JP4503431B2 - スイッチング電源装置 - Google Patents
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Description
以下、下記特許文献1に開示されている従来の同期整流方式のスイッチング電源装置について、添付図面に関連付けて説明する。
したがって、転流電流はNチャネルトランジスタQ100およびQ200のドレイン−ソース間の寄生ダイオードを経由して出力する。それゆえ、転流時の損失(転流損失)が大きい。
また入力電圧が低くなると転流時の駆動電圧が低くなるので、NチャネルトランジスタQ100およびQ200をオンする時にドレイン−ソース間のオン抵抗が増加し、ドライブ損失は増加する。
または、好適には、前記スイッチング電源装置は、補助変圧器を有し、前記補助変圧器は、2次巻線にセンタタップを含み、極性が交互に反転することにより、前記正電圧期間前に前記正極電圧より進んだ前記第1のトリガ信号を出力し、前記負電圧期間前に前記負極電圧より進んだ前記第2のトリガ信号を出力してもよい。
以下、本発明に係るスイッチング電源装置の一実施形態について、添付図面に関連付けて説明する。
初めに、実施形態の説明で述べる各素子について、本発明との対応関係を以下に記す。
変圧器Tmは、本発明の主変圧器に対応する。
変圧器T1は、本発明の補助変圧器、第1の補助変圧器に対応する。
変圧器T2は、本発明の第2の補助変圧器に対応する。
ノード100、101は、それぞれ本発明の第1、第2のノードに対応する。
整流用スイッチング素子SW1は、本発明の第1のNチャネルトランジスタに対応する。
インダクタL1は、本発明のインダクタ、第1のインダクタに対応する。
インダクタL2は、本発明の第2のインダクタに対応する。
キャパシタC1は、本発明のキャパシタ、第1のキャパシタに対応する。
キャパシタC2は、本発明の第2のキャパシタに対応する。
トランジスタQ1、Q2は、それぞれ本発明の第1、第2のスイッチング素子に対応する。
NチャネルトランジスタQ3、Q4は、それぞれ本発明の第3、第4のスイッチング素子に対応する。
整流用スイッチング素子SW1、SW2は、それぞれ本発明の第1、第2の整流素子に対応する。
図1は、実施形態に係るスイッチング電源装置1の回路構成を示すブロック図である。
スイッチング電源装置1は、フルブリッジ型のスイッチング回路30、変圧器Tmの出力電圧に対して同期整流を行う同期整流回路10、出力電圧Voutに基づいてスイッチング回路を制御するPWM制御回路(PWM IC)20を主要な構成要素として含む。また、図1に示すスイッチング電源装置1は、インダクタL3およびL4を含むカレントダブラ型の出力を有している。
NチャネルトランジスタQ32のドレインは、ノード131に接続され、ソースはグランド端子である133に接続される。
NチャネルトランジスタQ33のドレインは、ノード130に接続され、ソースは、変圧器Tmの一次巻線の他端であるノード132に接続される。
NチャネルトランジスタQ34のドレインは、ノード132に接続され、ソースはグランド端子である133に接続される。
変圧器Tmは、スイッチング回路30により1次側に生成された電圧を2次側へ絶縁して伝達する。
トリガ信号生成回路41,42は、PWM制御回路20からPWM信号が与えられ、このPWM信号に基づいて狭幅のトリガ信号を生成する。
トリガ信号生成回路の具体的な回路構成例については、後述する。
変圧器T1,T2は、それぞれ、その一次巻線がトリガ信号生成回路41,42に接続され、二次巻線が駆動回路に接続される。すなわち、変圧器T1,T2は、それぞれ、トリガ信号生成回路41,42により生成されたトリガ信号を、絶縁して駆動回路に伝達する。
整流用スイッチング素子SW1のドレインは、ノード134に接続される。ノード134は、インダクタL3を介して、Voutを出力する出力端子137に接続される。
整流用スイッチング素子SW2のドレインは、ノード136に接続される。ノード136は、インダクタL4を介して、Voutを出力する出力端子137に接続される。
