールの圧力の条件下で操作されるのが一般的である。

本発明の好ましい実施の形態において、本発明の方法で使用される全ての配管における流れ１９の流速は、少なくとも０．５ｍ／秒であり、特に少なくとも１ｍ／秒であり、更に好ましくは少なくとも２ｍ／秒である。

工程ａ）で得られた流れ１９を、適宜、アンモニア又はアミン処理した後、及び／又は固体除去した後、及び／又は遅延領域に通過させた後、工程ｊ^*）で抽出する。

［処理工程ｊ^*）］
［処理原理］
本発明の処理方法は、Ｃ６−ジニトリル、例えばアジポニトリル（ＡＤＮ）、２−メチルグルタロニトリル（ＭＧＮ）又は２−エチルスクシノニトリル（ＥＳＮ）を、ヒドロシアン化に対する影響を受けにくいＣ５−モノニトリルの形成を増大させる阻害成分、例えばＥ−２−メチル−２−ブテンニトリル及び／又はＺ−２−メチル−２−ブテンニトリルに関して添加することによって、流れ１９又は適宜、工程ｉ^*）が行われない場合には流れ１８において、リン配位子及び／又は遊離リン配位子を含むＮｉ（０）錯体の抽出精製に好適である。

更に、触媒損失は、供給物流１８又は１９の入口位置より抽出の出口位置に近い入口位置で流れ２１に炭化水素Ｈを導入することによって抽出中に限定される。ジニトリル（流れ２０）の入口位置は、供給物流１８又は１９の入口位置よりラフィネートの出口位置に近接している。この場合、近接しているとは、２カ所の間の理論段の数の意味において理解されるべきである。流れ１８又は１９の入口位置と流れ２１の入口位置との間に、０〜１０段階、好ましくは１〜７段階の理論抽出（分離）段階（触媒のための再抽出領域）が存在し；流れ１８又は１９の入口位置と流れ２０の入口位置との間に、一般に１〜１０段階、好ましくは１〜５段階の理論抽出（分離）段階（阻害成分に対する精製領域）が存在する。

一般に、第１の相［ラフィネート；流れ２２］は、温度Ｔ（℃）で形成され、流れ１８より上述のＮｉ（０）錯体又は配位子が豊富であり、そして第２の相［抽出剤；流れ２３；阻害成分が豊富］は、流れ１８よりもジニトリルが豊富に含まれる。通常、第１の相がより軽い相である、すなわち、上相であり、第２の相がより重い相、すなわち下相である。

相分離の後、上相は、好ましくは５０〜９９質量％、更に好ましくは６０〜９７質量％、特に８０〜９５質量％の、抽出に用いられる炭化水素を含んでいる。

抽出の導入流に存在することもある（特に、レドックス触媒再生が処理工程ｈ₁ ^*）で行われた場合）ルイス酸は、下相に好ましくは殆ど、更に好ましくは完全に残っている。本発明において、完全とは、上相におけるルイス酸の残留濃度が好ましくは１質量％未満であり、更に好ましくは０．５質量％未満であり、特に５００質量ｐｐｍ未満であることを意味する。

阻害成分の排出により、処理の選択率が改善する。なぜなら、ヒドロシアン化に敏感に反応しないＣ５モノニトリルを殆ど形成しないからである（不正確な異性化の減少）。

第３実施の形態は、ジニトリル、例えばＡＤＮ、ＭＧＮ、ＥＳＮ（これらは、処理工程ｅ^*）で少量形成するので、流れ１０に蓄積する。）が抽出による下相と少なくとも部分的に排出される点において特に有効である。

更に、処理工程ｊ^*）の用いることは、処理工程ｅ^*）で使用される反応物質が安定剤含有ブタジエンであっても良い点において特に有効である。かかる安定剤は、抽出による下相を介して排出される。従って、触媒損傷濃度の安定剤が触媒循環路に蓄積することはない。

更に、ｈ₁ ^*）によるＮｉ（０）値の補充のための触媒のレドックス再生を処理工程ｈ^*）で取りかかる点において特に有利である。なぜなら、このようにして形成したルイス酸が抽出による下相を介して排出されるからである。そうでなければ、かかるルイス酸により、第１のヒドロシアン化（処理工程ｅ^*））でジニトリルの形成が増大するであろう。

抽出による下相を適当に後処理しても良い。これにより、そこに残っているジニトリルを抽出への供給物として再び用いることができる。かかる後処理は、例えば、蒸留により行うことができる（ＤＥ−Ａ１０２００４００４６８３；工程ｃ）から得られる流れ７）。

［抽出の形態］
抽出作業は、再抽出領域を有する向流抽出塔を用いることによって達成されるのが好ましい。しかしながら、当業者等に知られている好適な装置、例えば向流抽出装置、混合機−沈澱器装置又は混合機−沈澱器装置とカラムとの組み合わせ、例えば直列連結の２基の向流抽出塔（例えば、一方は、阻害成分に対する精製に用いられ、他方は、触媒の再抽出のために用いられる。）の同一の機能を有する組み合わせであっても良い。特にシート状の金属充填物が分散素子として設けられている向流抽出塔を使用するのが特に好ましい。他の特に好ましい実施の形態において、抽出を、区画化された撹拌抽出塔において向流で行う。

分散の方向に関して、本発明の方法の好ましい実施の形態において、炭化水素を連続相として使用し、炭化水素の流れ１８を分散相として使用する。これにより、一般に相分離時間が短縮され、そしてラグの形成が低減する。しかしながら、分散の逆方向も可能である、すなわち、流れ１８を連続相として、炭化水素を分散相とする。後者は、固体除去（以下を参照）、抽出若しくは相分離での温度上昇又は好適な炭化水素の使用を先行させることによりラグの形成が少なくなるか、又は十分に抑制される場合に特に正確である。一般に、抽出装置の分離性能に更にプラスとなる分散の方向が選択される。

抽出において、供給物の以下の割合が設定される：
流れ１８又は１９と流れ２１の合計に対する流れ２０の割合は、０．０１〜１０ｋｇ／ｋｇ、好ましくは０．０５〜５ｋｇ／ｋｇである。流れ２０に対する流れ２１の割合は、０．０５〜２０ｋｇ／ｋｇ、好ましくは１〜１０ｋｇ／ｋｇである。流れ１８又は１９に対する流れ２１の割合は、０．０５〜２０ｋｇ／ｋｇ、好ましくは０．５〜８ｋｇ／ｋｇである。

抽出中の絶対圧は、１０ｋＰａ〜１ＭＰａの範囲が好ましく、更に好ましくは５０ｋＰａ〜０．５ＭＰａの範囲であり、特に７５ｋＰａ〜０．２５ＭＰａの範囲である。

抽出は、−１５〜１２０℃、特に２０〜１００℃、更に好ましくは３０〜８０℃の温度条件下で行われるのが好ましい。ラグの形成は、抽出の温度がより高温条件であるときに低減することが見出された。

［相分離の形態］
装置の形態に応じて、相分離は、空間及び時間の条件に関して抽出の最終部分として見なされても良い。相分離の場合、広範な圧力、濃度及び温度が選択されるのが一般的であり、反応混合物の特定の組成に関する最適なパラメータは、数種類の簡易な予備実験に基づき容易に決定可能である。

相分離における温度Ｔは、一般に少なくとも０℃であり、好ましくは少なくとも１０℃であり、更に好ましくは少なくとも２０℃である。一般に、温度は、１２０℃以下、好ましくは１００℃以下、更に好ましくは９５℃以下である。例えば、相分離は、０〜１００℃、好ましくは６０〜９５℃で行われる。相分離の温度が高温である場合、ラグの形成が低減することが見出された。

相分離における圧力は、一般に少なくとも１ｋＰａであり、好ましくは少なくとも１０ｋＰａであり、更に好ましくは２０ｋＰａである。一般に、圧力は、２ＭＰａ以下であり、好ましくは１ＭＰａ以下であり、更に好ましくは０．５ＭＰａ以下である。

相分離時間、すなわち、流れ１８と炭化水素（抽出剤）とを混合してから均一な上相と均一な下相とが形成するまでの時間は、広範囲内にて変更しても良い。相分離時間は０．１〜６０分の範囲が一般的であり、好ましくは１〜３０分の範囲であり、特に２〜１０分の範囲である。本発明の処理を工業的規模で行う場合、１５分以下、特に１０分以下の相分離時間が、一般に、技術的且つ経済的に実行可能である。

相分離時間は、特に長鎖の脂肪族アルカン、例えばｎ−ヘプタン又はｎ−オクタンを炭化水素Ｈとして使用した場合に有効な手法で短縮されることが見出された。

相分離は、かかる相分離のために当業者等に公知の１基以上の装置で行っても良い。有利な実施の形態において、相分離は、抽出装置、例えば１基以上の混合機−沈澱装置の組み合わせにおいてか、又は沈静領域を有する抽出塔を設けることによって行うことができる。

相分離において、２相の液相が得られ、そのうちの１相は、かかる相の全質量に対して、リン配位子及び／又は遊離リン配位子を有するニッケル（０）錯体を、他の相より高い割合で有している。他の相は、阻害成分を豊富に含んでいる。

［ジニトリル］
供給物流として抽出に導かれる流れ２０は、主としてジニトリル、好ましくはＣ６ジニトリル、特に好ましくはアジポニトリル（ＡＤＮ）、２−メチルグルタロニトリル（ＭＧＮ）、２−エチルスクシノニトリル（ＥＳＮ）又はこれらの混合物を含んでいる。かかる流れにおけるジニトリルの含有量は、５０質量％を超えるのが好ましく、更に好ましくは７０質量％を超え、特に好ましくは９０質量％を超える。ジニトリル、特にＣ６ジニトリルを製造する方法はそれ自体公知である。かかる方法の実施可能な一法は、ＤＥ−Ａ１０２００４００４６８３に記載されている。このようにして調製されたＣ６ジニトリルの流れ、特にＤＥ−Ａ１０２００４００４６８３の処理工程ｈ）から得られる流れ１５、１６及び１７は、本発明において、流れ２０として使用されるのが好適である。

ジニトリルを、相分離が抽出段階ｋ^*）で行われる程度に添加するのが好ましい。

［炭化水素］
炭化水素は抽出剤である。それは、少なくとも３０℃の沸点を有しているのが好ましく、更に好ましくは少なくとも６０℃であり、特に９０℃であり、そして好ましくは１４０℃以下であり、更に好ましくは１３５℃以下であり、特に１３０℃以下であり、各々場合での圧力条件は、１０⁵Ｐａ（絶対圧）である。

炭化水素（本願発明で個々に、又はかかる炭化水素の混合物して参照される）は、アジポニトリルとＮｉ（０）含有触媒を含む混合物からアジポニトリルを、特に抽出によって除去する場合に用いられるのが更に好ましく、上記の炭化水素の沸点は、９０〜１４０℃の範囲である。除去後に、かかる方法により得られる混合物から、アジポニトリルを炭化水素の蒸留除去によって有利に得ることができ、且つ上述の範囲の沸点を有する炭化水素を用いることにより、川の水を用いて蒸留除去される炭化水素を凝縮する可能性という理由から、特に経済的に実行可能であり且つ技術的に簡易な除去を可能にする。

好適な炭化水素は、例えばＵＳ３７７３８０９の第３欄の５０〜６２行目に記載されている。有用な炭化水素は、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、シクロペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、異性体のヘプタン、ｎ−オクタン、イソオクタン、異性体のオクタン、例えば２，２，４−トリメチルペンタン、ｃｉｓ−及びｔｒａｎｓ−デカリン又はこれらの混合物から選択されるのが好ましく、特にシクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ヘプタン、異性体のヘプタン、ｎ−オクタン、異性体のオクタン、例えば２，２，４−トリメチルペンタン、又はこれらの混合物から選択される。シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ヘプタン又はｎ−オクタンを使用するのが特に好ましい。

ｎ−ヘプタン又はｎ−オクタンを使用するのが極めて好ましい。これらの炭化水素の場合、望ましくないラグの形成が特に低い。ラグは、上相と下相との間の不完全な相分離の領域であり、通常、液／液混合物であり、これにおいて、固体が分散していても良い。過大なラグ形成は望ましくない。なぜなら、これにより、抽出を妨げ、そして抽出装置が、所定の周囲条件下で、ラグによって灌水されることがあり、その結果、分離作業をもはや実現できなくなるからである。

使用される炭化水素は無水であるのが好ましく、無水は、１００質量ｐｐｍ未満、好ましくは５０質量ｐｐｍ未満、特に１０質量ｐｐｍ未満の水含有量を意味する。炭化水素を、当業者等に公知の好適な処理方法、例えば吸着又は共沸蒸留によって乾燥させても良い。乾燥は、本発明の処理に先行する工程で行っても良い。

［処理工程ｋ^*）］
処理工程ｋ^*）において、流れ２２を蒸留して、少なくとも１種の触媒を含む流れ２５と、抽出剤を含む流れ２４と、を得る。

かかる処理工程は、触媒及び抽出剤を回収するために実質的に働く。

処理工程ｋ^*）は、当業者等に公知の適当な装置において行うことができる。処理工程ｋ^*）の蒸留は、１工程以上の蒸発段階で起こるのか、或いは精留塔／蒸留塔において起こるのが好ましい。

