JP2023102573A - 弾性波デバイスおよび弾性波デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 浮遊容量の発生を回避しつつ、放熱性に優れた弾性波デバイスを提供する。【解決手段】配線基板と、前記配線基板上に形成されたデバイスチップと、前記配線基板と前記デバイスチップの間の空間を囲うように配置された光硬化性樹脂膜と、前記配線基板、前記デバイスチップおよび前記光硬化性樹脂膜を覆うように形成されたセラミックス層と、前記セラミックス層を覆う封止部と、を備える弾性波デバイス。【選択図】図１
Description
本開示は、弾性波デバイスルおよび弾性波デバイスの製造方法に関連する。
特許文献１には、弾性波デバイスのパッケージング方法として、回路基板上にチップをフェースダウン実装し、デバイスチップの周りを金属からなる封止部材で覆う方法が開示されている。
例えば、Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ（ＳＡＷ）フィルタは、機能素子が破壊されることを防止するため、放熱性を確保する必要がある。
また、放熱性やシールド効果を得ようとして、デバイスチップを金属層で覆うと、浮遊容量が発生してしまう。
本開示は、上述の課題を解決するためになされた。本開示の目的は、浮遊容量の発生を回避しつつ、放熱性に優れた弾性波デバイスを提供することである。
本開示にかかる弾性波デバイスは、
配線基板と、
前記配線基板上に形成されたデバイスチップと、
前記配線基板と前記デバイスチップの間の空間を囲うように配置された光硬化性樹脂膜と、
前記配線基板、前記デバイスチップおよび前記光硬化性樹脂膜を覆うように形成されたセラミックス層と、
前記セラミックス層を覆う封止部と、を備える。
配線基板と、
前記配線基板上に形成されたデバイスチップと、
前記配線基板と前記デバイスチップの間の空間を囲うように配置された光硬化性樹脂膜と、
前記配線基板、前記デバイスチップおよび前記光硬化性樹脂膜を覆うように形成されたセラミックス層と、
前記セラミックス層を覆う封止部と、を備える。
前記光硬化性樹脂膜は、前記デバイスチップの前記配線基板との非対向主面および厚み方向の面の少なくとも一部には形成されておらず、かつ、その断面において、前記デバイスチップの厚み方向の面の下端から前記配線基板にかけて、湾曲して形成されていることが、本開示の一形態とされる。
前記光硬化性樹脂膜は、５μｍから１００μｍの厚みであることが、本開示の一形態とされる。
前記セラミックス層は、１４５～２３０W／（ｍ・ｋ）の熱伝導率であることが、本開示の一形態とされる。
前記セラミックス層は、アルミナイトライドまたはアルミナであることが、本開示の一形態とされる。
前記封止部上に金属層が形成されたことが、本開示の一形態とされる。
前記弾性波デバイスを備えるモジュールであることが、本開示の一形態とされる。
また、本開示にかかる弾性波デバイスの製造方法は、
配線基板上にデバイスチップを実装する工程と、
前記デバイスチップを覆うように光硬化性樹脂膜を配置する工程と、
前記光硬化性樹脂膜の一部を光硬化させる工程と、
前記光硬化性樹脂膜のうち、光硬化していない部分を除去する工程と、
前記配線基板、前記デバイスチップおよび前記光硬化性樹脂膜上にセラミックス層を形成する工程と、を含む。
配線基板上にデバイスチップを実装する工程と、
前記デバイスチップを覆うように光硬化性樹脂膜を配置する工程と、
前記光硬化性樹脂膜の一部を光硬化させる工程と、
前記光硬化性樹脂膜のうち、光硬化していない部分を除去する工程と、
前記配線基板、前記デバイスチップおよび前記光硬化性樹脂膜上にセラミックス層を形成する工程と、を含む。
前記光硬化性樹脂膜の一部を光硬化させる工程は、前記配線基板の面方向に対して非垂直に光線を照射することが、本開示の一形態とされる。
前記光硬化性樹脂膜の一部を光硬化させる工程は、前記配線基板と前記デバイスチップにより形成されたコーナー部に沿って光線を照射することが、本開示の一形態とされる。
