JP4493219B2 - 弾性波装置の製造方法 - Google Patents
弾性波装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4493219B2 JP4493219B2 JP2001024811A JP2001024811A JP4493219B2 JP 4493219 B2 JP4493219 B2 JP 4493219B2 JP 2001024811 A JP2001024811 A JP 2001024811A JP 2001024811 A JP2001024811 A JP 2001024811A JP 4493219 B2 JP4493219 B2 JP 4493219B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- dielectric substrate
- resin adhesive
- adhesive
- wave device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15151—Shape the die mounting substrate comprising an aperture, e.g. for underfilling, outgassing, window type wire connections
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、移動体通信機器やテレビ、VTR等に用いられる弾性波素子を用いた電子部品である弾性波装置に関し、特にフィルタ、発信機、増幅装置等の部品を集積させて、特定の機能を有したモジュール用の弾性波装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、電波を利用する移動体通信機器やテレビ、VTR等の電子機器のフィルタ,遅延線,発信機等の素子として多くの弾性波素子を用いた電子部品(弾性波装置)が用いられている。なおここで、弾性波素子とは、弾性表面波やバルク波等を利用する素子をいうものとする。
【0003】
電子機器は小型・軽量化が進んできており、電子機器に使用される電子部品には実装密度向上と電気特性向上のために、フィルタ、発信機、増幅装置等の部品を集積させて特定の機能を有したモジュールの開発が進められている。モジュール全体が封止されているため、その中の個別部品の電子素子は封止する必要がない。
【0004】
さらに、モジュール中への電子部品の実装時間を短縮するために、実装される電子部品は全て半田実装ができることが望まれている。そのため、モジュールに用いる弾性波素子は、小型で且つ半田実装可能なCSP(チップサイズパッケージ)の開発が進められている。
【0005】
図3はCSPを用いた弾性波装置の一例を示す断面図である。図3において、圧電材料基板61の下面に弾性波素子62とバンプ用電極配線63が形成されている。バンプ電極63は、誘電体基板64の上面に形成されたバンプ用電極配線65とバンプ66で電気的に接続されている。バンプ用電極配線65はキャスタレーション(帯状導体)67もしくはビアホール導体(貫通導体)68を介して誘電体基板64の下面に形成された電極配線69と電気的に接続されている。この電極配線とモジュールが半田等によって電気的に接続されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、弾性波素子のある圧電材料基板61はバンプ66のみで誘電体基板64上に支持されているため、機械的強度の弱さにより、衝撃等で圧電材料基板61が誘電体基板64から剥がれる可能性がある。そのため、機械的強度の向上のために、バンプ66の数を多くする必要があり、電子部品の小型化の妨げとなっていた。
【0007】
また、有機系接着剤等で圧電材料基板61と誘電体基板64を接合させる開発が進められているが、接着剤内部に残留する気体の除去ができず機械的強度の低下を招いたり、接着剤が弾性波素子に付着して電気特性を低下させるという問題があり、実用化は困難であった。
【0008】
本発明は上記従来技術における問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、モジュール内に実装する弾性波装置において、弾性波素子と誘電体基板を接合する有機系接着剤内部に残留する気体の除去ができる構造と、接着剤が弾性波素子に付着しないように接着剤を硬化させる製造方法を用いることにより、弾性波素子の機械的強度を改善することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