精留塔／蒸留塔に用いられるインターナルは、構造化シートメタル充填物、構造化織物充填物、泡鐘トレイ、二系統流れトレイ又は不規則充填物の床或いはこのような分離インターナルの２種類以上の組み合わせであるのが好ましい。処理工程ｋ^*）の精留塔／蒸留塔は、１種以上の液体又は気体の側部取り出し部を有して形成されていても良い。処理工程ｋ^*）の精留塔／蒸留塔は、１種以上の気体又は液体の側部取り出し部を有する隔壁塔として形成されても良い。

処理工程ｋ^*）における１工程以上の蒸発段階又は精留塔／蒸留塔には、特に、流下薄膜型蒸発器、薄厚フィルム蒸発器、自然循環蒸発器、強制循環フラッシュ蒸発器又は多相らせんチューブ蒸発器が設けられていても良い。

本発明の方法における他の実施の形態において、処理工程ｋ^*）の少なくとも１基の蒸発装置は、分割塔底部を有して運転されても良く、その場合、循環流、一般に底部取り出し流に対して豊富な流れは、当該蒸発段階の第１の塔底から蒸発器に誘導されるが、蒸発器からの液体の出力流（産出流）は塔底に直接戻されず、むしろ第１の塔底と別個の第２の塔底に集められ、底部取り出し流を第２の塔底から得て、蒸発器の循環流から得られる残りの過剰分により、第１の塔底へのオーバーフローは、第１の塔底から取り出された場合より低沸点物が少ない混合物を第２の塔底からの底部取り出し流として得ることができる。

処理工程ｋ^*）の絶対圧は、０．００１〜２バールの範囲が好ましく、更に好ましくは０．０１〜０．５バールの範囲であり、特に０．０９〜０．１２バールの範囲である。蒸留は、蒸留装置の塔頂における温度が、好ましくは−１５〜１００℃、より好ましくは０〜６０℃、特に２０〜５０℃の範囲となるように行なわれる。本発明に従う方法の特に好ましい実施の形態では、上述した温度範囲が、塔頂及び塔底の両方で維持される。

抽出物を除去して触媒を回収する処理工程ｋ^*）において、適宜、３−ペンテンニトリルを中位の沸点物として蒸留に添加しても良い。かかる溶剤変更は、高沸点触媒流からの抽出剤の有効な低減が蒸発器温度条件下で可能となる点において有効な場合がある。かかる蒸発器温度は、各々の場合に、特にキレート配位子を使用する場合に用いられるニッケル触媒の熱による損傷を受けないために十分に低く、そして単座配位子を使用した場合にニッケル触媒を熱の採用によって転化させないために十分に低く、その際に、圧力は更に十分に高くすることにより、触媒成分より比較的低沸点の抽出剤を、２５〜５０℃の一般的な冷却水温度条件下、蒸発段階又は蒸留塔の頂部で依然として凝縮可能となる。更に、溶剤変更は、触媒溶液の流動性及び単相形成性（monophasicity）を保証する点において有効な場合がある。なぜなら、温度及び抽出剤の残留量に応じて（３−ペンテンニトリルの添加無し）、触媒成分により、晶出が引き起こされる場合があるからである。この場合、例えば、圧力条件に応じて、シクロヘキサン又はメチルシクロヘキサン又はヘプタン又はｎ−ヘプタンの抽出剤から困難を伴って除去可能であるか、或いは最小蒸気圧の共沸混合物の形成に起因して完全に除去することができない３−ペンテンニトリルは、処理工程ｊ^*）における抽出塔への抽出剤導入流の合計量に対して、好ましくは１０質量％以下、更に好ましくは５質量％以下、特に１質量％以下の含有量の条件下、本発明の方法に対して阻害効果を有していない。

本発明の方法の好ましい実施の形態において、処理工程ｋ^*）で得られ、抽出剤を含む流れ２４を抽出工程ｊ^*）に少なくとも部分的に再循環させる。抽出工程ｊ^*）前に、再循環流２４を適宜乾燥する。これにより、かかる流れにおける水含有量が好ましくは１００質量ｐｐｍ未満となり、更に好ましくは５０質量ｐｐｍ未満となり、特に１０質量ｐｐｍ未満となる。

本発明の方法における他の好ましい実施の形態において、処理工程ｋ^*）で得られ、触媒を含む流れ２５を、処理工程ｅ^*）のヒドロシアン化か、又は処理工程ａ^*）の異性化に少なくとも部分的に再循環させる。本発明の方法の好ましい実施の形態において、流れ２５における抽出剤の割合は、流れ２５の合計量に対して、１０質量％未満であるのが好ましく、更に好ましくは５質量％未満であり、特に１質量％未満である。

処理工程ａ^*）〜ｋ^*）を通じて触媒流を制御する好ましい実施の形態は、スキーム１〜５を参照しつつ以下に開示する。処理工程ｉ^*）は、スキーム１〜５に含まれていないが、処理工程ｈ^*）とｊ^*）の間で行うことが可能である。スキーム１〜５において、処理工程ｈ^*）は、一例として、処理工程ｈ₁ ^*）としての実施の形態で記載されている。或いは、実施の形態は、処理工程ｈ₂ ^*）として行われても良い。これらの場合、塩化ニッケル（ＩＩ）をニッケル粉末の代わりにとし、還元剤（ｒｅｄ．）を使用しないか、或いはルイス酸（ＬＡ）を存在させないようにする。ＡＤＮは、ジニトリル流と同義であり、ヘプタンは、抽出剤としての炭化水素と同義である。Ｃａｔ．は、触媒錯体と遊離配位子を意味する。スキーム１〜５の点線は、触媒流の任意のバイパス副流を示している。

触媒流の制御に関する処理の特定の実施の形態をスキーム１に示す。このスキームでは、触媒誘導段階を単一の触媒循環路に結合させる。第１のヒドロシアン化から出発する処理段階の順序は、ｅ^*）、ｆ^*）、ａ^*）、ｂ^*）、ｃ^*）、ｈ^*）、適宜、ｅ^*）に戻される前にｉ^*）、ｊ^*）、ｋ^*）である。適宜、触媒の副流を、過去の段階ｈ^*）、ｉ^*）、ｊ^*）及びｋ^*）に再循環させ、そしてｅ^*）に直接再循環させても良い。処理段階ａ^*）では、２−メチル−３−ブテンニトリルと３−ペンテンニトリルの未分離混合物が供給される、すなわち、ａ^*）の後に、ｄ^*）又はｇ^*）が行われる。

触媒流の制御に関する処理の他の実施の形態をスキーム２に示す。このスキームでは、触媒誘導段階を単一の触媒循環路に結合させる。第１のヒドロシアン化から出発して、処理段階の順序は、ｅ^*）、ｆ^*）、ａ^*）、ｂ^*）、ｃ^*）、ｈ^*）、適宜、ｅ^*）に戻される前にｉ^*）、ｊ^*）、ｋ^*）である。適宜、触媒の副流を、過去の段階ｈ^*）、ｉ^*）、ｊ^*）及びｋ^*）に再循環させ、そしてｅ^*）に直接再循環させても良い。処理段階ａ^*）では、３−ペンテンニトリルが低減した２−メチル−３−ブテンニトリルが供給される、すなわち、ａ^*）の前に、ｄ^*）又はｇ^*）が行われる。

触媒流の制御に関する処理の他の実施の形態をスキーム３に示す。このスキームでは、触媒流を段階ｅ^*）及びｆ^*）に通して循環させている。この流れから、副流を排出し、段階ａ^*）の触媒供給物として用いる。次に、この流れを、完全に、適宜、部分的に段階ｂ^*）、ｃ^*）、ｈ^*）、適宜ｉ^*）、ｊ^*）及びｋ^*）に通してｅ^*）に供給している。異性化段階ａ^*）では、３−ペンテンニトリルが低減した２−メチル−３−ブテンニトリルが供給される、すなわち、ａ^*）の前に、ｄ^*）又はｇ^*）が行われる。同様に、ｄ^*又はｇ^*が、ａ^*の後に行われても良い。

触媒流の制御に関する処理の他の特定の実施の形態をスキーム４に示す。このスキームでは、２種類の触媒循環路を形成する。触媒循環路１は、段階ｅ^*）及びｆ^*）を含み、触媒循環路２は、段階ａ^*）、ｂ^*）、ｃ^*）を含む。両方の流れから、副流、適宜特定の全触媒流が、段階ｈ^*）、適宜ｉ^*）、ｊ^*）及びｋ^*）を介して誘導され、これにより、阻害成分の触媒を精製するか及び／又はＮｉ（０）含有量を補充する。抽出を通じて導かれる触媒循環路２の割合は、触媒循環路１から導かれるときより大きいのが好ましい。適宜、触媒循環路２からの流れ全体が抽出を通じて誘導される。２種類の触媒循環路を、段階ｈ^*）、適宜ｉ^*）、ｊ^*）及びｋ^*）を介して相互に結合させる。ａ^*）又はｅ^*）の供給のためにｋ^*）からの流れの分割は、ａ^*）及びｅ^*）からのｈ^*）に対する供給物流の割合に相当するのが一般的である。異性化段階ａ^*）では、３−ペンテンニトリルが低減した２−メチル−３−ブテンニトリルが供給される、すなわち、ａ^*）の前に、ｄ^*）又はｇ^*）が行われる。同様に、ｄ^*又はｇ^*が、ａ^*の後に行われても良い。

触媒流の制御に関する処理の他の特定の実施の形態をスキーム５に示す。これによると、触媒循環路を、段階ａ^*）、ｂ^*）、ｃ^*）、ｈ^*）、適宜ｉ^*）、ｊ^*）及びｋ^*）を介して運転する。この触媒循環路から、ｈ^*）の前に、副流が取り出され、それを用いて第１のヒドロシアン化ｅ^*）が操作される。この流れを、ｆ^*）を介してｈ^*）に再循環させ、適宜、直接ａ^*）へ再循環させても良い。異性化触媒循環路の副流をｃ^*）からａ^*）に直接再循環させても良い。異性化段階ａ^*）では、３−ペンテンニトリルが低減した２−メチル−３−ブテンニトリルが供給される、すなわち、ａ^*）の前に、ｄ^*）又はｇ^*）が行われる。同様に、ｄ^*又はｇ^*が、ａ^*の後に行われても良い。

以下に詳細に記載された実施例を参照しつつ本発明を詳細に説明する。

［使用実施例］
実施例において、以下の略語を使用した：
hydrogen cyanide：シアン化水素、
Ｔ３ＰＮ：ｔｒａｎｓ−３−ペンテンニトリル、
Ｃ３ＰＮ：ｃｉｓ−３−ペンテンニトリル、
４ＰＮ：４−ペンテンニトリル、
Ｅ２Ｍ２ＢＮ：（Ｅ）−２−メチル−２−ブテンニトリル、
Ｔ２ＰＮ：ｔｒａｎｓ−２−ペンテンニトリル、
Ｃ２ＰＮ：ｃｉｓ−２−ペンテンニトリル、
ＡＤＮ：アジポニトリル、
ＭＧＮ：メチルグルタロニトリル、
ＶＡＮ：バレロニトリル、
ＶＣＨ：４−ビニルシクロヘキセン、
ＢＤ：１，３−ブタジエン、
ＴＢＰ：ｔｅｒｔ−ブチルピロカテコール、
Ｃ２ＢＵ：ｃｉｓ−２−ブテン、
ＬＡ：ルイス酸。

実施例において、処理工程を時間的順序で報告し、これにより明細書及び請求の範囲における意味から逸脱している。詳細に特徴付けがなされていない％又はｐｐｍ単位のデータは、それぞれ質量％及び質量ｐｐｍである。

［実施例１］
図３を参照して実施例１を説明する。

実施例１において、配位子の混合物を有するニッケル（０）錯体に基づく触媒組成物をブタジエンのヒドロシアン化（シアン化水素付加）に使用した。ヒドロシアン化のための配位子混合物は、約６０モル％のトリ（ｍ／ｐ−トリル）ホスフィットと４０モル％のキレートのホスホニット１とを含んでいた。

段階（１）において、ノズルと、衝撃交換チューブと、外部ポンプ循環系（路）と、反応エネルギーを除去するために外部ポンプ循環路に設けられた熱交換器と、を備えた容量２５Ｌのループ反応器Ｒ１に、以下の流れを誘導（導入）し、３５７Ｋに加熱した。

（１）１０ｋｇ／ｈの、蒸留によって水が除去された安定化されていない液体シアン化水素、
（２）２２ｋｇ／ｈの、水とＴＢＰ安定剤を除去するためにアルミナに接触させて処理し、０．２５質量％のＣ２ＢＵを含む市販のＢＤ、
（３）工程（２）のＫ２ａからの再循環された８ｋｇ／ｈのＢＤ（流れ９）であって、これにより得られる反応器Ｒ１への全ＢＤ供給物は、９０質量％のＢＤ、５質量％のＣ２ＢＵ及び５質量％の１−ブテンを含む３０ｋｇ／ｈの流れであり、
（４）この実施例において以下に記載したように、カラムＫ２ｂからの流れ１０ａとして得られた２１ｋｇ／ｈのニッケル（０）触媒溶液。

