JP4485953B2 - 放射線を放出する半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
2 基板
3,4,5 半導体領域
6,8 接続領域
7 絶縁層
10 放射線を放出する半導体装置
20,21 局部酸化領域
Claims (15)
- 半導体本体と基板とを備える、放射線を放出する半導体装置であって、シリコンを含む前記半導体本体は絶縁層上に配置された横方向の半導体ダイオードを有し、前記絶縁層は前記横方向の半導体ダイオードを基板から分離し、前記横方向の半導体ダイオードは、第1のドーピング濃度を有する第1の導電型の第1の半導体領域と、第1のドーピング濃度よりも低い第2のドーピング濃度を有する第1の導電型または第1の導電型と反対の第2の導電型の第2の半導体領域と、第2のドーピング濃度よりも高い第3のドーピング濃度を有する第2の導電型の第3の半導体領域とを連続的に備え、前記第1および第3の半導体領域にはそれぞれ接続領域が設けられ、動作中、前記第1および第3の半導体領域から前記第2の半導体領域中に注入される荷電粒子の再結合により第2の半導体領域で放射線が生成される、放射線を放出する半導体装置において、
前記第2の半導体領域は更なる部分によって取り囲まれる中央部分を備え、前記更なる部分のバンドギャップは前記中央部分のバンドギャップよりも大きい
ことを特徴とする、放射線を放出する半導体装置。 - 含シリコン半導体材料のバンドギャップが前記更なる部分において増大し、前記更なる部分の厚みは量子効果が生じるように小さく、前記中央部分の厚みは前記量子効果が実質的に生じないように大きいことを特徴とする、請求項1に記載の放射線を放出する半導体装置。
- 形成される前記更なる部分の部位における前記半導体本体の厚みは、前記半導体本体の局部酸化によって減少することを特徴とする、請求項2に記載の放射線を放出する半導体装置。
- 形成される前記中央部分の部位における前記半導体本体の厚みは、更なる局部酸化によって減少することを特徴とする、請求項3に記載の放射線を放出する半導体装置。
- 前記更なる部分の厚みが最大でも10nmであり、前記中央部分の厚みが前記更なる部分の厚みの少なくとも2倍であることを特徴とする、請求項2,3または4に記載の放射線を放出する半導体装置。
- 前記中央部分には、適当な原子のイオン注入によって前記中央部分の他の領域に対してバンドギャップが増大する部分領域が設けられることを特徴とする、先行する請求項のいずれかに記載の放射線を放出する半導体装置。
- 前記基板がシリコンによって形成されることを特徴とする、先行する請求項のいずれかに記載の放射線を放出する半導体装置。
- 含シリコン半導体本体を有する絶縁層が基板上に存在し、前記半導体本体中に横方向の半導体ダイオードが形成されるとともに、前記半導体ダイオードが、第1のドーピング濃度を有する第1の導電型の第1の半導体領域と、第1のドーピング濃度よりも低い第2のドーピング濃度を有する第1の導電型または第1の導電型と反対の第2の導電型の第2の半導体領域と、第2のドーピング濃度よりも高い第3のドーピング濃度を有する第2の導電型の第3の半導体領域とを連続的に備え、前記第1および第3の半導体領域にはそれぞれ接続領域が設けられ、動作中、前記第1および第3の半導体領域から前記第2の半導体領域中に注入される荷電粒子の再結合により第2の半導体領域で放射線が生成される、放射線を放出する半導体装置の製造方法において、
前記第2の半導体領域には更なる部分によって取り囲まれる中央部分が設けられ、前記更なる部分のバンドギャップが前記中央部分のバンドギャップに対して増大する
ことを特徴とする方法。 - 前記更なる部分のバンドギャップは、量子効果が厚み方向で生じる小さな厚みを前記更なる部分に与えることにより増大し、前記中央部分の厚みは、その量子効果が実質的に生じないような大きな厚みとなるように選択されることを特徴とする、請求項8に記載の方法。
- 前記半導体本体の厚みは、形成される前記更なる部分の部位において、前記半導体本体の局部酸化によって減少することを特徴とする、請求項9に記載の方法。
- 前記半導体本体の厚みは、形成される前記中央部分の部位において、更なる局部酸化によって減少することを特徴とする、請求項10に記載の方法。
- 前記更なる部分および前記中央部分の第1の部分が連続な層として形成され、前記中央部分の前記第1の部分上に配置された第2の部分が選択エピタキシによって形成されることを特徴とする、請求項9に記載の方法。
- 前記基板のための材料としてシリコンが選択されることを特徴とする、請求項8,9,10,11または12に記載の方法。
- イオン注入によって適切な原子が前記中央部分内に導入され、その結果、前記中央部分のバンドギャップが前記中央部分の他の部位に対して局部的に増大することを特徴とする、請求項8,9,10,11,12または13に記載の方法。
- 前記中央部分に注入される原子として、ゲルマニウム、シリコンまたは酸素原子が選択されることを特徴とする、請求項14に記載の方法。
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