JP4499141B2 - 修飾核酸合成用アミダイド及び修飾核酸合成方法 - Google Patents
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Description
ある特定の蛋白質に対してアフィニティーを有する分子を得る最も一般的な手法は、動物の免疫系を用い、アフィニティー抗体を作製する方法である。しかし、この方法では動物を用いるため、多量の蛋白質や多大な工程、費用が必要となり、しかもある特定の物質に対するアフィニティー抗体は生成されないという欠点があった。
このような問題を解決するために、生物に依存しないアプタマー法(別名:SELEX法)も提案されているが、この方法で得られる分子は、特定の蛋白質に対しては強い相互作用を示すものの、必ずしも全ての蛋白質に応用可能なものではなかった。そこで本発明者らは、前記アプタマー法を改良し、修飾核酸を用いた修飾アプタマー法を提案している(特許文献1参照)。
例えば、従来の技術において、嵩高い塩基、シアザビシクロウンデセン(DBU)で脱保護可能な核酸アミダイドなどが報告されているが(非特許文献1〜2)、これらの核酸合成用アミダイドは、非プロトン性溶媒であるアセトニトリル中で不安定であり(非特許文献5)、実用には向かないものであった。また、ピリジン中、0.5M DBUの条件下、16時間で脱保護可能である核酸合成用アミダイドも報告されている(非特許文献3〜4)が、高濃度のDBU、長時間による脱保護のため、核酸塩基へのアルキル化が起こるという問題があった。また、メタノール中、K2CO3を用いた条件下で脱保護可能である核酸合成用アミダイドも報告されている(非特許文献5〜6)が、プロトン性溶媒であるメタノール中で塩基のK2CO3を使用するため、エステル等が分解するという問題があった。
本発明の修飾核酸合成用アミダイドは、後述する一般式(I)に示される通り、少なくとも塩基、置換基、及び、前記置換基における水酸基を保護するための保護基を有し、前記保護基が脱保護された際に、前記置換基中に水酸基が発現することを特徴とする。前記修飾核酸合成用アミダイドは、緩やかな条件下での脱保護が可能であるため、置換基を脱離させることなしに、保護基を容易に脱保護することができる。また、保護基が脱保護された際には、脱保護前には置換基中に発現していなかった水酸基が、置換基中に発現する(置換基表面に露出される)こととなる。
本発明の修飾核酸合成用アミダイドは、下記一般式(I)で表されるものであり、保護基が非プロトン性溶媒中で脱保護可能であり、かつ、保護基が脱保護された際に、置換基中に水酸基が発現することを特徴とする。
前記一般式(I)中、Zで表される保護基は、置換基における水酸基を保護するための保護基であり、その種類としては、非プロトン性溶媒中で脱保護可能な保護基、即ち、緩やかな条件下で脱保護可能な保護基であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
ここで、前記「緩やかな条件下で脱保護可能」とは、例えば、前記保護基が、非プロトン性溶媒中で、嵩高い塩基により脱保護可能であることをいう。前記非プロトン性溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アセトニトリル、ジクロロメタン、DMF(N,N−ジメチルホルムアミド)、N−メチルピロリドンなどが挙げられる。また、前記嵩高い塩基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、DBU(1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン)、DBN(1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン)、テトラメチルグアニジンなどが挙げられる。これらの中でも、前記保護基は、前記アセトニトリル中、前記DBUにより脱保護されることが好ましい。また、この場合、前記保護基の脱保護に要するDBU濃度としては、0.5M以下が好ましく、0.1M以下がより好ましく、0.01M以下が特に好ましい。また、前記保護基の脱保護に要する時間としては、8時間以内が好ましく、1時間以内がより好ましく、15分間以内が特に好ましい。