反応器Ｒ１から取り出された流れ８（６３ｋｇ／ｈ）は、合計で１１％のＢＤ及びＣ２ＢＵを含み（７９％のＢＤを転化したことに相当）、そしてまた、合計で６３％のペンテンニトリル、３１％のＴ３ＰＮ、２９％の２Ｍ３ＢＮ、少量のＺ２Ｍ２ＢＮ及びＥ２Ｍ２ＢＮ、そして他のペンテンニトリル異性体（Ｔ２ＰＮ、Ｃ２ＰＮ、Ｃ３ＰＮ、４ＰＮ）、そして更に触媒成分及び触媒分解生成物及びＭＧＮを含んでいた。

工程（２）において、流れ８を蒸留塔Ｋ２ａに供給したが、蒸留塔Ｋ２ａは、精留部とストリッピング部とで操作されるもので、そして流下薄膜型蒸発器と分割されたカラム塔底が設けられており、そして塔のインターナルは１０段の理論段を生じさせる構造化充填物を有していた。塔Ｋ２ａは、塔頂にて直接凝縮器を使用して操作され、直接凝縮器は、以下の構成のカラム部からなるものであり、すなわちカラム部は、構造化充填物が設けられ、そして総合収集カップ(total collecting cup)、ポンプ循環系及び外部熱交換器を有していた。塔Ｋ２ａは、塔頂圧力が、絶対圧力で２．０バール、塔頂温度が２８８Ｋ、そして塔底取出し部の温度が３６３Ｋで操作された。

冒頭に述べたように、反応器Ｒ１への再循環流として計量導入された流れ９が、塔Ｋ２ａの塔頂を介して得られた。塔Ｋ２ａの塔頂での還流比は、流れ９が約１００ｐｐｍの２Ｍ３ＢＮを含むように調整された。

２．９％のＢＤ、４．６％のＣ２ＢＵ、６７％のペンテンニトリル、そして更に追加的に触媒成分を含む、５９ｋｇ／ｈの流れ１ｂが塔Ｋ２ａの塔底を介して得られた。供給物と比較して、ＢＤに対して、Ｃ２ＢＵを明らかに豊富に含んでいた。

工程（２）において、流れ１ｂが蒸留塔Ｋ２ｂに導入されるが、蒸留塔Ｋ２はストリッピング形式で操作され、そして流下薄膜型蒸発器、後凝縮器（postcondenser）を有する塔頂凝縮器を備え、塔のインターナルは、１０段の理論段を生じさせる構造化充填物を有していた。カラムは、絶対圧で１５０ミリバールの塔頂圧力、塔頂温度３２９Ｋ、そして塔底取出し部の温度３７３Ｋで操作された。カラムの蒸気流を３０８Ｋで部分的に凝縮し、そして後凝縮器を使用して２６３Ｋで処理した。従って、２Ｍ３ＢＮと他のペンテンニトリルが低減されたＢＤ流２ｃを、コンプレッサーＶ２で絶対圧１．２バールに圧縮した。圧縮された気体流を、２７９Ｋで殆ど凝縮して、流れ２ｅ（５ｋｇ／ｈ）を得て、そして副流２ｄ（４７Ｌ（ＳＴＰ）／ｈ、４４質量％のＣ２ＢＵを含む）を気体状態で処理した。流れ２ｅを、塔Ｋ２ａの凝縮物収集容器に液体の状態で再循環させた。

カラムＫ２ｂの気体の側部取出し部において、約１００ｐｐｍのＢＤ、４６％の２Ｍ３ＢＮ、及び４８％のＴ３ＰＮ、そして少量のＥ２Ｍ２ＢＮ及びＺ２Ｍ２ＢＮを、他のペンテンニトリル異性体に加えて含む流れ１１（４０ｋｇ／ｈ）を得た。側部取り出し部の位置は、側部取り出し部より下側のストリッピング部において、塔底を介して得られた流れ１０内の２Ｍ３ＢＮ成分が、Ｔ３ＰＮに対して低減されるように選択される。

カラムＫ２ｂ内には、１３ｋｇ／ｈの触媒流が導入され、この触媒流は、ドイツ特許出願（発明の名称：ジニトリルの製造方法、ＢＡＳＦ ＡＧ（Ｂ０３／０５２５））の実施例１に記載されているように、工程（４）で塔Ｋ４の側方取り出しとして得て、合計で７３％のペンテンニトリル、０．５％のＮｉ（０）、１８％の配位子混合物、そして約５％のＡＤＮを含んでいた。

カラムＫ２ｂの塔底を介して触媒流１０を得たが、触媒流１０は、０．５％のＮｉ（０）、約１００ｐｐｍの２Ｍ３ＢＮ、そして７３％の残留ペンテンニトリルを含んでいた。流れ１０を、反応器Ｒ１に再循環させる副流１０ａ（２１ｋｇ／ｈ）に分割した。他の部分（１０ｂ：５．４ｋｇ／ｈ）を、ＤＥ−Ａ−１０３５１００２に記載されている再生処理に供給し、再生処理の後、例えば、ＤＥ−Ａ−１０２００４００４６８３の実施例１に記載されているように、３−ペンテンニトリルのヒドロシアン化で使用した。

工程（３）において、流れ１１を蒸留塔Ｋ３に導入したが、蒸留塔Ｋ３には、循環蒸発器及び塔頂凝縮器が設けられ、そして更に３０段の理論段を生じさせる構造化充填物が設けられていた。塔Ｋ３は、絶対圧で１８０ミリバールの塔頂圧力、塔頂温度３４５Ｋ、及び塔底取出し部の温度３６３Ｋで操作された。

工程（５）において、カラムＫ５から、３９ｋｇ／ｈの循環流５がカラムＫ３に導入されるが、循環流５は、５４％のＴ３ＰＮ、２３％の２Ｍ３ＢＮ及び１６％のＺ２Ｍ２ＢＮ、そして少量の他のペンテンニトリル異性体を含んでいた。

カラムＫ３の塔頂から、４０ｋｇ／ｈの流れ１３が得られ、流れ１３は、１０％のＴ３ＰＮ、６８％の２Ｍ３ＢＮ及び１６％のＺ２Ｍ２ＢＮ、合計して０．１％のＢＤ及びＣ２ＢＵ、そして少量の他のペンテンニトリル異性体（Ｔ２ＰＮ、Ｃ２ＰＮ、Ｃ３ＰＮ、４ＰＮ）を含んでいた。

カラムＫ３の塔底から、３９ｋｇ／ｈの流れ１２が得られ、流れ１２は、合計して９７％のＴ３ＰＮ、Ｃ３ＰＮ及び４ＰＮ、そして少量の他のペンテンニトリル異性体（Ｔ２ＰＮ、Ｃ２ＰＮ）、更に約１００ｐｐｍの２Ｍ３ＢＮ及び約１％のＥ２Ｍ２ＢＮを含んでいた。

実施例１において、配位子の混合物を有するニッケル（０）錯体を基礎とする触媒組成物を、２Ｍ３ＢＮのＴ３ＰＮへの異性化に用いた。異性化のための配位子混合物（以下、異性化配位子と称する）は、ｍ−トリル、ｐ−トリル、ｏ−イソプロピルフェニルからなる群から選択され、ランダムに分散させたＲ、Ｒ’、Ｒ’’を有するＰ（ＯＲ）（ＯＲ’）（ＯＲ’’）型の混合ホスフィット配位子を含み、そして基Ｒ、Ｒ’、Ｒ’’の合計の約４０モル％がｏ−イソプロピルフェニル基である。かかる配位子混合物を、ｍ−及びｐ−クレゾールの混合物（ｐ−クレゾールに対してｍ−クレゾールを２：１の割合で有し、そして化学量論適合量のｏ−イソプロピルフェニルを有する）と三ハロゲン化リンとの反応において得た。

工程（４）において、流れ１３を、触媒循環流３ａ及び触媒補足流（catalyst supplementation stream）と一緒に、管型反応器として設計され、３９３Ｋに加熱される反応器Ｒ２に導入した。循環触媒と新たな触媒の合計として、５６ｋｇ／ｈの、２０％のＴ３ＰＮ、５％の２Ｍ３ＢＮ及び他のペンテンニトリル異性体、５５％の異性化配位子、そして０．５％のニッケル（０）、更に少量の触媒分解生成物を有する混合物を反応器Ｒ２に導入した。

反応器Ｒ２から得られる生成物として、９６ｋｇ／ｈの流れ１を得たが、流れ１は、３４％のＴ３ＰＮ、１２．３％の２Ｍ３ＢＮ及び少量の他のペンテンニトリル異性体（Ｔ２ＰＮ、Ｃ２ＰＮ、Ｃ３ＰＮ、４ＰＮ）を含んでおり、６０％の２Ｍ３ＢＮの転化率に相当していた。

工程（５）において、流れ１を、精留塔として操作される蒸留塔Ｋ５に導入したが、蒸留塔Ｋ５には、流下薄膜型蒸発器、塔頂凝縮器、還流分割器、塔の底部領域に気体用の側部取り出し部が設けられており、塔のインターナルは、３０段の理論段を生じさせる構造化充填物を有していた。塔を、２５０ミリバールの絶対圧の塔頂圧、３５３Ｋの塔頂温度、そして３７３Ｋの塔底取り出し部温度で運転した。

カラムＫ５において、回収された触媒流３（５６ｋｇ／ｈ）を、底部を介して得たが、触媒流３は、他のペンテンニトリル、約５％のＭＧＮ、そして０．５％のＮｉ（０）に加えて、２０％のＴ３ＰＮ及び５４％の異性化配位子を含んでいた。少量の流れ３を、流れ３ｂとして排出して、触媒失活成分及びＭＧＮの蓄積を制限した。排出された触媒の量を補足するために、他のペンテンニトリル異性体に加えて、１５％のＴ３ＰＮ、１％のＮｉ（０）及び８０％の異性化配位子を含む十分に新鮮な触媒を計量導入して、反応器Ｒ２への触媒供給物中におけるＮｉ（０）含有量を０．５％に保持した。

カラムＫ５において、頂部を介して流れ４（０．８ｋｇ／ｈ）を得たが、流れ４は、合計して０．５％のＢＤ及びＣ２ＢＵ、５０％の２Ｍ３ＢＮ、４１％のＺ２Ｍ２ＢＮ、そして少量のビニルシクロヘキサン（ＶＣＨ）を含んでいた。ビニルシクロヘキサンは、最初に、ＢＤ出発材料中に微量存在し、その後、ブタジエンのヒドロシアン化で少量形成し、最後に、異性化の２Ｍ３ＢＮ循環において蓄積し、そしてこれを２Ｍ３ＢＮと一緒に排出する必要がある。なぜなら、２Ｍ３ＢＮとＶＣＨの蒸気圧は、相互に非常に接近しているので、従来の蒸留による分離が不可能であるからである。カラムＫ５の還流比は、１０ｐｐｍのＴ３ＰＮが流れ４に存在するように調節された。カラムＫ５の頂部から得られる流れ４の取り出し割合は、合計して２０％のＺ２Ｍ２ＢＮとＶＣＨが蒸留塔Ｋ３の頂部取り出し流１３に存在するように調節された。

カラムＫ５において、気体用の側部取り出し部を介して流れ５（３９ｋｇ／ｈ）を得たが、流れ５は、３−ペンテンニトリルの他に、異性化で未転化の２Ｍ３ＢＮを実質的に含み、そして凝縮後、これを液体の状態で上述したようにカラムＫ３に再循環させた。

［実施例２］
図４を参照しつつ実施例２を説明する。

実施例２において、配位子としてキレートのホスフィット２を有するニッケル（０）錯体に基づく触媒組成物をＢＤのヒドロシアン化に使用した。

工程（１）において、以下の流れを、それぞれ容量１２Ｌの２基の反応器Ｒ１ａとＲ１ｂからなる系に導入したが、それぞれノズルと、衝撃交換チューブと、外部ポンプ循環系と、反応エネルギーを除去するために外部ポンプ循環路に設けられた熱交換器と、が設けられており、以下の流れを３６３Ｋに加熱した。

（１）６ｋｇ／ｈの、蒸留によって水が除去された安定化されておらず、Ｒ１ａに導入される液体シアン化水素、
（２）６ｋｇ／ｈの、蒸留によって水が除去された安定化されておらず、Ｒ１ｂに導入される液体シアン化水素、
（３）２５ｋｇ／ｈの、水とＴＢＰ安定剤を除去するためにアルミナに接触させて処理し、０．２５質量％のＣ２ＢＵを含み、Ｒ１ａに導入されるＢＤ、
（４）工程（２）のカラムＫ２ａから再循環され、Ｒ１ａに導入される２ｋｇ／ｈのＢＤ（流れ９）で、従って、これにより得られる反応器Ｒ１への全ＢＤ供給物は、９８質量％のＢＤ、合計して２質量％のＣ２ＢＵ及び１−ブテンを含む２７ｋｇ／ｈの流れであり、
（５）この実施例において以下に記載したように、カラムＫ２ｂからの流れ１０ａとして得られ、Ｒ１ａに導入される１４ｋｇ／ｈのニッケル（０）触媒溶液。