整流用スイッチング素子SW1,SW2の各ソースは、ノード135を介して接続される。
出力端子137とグランド端子の間には、キャパシタC0が接続される。
この整流動作により、出力端子137には所望の直流電圧出力Voutが発生する。
PWM制御回路20は、そのフィードバックされた出力電圧Voutに応じて、スイッチング回路30の各NチャネルトランジスタQ31〜Q34に与えるPWM信号のデューティ比を制御する。
キャパシタC10は、ノード120とノード121間に接続される。ダイオードD10は、変圧器T1の一次側の巻線と並列に、ノード121とグランドノード123間に接続される。
この点、PWM制御回路20は、同一のPWM信号をスイッチング回路30、トリガ生成回路41,42に供給し、かつ、スイッチング回路30におけるトランジスタ(FET)の応答遅れがあるために、トリガ信号は、変圧器Tmに入力される信号に対して、自然と少しだけ立ち上がり時間が進むように構成される。
また、PWM制御回路20において、必要な期間だけ立ち上がり時間が進むように、スイッチング回路に与えるPWM信号と、トリガ生成回路に与えるPWM信号との出力タイミングを制御するように構成してもよい。
なお、変圧器Tmから出力がないときには、整流用スイッチング素子SW1およびSW2はともにオンとなり、インダクタL3またはL4に蓄積されたエネルギーが放出される転流状態となる。
したがって、以下では、整流用スイッチング素子SW1を駆動する駆動回路11のみについて、その構成と動作を図4に示す回路図に関連付けて説明する。
図4において、整流用スイッチング素子SW1は、スイッチング電源装置1の同期整流を実現するための整流素子であり、Nチャネルトランジスタによって構成される。なお、図4に示すように、整流用スイッチング素子SW1には、ソースからドレインの向きに順方向となる寄生ダイオードが存在する。
NチャネルトランジスタQ4は、ゲートが変圧器T1の2次巻線の一端に接続され、ソースがグランド端子135に接続され、ドレインがトランジスタQ1およびQ2のベースに接続される。したがって、トリガ信号Vt1が立ち上がるタイミングに応じてオンし、ノード101をグランド電位とする。
トランジスタQ2のエミッタは、整流用スイッチング素子SW1のゲートに接続され、コレクタはグランド端子135に接続されている。トランジスタQ2のベースは、ノード101を介して、NチャネルトランジスタQ3のドレインに接続される。
トランジスタQ1のエミッタは、整流用スイッチング素子SW1のゲートに接続され、コレクタは、ノード102に接続される。トランジスタQ1のベースは、ノード101を介して、NチャネルトランジスタQ3のドレインに接続される。
ダイオードD1および抵抗R1は、NチャネルトランジスタQ3のゲート電位レベルを調整可能に、かつ、保護するための保護回路を構成する。
次に、駆動回路11の動作について、図5に関連付けて述べる。
時刻t0において、図5(b)に示すように、Vsに対し、立ち上がり時間が所定時間進んだトリガ信号Vt1が変圧器T1から出力される。これにより、NチャネルトランジスタQ4が素早くオンし、ノード101、すなわち、トランジスタQ1およびQ2のベースがグランド電位となる。そして、トランジスタQ2がオンし、整流用スイッチング素子SW1のゲート電荷がトランジスタQ2を経由してグランドに放電されるので、整流用スイッチング素子SW1が速やかにオフする(図5(g))。
したがって、トリガ信号Vt1により、NチャネルトランジスタQ4およびトランジスタQ2を早めにオンさせることで、整流用スイッチング素子SW1のドレイン電圧が立ち上がる前に整流用スイッチング素子SW1をオフさせる。
したがって、スイッチング電源装置1を高周波で動作させる場合には、進み時間は、たとえば、20〜50ns程度が望ましい。
それゆえ、時刻t0から時刻t1までNチャネルトランジスタQ4をオンし続けた状態でも、インダクタL1に流れる電流は0のまま変わらない(図5(e))。