このような保護基の具体例としては、例えば、下記一般式(II)〜(III)に示すような保護基などが挙げられる。
前記一般式(I)中、Yで表される置換基としては、前記保護基が脱保護された際に、前記置換基中に水酸基が発現する(置換基表面に水酸基が露出される)ような構造を有するものであれば、その他の構造においては特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、前記置換基は、天然又は非天然のアミノ酸、金属錯体、蛍光色素、酸化還元色素、スピンラベル体、水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、下記式(1)〜(10)で表される基などの構造を含むことができる。
前記金属錯体としては、金属イオンに配位子が配位した化合物であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ruビピリジル錯体、フェロセン錯体、ニッケルイミダゾール錯体などが挙げられる。
前記蛍光色素としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、フルオレセイン系列、ローダミン系列、エオシン系列、NBD系列等の蛍光色素などが挙げられる。
前記酸化還元色素としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ロイコアニリン、ロイコアントシアニン等のロイコ色素などが挙げられる。
前記スピンラベル体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、鉄N−(ジチオカルボキシ)サルコシン(sarcosine)、TEMPO(テトラメチルピペリジン)誘導体などが挙げられる。
前記炭素数1〜10のアルキル基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基などが挙げられる。
これらは、置換基で更に置換されていてもよい。
前記一般式(I)中、Xで表される塩基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アデニン(A)、グアニン(G)、シトシン(C)、チミン(T)、ウラシル(U)などが挙げられる。また、前記塩基に前記置換基が導入される位置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、アデニン塩基の6位、シトシン塩基の6位、グアニン塩基の2位などが好ましい。ここで、前記置換基は、前記保護基が緩やかな条件下で脱保護される際に、併せて脱離されてしまわないよう、前記塩基に導入されていることが必要である。
前記一般式(I)中、Qは、水素原子、水酸基、又は保護基で保護された水酸基であり、前記水酸基の保護基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、以下に示す保護基などが挙げられる。
前記修飾核酸合成用アミダイドの具体例としては、例えば、下記構造式(1)〜(2)に示すものなどが挙げられるが、前記修飾核酸合成用アミダイドとしては、これらに限定されるものではない。
前記修飾核酸合成用アミダイドの合成方法としては、特に制限はなく、例えば、後述する実施例に記載の方法等により、合成することができる。
本発明の修飾核酸合成方法は、本発明の前記修飾核酸合成用アミダイドを用いることを特徴とする。
前記修飾核酸合成方法は、前記修飾核酸合成用アミダイドを用いて修飾核酸を合成する方法であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ジエステル法、トリエステル法、ホスファイト法、ホスホロアミダイト法、H−ホスホネート法、チオホスファイト法等に、固相法を組み合わせた従来の核酸合成方法を利用することができる。また、前記修飾核酸合成方法は、例えば、従来の核酸自動合成装置を用いて行うことができる。