反応器Ｒ１ｂから取り出された流れ８（５４ｋｇ／ｈ）は、合計で４％のＢＤ及びＣ２ＢＵを含み（９４％のＢＤの転化率に相当）、そしてまた、合計で７４％のペンテンニトリルを含み、そのうちの３１％がＴ３ＰＮ、３７％が２Ｍ３ＢＮ、そして少量のＺ２Ｍ２ＢＮ及びＥ２Ｍ２ＢＮであり、そして他のペンテンニトリル異性体、そして更に触媒成分及び触媒分解生成物及びＭＧＮを含んでいた。

工程（２）において、流れ８を精留塔として操作される蒸留塔Ｋ２ａに供給したが、蒸留塔Ｋ２ａには、流下薄膜型蒸発器が設けられており、そして塔のインターナルは４段の理論段を生じさせる構造化充填物を有していた。塔Ｋ２ａは、塔頂にて直接凝縮器を使用して操作され、直接凝縮器は、以下の構成のカラム部からなるものであり、すなわちカラム部は、不規則充填物が設けられ、そして総合収集カップ、ポンプ循環系及び外部熱交換器を有していた。塔Ｋ２ａは、塔頂圧力が、絶対圧力で０．８バール、塔頂温度が２６３Ｋ、そして塔底取出し部の温度が３９３Ｋで操作された。

冒頭に述べたように、反応器Ｒ１ａへの再循環流として計量導入された流れ９が、塔Ｋ２ａの塔頂を介して得られた。塔Ｋ２ａの塔頂での還流比は、流れ９が０．１％の２Ｍ３ＢＮを含むように調整された。

０．３％のＢＤ、０．１％のＣ２ＢＵ、７６％のペンテンニトリル、そして更に追加的に触媒成分を含む、５２ｋｇ／ｈの流れ１ｂが塔Ｋ２ａの塔底を介して得られた。

工程（２）において、流れ１ｂが蒸留塔Ｋ２ｂに導入されるが、蒸留塔Ｋ２はストリッピング形式で操作され、そして流下薄膜型蒸発器、後凝縮器を有する塔頂凝縮器を備え、塔のインターナルは、４段の理論段を生じさせる構造化充填物を有していた。カラムは、絶対圧で７０ミリバールの塔頂圧力、塔頂温度３３３Ｋ、そして塔底取出し部の温度３７３Ｋで操作された。

カラムＫ２ｂの気体用の側部取出し部において、０．４％のＢＤ、５４％の２Ｍ３ＢＮ及び４８％のＴ３ＰＮ、そして少量のＥ２Ｍ２ＢＮ及びＺ２Ｍ２ＢＮを、他のペンテンニトリル異性体に加えて含む流れ１１（４０ｋｇ／ｈ）を得た。

カラムＫ２ｂ内には、３ｋｇ／ｈの触媒流が導入され、この触媒流は、合計で４５％のペンテンニトリル、１．５％のＮｉ（０）、そして、例えばニッケル（０）（シクロオクタジエニル）₂錯体とキレートホスフィット２との反応より得られるキレート配位子を含んでいた。

カラムＫ２ｂの塔底を介して触媒流１０を得たが、触媒流１０は、１．２％のＮｉ（０）、０．３％の２Ｍ３ＢＮ、そして１７％の残留ペンテンニトリルを含んでいた。流れ１０を、反応器Ｒ１に部分的に再循環させた（１４ｋｇ／ｈ）（流れ１０ａ）。他の部分（流れ１０ｂ：３．８ｋｇ／ｈ）を、ＤＥ−Ａ−１０３５１００２に記載されている再生処理に供給し、ＤＥ−Ａ−１０２００４００４６８３による３−ペンテンニトリルのヒドロシアン化で使用するか、又は適宜、本発明の方法によるＢＤのヒドロシアン化に再循環させた。

工程（３）において、流れ１１を蒸留塔Ｋ３に導入したが、蒸留塔Ｋ３には、循環蒸発器及び塔頂凝縮器が設けられ、そして更に４５段の理論段を生じさせる構造化充填物が設けられていた。塔Ｋ３は、絶対圧で１．０バールの塔頂圧力、塔頂温度３９５Ｋ、及び塔底取出し部の温度４１６Ｋで操作された。

工程（５）において、カラムＫ５から、２４ｋｇ／ｈの循環流５がカラムＫ３に導入されるが、循環流５は、７０％のＴ３ＰＮ、１４％の２Ｍ３ＢＮ及び７％のＺ２Ｍ２ＢＮ、そして少量の他のペンテンニトリル異性体を含んでいた。

カラムＫ３の塔頂から、３０ｋｇ／ｈの流れ１３が得られ、流れ１３は、１％のＴ３ＰＮ、８５％の２Ｍ３ＢＮ、８％のＺ２Ｍ２ＢＮ、合計して３％のＢＤ及びＣ２ＢＵを、他のペンテンニトリル異性体及びＶＣＨに加えて含んでいた。カラムＫ３の還流比は、１％のＴ３ＰＮが塔頂で得られるように調節された。

カラムＫ３の塔底から、３８ｋｇ／ｈの流れ１２が得られ、流れ１２は、合計して９７％のＴ３ＰＮ、Ｃ３ＰＮ及び４ＰＮ、更に約１０ｐｐｍの２Ｍ３ＢＮ及び約２％のＥ２Ｍ２ＢＮ、そして少量のＭＧＮ及び他のペンテンニトリル異性体を含んでいた。

実施例２において、異性化に用いられる触媒は、この実施例においてＢＤのヒドロシアン化に関して上述したように、キレートホスフィット基礎ニッケル（０）錯体である。

工程（４）において、流れ１３を、触媒循環流３ａ及び触媒補足流と一緒に、管型特性を有する区画化反応器として設計され、予備加熱器（これを用いて反応混合物を３８３Ｋに加熱する。）が設けたれた反応器Ｒ２に導入した。循環触媒と新たな触媒の合計として、１２ｋｇ／ｈの、２０％のＴ３ＰＮ、３％の２Ｍ３ＢＮ及び他のペンテンニトリル異性体、７１％の配位子混合物、そして０．６％のニッケル（０）、更に少量の触媒分解生成物を有する混合物を反応器Ｒ２に導入した。

反応器Ｒ２から得られる生成物として、４３ｋｇ／ｈの流れ１を得たが、流れ１は、５３％のＴ３ＰＮ、１２％の２Ｍ３ＢＮを含んでおり、８０％の２Ｍ３ＢＮの転化率に相当していた。

工程（５）において、流れ１を、蒸留塔Ｋ５に導入したが、蒸留塔Ｋ５には、流下薄膜型蒸発器、塔頂凝縮器、還流分割器、塔の底部領域に気体用の側部取り出し部が設けられており、塔のインターナルは、３０段の理論段を生じさせるものであった。塔を、３７７ミリバールの絶対圧の塔頂圧、３５５Ｋの塔頂温度、そして３６８Ｋの塔底取り出し部温度で運転した。

カラムＫ５において、回収された触媒流３（１１ｋｇ／ｈ）を、底部を介して得たが、触媒流３は、他のペンテンニトリルに加えて、２０％のＴ３ＰＮ、約１％のＭＧＮ、そして０．６％のＮｉ（０）及び５４％の配位子を含んでいた。少量の流れ（流れ３ｂ）を排出して、触媒失活成分及びＭＧＮの蓄積を制限した。排出された触媒の量を補足するために、４０％のペンテンニトリル異性体、１．２％のＮｉ（０）及び５５％の配位子混合物を含む十分に新鮮な触媒を計量導入して、反応器Ｒ２への触媒供給物中におけるＮｉ（０）含有量を０．６％に保持した。

カラムＫ５において、頂部を介して流れ４（１．４ｋｇ／ｈ）を得たが、流れ４は、合計して１８％のＢＤ及びＣ２ＢＵ、４５％の２Ｍ３ＢＮ、２８％のＺ２Ｍ２ＢＮ、そして少量のビニルシクロヘキサン（ＶＣＨ）を含んでいた。カラムＫ５の還流比は、１０ｐｐｍのＴ３ＰＮが流れ４に存在するように調節された。カラムＫ８の頂部から得られる流れ４の取り出し割合は、１０％のＺ２Ｍ２ＢＮとＶＣＨが蒸留塔Ｋ３の頂部取り出し流１３に存在するように調節された。

カラムＫ５において、気体用の側部取り出し部を介して流れ５（２４ｋｇ／ｈ）を得たが、流れ５は、３−ペンテンニトリルの他に、異性化で未転化の２Ｍ３ＢＮを実質的に含み、そして凝縮後、これを液体の状態で上述したようにカラムＫ３に再循環させた。

［実施例３］
図５を参照しつつ実施例３を説明する。

実施例３において、配位子の混合物を有するニッケル（０）錯体に基づく触媒組成物をブタジエンのヒドロシアン化に使用した。ヒドロシアン化のための配位子混合物は、約６０モル％のトリ（ｍ／ｐ−トリル）ホスフィットと４０モル％のキレートのホスホニット２とを含んでいた。

工程（１）において、以下の流れを、それぞれ容量１２Ｌの２基の反応器Ｒ１ａとＲ１ｂからなる系に導入したが、それぞれノズルと、衝撃交換チューブと、外部ポンプ循環系と、反応エネルギーを除去するために外部ポンプ循環路に設けられた熱交換器と、が設けられており、以下の流れを３６３Ｋに加熱した。

（１）６ｋｇ／ｈの、蒸留によって水が除去された安定化されておらず、Ｒ１ａに導入される液体シアン化水素、
（２）６ｋｇ／ｈの、蒸留によって水が除去された安定化されておらず、Ｒ１ｂに導入される液体シアン化水素、
（３）２５ｋｇ／ｈの、水とＴＢＰ安定剤を除去するためにアルミナに接触させて処理し、０．２５質量％のＣ２ＢＵを含み、Ｒ１ａに導入される市販のＢＤ、
（４）工程（２）のカラムＫ２ａから再循環され、Ｒ１ａに導入される２ｋｇ／ｈのＢＤ（流れ９）で、従って、これにより得られる反応器Ｒ１への全ＢＤ供給物は、９８質量％のＢＤ、合計して２質量％のＣ２ＢＵ及び１−ブテンを含む２７ｋｇ／ｈの流れであり、
（５）この実施例において以下に記載したように、カラムＫ２ｂからの流れ１０ａとして得られ、Ｒ１ａに導入される１４ｋｇ／ｈのニッケル（０）触媒溶液。

反応器Ｒ１ｂから取り出された流れ８（５４ｋｇ／ｈ）は、合計で４％のＢＤ及びＣ２ＢＵを含み（９４％のＢＤの転化率に相当）、そしてまた、合計で７４％のペンテンニトリルを含み、そのうちの３１％がＴ３ＰＮ、３７％が２Ｍ３ＢＮ、そして少量のＺ２Ｍ２ＢＮ及びＥ２Ｍ２ＢＮであり、そして他のペンテンニトリル異性体、そして更に触媒成分及び触媒分解生成物及びＭＧＮを含んでいた。

工程（２）において、流れ８を精留塔として操作される蒸留塔Ｋ２ａに供給したが、蒸留塔Ｋ２ａには、流下薄膜型蒸発器が設けられており、そして塔のインターナルは４段の理論段を生じさせる構造化充填物を有していた。塔Ｋ２ａは、塔頂にて直接凝縮器を使用して操作され、直接凝縮器は、以下の構成のカラム部からなるものであり、すなわちカラム部は、不規則充填物が設けられ、そして総合収集カップ、ポンプ循環系及び外部熱交換器を有していた。塔Ｋ２ａは、塔頂圧力が、絶対圧力で０．８バール、塔頂温度が２６３Ｋ、そして塔底取出し部の温度が３９３Ｋで操作された。

冒頭に述べたように、反応器Ｒ１ａへの再循環流として計量導入された流れ９が、塔Ｋ２ａの塔頂を介して得られた。塔Ｋ２ａの塔頂での還流比は、流れ９が０．１％の２Ｍ３ＢＮを含むように調整された。

０．３％のＢＤ、０．１％のＣ２ＢＵ、７６％のペンテンニトリル、そして更に追加的に触媒成分を含む、５２ｋｇ／ｈの流れ１ｂが塔Ｋ２ａの塔底を介して得られた。

工程（２）において、流れ１ｂが蒸留塔Ｋ２ｂに導入されるが、蒸留塔Ｋ２はストリッピング形式で操作され、そして流下薄膜型蒸発器、後凝縮器を有する塔頂凝縮器を備え、塔のインターナルは、４段の理論段を生じさせる構造化充填物を有していた。カラムは、絶対圧で７０ミリバールの塔頂圧力、塔頂温度３３３Ｋ、そして塔底取出し部の温度３７３Ｋで操作された。