前記光硬化性樹脂膜の一部を光硬化させる工程は、前記デバイスチップの前記配線基板との非対向面上に配置された光硬化性樹脂を光硬化させないことが、本開示の一形態とされる。
前記セラミックス層を形成する工程は、エアロゾルデポジション法によることが、本開示の一形態とされる。
前記セラミックス層上に封止部を形成する工程と、前記封止部上にめっきにより金属層を形成する工程とを含むことが、本開示の一形態とされる。
本開示によれば、浮遊容量の発生を回避しつつ、放熱性に優れた弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュールを提供することができる。
実施の形態について添付の図面を参照して説明する。なお、各図中、同一または対応する部分には同一の符号が付される。当該部分の重複説明は適宜に簡略化ないし省略される。
実施の形態１．
図１は実施の形態１に係る弾性波デバイス１０の断面図である。この弾性波デバイス１０は、配線基板１２を備えている。一例によれば、配線基板１２はＰｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ（ＰＣＢ）基板、又はＨｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ（ＨＴＣＣ）基板である。
図１は実施の形態１に係る弾性波デバイス１０の断面図である。この弾性波デバイス１０は、配線基板１２を備えている。一例によれば、配線基板１２はＰｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ（ＰＣＢ）基板、又はＨｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ（ＨＴＣＣ）基板である。
別の例によれば、配線基板１２は、複数の誘電体層からなる低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）多層基板である。
別の例によれば、基材と、当該基材を貫通する配線電極が設けられた任意の基板を配線基板とすることができる。図１の例では、配線基板１２は、基材と、上部電極と、ビア配線などによって上部電極と電気的に接続された下部電極とを備えている。
配線基板１２の内部にコンデンサ又はインダクタ等の受動部品を形成してもよい。
一例によれば、弾性波デバイス１０は、デバイスチップ１４を含む。デバイスチップ１４は、複数の弾性表面波共振器または複数の音響薄膜共振器を機能素子から構成されるバンドパスフィルタ、デュプレクサ、またはデュアルフィルタ等の機能を提供する。
デバイスチップ１４は、機能素子を有する第１主面を配線基板１２に対向させつつ配線基板１２に実装されている。
図１の例では、デバイスチップ１４は、第１主面に、機能素子としてＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）１４ａと一対の反射器とを備える。
当該第１主面には、銀、アルミニウム、銅、チタン、パラジウムなどの適宜の金属又は合金により配線パターンが形成され得る。ＩＤＴ１４ａと一対の反射器とは、弾性表面波を励振し得るように設けられる。
別の例によれば、第１主面に形成される機能素子は受信フィルタと送信フィルタである。
受信フィルタは、所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成される。例えば、受信フィルタは、複数の直列共振器と複数の並列共振器からなるラダー型フィルタである。
送信フィルタは、所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成される。例えば、送信フィルタは、複数の直列共振器と複数の並列共振器からなるラダー型フィルタである。
デバイスチップ１４は、例えば、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムまたは水晶などの圧電単結晶で形成された基板を有する。別の例によれば、デバイスチップ１４は、圧電セラミックスで形成された基板を有する。