また、期間t0〜t1は短いので、寄生ダイオードの順方向電流による損失は非常に少ない。
時刻t1になると、図5(a)に示すように、トリガ信号Vt1に少し遅れて変圧器Tmの出力Vsが上昇する。この時点では、図5(b)に示すように、トリガ信号Vt1の電圧レベルは、ピークレベルより低下しているものの、NチャネルトランジスタQ4をオン状態に維持する程度のレベルとなっている。
変圧器Tmの出力Vsの立ち上がりに応じて、ノード100の電圧、すなわち、整流用スイッチング素子SW1のドレイン電圧が上昇するので、ノード103は、ノード100に対して抵抗R1の電圧降下分に応じた電位レベルに上昇し、NチャネルトランジスタQ3をオンする。
またノード101がグランド電位であるため、トランジスタQ2がオン状態を維持し、整流用スイッチング素子SW1のゲートは、グランド電位に短絡した状態が続く。
時刻ts〜時刻t2の間は、NチャネルトランジスタQ3はオン状態を維持するため、インダクタL1の電流IL1は上昇し(図5(e))、整流用スイッチング素子SW1はオフ状態を維持する(図5(g))。
時刻t2になり、変圧器Tmの出力Vsが0になると、ノード100の電位が低下し、これに応じてノード103の電位も低下する。したがって、Vgsが低下してNチャネルトランジスタQ3がオフする。また、NチャネルトランジスタQ4は時刻t2以前にオフとなっている。
Vs: 変圧器Tmの出力電圧
L: インダクタL1のインダクタンス
fsw: 整流用スイッチング素子SW1の同期整流周波数
とすると、時刻tx(t1≦tx≦t2)においてインダクタL1を流れる電流IL1、および時刻t2においてインダクタL1に蓄積されているエネルギーの電力EL1は、以下(1),(2)式の通りとなる。
EL1 = IL1 2・L・fsw/2
= 0.5・[Vs・(t2−t1)]2・fsw/L…(2)
KC = [Vs・(t2−t1)]2・fsw/2…(3)
EL1 = KC/L…(4)
上述したように、時刻t2からNチャネルトランジスタQ3およびQ4はオフするので、インダクタL1を流れる電流IL1はトランジスタQ1のベース電流となってトランジスタQ1をオンする。その際、トランジスタQ2はオフ状態が維持されている。
一方、時刻t2〜t3間でキャパシタC1に蓄積された電荷がノード102→トランジスタQ1のコレクタ→エミッタ→整流用スイッチング素子SW1のゲートと流れ込み、整流用スイッチング素子SW1のゲートを素早く充電させることに寄与する。
したがって、時刻t2直後においては、インダクタL1からのエネルギー放出とキャパシタC1の放電の2系統により、整流用スイッチング素子SW1のオフからオンへのスイッチングを高速に行うことが可能となる。
したがって、スイッチング電源装置1の入力電圧が激しく変動した場合であっても、上記式(3)におけるVs・(t2−t1)の値はほとんど変化せず、Kcは定数となっている。
それゆえ、インダクタL1のインダクタンスLに応じて、駆動回路11に必要となるエネルギーEL1を設定することが容易にでき、さらにエネルギーEL1に応じて充電電圧Vc1を設定することができる。
時刻t3では、インダクタL1のエネルギーがすべて放出され、IL1=0であり(図5(e))、ダイオードD2およびD3がオフする。また、NチャネルトランジスタQ3およびQ4は、オフしたままである。それゆえ、NチャネルトランジスタQ3およびQ4素子の出力キャパシタCossに貯まっている電荷を放電することができない。
その結果、トランジスタQ1およびQ2のベース電圧はHレベルを維持し続け、時刻t3〜t4では、図5(g)に示すように、整流用スイッチング素子SW1はオンの状態を維持する。
ここで、本実施形態に係るスイッチング電源装置1の大きな特徴は、時刻t2〜t4の間において、図5(g)に示すように、整流用スイッチング素子SW1は常にオンしている状態を維持することである。