カラムＫ２ｂの気体用の側部取出し部において、０．４％のＢＤ、５４％の２Ｍ３ＢＮ及び４２％のＴ３ＰＮ、そして少量のＥ２Ｍ２ＢＮ及びＺ２Ｍ２ＢＮを、他のペンテンニトリル異性体に加えて含む流れ１１（４０ｋｇ／ｈ）を得た。

カラムＫ２ｂ内には、５ｋｇ／ｈの触媒流が導入され、この触媒流は、ＤＥ−Ａ１０２００４００４６８３の実施例１に記載されているように、実施例２の工程（４）で塔Ｋ４の底部取り出しとして得て、合計で４５％のペンテンニトリル、１．１％のＮｉ（０）、３８％の配位子混合物及び約１２％のＡＤＮを含んでいた。

カラムＫ２ｂの塔底を介して触媒流１０を得たが、触媒流１０は、１．２％のＮｉ（０）、０．３％の２Ｍ３ＢＮ、そして１７％の残留ペンテンニトリルを含んでいた。流れ１０を、反応器Ｒ１に部分的に再循環させた（１４ｋｇ／ｈ）（流れ１０ａ）。他の部分（流れ１０ｂ：３．８ｋｇ／ｈ）を、ＤＥ−Ａ−１０３５１００２に記載されている再生処理に供給し、ＤＥ−Ａ−１０２００４００４６８３による３−ペンテンニトリルのヒドロシアン化で使用した。

工程（３）において、流れ１１を蒸留塔Ｋ３に導入したが、蒸留塔Ｋ３には、循環蒸発器及び塔頂凝縮器が設けられ、そして更に４５段の理論段を生じさせる構造化充填物が設けられていた。塔Ｋ３は、絶対圧で１．０バールの塔頂圧力、塔頂温度３９５Ｋ、及び塔底取出し部の温度４１６Ｋで操作された。

工程（６）において、カラムＫ６からの２８ｋｇ／ｈの循環流５がカラムＫ３に導入されるが、循環流５は、７２％のＴ３ＰＮ、１５％の２Ｍ３ＢＮ及び８％のＺ２Ｍ２ＢＮ、そして少量の他のペンテンニトリル異性体を含んでいた。

カラムＫ３の塔頂から、３０ｋｇ／ｈの流れ１３が得られ、流れ１３は、１％のＴ３ＰＮ、８５％の２Ｍ３ＢＮ、８％のＺ２Ｍ２ＢＮ、合計して３％のＢＤ及びＣ２ＢＵ、そして他のペンテンニトリル異性体を含んでいた。カラムＫ３の還流比は、１％のＴ３ＰＮが塔頂で得られるように調節された。

カラムＫ３の塔底から、３８ｋｇ／ｈの流れ１２が得られ、流れ１２は、合計して９７％のＴ３ＰＮ、Ｃ３ＰＮ及び４ＰＮ、更に約１０ｐｐｍの２Ｍ３ＢＮ及び約２％のＥ２Ｍ２ＢＮ、そして少量のＭＧＮ及び他のペンテンニトリル異性体を含んでいた。

実施例３において、配位子の混合物を有するニッケル（０）錯体を基礎とする触媒組成物を、２Ｍ３ＢＮのＴ３ＰＮへの異性化に用いた。異性化のための配位子混合物（以下、異性化配位子と称する）は、フェニル、ｍ−トリル、ｐ−トリル、ｏ−トリルからなる群から選択され、ランダムに分散させたＲ、Ｒ’、Ｒ’’を有するＰ（ＯＲ）（ＯＲ’）（ＯＲ’’）型の混合ホスフィット配位子を含み、そして基Ｒ、Ｒ’、Ｒ’’の合計の少なくとも８０モル％がｍ−トリル及びｐ−トリル基である。かかる配位子混合物を、ｍ−及びｐ−クレゾールの混合物（２：１の混合比を有する）と三ハロゲン化リンとの反応において得た。異性化反応に用いられる促進剤は、ＵＳ３６７６４８１、ＵＳ３８５２３２９及びＵＳ４２９８５４６に記載されているように塩化亜鉛であった。

工程（４）において、流れ１３を、触媒循環流３ａ及び触媒補足流と一緒に、管型特性を有する区画化反応器として設計され、予備加熱器（これを用いて反応混合物を３８３Ｋに加熱する。）が設けたれた反応器Ｒ２に導入した。循環触媒と新たな触媒の合計として、１２ｋｇ／ｈの、２０％のＴ３ＰＮ、３％の２Ｍ３ＢＮ及び他のペンテンニトリル異性体、７１％の異性化配位子、そして０．６％のニッケル（０）、更に少量の触媒分解生成物を有する混合物を反応器Ｒ２に導入した。

反応器Ｒ２から得られる生成物として、４３ｋｇ／ｈの流れ１を得たが、流れ１は、５３％のＴ３ＰＮ、１２％の２Ｍ３ＢＮを含んでおり、８０％の２Ｍ３ＢＮの転化率に相当していた。

工程（５）において、流れ１を、蒸発器段階Ｂ５に導入したが、蒸発器段階Ｂ５には、強制循環蒸発器及び塔頂凝縮器が設けられていた。蒸発器段階Ｂ５を、５１０ミリバールの絶対圧、４０３Ｋの底部取り出し温度及び３６６Ｋの凝縮温度で操作した。

蒸発器段階Ｂ５において、回収された触媒流３（１１ｋｇ／ｈ）を、底部を介して得たが、触媒流３は、他のペンテンニトリルに加えて、２０％のＴ３ＰＮ、約１０％のＭＧＮ、そして０．５％のＮｉ（０）及び６１％の配位子混合物を含んでいた。少量の流れ（流れ３ｂ）を排出して、触媒失活成分及びＭＧＮの蓄積を制限した。排出された触媒の量を補足するために、約１５％のペンテンニトリル異性体、約２．０％のＮｉ（０）、約７０％の異性化配位子、そして以下の濃度、すなわちニッケル（０）に対するＺｎＣｌ₂のモル比が約５に相当する濃度の塩化亜鉛促進剤を含む十分に新鮮な触媒を計量導入して、反応器Ｒ２への触媒供給物中におけるＮｉ（０）含有量を０．６％に保持した。

蒸発器段階Ｂ５において、塔頂凝縮器から流れ２（２５ｋｇ／ｈ）を得たが、流れ２は、１％のＢＤ、６８％のＴ３ＰＮ、１６％の２Ｍ３ＢＮ及び他のペンテンニトリル、そして更に少量のＶＣＨを含んでいた。

工程（６）において、流れ２を蒸留塔Ｋ６に導入したが、蒸留塔Ｋ６は、精留塔として操作され、循環蒸発器、塔頂凝縮器、そして３０段の理論段を生じさせる塔のインターナルが設けられていた。塔を、絶対圧で３４０ミリバールの塔頂圧、３５７Ｋの頂部温度、凝縮器において３１３Ｋ、そして３７３Ｋの底部取り出し温度で操作した。

カラムＫ６の凝縮器において、得られた気相は、ＢＤから実質的になる約１００Ｌ（ＳＴＰ）／ｈの流れであった。

カラムＫ６において、塔頂凝縮器から得られた液相は、流れ４（１１ｋｇ／ｈ）であったが、流れ４は、合計で５％のＢＤ及びＣ２ＢＵ、５０％の２Ｍ３ＢＮ、３０％のＺ２Ｍ２ＢＮ、そして更に少量のビニルシクロヘキサン（ＶＣＨ）を含んでいた。カラムＫ６の還流比は、１ｐｐｍのＴ３ＰＮが流れ４に存在するように調節された。カラムＫ６の頂部から得られた流れ４の取り出し割合は、合計で１０％のＺ２Ｍ２ＢＮ及びＶＣＨが反応器Ｒ２への供給物に存在するように調節された。

カラムＫ６において、塔底部を介して流れ５（２４ｋｇ／ｈ）を得たが、流れ５は、３−ペンテンニトリルの他に、異性化で未転化の２Ｍ３ＢＮを実質的に含み、そしてこれを上述したようにカラムＫ３に再循環させた。

［実施例４］
図６を参照しつつ実施例４を説明する。

実施例４において、配位子の混合物を有するニッケル（０）錯体に基づく触媒組成物をブタジエンのヒドロシアン化に使用した。ヒドロシアン化のための配位子混合物は、約８０モル％のトリ（ｍ／ｐ−トリル）ホスフィットと２０モル％のキレートのホスホニット２とを含んでいた（実施例２を参照）。

工程（１）において、以下の流れを、それぞれ容量が１０Ｌであり、直列に接続した３基の連続撹拌槽Ｒ１ａ、Ｒ１ｂ及びＲ１ｃからなる系に導入したが、以下の流れを３７３Ｋに加熱した。

（１）５．２ｋｇ／ｈの、蒸留によって水が除去された安定化されておらず、Ｒ１ａに導入される液体シアン化水素、
（２）４．０ｋｇ／ｈの、蒸留によって水が除去された安定化されておらず、Ｒ１ｂに導入される液体シアン化水素、
（３）２０ｋｇ／ｈの、工程（２）の蒸発器Ｂ１の凝縮器から流９として得られ、９２％のＢＤ、２％のＴ３ＰＮ、４％の２Ｍ３ＢＮ及び約２％のＣ２ＢＵを含み、Ｒ１ａに供給されるＢＤ、
（４）４．１ｋｇ／ｈの、工程（５）の蒸発器段階Ｂ５から得られる流れ３ａとしてこの実施例で以下に記載したように得られ、Ｒ１ａに供給されるニッケル（０）触媒溶液、
（５）３．７ｋｇ／ｈの、実施例２の工程（４）でカラムＫ４から底部取り出しとして、ＢＡＳＦ ＡＧのドイツ国特許出願（発明の名称：ジニトリルの製造方法（Ｂ０３／０５２５））の実施例３に記載のように得られ、合計で４５％のペンテンニトリル、１．１％のＮｉ（０）、３８％の配位子混合物及び約１２％のＡＤＮを含み、Ｒ１ａに供給されるニッケル（０）触媒溶液。

反応器Ｒ１ｃは、３５３Ｋの条件下、反応器Ｒ１ｂからの溶出液を用いる後反応器（postreactor）として運転された。

反応器Ｒ１ｃから取り出された流れ８（３７ｋｇ／ｈ）は、１％のＢＤ（９８％のＢＤの転化率に相当）、そしてまた合計で８２％のペンテンニトリルを含み、そのうちの３６％がＴ３ＰＮ、４４％が２Ｍ３ＢＮ、そして少量のＺ２Ｍ２ＢＮ及びＥ２Ｍ２ＢＮであり、そして他のペンテンニトリル異性体、そして更に触媒成分及び触媒分解生成物及びＭＧＮを含んでいた。

工程（２）において、流れ８を蒸発器段階Ｂ１に供給したが、蒸発器段階Ｂ１には、循環蒸発器が設けられていた。蒸発器段階Ｂ１は、塔頂において、還流容器から得られる凝縮材料でフラッシュされた凝縮器を用いて運転された。蒸発器段階Ｂ１は、塔頂圧力が、絶対圧力で０．６バール、凝縮温度が２５３Ｋ、そして塔底取出し部の温度が３６３Ｋで操作された。

蒸発器段階Ｂ１の凝縮物収集容器において、１９．５ｋｇ／ｈの、０．２５％のＣ２ＢＵを含む市販のＢＤを計量導入し、分子篩と接触させることによって処理し、その際に、用いられたＢＤの水含有量は、１０質量ｐｐｍ未満の水まで取り除かれた。

蒸発器段階Ｂ１の凝縮物収集容器から、流れ９を、循環ブタジエンと新たに計量導入したブタジエンの合計として取り出し、上述したように反応器Ｒ１ａに再循環させた。

蒸発器段階Ｂ１の底部を介して、３７ｋｇ／ｈの流れ１１ｂを得たが、流れ１１ｂは、１％のＢＤ、８２％のペンテンニトリル、そして更に追加的な触媒成分を含んでいた。

工程（４）において、流れ１１ｂを、３８３Ｋまで加熱され、下流側に遅延領域を有する撹拌槽として設計される反応器Ｒ２に導入し、そして２Ｍ３ＢＮをニッケル触媒の存在下にＴ３ＰＮに異性化した。

ペンテンニトリル循環流５を反応器Ｒ２（１０ｋｇ／ｈ）に導入し、工程（６）において、６０％の２Ｍ３ＢＮ、合計で１０％のＴ３ＰＮ並びに他のペンテンニトリル異性体、そして更にＶＣＨ及び少量のＢＤを含む底部生成物としてカラム６から得た。

反応器Ｒ２から、流れ１を得たが（４５ｋｇ／ｈ）、流れ１は、６２％のＴ３ＰＮ及び１４％の２Ｍ３ＢＮ（２Ｍ３ＢＮのＴ３ＰＮへの７０％の転化率に相当）、そして更に触媒成分を含んでいた。

工程（５）において、流れ１を、蒸発器段階Ｂ５に導入したが、蒸発器段階Ｂ５には、流下薄膜型蒸発器及び凝縮器が設けられ、５０ミリバールの絶対圧及び３９３Ｋの底部取り出し温度で操作した。