本発明の修飾核酸は、本発明の前記修飾核酸合成方法により得られることを特徴とする。即ち、前記修飾核酸は、その少なくとも一部に、水酸基が発現した(水酸基が表面に露出した)置換基を有する修飾ヌクレオチド単位を含んでなるものである。
前記修飾核酸を構成するヌクレオチド単位の個数としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、10〜200個が好ましく、20〜100個がより好ましく、30〜80個が特に好ましい。なお、前記修飾核酸を構成するヌクレオチド単位のうち、前記修飾核酸合成用アミダイドに由来する修飾ヌクレオチド単位(水酸基が発現した(水酸基が表面に露出した)置換基を有する修飾ヌクレオチド単位)の割合としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。また、前記修飾核酸は、DNA配列及びRNA配列のいずれであってもよく、また、前記DNA配列及びRNA配列は、一本鎖であってもよいし二本鎖であってもよい。
本発明の修飾核酸合成用アミダイドVSer、VTyrを以下のようにして合成した。なお、前記修飾核酸合成用アミダイドVSer、VTyrは、それぞれ前記した構造式(1)、(2)に対応する修飾核酸合成用アミダイドである。
なお、下記化合物I及びIIIAは、それぞれ特願2007−69378号明細書に示された合成方法に従い合成した。
I 13.58g(40mmol)を脱水アセトニトリルに溶解し、減圧濃縮を3回行った。残渣を200mLの脱水アセトニトリルに溶解し、ピリジン3.88mL(48mmol)及び硝酸銀6.79g(40mmol)を加え、氷冷下、塩化ピバロイル4.93mL(40mmol)を加え、0℃で15分間攪拌した。続いて、グリコール酸4.56g(60mmol)を加え、室温で4時間攪拌した。反応溶液をジクロロメタンで希釈し、水で洗浄した。ジクロロメタン溶液を減圧濃縮し、残渣を中圧クロマトグラフィー(1%酢酸、ジクロロメタン−エタノール100:0→19:1)にて精製し、目的物II 13.03g(82%)を得た。
IIIA 10.58g(10mmol)を20mLの脱水ジクロロメタンに溶解し、トリエチルシラン2.40mL(15mmol)及びジアザビシクロウンデセン2.24mL(15mmol)を加え、室温にて10分間攪拌した、反応混合物にトリフロロ酢酸1.27mL(16.5mmol)、ピリジン1.45ml(18mmol)及びジクロロメタン10mLの混合溶液を加え、反応混合物Aを得た。
II 4.97g(12.5mmol)を脱水トルエンに溶解し、減圧濃縮を3回行った。残渣を30mLの脱水ジクロロメタンに溶解し、N−ヒドロキシこはく酸イミド1.58g(13.8mmol)を加え、氷冷下、ジシクロヘキシルカルボジイミド2.71g(13.1mmol)を加え、室温で1時間攪拌した。不溶物を濾別し、濾液を反応混合物Aに加えた。反応混合物を室温にて1時間攪拌した。続いてメタノール5mLを加え、30分間攪拌した。反応溶液をジクロロメタンで希釈し、水で洗浄した。ジクロロメタン溶液を減圧濃縮し、残渣を中圧クロマトグラフィー(ジクロロメタン−エタノール97:3→47:3)にて精製し、目的物IVSer 10.11g(95%)を得た。
IVSer 10.11g(9.48mmol)を脱水アセトニトリル、脱水ジクロロメタンに溶解し、減圧濃縮を3回行った。残渣を38mLの脱水ジクロロメタンに溶解し、氷冷下ジメチルアミノピリジン57.9mg(0.47mmol)、ジイソプロピルエチルアミン1.87mL(11.4mmol)を加え、2−シアノエチルジイソプロピルクロロホスホロアミジト2.33mL(10.4mmol)の9.5mL塩化メチレン溶液を5分以上かけ滴下した。混合溶液を0℃で1時間攪拌した。続いてメタノール9.5mLを加え、30分間攪拌した。反応溶液をジクロロメタンで希釈し、水で洗浄した。ジクロロメタン溶液を減圧濃縮し、残渣を中圧クロマトグラフィー(2%ピリジンin酢酸エチル;ヘキサン=2:1−2%ピリジン、3%エタノールin酢酸エチル1:0→0:1)にて精製し、目的物VSer 10.31g(86%)を得た。