すなわち、整流用スイッチング素子SW1を転流する場合、整流用スイッチング素子SW1の動作により出力する場合のいずれの場合でも、整流用スイッチング素子SW1がオン状態を維持するため、整流用スイッチング素子SW1の寄生ダイオードを順方向に流す電流がほとんど存在しない。したがって、転流損失が非常に少ない。
図6は、整流用スイッチング素子SW1,SW2の動作を示すタイミングチャートであり、(a)は変圧器Tmの出力電圧Vs、(b)は変圧器T1の出力電圧Vt1、(c)は整流用スイッチング素子SW1のVds、(d)は整流用スイッチング素子SW1のVgs、(e)は変圧器T2の出力電圧Vt2、(f)は整流用スイッチング素子SW2のVds、(g)は整流用スイッチング素子SW2のVgs、を示す。
すなわち、全体としては、変圧器Tmの出力レベルに応じて、180度位相がずれたタイミングで整流用スイッチング素子SW1,SW2がオン・オフを繰り返す。
また、整流用スイッチング素子SW1,SW2に貫通電流が発生せず、転流時においても整流用スイッチング素子SW1は常にオンしているため、同期整流を行う場合の効率が極めて高い。
したがって、高い入力電圧に対してドライブ電圧をクランプする損失がほとんどなくなり、効率がさらに向上する。
したがって、整流用スイッチング素子SW1を高速にスイッチングさせる用途に特に好適である。
したがって、キャパシタC1の電圧値を最適化することによって、より効率的な駆動回路を構成することが可能となる。
第1実施の形態では、整流用スイッチング素子SW1,SW2を制御するためのトリガ信号を生成するために、2つのパルス変圧器T1,T2を用いた同期整流回路10について説明した。
本実施の形態に係る同期整流回路10aでは、スイッチング電源装置1と異なり、2次巻線としてセンタタップ巻線を持つ単一のパルス変圧器を用い、整流用スイッチング素子SW1,SW2を制御する。
同期整流回路10aは、第1実施の形態に係る同期整流回路10と比較して、変圧器T1,T2の代わりに、センタタップ付きの巻線を持つ単一の変圧器T3を使用する。これにより、装置全体として変圧器の数を低減させ、部品を配置するスペース効率の向上および低コスト化を目的とする回路である。
なお、変圧器T3は、本発明の第3の補助変圧器に対応する。
そして、整流用スイッチング素子SW1を駆動する駆動回路11aでは、NチャネルトランジスタQ4がそのトリガ信号Vt3に基づいて制御される。整流用スイッチング素子SW2を駆動する駆動回路12aでは、NチャネルトランジスタQ8がトリガ信号Vt3を反転した信号に基づいて制御される。
なお、FET素子であるトランジスタQ4,Q8のゲートには、オフする場合にマイナスのトリガ信号が入力されることになるが、トリガ信号のピーク値(絶対値)をゲート電圧の耐圧レベル以内に抑制しておけばNチャネルトランジスタQ4,Q8は正常に動作する。
また、図8(c),(e)に示すように、Vsの立ち上がり/立下りに応じて、整流用スイッチング素子SW1,SW2のドレイン電圧がトリガ信号に重畳される。
以上の動作は、第1実施の形態における同期整流回路10と全く同じである。
第1および第2実施の形態に係る同期整流回路においては、NチャネルトランジスタQ3を誤動作なく、かつ、素早く安定的に動作させることが非常に重要である。
かかる観点から、本実施形態では、NチャネルトランジスタQ3のゲート周辺の回路におけるいくつかの改良について説明する。
図9(a)に示すように、抵抗R1と並列にキャパシタC3を追加する例である。これにより、NチャネルトランジスタQ3のゲートを高速に充電し、また、ゲートの電荷を引き抜くことができるので、NチャネルトランジスタQ3を高速にオン・オフすることができる。
図9(b)に示すように、改良例1の回路に対し、キャパシタC3と直列に抵抗R3を追加した例である。これにより、整流用スイッチング素子SW1のドレイン電圧に発生するピーク電圧を抑制することができる。また、抵抗R3は、キャパシタC3を追加したことによる発振を防止する働きもある。