蒸発器段階Ｂ５の凝縮器から、流れ２を得たが（３８ｋｇ／ｈ）、９１％のペンテンニトリル異性体及び約１％のＢＤ、そして少量のＥ２Ｍ２ＢＮ、Ｚ２Ｍ２ＢＮ及びＶＣＨを含んでいた。

蒸発器段階Ｂ５の底部を介して、触媒流３を得たが（７．２ｋｇ／ｈ）、１．２％のＮｉ（０）、０．１％の２Ｍ３ＢＮ及び１５％の残留ペンテンニトリルを含んでいた。流れ３を部分的に反応器Ｒ１に再循環させた（流れ３ａ；４．１ｋｇ／ｈ）。残り（流れ３ｂ）を、ＤＥ−Ａ１０３５１００２による再生処理に供給し、そして再生処理の後、例えば、ＤＥ−Ａ−１０２００４００４６８３の実施例２に記載されているように、３−ペンテンニトリルのヒドロシアン化で使用するか、或いは適宜、塩化亜鉛を除去した後に、ブタジエンをヒドロシアン化する本発明の方法の触媒として再び使用することができる。

工程（３）において、流れ２を蒸留塔Ｋ３に導入したが、蒸留塔Ｋ３には、強制循環蒸発器及び塔頂凝縮器、そして更に３０段の理論段を生じさせる塔のインターナルが設けられていた。塔Ｋ３は、絶対圧で１２０ミリバールの塔頂圧力、塔頂温度３３４Ｋ、及び塔底取出し部の温度３５２Ｋで操作された。

塔Ｋ３の頂部から、１０ｋｇ／ｈの流れ１３を得たが、流れ１３は、５％のＴ３ＰＮ、６０％の２Ｍ３ＢＮ、４％のＺ２Ｍ２ＢＮ、そして更に合計で４％のＢＤ及びＣ２ＢＵ、そして主としてＶＣＨの残留物を含んでいた。カラムＫ３の還流比は、５％のＴ３ＰＮが塔頂から得られるように調節された。

カラムＫ３の塔底から、２７ｋｇ／ｈの流れ１２が得られ、流れ１２は、合計して９８％のＴ３ＰＮ、Ｃ３ＰＮ及び４ＰＮ、そして約１０００ｐｐｍの２Ｍ３ＢＮ及び約２％のＥ２Ｍ２ＢＮを含んでいた。

工程（６）において、流れ１３を蒸留塔Ｋ６に導入したが、蒸留塔Ｋ６は、精留塔として操作され、強制循環蒸発器、塔頂凝縮器、還流分割器、そして１５段の理論段を生じさせ、構造化充填物を有する塔のインターナルが設けられていた。カラムＫ６を、絶対圧で３８０ミリバールの塔頂圧、３６１Ｋの頂部温度、そして３６５Ｋの底部取り出し温度で操作した。

カラムＫ６において、塔頂から液体流４（０．６ｋｇ／ｈ）を得たが、流れ４は、合計で４％のＢＤ及びＣ２ＢＵ、５４％の２Ｍ３ＢＮ、３８％のＺ２Ｍ２ＢＮ、そして更に２．５％のビニルシクロヘキサン（ＶＣＨ）を含んでいた。カラムＫ６の頂部から得られた流れ４の取り出し割合は、合計で３０％のＺ２Ｍ２ＢＮ及びＶＣＨがカラムＫ３の頂部取り出し流１３に存在するように調節された。カラムＫ６において、部分凝縮器として操作される塔頂凝縮器において気体流（１９５Ｌ（ＳＴＰ）／ｈ）を得たが、実質的にＢＤを含んでいた。

カラムＫ６において、塔底部を介して流れ５（９．４ｋｇ／ｈ）を得たが、流れ５は、３−ペンテンニトリルの他に、異性化で未転化の２Ｍ３ＢＮを実質的に含み、そしてこれを上述したように異性化反応器Ｒ２に再循環させた。

［実施例５］
図７を参照しつつ実施例５を説明する。

実施例５において、配位子の混合物を有するニッケル（０）錯体に基づく触媒組成物をＢＤのヒドロシアン化に使用した。ヒドロシアン化のための配位子混合物は、約８０モル％のトリ（ｍ／ｐ−トリル）ホスフィットと２０モル％のキレートのホスホニット１とを含んでいた（実施例１を参照）。

工程（１）において、以下の流れを、それぞれ容量が５０Ｌであり、直列に接続した２基の連続撹拌槽Ｒ１ａ及びＲ１ｂからなる系に導入したが、以下の流れを３６３Ｋに加熱した。

（１）１８ｋｇ／ｈの、蒸留によって水が除去された安定化されておらず、反応器Ｒ１ａ及びＲ１ｂに同じ分量で導入される液体シアン化水素、
（２）６２ｋｇ／ｈの、工程（２）の蒸発器Ｂ１の頂部から流９として得られ、８７％のＢＤ、３％のＴ３ＰＮ、６％の２Ｍ３ＢＮ及び約２％のＣ２ＢＵを含み、Ｒ１ａに供給されるＢＤ、
（３）６１ｋｇ／ｈの、工程（５）の蒸発器段階Ｂ５から得られる流れ３ａとしてこの実施例で以下に記載したように得られ、Ｒ１ａに供給されるニッケル（０）触媒溶液、
（４）６．７ｋｇ／ｈの、実施例２の工程（４）でカラムＫ４から底部取り出しとして得られ、ＢＡＳＦ ＡＧのドイツ国特許出願（発明の名称：ジニトリルの製造方法）（Ｂ０３／０５２５）の実施例１に記載のように、合計で４５％のペンテンニトリル、１．１％のＮｉ（０）、３８％の配位子混合物及び約１２％のＡＤＮを含み、Ｒ１ａに供給されるニッケル（０）触媒溶液（但し、ブタジエン流及び触媒流を、シアン化水素と接触させる前に予備混合する。）。

反応器Ｒ１ｂから取り出された流れ８（１７７ｋｇ／ｈ）は、１１％のＢＤ（ＢＤの転化率が６６％に相当する）、合計で６４％のペンテンニトリルを含み、そのうちの３２％がＴ３ＰＮ、３０％が２Ｍ３ＢＮ、そして少量のＺ２Ｍ２ＢＮ及びＥ２Ｍ２ＢＮであり、そして他のペンテンニトリル異性体、そして更に触媒成分及び触媒分解生成物を含んでいた。

工程（２）において、流れ８を蒸発器段階Ｂ１に供給したが、蒸発器段階Ｂ１には、流下薄膜型蒸発器が設けられていた。蒸発器段階Ｂ１は、塔頂において、還流容器から得られる凝縮材料（凝縮物質）でフラッシュされた凝縮器を用いて運転された。蒸発器段階Ｂ１は、塔頂圧力が、絶対圧力で１．３バール、凝縮温度が２７８Ｋ、そして塔底取出し部の温度が４０３Ｋで操作された。

蒸発器段階Ｂ１の凝縮物収集容器において、３７ｋｇ／ｈの、０．２５％のＣ２ＢＵを含む市販のＢＤを計量導入し、分子篩と接触させることによって処理し、その際に、用いられたＢＤの水含有量は、５質量ｐｐｍ未満の水まで取り除かれ、そして用いられたＢＤに含まれるＴＢＰ安定剤がｐｐｍ規模の濃度で、凝縮物収集容器及び凝縮器のフラッシュ循環路に到達した。

蒸発器段階Ｂ１の凝縮物収集容器から、流れ９を、循環ＢＤと新たに計量導入したＢＤの合計として取り出し、上述したように反応器Ｒ１ａに再循環させた。

蒸発器段階Ｂ１の底部を介して、１５２ｋｇ／ｈの流れ１１ｂを得たが、流れ１１ｂは、０．９％のＢＤ、１６％の２Ｍ３ＢＮ、５１％のＴ３ＰＮ、そして他のペンテンニトリル異性体、そして更に追加的な触媒成分を含んでいた。蒸発段階の底部溶出液の組成により、蒸発器Ｂ１の底部において、２Ｍ３ＢＮのＴ３ＰＮへの転化率が５０％となる。

工程（５）において、流れ１１ｂを、流下薄膜型蒸発器と凝縮器を備えかつ絶対圧が２６０ミリバール、塔底取り出し温度が３８３Ｋの条件下で操作される蒸発処理段階Ｂ５に導入した。

蒸発器段階Ｂ５から、流れ２を気体の状態で得たが（８３ｋｇ／ｈ）、９３％のペンテンニトリル異性体及び約１％のＢＤ、そして少量のＥ２Ｍ２ＢＮ、Ｚ２Ｍ２ＢＮ及びＶＣＨを含んでいた。流れ２を工程（３）において蒸留塔Ｋ３に導入した。

蒸発器段階Ｂ５の底部を介して、触媒流３を得たが（６９ｋｇ／ｈ）、０．６％のＮｉ（０）、２％の２Ｍ３ＢＮ及び４２％の残留ペンテンニトリルを含んでいた。流れ４の殆どを反応器Ｒ１に再循環させた（６１．４ｋｇ／ｈ）。残り（流れ３ｂ）を、ＤＥ−Ａ１０３５１００２による再生処理に供給し、そして例えば、ＤＥ−Ａ−１０２００４００４６８３の実施例１に記載されているように、３−ペンテンニトリルのヒドロシアン化で使用することができる。

工程（３）において、流れ２を気体の状態で蒸留塔Ｋ３に導入したが、蒸留塔Ｋ３には、強制循環フラッシュ蒸発器及び塔頂凝縮器、そして更に３０段の理論段を生じさせる構造化充填物が設けられていた。塔Ｋ３は、絶対圧で８０ミリバールの塔頂圧力、塔頂温度３７５Ｋ、及び塔底取出し部の温度３４３Ｋで操作された。

塔Ｋ３の頂部から、３６ｋｇ／ｈの流れ１３を得たが、流れ１３は、１５％のＴ３ＰＮ、６４％の２Ｍ３ＢＮ、３％のＺ２Ｍ２ＢＮ、そして更に合計で４％のＢＤ及びＣ２ＢＵ、そして主としてＶＣＨの残留物を含んでいた。カラムＫ３の還流比は、１５％のＴ３ＰＮが塔頂から得られるように調節された。

カラムＫ３の塔底から、４７ｋｇ／ｈの流れ１２が得られ、流れ１２は、合計して９８％のＴ３ＰＮ、Ｃ３ＰＮ及び４ＰＮ、そして約１００ｐｐｍの２Ｍ３ＢＮ及び約１％のＥ２Ｍ２ＢＮを含んでいた。

工程（６）において、流れ１３を蒸留塔Ｋ６に導入したが、蒸留塔Ｋ６は、精留塔として操作され、強制循環蒸発器、塔頂凝縮器、還流分割器、そして４５段の理論段を生じさせ、構造化充填物を有する塔のインターナルが設けられていた。カラムを、絶対圧で３２０ミリバールの塔頂圧、２８８Ｋの頂部温度、そして３６３Ｋの底部取り出し温度で操作した。

カラムＫ６において、塔頂から液体流４を得たが（６．８ｋｇ／ｈ）、流れ４は、合計で１０％のＢＤ及びＣ２ＢＵ、８０％の２Ｍ３ＢＮ、８％のＺ２Ｍ２ＢＮ、そして更に０．５％のビニルシクロヘキサン（ＶＣＨ）を含んでいた。カラムＫ６の頂部から得られた流れ４の取り出し割合は、合計で１５％のＺ２Ｍ２ＢＮ及びＶＣＨがカラムＫ３の頂部取り出し流３に存在するように調節された。カラムＫ６において、部分凝縮器として操作される塔頂凝縮器において気体流（２６３Ｌ（ＳＴＰ）／ｈ）を得たが、実質的にＢＤを含んでいた。

カラムＫ６において、塔底部を介して流れ５（２８．７ｋｇ／ｈ）を得たが、流れ５は、３−ペンテンニトリルの他に、異性化で未転化の２Ｍ３ＢＮを実質的に含み、そしてこれを上述したようにヒドロシアン化反応器Ｒ１に再循環させた。

［実施例６］
図８を参照しつつ実施例６を説明する。

実施例８において、配位子としてキレートのホスホニット１を有するニッケル（０）錯体に基づく触媒組成物をＢＤのヒドロシアン化に使用した（実施例１を参照）。

工程（１）において、３６３Ｋに加熱され、容量３０Ｌの連続操作撹拌槽Ｒ１に、以下の流れを供給した。

（１）１６ｋｇ／ｈの、蒸留によって水を除去した安定化されていない液体シアン化水素、
（２）５５ｋｇ／ｈの、８７％のＢＤ、３％のＴ３ＰＮ、６％の２Ｍ３ＢＮ及び約２％のＣ２ＢＵを含み、工程（２）の蒸発器Ｂ１の頂部から得られる流れ９としてのＢＤ、
（３）１０ｋｇ／ｈの、工程（５）の蒸発器段階Ｂ５から得られる流３ａとして、この実施例で以下に示すようにして得られ、合計で４２％のペンテンニトリル、２３％の配位子、０．９％のニッケル（０）、約１０％のＡＤＮ及びＭＧＮを含むニッケル（０）触媒溶液、
（４）４ｋｇ／ｈの、合計で４５％のペンテンニトリル、１．５％のニッケル（０）及び４８％の配位子を含み、反応器Ｒ１に供給されるニッケル（０）触媒溶液。