別の例によれば、デバイスチップ１４は、圧電基板と支持基板とが接合された基板を有する。例えば、支持基板は、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスで形成された基板である。
デバイスチップ１４は、バンプ１５によって配線基板１２に実装されている。
バンプ１５は、例えば金バンプである。別の例によれば、バンプ１５を半田に置き換えることができる。一例によれば、バンプ１５の高さは１０μｍから５０μｍである。
配線基板１２とデバイスチップ１４の間には、空隙１６がある。空隙１６は、光硬化性樹脂１８で覆われている。
また、デバイスチップ１４の側壁の少なくとも一部は、光硬化性樹脂１８で覆われている。あるいは、空隙１６は、デバイスチップ１４の第１主面の端部から配線基板１２にかけて光硬化性樹脂１８により覆われてもよい。
図１に示すように、デバイスチップ１４の側壁の少なくとも一部は光硬化性樹脂１８に覆われていない。
光硬化性樹脂１８は、デバイスチップ１４の側壁の下側部分から、配線基板１２にかけて、湾曲して形成されている。
光硬化性樹脂１８は、例えば、５μｍから１００μｍの厚みである。より望ましくは、２５μｍから７５μｍの厚みである。後述する製造工程における確実な光硬化、および、配線基板と機能素子の間の空隙１６の封止の確保を両立するため、さらに望ましくは、３５μｍから５５μｍの厚みである。
一例によれば、光硬化性樹脂１８は、熱硬化性の特性を備えてもよい。樹脂の熱硬化性とは、常温より高温である第１温度で一時的に軟化し、第１温度を継続すること又は第１温度より高温の第２温度とすることで硬化する性質を含むものである。
光硬化性樹脂１８は、光硬化されているが、弾性波デバイス１０の製造工程等における熱履歴によっては、熱硬化されていてもよい。
光硬化性樹脂１８の材料として例を挙げると以下のものがある。
・エポキシ樹脂ベースの日本化薬製のＫＰＭ５００ドライフィルム
・エポキシ樹脂ベースの太陽インキ製のＰＳＲ－８００ ＡＵＳ４１０,ＰＳＲ－８００ ＡＵＳ ＳＲ１
・ポリイミド樹脂ベースの東レ製のＬＰＡ－２２
・エポキシ樹脂ベースの日本化薬製のＫＰＭ５００ドライフィルム
・エポキシ樹脂ベースの太陽インキ製のＰＳＲ－８００ ＡＵＳ４１０,ＰＳＲ－８００ ＡＵＳ ＳＲ１
・ポリイミド樹脂ベースの東レ製のＬＰＡ－２２
デバイスチップ１４は、第１主面と反対側の面である第２主面を有している。
この第２主面は、セラミックス層２０で覆われている。セラミックス層２０は、例えば、アルミナイトライド、アルミナを用いることができる。
セラミックス層２０は、例えば、常温（摂氏２５度）において、１４５～２３０Ｗ／（ｍ・ｋ）の熱伝導率を有する材料により形成することができる。これにより、デバイスチップ１４の放熱性が高まる。
例えば、アルミナイトライドは常温（摂氏２５度）において１８０～２３０Ｗ／（ｍ・ｋ）程度の熱伝導率を有する。
図１に示すように、デバイスチップ１４の側壁の上側部分がセラミックス層２０で覆われている。これにより、デバイスチップ１４の放熱性がさらに高まる。
セラミックス層２０は、多結晶構造とすることができる。また、セラミックス層２０は、デバイスチップ１４の第２主面の垂直方向よりも水平方向のほうが、結晶粒径が大きい構造とすることができる。これにより、デバイスチップ１４の放熱性がさらに高まる。
セラミックス層２０は、光硬化性樹脂１８に対して食い込むように形成されてもよい。言い換えれば、セラミックス層２０と光硬化性樹脂１８の界面は、ギザギザ形状とすることができる。
これにより、セラミックス層２０と光硬化性樹脂１８の密着性が向上し、空隙１６の封止性を高めることができる。
セラミックス層２０は、配線基板１２上のメタルパターン１２と接触することが望ましい。これにより、デバイスチップ１４の放熱性がさらに高まる。
図１に示すように、セラミックス層２０を覆うように、封止部２２が形成されている。封止部２２は、例えば、合成樹脂等の絶縁体により形成してもよく、浮遊容量が問題とならない範囲であれば金属を用いてもよい。