図9(c)に示すように、改良例2の回路に対し、ダイオードD1と並列に抵抗R4を追加した例である。これにより、変圧器Tmが高電圧の出力となる場合でも、ノード100の電位を抵抗R1,R3,R4により分圧して、NチャネルトランジスタQ3のゲート電圧を設定でき、NチャネルトランジスタQ3のゲートが保護される。
図9(d)に示すように、改良例3の回路に対し、ダイオードD1を抵抗R5に代替した追加した例である。
ノード100の電位を抵抗R1,R3,R5により分圧して、NチャネルトランジスタQ3のゲート電圧を十分に安全な値に設定すれば、保護用ダイオードとしてのD1を除去することで、より低コスト化を実現できる。
たとえば、本実施形態に係る同期整流回路10,10aは非常に低損失であるため、部品Q1およびQ2、Q3およびQ4、D2およびD3を、それぞれ1パッケージにした部品を選択してもよい。これにより、回路全体の部品点数を低減させることができる。
したがって、本発明は、フォーワード型、フライバック型、ハーフブリッジ型、フルブリッジ型などの様々なタイプのスイッチング電源装置における同期整流回路に適用することができる。
Claims (6)
- 第1ノードおよび第2ノードを有し、1周期のうちに、前記第2ノードより前記第1ノードの電位を低くする負極電圧を出力する負電圧期間と、前記第2ノードより前記第1ノードの電位を高くする正極電圧を出力する正電圧期間と、出力を停止する停止期間とを含む電圧を出力する主変圧器と、
基準電位端子と、
前記第1ノードと前記基準電位端子との間に接続される第1整流トランジスタと、
前記基準電位端子と前記第2ノードとの間に接続される第2整流トランジスタと、
前記第1ノードと前記基準電位端子との間に接続され、前記正電圧期間に前記第1整流トランジスタを非導通状態に制御し、前記正電圧期間以外では前記第1整流トランジスタを導通状態に制御する第1の駆動回路と、
前記基準電位端子と前記第2ノードとの間に接続され、前記負電圧期間に前記第2整流トランジスタを非導通状態に制御し、前記負電圧期間以外では前記第2整流トランジスタを導通状態に制御する第2の駆動回路と、
を有し、
前記第1の駆動回路は、
前記第1整流トランジスタの制御端子と前記基準電位端子との間に接続される第1制御トランジスタと、
前記第1制御トランジスタの制御端子に接続され、前記正電圧期間において前記基準電位端子に接続される第1制御ノードと、
前記第1制御ノードと前記基準電位端子との間に接続され、前記正極電圧より進んだ第1のトリガ信号により導通状態に制御される第2制御トランジスタと、
前記第1ノードに接続される第1のインダクタと、
前記第1のインダクタにアノードが接続され、カソードが前記第1制御ノードに接続される第1ダイオードと
を有し、
前記第1整流トランジスタは、
前記正電圧期間前に前記第2制御トランジスタにより導通状態から非導通状態に制御され、前記正電圧期間において前記正極電圧により非導通状態に維持され、前記正電圧期間の終了時に前記第1のインダクタに発生する電圧により非導通状態から導通状態に制御され、
前記第2の駆動回路は、
前記基準電位端子と前記第2整流トランジスタの制御端子との間に接続される第3制御トランジスタと、
前記第3制御トランジスタの制御端子に接続され、前記負電圧期間において前記基準電位端子に接続される第2制御ノードと、
前記基準電位端子と前記第2制御ノードとの間に接続され、前記負極電圧より進んだ第2のトリガ信号により導通状態に制御される第4制御トランジスタと、
前記第2ノードに接続される第2のインダクタと、
前記第2のインダクタにアノードが接続され、カソードが前記第2制御ノードに接続される第2ダイオードと
を有し、
前記第2整流トランジスタは、
前記負電圧期間前に第4制御トランジスタにより導通状態から非導通状態に制御され、前記負電圧期間において前記負極電圧により非導通状態に維持され、前記負電圧期間の終了時に前記第2のインダクタに発生する電圧により非導通状態から導通状態に制御される
スイッチング電源装置。 - 前記第1の駆動回路は、
前記第1ダイオードのカソードにアノードが接続される第3ダイオードと、