反応器Ｒ１から取り出された流れ８（８９ｋｇ／ｈ）は、１７％のＢＤ（ＢＤの転化率が７１％に相当する）、合計で７３％のペンテンニトリルを含み、そのうちの３２％がＴ３ＰＮ、３６％が２Ｍ３ＢＮ、そして少量のＺ２Ｍ２ＢＮ及びＥ２Ｍ２ＢＮであり、そして更に触媒成分及び触媒分解生成物を含んでいた。

工程（２）において、流れ８を蒸発器段階Ｂ１に供給したが、蒸発器段階Ｂ１には、流下薄膜型蒸発器が設けられていた。蒸発器段階Ｂ１は、塔頂において、還流容器から得られる凝縮材料でフラッシュされた凝縮器を用いて運転された。蒸発器段階Ｂ１は、塔頂圧力が、絶対圧力で１．３バール、凝縮温度が２７８Ｋ、そして塔底取出し部の温度が４０３Ｋで操作された。

蒸発器段階Ｂ１の凝縮物収集容器において、３４ｋｇ／ｈの、０．２５％のＣ２ＢＵを含む市販のＢＤを計量導入し、アルミナと接触させることによって処理し、その際に、用いられたＢＤの水含有量は、１０質量ｐｐｍ未満の水まで取り除かれ、そしてＴＢＰ含有量は、１０ｐｐｍ未満にされた。

蒸発器段階の凝縮物収集容器から、流れ９を、循環ブタジエンと新たに計量導入したブタジエンの合計として取り出し、上述したように反応器Ｒ１ａに再循環させた。

蒸発器段階Ｂ１の底部を介して、７６ｋｇ／ｈの流れ５を得たが、流れ５は、０．８％のＢＤ、１２％の２Ｍ３ＢＮ、６９％のＴ３ＰＮ、そして他のペンテンニトリル異性体、そして更に追加的な触媒成分を含んでいた。蒸発段階の底部溶出液の組成により、蒸発器Ｂ１の底部において、２Ｍ３ＢＮのＴ３ＰＮへの転化率が７５％となった。

工程（５）において、流れ５を、流下薄膜型蒸発器と凝縮器を備えかつ絶対圧が２２０ミリバール、塔底取り出し温度が３８１Ｋの条件下で操作される蒸発処理段階Ｂ５に導入した。

蒸発器段階Ｂ５から、流れ２を気体の状態で得たが（５８ｋｇ／ｈ）、９７％のペンテンニトリル異性体及び約１％のＢＤ、そして少量のＥ２Ｍ２ＢＮ、Ｚ２Ｍ２ＢＮ及びＶＣＨを含んでいた。

蒸発器段階Ｂ５の底部を介して、触媒流３を得たが（１７ｋｇ／ｈ）、０．９％のＮｉ（０）、０．３％の２Ｍ３ＢＮ及び４２％の残留ペンテンニトリルを含んでいた。流れ３の殆どを反応器Ｒ１に再循環させた（１０ｋｇ／ｈ：流れ３ａ）。残り（流れ３ｂ）を、ＵＳ２００３／０１００４４２による再生処理に供給し、そして再生後に、例えば、３−ペンテンニトリルのヒドロシアン化で使用するか、或いは本発明の方法において、ＢＤのヒドロシアン化の工程に再循環させても良い。

流れ２を凝縮し、そして工程（３）において、流れ２を液体の状態で蒸留塔Ｋ３に導入したが、蒸留塔Ｋ３には、強制循環蒸発器及び塔頂凝縮器、そして更に５０段の理論段を生じさせる構造化充填物が設けられていた。塔Ｋ３は、絶対圧で２００ミリバールの塔頂圧力、塔頂温度３４２Ｋ、及び塔底取出し部の温度３６６Ｋで操作された。

塔Ｋ３の頂部から流れ４を得たが、流れ４は、１０％のＢＤ、１８％のＺ２Ｍ２ＢＮ、６８％の２Ｍ３ＢＮ、そして更に他のペンテンニトリル異性体及びＶＣＨを含んでいた。カラムＫ３の還流比は、頂部取り出し流が１８％のＺ２Ｍ２ＢＮを含むように調節された。

カラムＫ３の液体用側部取り出し部において、８ｋｇ／ｈの流れ１３を得たが、流れ１３は、０．５％のＴ３ＰＮ、８５％の２Ｍ３ＢＮ、５％のＺ２Ｍ２ＢＮ、１０％のＢＤを含んでいた。流れ１３を蒸発器段階Ｂ１に再循環させた。

カラムＫ３の底部から４７ｋｇ／ｈの流れ１２を得たが、流れ１２は、合計で９８％のＴ３ＰＮ、Ｃ３ＰＮ及び４ＰＮ、そして更に１００ｐｐｍの２Ｍ３ＢＮ及び約１％のＥ２Ｍ２ＢＮを含んでいた。

以下の全ての実験は、保護ガス雰囲気下で行われた。

ニッケル（０）［ｏ−イソプロピルフェニル_0.8ｍ−／ｐ−トリル_3.2ホスフィット］₁₈（略して、イソプロピル触媒）は、１９質量％の３ＰＮと８０質量％のｏ−イソプロピルフェニル_0.8ｍ−／ｐ−トリル_3.2ホスフィットとを有する１．０質量％のニッケル（０）の溶液に相当していた。

ＢＤの２Ｍ３ＢＮ／３ＰＮへの連続ヒドロシアン化の例：
［実施例７］（比較実施例）
（ＢＤ／ＨＣＮ比＝１．４：１）
２．１１モルの湿潤且つ安定化ブタジエン（１００ｐｐｍの水、１００ｐｐｍのＴＢＰ）、１．５５モルのＨＣＮ及び１４ミリモルの、イソプロピル触媒の形のＮｉを１時間ごとに加圧反応器（圧力：１５バール、内部温度：１０５℃、滞留時間：約４０分／反応器）に供給した。容量分析によれば、ＨＣＮ転化率は、定量的であった（Ｖｏｌｌｈａｒｄｔ滴定）。反応流出液の２Ｍ３ＢＮ／３ＰＮ比は、ガスクロマトグラフィにより決定した（ＧＣ面積％）。２Ｍ３ＢＮ／３ＰＮ比は、１．９５／１であった。形成された価値ある生成物に対するＮｉ（０）の損失は、価値ある生成物に対して、０．５８ｋｇのＮｉ（０）／ｔであった。

［実施例８］
（ＢＤ／ＨＣＮ比＝１．４：１）
４オングストロームの分子篩の床で乾燥した２．１３モルのブタジエン、１．５３モルのＨＣＮ及び１４ミリモルの、イソプロピル触媒の形のＮｉを１時間ごとに加圧反応器（圧力：１５バール、内部温度：１０５℃、滞留時間：約４０分／反応器）に供給した。容量分析によれば、ＨＣＮ転化率は、定量的であった（Ｖｏｌｌｈａｒｄｔ滴定）。反応流出液の２Ｍ３ＢＮ／３ＰＮ比は、ガスクロマトグラフィにより決定した（ＧＣ面積％）。２Ｍ３ＢＮ／３ＰＮ比は、１．９５／１であった。形成された価値ある生成物に対するＮｉ（０）の損失は、価値ある生成物に対して、０．１４ｋｇのＮｉ（０）／ｔであった（３ＰＮ／２Ｍ３ＢＮ）。

［実施例９］
（ＢＤ／ＨＣＮ比＝１．２：１）
アルミナ床で乾燥した２．０９モルのブタジエン、１．６７モルのＨＣＮ及び１４ミリモルの、イソプロピル触媒の形のＮｉを１時間ごとに加圧反応器（圧力：１５バール、内部温度：１０５℃、滞留時間：約４５分／反応器）に供給した。容量分析によれば、ＨＣＮ転化率は、定量的であった（Ｖｏｌｌｈａｒｄｔ滴定）。反応流出液の２Ｍ３ＢＮ／３ＰＮ比は、ガスクロマトグラフィにより決定した（ＧＣ面積％）。２Ｍ３ＢＮ／３ＰＮ比は、１．９５／１であった。形成された価値ある生成物に対するＮｉ（０）の損失は、価値ある生成物に対して、０．１０ｋｇ未満のＮｉ（０）／ｔであった（３ＰＮ／２Ｍ３ＢＮ）。

２Ｍ３ＢＮの３ＰＮへの連続異性化の例：

［実施例１０］
実施例８で調製されたヒドロシアン化溶出液を集め、過剰のＢＤを蒸留除去した。これにより得られた混合物を１時間で１３０℃に加熱した。０分、３０分及び１時間後、ＧＣサンプルを反応混合物から採取し、ＧＣクロマトグラフィで分析した（ＧＣ面積％）。

循環ヒドロシアン化触媒を用いた２Ｍ３ＢＮの２Ｍ２ＢＮへの不正確な異性化の例：

［実施例１１］
ｔ＝０時間において６４９ｇの新鮮なイソプロピルを充填した触媒触媒貯槽から、１００ｇのイソプロピル触媒を連続的に取り出し、２．１４モルの、アルミナ床で乾燥したブタジエン、そして更に１．６７モルのＨＣＮと一緒に、１時間ごとに加圧反応器（圧力：１５バール、内部温度：１０５℃、滞留時間：約４５分／反応器）に供給した。容量分析によれば、ＨＣＮ転化率は、定量的であった（Ｖｏｌｌｈａｒｄｔ滴定）。価値ある生成物を、サンバイ蒸留（Sambay distillation）により触媒から連続的に除去し、これにより得られた返還触媒を貯槽に再循環させた。反応は５０時間に亘って運転され、依然として在るヒドロシアン化活性触媒を、２Ｍ２ＢＮ副成分が形成開始したので排出した。これにより得られた触媒を異性化実験に付した。

［実施例１２］（比較実施例）
１０ｇの異性化触媒に、２Ｍ３ＢＮ（１５ｇ）を補充し、１２０℃で５時間加熱した。２Ｍ３ＢＮの８９％の転化率で（ＧＣ面積％）、８．６％の不適当な異性体（２Ｍ２ＢＮ）を見出した。

［実施例１３］
ｎ−ヘプタン（１００ｇ）及びアジポニトリル（５０ｇ）を実施例１１の異性化触媒（１００ｇ）に添加し、そして混合物を撹拌した（１５分）。相分離の後（３０分）、下相を排出した。上相の一部（５０ｇのヘプタン＋異性化触媒）に２Ｍ３ＢＮ（２１ｇ）を補充し、１２０℃で５時間加熱した。２Ｍ３ＢＮの９５％の転化率で（ＧＣ面積％）、２．０％の不適当な異性体（２Ｍ２ＢＮ）を見出した。

［実施例１４］
第１の抽出（実施例１２）から得た上相の残留物を、アジポニトリル（３７．５ｇ）と再び混合し、そして撹拌した。相分離の後、上相の一部をロータリエバポレータで再び凝縮し、残留物（９．３ｇ）に２Ｍ３ＢＮ（１４ｇ）を補充した。１２０℃で５時間後、９４％の２Ｍ３ＢＮの転化率（ＧＣ面積％）及び０．７％の不適当な異性化を見出した。

連続的に使用される異性化触媒による２Ｍ３ＢＮの２Ｍ２ＢＮへの不適当な異性化の例：

［実施例１５］
２Ｌの反応器に、４５０ｇ／ｈの２Ｍ３ＢＮと連続的に混合した３００ｇのイソプロピル触媒を導入し、１３０℃に加熱した。６０分の滞留時間で、反応器の内容物を取り出し、連続的に蒸留することによって後処理し、そして底部に残った異性化触媒を再循環させた。反応は５０時間に亘って運転され、依然として在る異性化活性触媒を、２Ｍ３ＢＮの不適当な異性化が開始したので排出した。これにより得られた触媒を異性化実験に付した。

［実施例１６］
１０ｇの異性化触媒に２Ｍ３ＢＮ（１５ｇ）を補充し、１２０℃で５時間加熱した。９０％の２Ｍ３ＢＮの転化率（ＧＣ体積％）で、９．８％の不適当な異性体（２Ｍ２ＢＮ）を見出した。

［実施例１７］
ｎ−ヘプタン（１００ｇ）及びアジポニトリル（５０ｇ）を実施例１６の異性化触媒（１００ｇ）に添加し、そして混合物を撹拌した（１５分）。相分離の後（３０分）、下相を排出した。上相の一部（５０ｇのヘプタン＋異性化触媒）をロータリエバポレータで凝縮した。残留物（１４ｇ、異性化触媒）に２Ｍ３ＢＮ（２１ｇ）を補充し、１２０℃で５時間加熱した。２Ｍ３ＢＮの９３％の転化率で（ＧＣ面積％）、２．４％の不適当な異性体（２Ｍ２ＢＮ）を見出した。