IVSer 533mg(0.5mmol)を2.5mLのジクロロメタンに溶解し、トリエチルシラン0.12mL(0.75mmol)及びDBU 0.11mL(0.75mmol)を加え、室温で30分間攪拌した。反応混合物を直接カラムクロマトグラフィー(8→16%エタノールinジクロロメタン)で精製することにより、IVSer’ 347mg(93.2%)を得た。
4−(FMOC−アミノメチル)安息香酸37.3g(100mmol)を400mLの脱水ジクロロメタンに懸濁し、アルゴン雰囲気下、オキサリルクロリド12.9mL(150mmol)及びジメチルフォルムアミド0.15mL(1.9mmol)を加え、室温で7時間攪拌した。反応溶液を減圧濃縮し、残渣に脱水トルエンを加えた後、減圧濃縮し、400mLの脱水ジクロロメタンに溶解し、溶液Aを得た。
デオキシシチジン塩酸塩29.0g(110mmol)を脱水ピリジンで懸濁し、減圧濃縮する操作を3回行った。残渣を375mLの脱水ピリジンで懸濁し、0℃でトリメチルクロロシラン46.4mL(396mmol)を加え、室温で1時間攪拌した後、再び0℃に冷却し、本溶液を氷冷下、溶液Aに導入した。反応混合物を室温で1時間攪拌した。氷冷下100mLの水を加え、室温で8時間攪拌した。本溶液を減圧濃縮した。残渣に酢酸エチル500mL及び水500mLを加え、よく攪拌し、ろ過することにより粗製の目的物X 61.6gを得た。
粗製のX 61.6gを脱水ピリジンに溶解し、減圧濃縮を3回行った。残渣を500mLの脱水ピリジンに溶解し、氷冷下4,4’−ジメトキシトリチルクロリド33.92g(100mmol)を加え、0℃にて8時間攪拌した。続いてメタノール20mLを加え、30分間攪拌した。溶液を減圧濃縮し、酢酸エチルで希釈し、水で洗浄した。酢酸エチル溶液を減圧濃縮し、残渣を中圧クロマトグラフィー(酢酸エチル−エタノール1:0→19:1)にて精製し、目的物IIIC 76.2g(90% 2step)を得た。
IIIC 23.11g(26.1mmol)を脱水ジオキサンに溶解し、減圧濃縮を3回行った。残渣を130mLの脱水ジオキサンに溶解し、ジメチルアミノピリジン226mg(0.21mmol)、ジシクロヘキシルカルボジイミド10.78g(52.2mmol)及びレブリン酸5.36mL(52.2mmol)を加え、室温で2時間攪拌した。反応溶液に5mLのメタノールを加え、30分間攪拌した。不溶物をろ過し、濾液を減圧濃縮し、ジクロロメタンで希釈し、水で洗浄した。ジクロロメタン溶液を減圧濃縮し、残渣を中圧クロマトグラフィー(酢酸エチル−エタノール1:0→19:1)にて精製し、目的物XI 25.2g(98%)を得た。
XI 17.86g(15mmol)を38mLの脱水ジクロロメタンに溶解し、トリエチルシラン4.53mL(28.3mmol)及びジアザビシクロウンデセン4.23mL(28.3mmol)を加え、室温にて10分間攪拌した。反応混合物にトリフロロ酢酸2.39mL(31.1mmol)、ピリジン2.74ml(34.0mmol)及びジクロロメタン19mLの混合溶液を加え、反応混合物Aを得た。
p−ヒドロキシフェニル酢酸5.74g(37.7mmol)及びN−ヒドロキシこはく酸イミド5.21g(45.3mmol)をアセトニトリルに溶解し、氷冷下、ジシクロヘキシルカルボジイミド8.17g(39.6mmol)を加え、0℃で1時間攪拌した。不溶物を濾別し、濾液を反応混合物Aに加えた。反応混合物を室温にて1時間攪拌した。続いてピペリジン3.7mLを加え、30分間攪拌した。反応溶液をジクロロメタンで希釈し、水で洗浄した。ジクロロメタン溶液を減圧濃縮し、残渣を中圧クロマトグラフィー(酢酸エチル−エタノール19:1→9:1)にて精製し、目的物XIITyr 5.03g(64%)を得た。
FMOC−Suc 33.74g(100mmol)を100mLのジクロロメタンに溶解し、氷冷下、2−(メチルアミノ)エタノール8.25mL(105mmol)を加え、室温にて一晩攪拌した。反応溶液を水で洗浄し、ジクロロメタン溶液を減圧濃縮し、残渣を中圧クロマトグラフィー(酢酸エチル−ヘキサン1:1→1:0)にて精製し、目的物XIII 28.72g(97%)を得た。
XIITyr 10.38g(11.6mmol)を脱水アセトニトリルに溶解し、減圧濃縮を3回行った。残渣を26mLの脱水アセトニトリルに溶解し、ピリジン2.36mL(29.2mmol)を加え、反応混合物Aを得た。