前述の目的を達成するために、本発明の弾性波装置は、電気配線を備えた誘電体基板上に、下面に弾性波伝播路を有する弾性波素子を搭載するとともに、前記電気配線と前記弾性波伝搬路とを接続導体を介して接続して成る弾性波装置であって、前記弾性波素子の弾性波伝播路の振動空間を形成するように、前記誘電体基板と前記弾性波素子との間に樹脂製接着材を環状に設けるとともに、前記誘電体基板に前記振動空間に通じる通気孔を設けたことを特徴とする。
【0010】
また、前記樹脂製接着材は、前記通気孔を通じて圧縮気体及び/または紫外線により硬化させたことを特徴とする。
【0011】
また、前記通気孔が樹脂又は金属で封止されていることを特徴とする。
【0012】
具体的には、上面に弾性波素子を接続する電気配線を有する誘電体基板と下面に弾性波伝播路を有する弾性波素子がバンプを介して電気的に接合されている弾性波装置において、前記弾性波伝播路の振動空間を設けるように前記絶縁基板と前記弾性波素子の間に塗布・硬化させて形成された樹脂接着剤と、前記弾性波素子の搭載部を有する前記誘電体基板の上面から下面にかけて通気孔(貫通孔)があり、前記通気孔の上面が前記振動空間と接していることを特徴とする。なお、誘電体基板は多孔質の材料から成るものでもよい。
【0013】
また、前記誘電体基板と前記弾性波素子の間に前記樹脂接着剤を塗布させた後に、前記通気孔の下面から圧縮気体を前記振動空間に送り込みながら前記樹脂接着剤を硬化させることを特徴とする。
【0014】
また、前記樹脂接着剤に熱硬化型樹脂接着剤を用い、前記圧縮空気を加熱して前記振動空間に送り込み、前記樹脂接着剤を前記振動空間表面より硬化させることを特徴とする。
【0015】
また、前記樹脂接着剤に紫外線硬化型樹脂接着剤を用い、前記通気孔から圧縮気体とともに紫外線を前記振動空間に送り込み、前記樹脂接着剤を前記振動空間表面より硬化させることを特徴とする。
【0016】
通気孔が樹脂もしくは金属で封止されていることを特徴とするものである。
【0017】
また、前記誘電体基板と前記弾性波素子の間の前記樹脂接着剤が硬化した後、通気孔を樹脂もしくは金属で封止することを特徴とする。
【0018】
上面に弾性波素子を接続する電気配線を有する誘電体基板と下面に弾性波伝播路を有する弾性波素子がバンプを介して電気的に接合されている電子部品において、前記弾性波伝播路の振動空間を設けるように前記絶縁基板と前記弾性波素子の間に塗布・硬化させて形成された樹脂接着剤と、前記弾性波素子の搭載部を有する前記誘電体基板の上面から下面にかけて通気孔があり、前記通気孔の上面が前記振動空間と接していることにより、前記樹脂接着剤内部に残留する気体が前記誘電体基板の通気孔(通気孔)を通って外部に出るために、前記樹脂接着剤内部の空孔を減らすことができ、前記樹脂接着剤の機械的強度を上げることができる。
【0019】
また、前記誘電体基板と前記弾性波素子の間に前記樹脂接着剤を塗布させた後に、前記通気孔の下面から圧縮気体を前記振動空間に送り込みながら前記樹脂接着剤を硬化させることにより、圧縮空気の圧力により前記接着剤が前記振動空間に浸入するのを妨げることができ、電気特性を変えることなく前記樹脂接着剤を硬化させることができる。
【0020】
また、前記樹脂接着剤に熱硬化型樹脂接着剤を用い、前記圧縮空気を加熱して前記振動空間に送り込み、前記樹脂接着剤を前記振動空間表面より硬化させることにより、前記振動空間に浸入しようとする前記接着剤の表面が先に硬化するために、前記接着剤が前記振動空間に浸入するのを妨げることができ、電気特性を変えることなく前記樹脂接着剤を硬化させることができる。
【0021】
また、前記樹脂接着剤に紫外線硬化型樹脂接着剤を用い、前記通気孔から圧縮気体とともに紫外線を前記振動空間に送り込み、前記樹脂接着剤を前記振動空間表面より硬化させることにより、前記振動空間に浸入しようとする前記接着剤の表面が先に硬化するために、前記接着剤が前記振動空間に浸入するのを妨げることができ、電気特性を変えることなく前記樹脂接着剤を硬化させることができる。
【0022】
また、通気孔が樹脂もしくは金属で封止されていることにより、弾性波素子を用いた電子部品の実装時における半田等の飛散物やほこり等のよごれから前記振動空間を守ることができ、電気特性の信頼性を向上させることができる。
【0023】