［実施例１８］
第１の抽出（実施例１７）から得た上相の残留物を、アジポニトリル（３７．５ｇ）と再び混合し、そして撹拌した。相分離の後、上相の一部をロータリエバポレータで再び凝縮し、残留物（９．３ｇ）に２Ｍ３ＢＮ（１４ｇ）を補充した。１２０℃で５時間後、９３％の２Ｍ３ＢＮの転化率（ＧＣ面積％）及び０．６％の不適当な異性化を見出した。

第１実施の形態を説明する図である。 第２実施の形態を説明する図である。 実施例１を説明する図である。 実施例２を説明する図である。 実施例３を説明する図である。 実施例４を説明する図である。 実施例５を説明する図である。 実施例６を説明する図である。 第１のヒドロシアン化後に触媒の除去を行わない触媒循環の流れ図である。 第１のヒドロシアン化後に触媒の除去を行う触媒循環の流れ図（代案１）である。 第１のヒドロシアン化後に触媒の除去を行う触媒循環の流れ図（代案２）である。 第１のヒドロシアン化後に触媒の除去を行う触媒循環の流れ図（代案３）である。 第１のヒドロシアン化後に触媒の除去を行う触媒循環の流れ図（代案４）である。

Claims (16)

1. 以下の処理工程：
   （ａ）２−メチル−３−ブテンニトリルを含む反応物質流を、少なくとも１種の溶解又は分散状態の異性化触媒上で異性化して、少なくとも１種の異性化触媒、２−メチル−３−ブテンニトリル、３−ペンテンニトリル及び（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを含む流れ１を得る工程、
   （ｂ）流れ１を蒸留して、２−メチル−３−ブテンニトリル、３−ペンテンニトリル及び（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを含む流れ２を頂部生成物として得て、そして少なくとも１種の異性化触媒を含む流れ３を底部生成物として得る工程、
   （ｃ）流れ２を蒸留して、流れ２における全てのペンテンニトリルの合計に対して（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを流れ２より豊富に含む流れ４を頂部生成物として得て、そして流れ２における全てのペンテンニトリルの合計に対して３−ペンテンニトリル及び２−メチル−３−ブテンニトリルを流れ２より豊富に含む流れ５を底部生成物として得る工程、
   （ｄ）流れ５を蒸留して、３−ペンテンニトリルを含む流れ６を底部生成物として得て、そして２−メチル−３−ブテンニトリルを含む流れ７を頂部生成物として得る工程、
   を含み、且つ処理工程（ｄ）で得られた（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルが減少した２−メチル−３−ブテンニトリルを処理工程（ａ）に再循環させることを特徴とする３−ペンテンニトリルの製造方法。
2. 反応物質流を、以下の処理工程：
   （ｅ）１，３−ブタジエンを少なくとも１種のヒドロシアン化触媒上でシアン化水素を用いてヒドロシアン化して、少なくとも１種のヒドロシアン化触媒、３−ペンテンニトリル、２−メチル−３−ブテンニトリル、１，３−ブタジエン及びシアン化水素の残留物を含む流れ８を得る工程、
   （ｆ）流れ８を１回以上蒸留して、１，３−ブタジエンを含む流れ９と、少なくとも１種のヒドロシアン化触媒を含む流れ１０と、３−ペンテンニトリル及び２−メチル−３−ブテンニトリルを含む流れ１１と、を得る工程、
   （ｇ）流れ１１を蒸留して、３−ペンテンニトリルを含む流れ１２を底部生成物として得て、そして２−メチル−３−ブテンニトリルを含む流れ１３を頂部生成物として得る工程、
   により得る請求項１に記載の方法。
3. 処理工程（ｄ）及び（ｇ）を同じ蒸留装置で行い、その場合、流れ６及び１２並びに流れ７及び１３が同時に生じる請求項２に記載の方法。
4. 以下の処理工程：
   （ａ）２−メチル−３−ブテンニトリルを含む反応物質流を、少なくとも１種の溶解又は分散状態の異性化触媒上で異性化して、少なくとも１種の異性化触媒、２−メチル−３−ブテンニトリル、３−ペンテンニトリル及び（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを含む流れ１を得る工程、
   （ｂ）流れ１を蒸留して、２−メチル−３−ブテンニトリル、３−ペンテンニトリル及び（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを含む流れ２を頂部生成物として得て、そして少なくとも１種の異性化触媒を含む流れ３を底部生成物として得る工程、
   （ｃ）流れ２を蒸留して、流れ２における全てのペンテンニトリルの合計に対して（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを流れ２より豊富に含む流れ４を頂部生成物として得て、そして流れ２における全てのペンテンニトリルの合計に対して３−ペンテンニトリル及び２−メチル−３−ブテンニトリルを流れ２より豊富に含む流れ５を底部生成物として得る工程、
   を含み、且つ
   前記反応物質流を、以下の処理工程：
   （ｅ）１，３−ブタジエンを少なくとも１種のヒドロシアン化触媒上でシアン化水素を用いてヒドロシアン化して、少なくとも１種のヒドロシアン化触媒、３−ペンテンニトリル、２−メチル−３−ブテンニトリル、１，３−ブタジエン及びシアン化水素の残留物を含む流れ８を得る工程、
   （ｆ）流れ８を１回以上蒸留して、１，３−ブタジエンを含む流れ９と、少なくとも１種のヒドロシアン化触媒を含む流れ１０と、３−ペンテンニトリル及び２−メチル−３−ブテンニトリルを含む流れ１１と、を得る工程、
   （ｇ）流れ１１を蒸留して、３−ペンテンニトリルを含む流れ１２を底部生成物として得て、そして２−メチル−３−ブテンニトリルを含む流れ１３を頂部生成物として得る工程、
   により得る３−ペンテンニトリルの製造方法であって、
   処理工程（ｃ）及び（ｇ）を共通の蒸留塔で行い、処理工程（ｂ）から得た流れ２及び処理工程（ｆ）から得た流れ１１を処理工程（ｇ）に導き、そして処理工程（ｇ）において、流れ４を、（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを含む頂部生成物として得て、流れ１２を、３−ペンテンニトリルを含む底部生成物として得て、流れ１３を、２−メチル−３−ブテンニトリルを含む側部取り出し流として得、且つ流れ１３を工程（ａ）に再循環させることを特徴とする３−ペンテンニトリルの製造方法。
5. 処理工程（ｂ）の流れ３において得られる少なくとも１種の異性化触媒を処理工程（ａ）に再循環させる請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
6. 処理工程（ｂ）及び（ｃ）を１基の蒸留装置で同時に行い、その場合、少なくとも１種の異性化触媒を含む流れ３を底部生成物として得て、（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを含む流れ４を頂部生成物として得て、そして３−ペンテンニトリル及び２−メチル−３−ブテンニトリルを含む流れ５を塔の側部取り出し部から得る請求項１〜３及び５のいずれか１項に記載の方法。
7. 処理工程（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）を１基の蒸留装置で同時に行い、その場合、（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを含む流れ４を頂部生成物として得て、３−ペンテンニトリル及び２−メチル−３−ブテンニトリルを含む流れ５を蒸留装置の側部取り出し部から得て、そして異性化触媒が蒸留塔の底部に残留する請求項１〜３及び５のいずれか１項に記載の方法。
8. 異性化触媒が、ニッケル（０）、リガンドとしてニッケル（０）とキレート化する３価のリン含有化合物及び適宜ルイス酸を含む請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
9. 処理工程（ｂ）の圧力及び温度は、異性化触媒の活性が処理工程（ａ）のときより低くなるか、又は異性化触媒が不活性となるように設定される請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
10. ヒドロシアン化触媒と異性化触媒が同一である請求項２〜８のいずれか１項に記載の方法。
11. 以下の処理工程：
    （ａ^*）２−メチル−３−ブテンニトリルを含む反応物質流を、少なくとも１種の溶解又は分散状態の異性化触媒上で異性化して、少なくとも１種の異性化触媒、２−メチル−３−ブテンニトリル、３−ペンテンニトリル及び（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを含む流れ１を得る工程、
    （ｂ^*）流れ１を蒸留して、２−メチル−３−ブテンニトリル、３−ペンテンニトリル及び（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを含む流れ２を頂部生成物として得て、そして少なくとも１種の異性化触媒を含む流れ３を底部生成物として得る工程、
    （ｃ^*）流れ２を蒸留して、流れ２における全てのペンテンニトリルの合計に対して（Ｚ）−２−メチル−２−ブテンニトリルを流れ２より豊富に含む流れ４を頂部生成物として得て、そして流れ２における全てのペンテンニトリルの合計に対して３−ペンテンニトリル及び２−メチル−３−ブテンニトリルを流れ２より豊富に含む流れ５を底部生成物として得る工程、
    （ｄ^*）流れ５を蒸留して、３−ペンテンニトリルを含む流れ６を底部生成物として得て、そして２−メチル−３−ブテンニトリルを含む流れ７を頂部生成物として得る工程、
    （ｈ^*）流れ３からの副流１４及び流れ１０からの副流１６における触媒をニッケル（０）含有量を補充するために再生して、流れ１８を生じさせる工程、
    （ｉ^*）適宜、希釈剤Ｆを流れ１８に添加して、流れ１９を生じさせる工程、
    （ｊ^*）ジニトリル流２０及び炭化水素流２１を添加することによって、流れ１８又は流れ１９が存在する場合には流れ１８と流れ１９から触媒成分及び／又は阻害成分を抽出して、２種類の非混和性相２２及び２３（但し、流れ２２は、触媒成分を主割合で含み、流れ２３は、阻害成分を主割合で含む。）を生じさせる工程、
    （ｋ^*）流れ２２の触媒成分から炭化水素を蒸留除去して、触媒成分を主割合で含む流れ２５を生じさせ、適宜、流れ２５を完全に又は部分的に処理工程（ａ^*）又は（ｅ^*）に再循環させる工程、
    （ｅ^*）１，３−ブタジエンを少なくとも１種のヒドロシアン化触媒上でシアン化水素を用いてヒドロシアン化して、少なくとも１種のヒドロシアン化触媒、３−ペンテンニトリル、２−メチル−３−ブテンニトリル、１，３−ブタジエン及びシアン化水素の残留物を含む流れ８を得る工程、
    （ｆ^*）流れ８を１回以上蒸留して、１，３−ブタジエンを含む流れ９と、少なくとも１種のヒドロシアン化触媒を含む流れ１０と、３−ペンテンニトリル及び２−メチル−３−ブテンニトリルを含む流れ１１と、を得る工程、及び
    （ｇ^*）流れ１１を蒸留して、３−ペンテンニトリルを含む流れ１２を底部生成物として得て、そして２−メチル−３−ブテンニトリルを含む流れ１３を頂部生成物として得る工程、
    を含むことを特徴とする３−ペンテンニトリルの製造方法。
12. ニッケル（０）触媒含有量の補充を処理工程（ｈ^*）において触媒の還元再生によって行う請求項１１に記載の方法。
13. 触媒系は、独立した２種類の触媒循環路として操作され、一方の触媒循環路は、工程（ｅ^*）及び（ｆ^*）を含み、他方の触媒循環路は、工程（ａ^*）、（ｂ^*）及び（ｃ^*）を含む請求項１１又は１２に記載の方法。
14. 安定剤含有ブタジエンを工程（ｅ^*）への供給物流として使用する請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
15. 触媒として、式Ｉｂ：
    

    

    ［但し、Ｒ¹が、芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してオルト位にＣ₁−Ｃ₁₈−アルキル置換基を有している芳香族基、又は芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してオルト位に芳香族置換基を有している芳香族基、又は芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してオルト位に縮合芳香族環を有している芳香族基を表し、
    Ｒ²が、芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してメタ位にＣ₁−Ｃ₁₈−アルキル置換基を有している芳香族基、又は芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してメタ位に芳香族置換基を有している芳香族基、又は芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してメタ位に縮合芳香族環を有している芳香族基であって、芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してオルト位に水素を有する芳香族基を表し、
    Ｒ³が、芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してパラ位にＣ₁−Ｃ₁₈−アルキル置換基を有している芳香族基、又は芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してパラ位に芳香族置換基を有している芳香族基であって、芳香族環におけるリン原子と結合している酸素に対してオルト位に水素を有する芳香族基を表し、
    Ｒ⁴が、フェニルを表し、
    ｘが１又は２を表し、
    ｙ、ｚ、ｐがそれぞれ独立に０、１又は２を表し、且つｘ＋ｙ＋ｚ＋ｐ＝３である。］
    で表されるホスフィットを使用する請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
16. 触媒として、式Ｉｂ：
    

    

    ［但し、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³が相互に独立して、それぞれｏ−イソプロピルフェニル、ｍ−トリル及びｐ−トリルから選択され、Ｒ⁴がフェニルを表し、ｘが１又は２を表し、そしてｙ、ｚ、ｐが相互に独立して、それぞれ０、１又は２を表し、且つｘ＋ｙ＋ｚ＋ｐ＝３である。］
    で表されるホスフィット、又はこれらの２種類以上の混合物を使用する請求項１１〜１５のいずれか１項に記載の方法。

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