合成樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミドなどを用いることができるが、これらに限るものではない。好ましくは、エポキシ樹脂を用い、低温硬化プロセスを用いて封止部２２を形成する。
配線基板１２とデバイスチップ１４の間の空隙１６は、光硬化性樹脂１８、セラミックス層２０および封止部２２により、気密封止されている。
図１に示すように、封止部２２上に、金属層２４が形成されている。金属層２４を備えることにより、シールド効果が向上した弾性波デバイス１０を提供することができる。
金属層２４とデバイスチップ１４の間には、セラミックス層２０および封止部２２が形成されているため、シールド効果を得つつも浮遊容量が問題となることを回避できる。また、金属層２４放熱性のさらなる向上に貢献する。
図２は、弾性波デバイス１０の製造方法を示すフローチャートである。このフローチャートを参照しつつ、図１の弾性波デバイス１０の製造方法を説明する。
ステップＳ１では、まず、配線基板をプラズマ洗浄処理する。一例によれば、配線基板は、単位配線基板１２が２次元方向にアレイ配置された基板である。この場合、配線基板には複数の単位配線基板１２が配置されているということができる。
そして、ステップＳ２にてデバイスチップ１４をフリップチップボンディングにより配線基板に搭載する。
ステップＳ２は、一例によれば、Ａｕ－Ａｕ接合（ＧＧＩ接合）工程である。必要に応じて、超音波、加熱または加圧を用いて、フリップチップボンディングにより、配線基板に、複数のデバイスチップ１４を搭載する。
次いでステップＳ３に処理を進める。ステップＳ３は光硬化性樹脂１８を形成する工程である。
まず、ステップＳ２にて実装された複数のデバイスチップにまたがるように樹脂シートをのせる。樹脂シートは光硬化性樹脂からなる。
樹脂シートは例えば液状のエポキシ樹脂をシート化したものである。別の例によれば、樹脂シートは、エポキシ樹脂とは異なるポリイミドなどの合成樹脂とすることができる。
樹脂シートの上面にポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を材料とする保護フィルムを設けたり、樹脂シートの下面にポリエステルを材料とするベースフィルムを設けたりすることができる。
複数のデバイスチップ１４の上に樹脂シートをのせることで、樹脂シートが複数のデバイスチップ１４に仮固定される。
次いでステップＳ４では、真空ラミネートによって、樹脂をチップ間に提供する。例えば、真空下で樹脂シートに配線基板１２方向への圧力をかけながら、樹脂をチップ間の領域に提供していく。
圧縮空気で膨らませたシリコンゴムで樹脂シートに配線基板１２方向への圧力をかけたり、ラバープレートで樹脂シートに配線基板１２方向への圧力をかけたりすることができる。
真空ラミネートに代えて、別の方法でチップ間に樹脂を提供してもよい。例えば、熱ローララミネート法と呼ばれる方法を採用してもよい。
熱ローララミネート法では、少なくとも樹脂シートの軟化温度まで加熱した上ローラと下ローラの間にワークを通すことで、樹脂シートが、複数のデバイスチップの上面に提供されるとともに、複数のデバイスチップの側面と配線基板１２の上面に充填される。
この場合の樹脂シートは、光硬化性及び熱硬化性を有する。
次いで、ステップＳ５では、樹脂のうち配線基板１２とデバイスチップ１４との間の空隙１６を覆う部分を光硬化させる。
図３は、配線基板１２とデバイスチップ１４との間の空隙１６を覆う部分を硬化させることを示す図である。
図３に示すように、樹脂のうち配線基板１２とデバイスチップ１４との間の空隙１６を覆う部分にＵＶ照射する。
一例によれば、このＵＶ照射では、ＵＶ照射装置から照射されるＵＶ光が、配線基板１２とデバイスチップ１４との間の空隙１６を覆う部分、ならびに、その隣接する領域であって、デバイスチップ１４の側壁の一部分および配線基板の一部分にのみ、提供される。他の部分にはＵＶ照射しない。
また、このＵＶ照射では、配線基板の面方向に対して非垂直に照射することが望ましい。
また、配線基板とデバイスチップ１４により形成されたコーナー部に沿って照射することが望ましい。