また、前記誘電体基板と前記弾性波素子の間の前記樹脂接着剤が硬化した後、通気孔を樹脂もしくは金属で封止することにより、前記樹脂接着剤内部に残留する気体が前記誘電体基板の通気孔を通って外部に出るために、前記樹脂接着剤内部の空孔を減らすことができ、前記樹脂接着剤の機械的強度を上げることができ、さらに弾性波素子を用いた電子部品の実装時における半田等の飛散物やほこり等のよごれから前記振動空間を守ることができ、電気特性の信頼性を向上させることができる。
【0024】
さらに、前記振動空間に浸入しようとする前記接着剤の表面が先に硬化するために、前記接着剤が前記振動空間に浸入するのを妨げることができ、電気特性を変えることなく前記樹脂接着剤を硬化させることができ、さらに弾性波素子を用いた電子部品の実装時における半田等の飛散物やほこり等のよごれから前記振動空間を守ることができ、電気特性の信頼性を向上させることができる。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る弾性波装置及びその製造方法について、模式的に図示した図面に基づき詳細に説明する。なお、本発明は以下の例に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で変更・改良を施すことは何ら差し支えない。
【0026】
図1、図2は本発明の弾性波装置の構成例を模式的に示す断面図である。
【0027】
図1に示すように、圧電材料基板1の下面に弾性波伝搬路が形成された弾性波素子2とバンプ用電極配線3が形成されている。バンプ用電極配線3は、誘電体基板4の上面に形成されたバンプ用電極配線5と接続導体であるバンプ6を介して電気的に接続されている。バンプ用電極配線5はキャスタレーション7もしくはビアホール導体8を介して誘電体基板4の下面に形成された電極配線9と電気的に接続されている。この電極配線とモジュールが半田等によって電気的に接続されている。なお、ここで弾性波素子とは、例えば励振電極が圧電材料基板1上に形成されて成る弾性表面波素子などの素子をいうものとする。
【0028】
一方、圧電材料基板1と誘電体基板4は環状に形成された樹脂接着剤(樹脂製接着材)10によって、弾性波素子2の弾性波伝播路の振動空間11を確保するように機械的に接続している。このように、弾性波素子2の下部の振動空間11には樹脂接着剤10はなく、誘電体基板4には振動空間11に通じた通気孔12が形成されている。
【0029】
ここで、通気孔12の位置は、環状に形成された樹脂接着剤10の内側であれば、どこに形成されていてもよく、また、その数や形状も振動空間11内へ後記する圧縮気体や紫外線等を通すことができれば限定されない。ただし、好適には環状の樹脂接着剤10の中央部に、図示のように例えば1つの通気孔12を位置させる。これにより、樹脂接着剤10に対し均等に圧縮気体の圧力や紫外線等の光照射を行わせることが可能である。この孔径は例えば40μmより大きなものとし、環状の樹脂接着剤10の内側のサイズより小さくする。例えば20μmより小さくなると樹脂が詰まりやすくなる。また、通気孔12の孔形状は、振動空間11に通じている付近では、図示のように真直ぐ(弾性波素子2に対し垂直方向)とするか末広がり(すり鉢状)にすることにより、圧縮気体や光が等方的に分散させることができ、樹脂接着剤10に満遍なくあてることができる。なお、誘電体基板4自体または誘電体基板4の一部分をポーラス(多孔質)の材料で形成して、通気孔12と同様な作用を行わせることも可能である。
【0030】
次に、本発明の他の実施形態について説明する。図2において、圧電材料基板21の下面に弾性波素子22とバンプ用電極配線23が形成されている。バンプ電極23は、誘電体基板24の上面に形成されたバンプ用電極配線25とバンプ26で電気的に接続されている。バンプ用電極配線25はキャスタレーション27もしくはビアホール導体28を介して誘電体基板24の下面に形成された電極配線29と電気的に接続されている。この電極配線とモジュールが半田等によって電気的に接続されている。
【0031】
一方、圧電材料基板21と誘電体基板24は、樹脂接着剤30によって機械的に接続している。ただし、弾性波素子22の下部の振動空間31には樹脂接着剤30はない。誘電体基板24の前記振動空間31の下部部分に通気孔32がある。そしてこの通気孔32の内部に通気孔の封止体33がある。
【0032】
かくして、本発明によれば、誘電体基板に形成した振動空間に通じた通気孔により、樹脂接着剤の内部に残留する気体が誘電体基板の通気孔を通って外部に出るために、樹脂接着剤内部の空孔を減らすことができ、樹脂接着剤の機械的強度を向上させることができる。