トリフォスゲン1.38g(4.64mmol)を16mLの脱水ジクロロメタンに溶解し、氷冷下、ピリジン1.2mL(14.6mmol)及びXIII 4.14g(13.92mmol)の16mLジクロロメタン溶液を滴下した。反応混合物を室温にて15分間攪拌した。本反応混合物を反応混合物Aに0℃で加えた。反応混合物を室温にて15分間攪拌した。反応溶液をジクロロメタンで希釈し水で洗浄した。ジクロロメタン溶液を減圧濃縮し、残渣を中圧クロマトグラフィー(酢酸エチル−エタノール94:6→91:9)にて精製し、目的物XIVTyr 12.0g(85%)を得た。
XIVTyr 9.14g(7.5mmol)を75mLのピリジンに溶解し、ヒドラジン1水和物3.11mL(64.3mmol)の希釈溶液90mL(ピリジン:酢酸=2:1)を加え、室温で5分間攪拌した。氷冷下、アセトン53mLを加え、0℃で10分間攪拌した後、ジクロロメタンで希釈し、水で洗浄した。ジクロロメタン溶液を減圧濃縮した。得られた残渣を中圧クロマトグラフィー(ジクロロメタン−エタノール1:0→19:1)にて精製し、目的物IVTyr 6.26g(75%)を得た。
IVTyr 5.72g(5.10mmol)を脱水アセトニトリル、脱水ジクロロメタンに溶解し、減圧濃縮を3回行った。残渣を20mLの脱水ジクロロメタンに溶解し、氷冷下ジメチルアミノピリジン31mg(0.26mmol)、ジイソプロピルエチルアミン1.01mL(5.81mmol)を加え、2−シアノエチルジイソプロピルクロロホスホロアミジト1.25mL(5.61mmol)の5.1mL塩化メチレン溶液を、5分以上かけ滴下した。混合溶液を0℃で90分間攪拌した。続いてメタノール1.0mLを加え、15分間攪拌した。反応溶液をジクロロメタンで希釈し、水で洗浄した。ジクロロメタン溶液を減圧濃縮し、残渣を中圧クロマトグラフィー(2%ピリジンin酢酸エチル;ヘキサン=2:1−2%ピリジンin酢酸エチル0→100%、続けて2%ピリジン、20%エタノール2%ピリジンinジクロロメタン1:0→17:3)にて精製し、目的物VTyr 5.72g(85%)を得た。
前記各化合物(II、IVSer、IVSer’、VSer、X、IIIC、XI、XIITyr、XIVTyr、IVTyr、VTyr)の構造確認を以下のようにして行った。結果を図1〜図11−3に示す。
[1H−NMR]
各サンプル約5mgを重溶媒に溶解し、測定した。内部標準は重溶媒ピークを基準とした。
[31P−NMR]
外部標準としてPPh3を用い、−6.2ppmを基準として測定した。BCMにて測定を行った。
前記実施例1で合成した修飾核酸合成用アミダイド(VTyr)が、緩やかな条件下で脱保護可能であり、また脱保護により置換基中に水酸基が発現する(置換基表面に水酸基が露出される)ことを以下のようにして確認した。
次いで、HPLC Chart2の反応混合物(XIVTyrのDBU処理サンプル)と、HPLC Chart3の化合物(XIITyr)とを混合した溶液について、HPLC Chartを確認した(HPLC Chart4、図15)。
なお、本実施例2におけるHPLC分析条件は以下の通り。
[HPLC分析条件]
流速1mL/min A溶液 100mM トリエチルアンモニウム酢酸緩衝液 pH=7.0
B溶液 アセトニトリル
HPLC chart1〜3
B:50→80%(0→10min)→100%(→20min)
HPLC chart4
B:50→80%(0→20min)
前記実施例1で合成した修飾核酸合成用アミダイド(VSer)が、緩やかな条件下で脱保護可能であり、また脱保護により置換基中に水酸基が発現する(置換基表面に水酸基が露出される)ことを以下のようにして確認した。
次いで、HPLC Chart6の反応混合物(IVSerのDBU処理サンプル)と、HPLC Chart7の化合物(IVSer’)とを混合した溶液について、HPLC Chartを確認した(HPLC Chart8、図19)。
また、参考として、HPLC Chart6の反応混合物(IVSerのDBU処理サンプル)を酢酸中和したサンプルと、IVSerとを混合した溶液についても、HPLC Chartを確認した(HPLC Chart9、図20)。
