JP4492998B2 - 単結晶育成用坩堝及びそのアフターヒーター - Google Patents
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(式1) keff= k[k+(1−k)exp(−Vd/D)]−1
ここで、Dは液相中の拡散係数で細孔の径と強い相関関係があり,k=CA S/CA L[CA S:固相における混合相の濃度,CA L:液相における混合相の濃度],dは拡散相厚で細孔の深さに相当し,Vは成長速度である。単結晶の組成を均一化することができる。
(式2)
(ただし,fは結晶成長角,Rはファイバー結晶半径,R0はダイの半径)
また、結晶成長速度は表1に示すように他の融液成長法に比して、一桁ないしは二桁速くすることができるので、式1のVが大きくなることにより、実効偏析係数keffが大きく1に近くなり、ファイバー結晶成長方向に沿った添加元素分布の均一化が実現可能となる。更に、ダイを用いる方法の場合は、拡散相厚dをダイのサイズにより調整可能であるため、このパラメータの制御からもkeffを1に近づけることが可能となる。
応用物理ハンドブック 第2版、特殊な方法 (Chapter 7.2.8cファイバー) 著者:吉川 彰、応用物理学会編、丸善株式会社出版(2002)p427〜428
(式1) keff= k[k+(1−k)exp(−Vd/D)]−1
ここで、Dは液相中の拡散係数で細孔の径と強い相関関係があり,k=CA S/CA L[CA S:固相における混合相の濃度,CA L:液相における混合相の濃度],dは拡散相厚で細孔の深さに相当し,Vは成長速度である。keffがほぼ1を満たすことで、作製結晶を均質にすることができる。式1からわかるとおり、実行偏析係数keffをほぼ1とするためには、V、dを大きくしてDを小さくするのが理想である。
[実施例]
(比較例1)
(比較例2)
(比較例3)
(比較例4)
2 溶融液
3 細孔
3a 細孔の入口側開口部
3b 細孔の出口側開口部
4 坩堝の下部の内壁
5 坩堝底部
5a,5b 坩堝外底面
5c 坩堝外底面(段差)
6 種結晶
7 坩堝底壁
8 錐体交差部の山形状
9 アフターヒーター
10 覗き孔
Claims (9)
- 単結晶材料の溶融液を収容し、該溶融液を流出させるための細孔を底部に少なくとも1つ設け、前記溶融液に上端面が水平面である種結晶を接触させることにより固液界面を形成し、準安定状態を保ったまま種結晶を下方へ移動させることにより単結晶を育成させるマイクロ引き下げ法(μ−PD法)のための坩堝であって、
該坩堝の下部の内壁を前記細孔の入口側開口部に向けて先細り状に縮径させ、且つ坩堝底部から垂直下方方向に凸起させた凸起を設け、該凸起の水平面である凸起平面に前記細孔の出口側開口部を設け、前記凸起平面を表面粗さが10μm以下の平滑平面とし、且つ前記凸起平面の外周形状が前記種結晶の上端面の外周と合同形状であることを特徴とする単結晶育成用坩堝。 - 前記凸起平面を設けることで形成される凸起側面と該凸起平面とをほぼ直角で交差させることを特徴とする請求項1記載の単結晶育成用坩堝。
- 前記坩堝底部のうち、前記凸起平面以外の外底面を表面粗さが10μm以下の平滑面としたことを特徴とする請求項1又は2記載の単結晶育成用坩堝。
- 前記凸起平面が円形であるときの直径若しくは前記凸起平面が多角形であるときの対角線最大長を前記坩堝底部の外径の1/4以下としたことを特徴とする請求項1、2又は3記載の単結晶育成用坩堝。
- 前記坩堝の下部の内壁は、前記細孔の入口側開口部を先端とするほぼ錐体形状とし、前記内壁の傾斜を30〜80°に設定したことを特徴とする請求項1、2、3又は4記載の単結晶育成用坩堝。
- 前記坩堝の底部に複数の細孔を設け、前記坩堝の下部の内壁及び内側底壁を該各細孔の入口側開口部を先端とするほぼ錐体形状とし、前記内壁及び前記内側底壁の傾斜を30〜80°に設定するととともに、前記各錐体形状の交差部において各錐面により山形状を形成したことを特徴とする請求項1、2、3又は4記載の単結晶育成用坩堝。
- 式1で表記される実行偏析係数keffがほぼ1を満たすように、前記細孔の径と長さを設定したことを特徴とする請求項1、2、3、4、5又は6記載の単結晶育成用坩堝。
(式1) keff= k[k+(1−k)exp(−Vd/D)]−1
ここで、Dは液相中の拡散係数で細孔の径と強い相関関係があり,k=CA S/CA L[CA S:固相における混合相の濃度,CA L:液相における混合相の濃度],dは拡散相厚で細孔の深さに相当し,Vは成長速度である。 - 前記坩堝底部の直下に配置され、誘導加熱により発熱して内部に配置した種結晶及び前記溶融液を加熱する筒形状のアフターヒーターの上端部が着脱自在に前記坩堝底部と嵌合するように、前記坩堝底部の周縁に溝若しくは段差を設けたことを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6又は7記載の単結晶育成用坩堝。
- 請求項8に記載の単結晶育成用坩堝の坩堝底部の直下に配置され、かつ、坩堝底部の周縁に溝若しくは段差に嵌合し、誘導加熱により発熱して内部に配置した種結晶及び単結晶育成用坩堝より流出した溶融液を加熱する筒形状のアフターヒーターにおいて、該アフターヒーターの円筒側壁の同一横断面上に均等間隔で孔を設けたことを特徴とする単結晶育成用坩堝用アフターヒーター。
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