【0033】
さらに、通気孔から圧縮空気による圧力や紫外線等の光照射を行わせることにより、加熱硬化、光硬化(特に紫外線硬化)をさせ、樹脂接着剤が弾性波素子の電気特性へ影響を及ぼさないようにできる弾性波装置を提供できる。
【0034】
【実施例】
次に、本発明の弾性波装置のより具体化した実施例について説明する。
〔例1〕
本発明例1として図1に示す弾性波装置について実施した。
【0035】
圧電材料基板は誘電率43のタンタル酸リチウム単結晶を用い、誘電体基板には誘電率9.7の酸化アルミニウムを用いた。誘電体基板上の金属配線はニッケルメッキ後に金メッキを施し、圧電材料基板上の弾性波素子及びバンプ電極配線はアルミニウムをスパッタ法で製膜した。バンプは金を用いた。誘電体基板には、弾性波素子の中央の真下部分に直径400μmの通気孔を開けた。
【0036】
バンプは超音波周波数60KHz、荷重30gf(約0.3N)、温度200℃で入力1個、出力1個、グランド2個の計4個形成した。
【0037】
そして、超音波周波数63.5KHz、荷重400gf(約3.9N)、温度200℃でフリップチップ実装を行った。
【0038】
フリップチップ実装後、圧電材料基板と誘電体基板の間にエポキシ系樹脂を塗布し、150℃で1時間熱処理を行い接着剤を硬化させた。
【0039】
比較例1として、図1に示す弾性波装置において通気孔を開けない構造を実施した。すなわち、圧電材料基板は誘電率43のタンタル酸リチウムを用い、誘電体基板には誘電率9.7の酸化アルミニウムを用いた。誘電体基板上の金属配線はニッケルメッキ後に金メッキを施し、圧電材料基板上の弾性波素子及びバンプ電極配線はアルミニウムをスパッタ法で製膜した。バンプは金を用いた。誘電体基板には、通気孔は開けなかった。
【0040】
バンプは超音波周波数60KHz、荷重30gf(約0.3N)、温度200℃で入力1個、出力1個、グランド2個の計4個形成した。
【0041】
そして、超音波周波数63.5KHz、荷重400gf(約3.9N)、温度200℃でフリップチップ実装を行った。
【0042】
フリップチップ実装後、圧電材料基板と誘電体基板の間にエポキシ系樹脂を塗布し、150℃で1時間熱処理を行い接着剤を硬化させた。
【0043】
比較例2として図3に示す従来構造で実施した。
【0044】
圧電材料基板は誘電率43のタンタル酸リチウム単結晶を用い、誘電体基板には誘電率9.7の酸化アルミニウムを用いた。誘電体基板上の金属配線はニッケルメッキ後に金メッキを施し、圧電材料基板上の弾性波素子及びバンプ電極配線はアルミニウムをスパッタ法で製膜した。バンプは金を用いた。
【0045】
バンプは超音波周波数60KHz、荷重30gf(約0.3N)、温度200℃で入力1個、出力1個、グランド2個の計4個形成した。
【0046】
そして、超音波周波数63.5KHz、荷重400gf(約3.9N)、温度200℃でフリップチップ実装を行った。
【0047】
本発明例1、比較例1、比較例2のサンプルをそれぞれ10個作製し、それぞれの圧電材料基板のダイシェア強度をダイシェア強度測定装置で測定した。その結果を表1に示す。
【0048】
【表1】
【0049】
表1より本発明例1の平均ダイシェア強度が最も大きいことがわかる。また、本発明ではダイシェア強度のばらつきが小さくなっていることがわかる。これは、本発明により接着剤内部の空孔が減少したためと考えられる。
【0050】
この結果により、本発明の弾性波装置における有効性が確認できた。
〔例2〕
本発明例2として図1に示す弾性波装置について実施した。
【0051】
圧電材料基板は誘電率43のタンタル酸リチウム単結晶を用い、誘電体基板には誘電率9.7の酸化アルミニウムを用いた。誘電体基板上の金属配線はニッケルメッキ後に金メッキを施し、圧電材料基板上の弾性波素子及びバンプ電極配線はアルミニウムをスパッタ法で製膜した。弾性波素子は1.9GHzで共振する共振子に設計した。バンプは金を用いた。誘電体基板には、弾性波素子の中央の真下部分に直径400μmの通気孔を開けた。
【0052】
バンプは超音波周波数60KHz、荷重30gf(約0.3N)、温度200℃で入力1個、出力1個、グランド2個の計4個形成した。
【0053】
そして、超音波周波数63.5KHz、荷重400gf(約3.9N)、温度200℃でフリップチップ実装を行った。
【0054】
フリップチップ実装後、圧電材料基板と誘電体基板の間にエポキシ系樹脂を塗布した。1.1気圧の空気を誘電体基板の通気孔から送り込みながら、150℃で1時間熱処理を行い接着剤を硬化させた。