配線基板を保持するステージを動かしながら走査することで選択的に照射してもよいし、マスクを併用してもよい。
個片化前のアレイ状に配置された複数のデバイスチップ１４のそれぞれの４辺（デバイスチップが略直方体である場合）において、効率よく、光硬化性樹脂１８の空隙１６を覆う部分およびその隣接する領域を選択的に光硬化させることができるからである。
光硬化性樹脂１８を選択的に硬化させる方法はＵＶ露光に限定されない。例えば、電子線を選択的に照射することで、空隙１６を覆う部分を選択的に硬化させてもよい。
光硬化性樹脂１８の空隙１６を覆う部分およびその隣接する領域が硬化し、図１の光硬化性樹脂１８と同じ形状を維持することで、その後の工程において、弾性波デバイス１０の機能素子にセラミックス粒子などのデブリが付着することを回避できる。一例によれば、この空隙１６は密閉空間である。
次いで、ステップＳ６へ処理を進める。ステップＳ６では、樹脂の一部を除去する。
図４は、樹脂の除去の例を示す図である。この例では、光硬化性樹脂１８の空隙１６を覆う部分およびその隣接する領域以外の樹脂を除去する。一例によれば、樹脂の除去は現像により行う。
次いで、ステップＳ７へ処理を進める。ステップＳ７では、セラミックス層２０を形成する。
図５は、セラミックス層２０を形成した例を示す図である。この例では、配線基板１２、デバイスチップ１４および光硬化性樹脂１８上に亘って、アルミナイトライド層が形成されている。また、デバイスチップ１４の側壁の一部の領域においても、アルミナイトライド層が形成されている。
アルミナイトライド層は、エアロゾルデポジション法により形成することができる。
窒化アルミニウムをあらかじめ微粒子ないし超微粒子とし、ガスと混合してエアロゾル化しておく。これをガス搬送により加速して複数のデバイスチップ１４がアレイ搭載された配線基板へ噴射する。
エアロゾルデポジション法による成膜工程において、配線基板の平面方向に対して、噴射角度を垂直および非垂直とすることができる。
デバイスチップ１４の上面において選択的に非垂直とすることにより、デバイスチップ１４表面または成膜されたセラミックス粒子に衝突したセラミックス粒子が塑性変形して、セラミックス層２０は、デバイスチップ１４の第２主面の垂直方向よりも水平方向のほうが、結晶粒径が大きい構造とすることができる。
これにより、低温プロセスでセラミックス層２０を結晶成膜でき、弾性波デバイス１０が製造工程において破壊されることを抑制できる。セラミックス層２０がアモルファス状であると、熱伝導率が悪くなり、粒径成長させようと加熱すると、弾性波デバイス１０が破壊されやすくなる。
また、デバイスチップ１４の側壁および光硬化性樹脂１８の空隙１６を覆う部分に対しては、配線基板の平面方向に対して、噴射角度を非垂直とすることができる。
これにより、デバイスチップ１４の側壁および光硬化性樹脂１８の空隙１６を覆う部分に対して効率的に成膜することができる。
エアロゾルデポジション法は、噴射された粒子の一部が散乱して、デバイスチップ１４の第１主面に形成された機能素子を破壊する恐れがあった。
しかし、本発明によれば、光硬化性樹脂１８が空隙１６を覆っているため、機能素子が破壊されることなく、デバイスチップ１４上にセラミックス層２０をエアロゾルデポジション法により形成することができる。
次いで、ステップＳ８に処理を進める。ステップＳ８では、封止部２２を形成する。エポキシ樹脂を用い、低温硬化プロセスを用いて封止部２２を形成する。
次いで、ステップＳ９で、配線基板１２の裏面にテープを貼付ける。ステップＳ１０で無電解めっき反応を起こさせるための触媒処理を施す。
そして、ステップＳ１１でテープを張替え、ステップＳ１２で前処理を施し、ステップＳ１３で例えば無電解Ｎｉめっきを形成する。こうして、めっき法によって、封止部２２を覆う金属層２４が形成される。
金属層２４は、無電解Ｎｉめっき以外の方法で形成してもよい。
一例によれば、金属層を形成するために、無電解Ｃｕめっきと、無電解Ｎｉめっきをこの順に施す。別の例によれば、金属層を形成するために、銀コートと無電解Ｎｉめっきをこの順に施す。