前記第3ダイオードのカソードと前記第1整流トランジスタの制御端子との間に接続される第5制御トランジスタと、
前記第3ダイオードのカソードと前記基準電位端子との間に接続される第1のキャパシタと
を有し、
前記第5制御トランジスタの制御端子は、前記第1制御ノードに接続され、
前記第1のキャパシタは、
前記第1のインダクタの放出エネルギーにより充電され、
当該充電による電圧を用いて前記第1整流トランジスタの制御端子を充電して、前記第1整流トランジスタを非導通状態から導通状態に制御し、
前記第2の駆動回路は、
前記第2ダイオードのカソードにアノードが接続される第4ダイオードと、
前記第4ダイオードのカソードと前記第2整流トランジスタの制御端子との間に接続される第6制御トランジスタと、
前記第4ダイオードのカソードと前記基準電位端子との間に接続される第2のキャパシタと
を有し、
前記第6制御トランジスタの制御端子は、前記第2制御ノードに接続され、
前記第2のキャパシタは、
前記第2のインダクタの放出エネルギーにより充電され、
当該充電による電圧を用いて前記第2整流トランジスタの制御端子を充電して、前記第2整流トランジスタを非導通状態から導通状態に制御する
請求項1記載のスイッチング電源装置。 - 前記スイッチング電源装置は、
前記正電圧期間前に、前記正極電圧より進んだ前記第1のトリガ信号を出力する第1の補助変圧器と、
前記負電圧期間前に、前記負極電圧より進んだ前記第2のトリガ信号を出力する第2の補助変圧器と
を有する請求項1または2記載のスイッチング電源装置。 - 前記スイッチング電源装置は、補助変圧器を有し、
前記補助変圧器は、
2次巻線にセンタタップを含み、極性が交互に反転することにより、前記正電圧期間前に前記正極電圧より進んだ前記第1のトリガ信号を出力し、前記負電圧期間前に前記負極電圧より進んだ前記第2のトリガ信号を出力する
請求項1または2記載のスイッチング電源装置。 - 基準電位端子と、
出力ノードを有し、1周期のうちに、出力ノードから、前記基準電位端子の電圧より低い負極電圧または前記基準電位端子の電圧より高い正極電圧となる電圧を出力する所定期間と、出力を停止する停止期間とを含む電圧を出力する主変圧器と、
前記出力ノードと基準電位端子との間に接続された整流トランジスタと
を有するスイッチング電源装置であって、
前記整流トランジスタの制御端子と前記基準電位端子との間に接続される第1制御トランジスタと、
前記第1制御トランジスタの制御端子に接続され、前記所定期間において前記基準電位端子に接続される制御ノードと、
前記制御ノードと前記基準電位端子との間に接続され、前記負極電圧または前記正極電圧より進んだトリガ信号により導通状態に制御される第2制御トランジスタと、
前記出力ノードに接続されるインダクタと、
前記インダクタにアノードが接続され、カソードが前記制御ノードに接続される第1ダイオードと
を有し、
前記整流トランジスタは、
前記所定期間前に前記第2制御トランジスタにより導通状態から非導通状態に制御され、前記所定期間において前記正極電圧または前記負極電圧により非導通状態に維持され、前記所定期間の終了時に前記インダクタに発生する電圧により非導通状態から導通状態に制御される
スイッチング電源装置。 - 前記駆動回路は、
前記第1ダイオードのカソードにアノードが接続される第2ダイオードと、
前記第2ダイオードのカソードと前記整流トランジスタの制御端子との間に接続される第3制御トランジスタと、
前記第2ダイオードのカソードと前記基準電位端子との間に接続されるキャパシタと
を有し、
前記第3制御トランジスタの制御端子は、前記制御ノードに接続され、
前記キャパシタは、
前記インダクタの放出エネルギーにより充電され、
当該充電による電圧を用いて前記第1整流トランジスタの制御端子を充電して、前記整流トランジスタを非導通状態から導通状態に制御する
請求項5記載のスイッチング電源装置。
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