【0055】
比較例3として図1に示す弾性波装置を用いて、圧縮空気を送り込まない製造・方法で実施した。
【0056】
圧電材料基板は誘電率43のタンタル酸リチウム単結晶を用い、誘電体基板には誘電率9.7の酸化アルミニウムを用いた。誘電体基板上の金属配線はニッケルメッキ後に金メッキを施し、圧電材料基板上の弾性波素子及びバンプ電極配線はアルミニウムをスパッタ法で製膜した。弾性波素子は1.9GHzで共振する共振子に設計した。バンプは金を用いた。誘電体基板には、弾性波素子の中央の真下部分に直径400μmの通気孔を開けた。
【0057】
バンプは超音波周波数60KHz、荷重30gf(約0.3N)、温度200℃で入力1個、出力1個、グランド2個の計4個形成した。
【0058】
そして、超音波周波数63.5KHz、荷重400gf(約3.9N)、温度200℃でフリップチップ実装を行った。
【0059】
フリップチップ実装後、圧電材料基板と誘電体基板の間にエポキシ系樹脂を塗布した。通気孔には何も送り込まず、150℃で1時間熱処理を行い接着剤を硬化させた。
【0060】
本発明例2、比較例3のサンプルをそれぞれ10個作製し、それぞれ1.9GHzでの挿入損失をネットワークアナライザーを用いて測定した。その結果を表2に示す。
【0061】
【表2】
【0062】
表2より、本発明例2の損失が小さく、さらにばらつきが小さいことがわかる。
【0063】
この結果により、本発明の弾性波装置の有効性が確認できた。
〔例3〕
本発明例3として図1に示す弾性波装置について実施した。
【0064】
圧電材料基板は誘電率43のタンタル酸リチウム単結晶を用い、誘電体基板には誘電率9.7の酸化アルミニウムを用いた。誘電体基板上の金属配線はニッケルメッキ後に金メッキを施し、圧電材料基板上の弾性波素子及びバンプ電極配線はアルミニウムをスパッタ法で製膜した。弾性波素子は1.9GHzで共振する共振子に設計した。バンプは金を用いた。誘電体基板には、弾性波素子の中央の真下部分に直径400μmの通気孔を開けた。
【0065】
バンプは超音波周波数60KHz、荷重30gf(約0.3N)、温度200℃で入力1個、出力1個、グランド2個の計4個形成した。
【0066】
そして、超音波周波数63.5KHz、荷重400gf(約3.9N)、温度200℃でフリップチップ実装を行った。
【0067】
フリップチップ実装後、圧電材料基板と誘電体基板の間にエポキシ系樹脂を塗布した。80℃に熱した1.1気圧の空気を誘電体基板の通気孔から送り込みながら、誘電体基板下面を150℃で加熱して1時間熱処理を行い接着剤を硬化させた。
【0068】
本発明例4として図1に示す弾性波装置について実施した。
【0069】
圧電材料基板は誘電率43のタンタル酸リチウム単結晶を用い、誘電体基板には誘電率9.7の酸化アルミニウムを用いた。誘電体基板上の金属配線はニッケルメッキ後に金メッキを施し、圧電材料基板上の弾性波素子及びバンプ電極配線はアルミニウムをスパッタ法で製膜した。弾性波素子は1.9GHzで共振する共振子に設計した。バンプは金を用いた。誘電体基板には、弾性波素子の中央の真下部分に直径400μmの通気孔を開けた。
【0070】
バンプは超音波周波数60KHz、荷重30gf(約0.3N)、温度200℃で入力1個、出力1個、グランド2個の計4個形成した。
【0071】
そして、超音波周波数63.5KHz、荷重400gf、温度200℃でフリップチップ実装を行った。
【0072】
フリップチップ実装後、圧電材料基板と誘電体基板の間に紫外線硬化樹脂を塗布した。通気孔より1.1気圧の空気を送り込みながら紫外線500mW/cm2を照射し、誘電体基板上面か紫外線500mW/cm2を照射して10分間紫外線処理を行い接着剤を硬化させた。
【0073】
本発明例3、4のサンプルをそれぞれ10個作製し、それぞれ1.9GHzでの挿入損失をネットワークアナライザーを用いて測定した。また、それぞれの圧電材料基板のダイシェア強度をダイシェア強度測定装置で測定した。これらの結果と本発明例2の結果を表3に示す。
【0074】
【表3】
【0075】
表3より、本発明例3、4は本発明例2よりもさらに低損失でばらつきを小さくすることができることが判明した。なお、ダイシェア強度についてはどの強度もほぼ同じであった。
【0076】
この結果により、本発明の弾性波装置のさらなる有効性が確認できた。
〔例4〕
本発明例5として図2に示す弾性波装置を用いて実施した。
【0077】