さらに別の例によれば、金属層を形成するためにＴｉ形成、Ｃｕスパッタ、電解Ｎｉめっきをこの順に施す。これらの変形例は、金属層を無電解Ｎｉめっきで形成した場合と比べて、樹脂と金属層の密着性を高め得るものである。
次いで、ステップＳ１４で配線基板１２をダイシングする。これにより個片化された弾性波デバイス１０が得られる。
次いで、ステップＳ１５で外観検査し、ステップＳ１６で製品の電気的特性を検査する。問題がなければステップＳ１７で製品を梱包する。こうして、図１に示す弾性波デバイス１０の製造が終了する。
以上説明した本発明の実施形態によれば、浮遊容量の発生を回避しつつ、放熱性に優れた弾性波デバイスを提供することができる。
実施の形態２．
次に、本発明の別の実施形態である実施の形態２について説明する。
次に、本発明の別の実施形態である実施の形態２について説明する。
図６は、本発明の実施の形態２にかかるモジュール１００の断面図である。
図６に示すように、配線基板１３０の主面上に、弾性波デバイス１０が実装されている。
弾性波デバイス１０は、例えば、実施の形態１で説明した構成を採用したデュプレクサであるとすることができる。
配線基板１３０は、複数の外部接続端子１３１を有している。複数の外部接続端子１３１は、所定の移動通信端末のマザーボードに実装される構成となっている。
配線基板１３０の主面上に、インピーダンスマッチングのため、インダクタ１１１が実装されている。インダクタ１１１は、Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｐａｓｓｉｖｅ Ｄｅｖｉｃｅ（ＩＰＤ）とすることができる。
モジュール１００は、弾性波デバイス１を含む複数の電子部品を封止するための封止部１１７により、封止されている。
配線基板１３０の内部に、集積回路部品ＩＣが実装されている。集積回路部品ＩＣは、図示はしないが、スイッチング回路、ローノイズアンプを含む。
その他の構成は、実施の形態１で説明した内容と重複するため、省略する。
以上説明した本発明の実施形態によれば、浮遊容量の発生を回避しつつ、放熱性に優れた弾性波デバイスを含むモジュールを提供することができる。
少なくとも一つの実施形態のいくつかの側面が説明されたが、様々な改変、修正および改善が当業者にとって容易に想起されることを理解されたい。かかる改変、修正および改善は、本開示の一部となることが意図され、かつ、本開示の範囲内にあることが意図される。
理解するべきことだが、ここで述べられた方法および装置の実施形態は、上記説明に記載され又は添付図面に例示された構成要素の構造および配列の詳細への適用に限られない。方法および装置は、他の実施形態で実装し、様々な態様で実施又は実行することができる。
特定の実装例は、例示のみを目的としてここに与えられ、限定されることを意図しない。
本開示で使用される表現および用語は、説明目的であって、限定としてみなすべきではない。ここでの「含む」、「備える」、「有する」、「包含する」およびこれらの変形の使用は、以降に列挙される項目およびその均等物並びに付加項目の包括を意味する。
「又は（若しくは）」の言及は、「又は（若しくは）」を使用して記載される任意の用語が、当該記載の用語の一つの、一つを超える、およびすべてのものを示すように解釈され得る。
前後左右、頂底上下、横縦、表裏への言及は、いずれも、記載の便宜を意図する。当該言及は、本開示の構成要素がいずれか一つの位置的又は空間的配向に限られるものではない。したがって、上記説明および図面は、例示にすぎない。
１０ 弾性波デバイス
１２ １３０ 配線基板
１４ デバイスチップ
１５ バンプ
１６ 空隙
１８ 光硬化性樹脂
２０ セラミックス層
２２ 封止部
２４ 金属層
１００ モジュール
１１１ インダクタ
１３１ 外部接続端子
１２ １３０ 配線基板
１４ デバイスチップ
１５ バンプ
１６ 空隙
１８ 光硬化性樹脂
２０ セラミックス層
２２ 封止部
２４ 金属層
１００ モジュール
１１１ インダクタ
１３１ 外部接続端子
Claims (13)