また、HPLC Chart9(IVSerのDBU処理サンプルを酢酸中和したサンプルと、IVSerとの重ねうち)の結果からは、DBU処理により生じた疎水性産物がIVSerと異なること、即ち、DBU処理によりIVSerが完全に消失することが確認された。
なお、本実施例3におけるHPLC分析条件は以下の通り。
[HPLC分析条件]
流速1mL/min A溶液 100mM トリエチルアンモニウム酢酸緩衝液 pH=7.0
B溶液 アセトニトリル
HPLC chart4〜9
B:30→80%(0→20min)
(付記1) 下記一般式(I)で表されることを特徴とする修飾核酸合成用アミダイドであって、保護基が非プロトン性溶媒中で脱保護可能であり、かつ、保護基が脱保護された際に、置換基中に水酸基が発現することを特徴とする修飾核酸合成用アミダイド。
(付記2) 非プロトン性溶媒が、アセトニトリル、ジクロロメタン、DMF、及び、N−メチルピロリドンからなる群より選択される少なくともいずれかである付記1に記載の修飾核酸合成用アミダイド。
(付記3) 保護基が、嵩高い塩基により脱保護可能である付記1から2のいずれかに記載の修飾核酸合成用アミダイド。
(付記4) 嵩高い塩基が、DBU、DBN、及び、テトラメチルグアニジンからなる群より選択される少なくともいずれかである付記3に記載の修飾核酸合成用アミダイド。
(付記5) 保護基が、0.01M DBU濃度以下で脱保護可能である付記1から4のいずれかに記載の修飾核酸合成用アミダイド。
(付記6) 保護基が、15分間以内に脱保護可能である付記1から5のいずれかに記載の修飾核酸合成用アミダイド。
(付記7) 置換基における水酸基を保護するための保護基が、3−アミノプロピオン酸誘導体、4−アミノ酪酸誘導体、5−アミノ吉草酸誘導体、アミノメチル炭酸誘導体、アミノエチル炭酸誘導体、アミノ安息香酸誘導体、アミノメチル安息香酸誘導体、アミノエチル安息香酸誘導体、アミノフェニル酢酸誘導体、アミノメチルフェニル酢酸誘導体、アミノフェニルプロピオン酸誘導体、及び、アミノメチルフェニルプロピロン酸誘導体のいずれかからなる保護基である付記1から6のいずれかに記載の修飾核酸合成用アミダイド。
(付記8) 置換基における水酸基を保護するための保護基が、下記一般式(II)〜(III)のいずれかで表される保護基である付記1から7のいずれかに記載の修飾核酸合成用アミダイド。
(付記10) 塩基が、アデニン、グアニン、及び、シトシンのいずれかである付記1から9のいずれかに記載の修飾核酸合成用アミダイド。
(付記11) 下記構造式(1)〜(2)のいずれかで表される付記1から10のいずれかに記載の修飾核酸合成用アミダイド。
(付記13) 修飾核酸合成用アミダイドの縮合反応の後、前記修飾核酸合成用アミダイドの保護基の脱保護が行われる付記12に記載の修飾核酸合成方法。
(付記14) 非プロトン性溶媒中で脱保護が行われる付記12から13のいずれかに記載の修飾核酸合成方法。
(付記15) 嵩高い塩基により脱保護が行われる付記12から14のいずれかに記載の修飾核酸合成方法。
(付記16) 0.01M DBU濃度以下で脱保護が行われる付記12から15のいずれかに記載の修飾核酸合成方法。
(付記17) 15分間以内に脱保護が行われる付記12から16のいずれかに記載の修飾核酸合成方法。
(付記18) 核酸自動合成装置を用いて行われる付記12から17のいずれかに記載の修飾核酸合成方法。
(付記19) 付記12から18のいずれかに記載の修飾核酸合成方法により得られることを特徴とする修飾核酸。
(付記20) 水酸基が発現した置換基を有してなる付記19に記載の修飾核酸。
Claims (4)
- 下記構造式(1)で表されることを特徴とする修飾核酸合成用アミダイド。
- 下記構造式(2)で表されることを特徴とする修飾核酸合成用アミダイド。
- 請求項1から2のいずれかに記載の修飾核酸合成用アミダイドを用いることを特徴とする修飾核酸合成方法。
- 請求項3に記載の修飾核酸合成方法により得られることを特徴とする修飾核酸。
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