圧電材料基板は誘電率43のタンタル酸リチウム単結晶を用い、誘電体基板には誘電率9.7の酸化アルミニウムを用いた。誘電体基板上の金属配線はニッケルメッキ後に金メッキを施し、圧電材料基板上の弾性波素子及びバンプ電極配線はアルミニウムをスパッタ法で製膜した。バンプは金を用いた。誘電体基板には、弾性波素子の中央の真下部分に直径400μmの通気孔を開けた。
【0078】
バンプは超音波周波数60KHz、荷重30gf(約0.3N)、温度200℃で入力1個、出力1個、グランド2個の計4個形成した。
【0079】
そして、超音波周波数63.5KHz、荷重400gf(約3.9N)、温度200℃でフリップチップ実装を行った。
【0080】
フリップチップ実装後、圧電材料基板と誘電体基板の間にエポキシ系樹脂を塗布し、150℃で1時間熱処理を行い接着剤を硬化させた。
【0081】
接着剤の硬化後、通気孔にエポキシ系樹脂を注入し、150℃で10分間熱処理を行いエポキシ樹脂を硬化させた。
【0082】
比較例4として、フリップチップ実装後、圧電材料基板と誘電体基板の間にエポキシ系樹脂を塗布するとともに、通気孔にもエポキシ系樹脂を注入した。そして、150℃で1時間熱処理を行いエポキシ樹脂を硬化させた。
本発明例5、比較例4のサンプルをそれぞれ10個作製し、それぞれの圧電材料基板のダイシェア強度をダイシェア強度測定装置で測定した。その結果を表4に示す。
【0083】
【表4】
【0084】
表4より本発明例5の平均ダイシェア強度が最も大きいことが判明した。また、本発明ではダイシェア強度のばらつきが小さくなっていることが判明した。これは、本発明により接着剤内部の空孔が減少したためと考えられる。
【0085】
さらに、通気孔の封止により、電子部品の半田付け実装時の半田の飛散や埃等による弾性波素子の汚染はなかった。
【0086】
これらの結果により、本発明の弾性波装置の有効性が確認できた。
〔例5〕
本発明例6、7、8として、例2、3の方法で作製したサンプルの通気孔を封止することにより、図2に示す弾性波装置について実施した。
【0087】
本発明例6では、例2の方法でサンプルを作製した後、エポキシ樹脂を通気孔に注入した。そして、150℃で1時間熱処理を行いエポキシ樹脂剤を硬化させた。
【0088】
本発明例7では、例3の本発明例3の方法でサンプルを作製した後、エポキシ樹脂を通気孔に注入した。そして、150℃で1時間熱処理を行いエポキシ樹脂を硬化させた。
【0089】
本発明例8では、例3の本発明例4の方法でサンプルを作製した後、エポキシ樹脂を通気孔に注入した。そして、150℃で1時間熱処理を行いエポキシ樹脂を硬化させた。
【0090】
本発明例6、7、8のサンプルを10個作製し、それぞれ1.9GHzでの挿入損失をネットワークアナライザーを用いて測定した。また、それぞれの圧電材料基板のダイシェア強度をダイシェア強度測定装置で測定した。これらの結果と本発明例5の結果を表5に示す。
【0091】
【表5】
【0092】
表5より、本発明例6の損失は本発明5の損失より小さく、さらにばらつきも小さいことが判明した。
【0093】
さらに、本発明例7、8は本発明例6よりもさらに低損失でばらつきを小さくすることができることが判明した。ダイシェア強度についてはどの強度もほぼ同じであった。
【0094】
さらに、通気孔の封止により、電子部品の半田付け実装時の半田の飛散や埃等による弾性波素子の汚染はなかった。
【0095】
この結果により、本発明の弾性波装置の有効性が確認できた。
【0096】
なお、以上はあくまで本発明の実施の形態の例示であって、本発明はこれらに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更や改良を加えることは何ら差し支えない。
【0097】
例えば、圧電材料基板は、タンタル酸リチウム以外に、ニオブ酸リチウム、リチウム単結晶、四ホウ酸リチウム単結晶等、圧電特性を示すものであればどれでも良い。
【0098】
保護筐体は、酸化アルミニウム以外に、ムライト(3Al2O3・2SiO2)、フォルステライト(2MgO・SiO2)、ステアタイト(MgO・SiO2)、コージライト(2MgO・2Al2O3・5SiO2)窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭化硅素、窒化硅素等のセラミック材料、また有機系材料等誘電体であればどれでも良い。
【0099】
金属配線材料においても、金以外に銅、プラチナ、アルミニウム等、どれでも良く、特に本特許で制限を受けるものではない。
【0100】