- 配線基板と、
前記配線基板上に形成されたデバイスチップと、
前記配線基板と前記デバイスチップの間の空間を囲うように配置された光硬化性樹脂膜と、
前記配線基板、前記デバイスチップおよび前記光硬化性樹脂膜を覆うように形成されたセラミックス層と、
前記セラミックス層を覆う封止部と、を備える弾性波デバイス。 - 前記光硬化性樹脂膜は、前記デバイスチップの前記配線基板との非対向主面および厚み方向の面の少なくとも一部には形成されておらず、かつ、その断面において、前記デバイスチップの厚み方向の面の下端から前記配線基板にかけて、湾曲して形成されている請求項１に記載の弾性波デバイス。
- 前記光硬化性樹脂膜は、５μｍから１００μｍの厚みである請求項１または２に記載の弾性波デバイス。
- 前記セラミックス層は、１４５～２３０W／（ｍ・ｋ）の熱伝導率である請求項１～３に記載の弾性波デバイス。
- 前記セラミックス層は、アルミナイトライドまたはアルミナである請求項１～４に記載の弾性波デバイス。
- 前記封止部上に金属層が形成された請求項１～５に記載の弾性波デバイス。
- 請求項１～６に記載の弾性波デバイスを備えるモジュール。
- 配線基板上にデバイスチップを実装する工程と、
前記デバイスチップを覆うように光硬化性樹脂膜を配置する工程と、
前記光硬化性樹脂膜の一部を光硬化させる工程と、
前記光硬化性樹脂膜のうち、光硬化していない部分を除去する工程と、
前記配線基板、前記デバイスチップおよび前記光硬化性樹脂膜上にセラミックス層を形成する工程と、を含む弾性波デバイスの製造方法。 - 前記光硬化性樹脂膜の一部を光硬化させる工程は、前記配線基板の面方向に対して非垂直に光線を照射する請求項８に記載の弾性波デバイスの製造方法。
- 前記光硬化性樹脂膜の一部を光硬化させる工程は、前記配線基板と前記デバイスチップにより形成されたコーナー部に沿って光線を照射する請求項８または９に記載の弾性波デバイスの製造方法。
- 前記光硬化性樹脂膜の一部を光硬化させる工程は、前記デバイスチップの前記配線基板との非対向面上に配置された光硬化性樹脂を光硬化させない請求項８～１０に記載の弾性波デバイスの製造方法。
- 前記セラミックス層を形成する工程は、エアロゾルデポジション法による請求項８～１１気に記載の弾性波デバイスの製造方法。
- 前記セラミックス層上に封止部を形成する工程と、前記封止部上にめっきにより金属層を形成する工程とを含む請求項８～１２に記載の弾性波デバイスの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022003142A JP2023102573A (ja) | 2022-01-12 | 2022-01-12 | 弾性波デバイスおよび弾性波デバイスの製造方法 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022003142A JP2023102573A (ja) | 2022-01-12 | 2022-01-12 | 弾性波デバイスおよび弾性波デバイスの製造方法 |
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|---|---|
| JP2023102573A true JP2023102573A (ja) | 2023-07-25 |
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Family Applications (1)
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2022
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2023
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| CN116436426A (zh) | 2023-07-14 |
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