圧電材料基板と誘電体基板を接合する接着剤と、通気孔を封止する接着剤の材質はエポキシ系接着剤の他に、ウレタン系接着剤、ポリイミド系、シリコーン系等、特に制限はない。
【0101】
また、通気孔の封止には、樹脂封止体以外にも、金属や半田ペースト等を用いてもよい。
【0102】
さらに、本発明の弾性波素子を用いた電子部品はモジュール内部に実装するのが最も効果的ではあるが、単品で回路基板に実装してもよく、特に用途が限定されるものではない。
【0103】
そして、本発明の弾性波素子を用いた電子部品は半田を用いた実装以外に、金バンプを用いたフリップチップ実装、ワイヤボンディング実装等でモジュールや回路基板に実装してもよい。
【0104】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の弾性波装置によれば、通気孔が弾性波伝搬路の振動空間に通じていることにより、樹脂製接着材内部に残留する気体が誘電体基板の通気孔を通って外部に出るために、樹脂製接着材内部の空孔を減らすことができ、樹脂製接着材の機械的強度を向上させることができる。
【0105】
さらに、通気孔から圧縮空気や紫外線等の光を入れ、加熱硬化、光(特に紫外線)硬化させることにより、樹脂製接着材が弾性波素子の電気特性へ影響を及ぼさないようにできる、優れた弾性波装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る弾性波装置の実施形態の一例を模式的に示す断面図である。
【図2】本発明に係る他の弾性波装置の実施形態の一例を模式的に示す断面図である。
【図3】従来の弾性波素子を用いた電子部品の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
1、21、61:圧電材料基板
2、22、62:弾性波素子
3、23、63:バンプ用電極配線(圧電材料基板下面)
4、24、64:誘電体基板
5、25、65:バンプ用電極配線(誘電体基板上面)
6、26、46:バンプ(接続導体)
7、27、67:キャスタレーション
8、28、68:ビアホール導体
9、29、69:電極配線(誘電体基板下面)
10、30:樹脂接着剤(樹脂製接着材)
11、31:振動空間
12、32:通気孔
33:封止体
Claims (3)
- 通気孔を有する誘電体基板を用意する工程と、
下面に弾性波伝播路を有する弾性表面波素子を、前記弾性波伝搬路が前記通気孔上に位置するようにして前記誘電体基板に搭載する工程と、
前記弾性波素子の弾性波伝播路の振動空間を形成するように、前記誘電体基板と前記弾性波素子との間に硬化前の樹脂製接着材を環状に形成する工程と、
圧縮空気を前記通気孔から前記振動空間に送りつつ前記樹脂製接着材を硬化する工程と、備えた弾性波装置の製造方法。 - 前記樹脂製接着材を硬化した後、前記通気孔を樹脂又は金属で封止する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の弾性波装置の製造方法。
- 前記樹脂製接着材が、熱硬化型または紫外線硬化型の樹脂製接着材である請求項1または2に記載の弾性波装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001024811A JP4493219B2 (ja) | 2001-01-31 | 2001-01-31 | 弾性波装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001024811A JP4493219B2 (ja) | 2001-01-31 | 2001-01-31 | 弾性波装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002232258A JP2002232258A (ja) | 2002-08-16 |
JP4493219B2 true JP4493219B2 (ja) | 2010-06-30 |
Family
ID=18889900
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001024811A Expired - Fee Related JP4493219B2 (ja) | 2001-01-31 | 2001-01-31 | 弾性波装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4493219B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6732905B2 (en) * | 2002-04-16 | 2004-05-11 | Agilent Technologies, Inc. | Vented cavity, hermetic solder seal |
-
2001
- 2001-01-31 JP JP2001024811A patent/JP4493219B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002232258A (ja) | 2002-08-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3537400B2 (ja) | 半導体内蔵モジュール及びその製造方法 | |
JP3196693B2 (ja) | 表面弾性波装置およびその製造方法 | |
JP4585419B2 (ja) | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 | |
JP2007258776A (ja) | 高周波モジュール | |
US9543268B2 (en) | Electronic component, method of manufacturing same, composite module including electronic component, and method of manufacturing same | |
CN101192817A (zh) | 声波器件 | |
JP2006237238A (ja) | 高周波モジュール | |
JP4493219B2 (ja) | 弾性波装置の製造方法 | |
JP4145476B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
JP2004153412A (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
KR20180055369A (ko) | 표면탄성파 소자 패키지 및 그 제작 방법 | |
US11621739B2 (en) | Radio-frequency module and communications device | |
KR101633643B1 (ko) | 필터 모듈 | |
JP4234088B2 (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
CN110495098A (zh) | 电子部件及具备该电子部件的模块 | |
JP2005217670A (ja) | 弾性表面波装置および通信装置 | |
JP2003124701A (ja) | 高周波モジュール部品 | |
JP5716875B2 (ja) | 電子部品及び電子モジュール | |
US9166553B2 (en) | Surface acoustic wave (SAW) device package and method for fabricating same | |
US20230059423A1 (en) | Module having elastic wave device | |
JP2007266898A (ja) | 高周波モジュールおよびその製造方法 | |
JP4582922B2 (ja) | 電子部品装置及びその製造方法 | |
KR20060056598A (ko) | 필터 패키지 및 패키지 리드 제조방법 | |
JP2023102573A (ja) | 弾性波デバイスおよび弾性波デバイスの製造方法 | |
JP3439928B2 (ja) | 弾性表面波装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070912 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091222 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100209 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100309 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100406 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140416 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |