JP4476195B2 - 偏光ビームスプリッタ装置、干渉計モジュール、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 - Google Patents
偏光ビームスプリッタ装置、干渉計モジュール、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4476195B2 JP4476195B2 JP2005239265A JP2005239265A JP4476195B2 JP 4476195 B2 JP4476195 B2 JP 4476195B2 JP 2005239265 A JP2005239265 A JP 2005239265A JP 2005239265 A JP2005239265 A JP 2005239265A JP 4476195 B2 JP4476195 B2 JP 4476195B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- beam splitter
- retroreflector
- optical element
- polarizing beam
- handler
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
- G02B27/283—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising used for beam splitting or combining
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
- G01B9/02049—Interferometers characterised by particular mechanical design details
- G01B9/02051—Integrated design, e.g. on-chip or monolithic
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/12—Reflex reflectors
- G02B5/122—Reflex reflectors cube corner, trihedral or triple reflector type
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B2290/00—Aspects of interferometers not specifically covered by any group under G01B9/02
- G01B2290/15—Cat eye, i.e. reflection always parallel to incoming beam
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B2290/00—Aspects of interferometers not specifically covered by any group under G01B9/02
- G01B2290/70—Using polarization in the interferometer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Polarising Elements (AREA)
- Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
Description
入射ビーム9および出射ビーム10も図1aに示す。
この第1、第2および第3面4、5および6は、相互に実質的に垂直であり、それはそれらがこの発明の一実施例で少なくとも89°である相互角を成すことを意味する。この発明の別の実施例では、この角度ができるだけ直角に近い。これらの三面は、偏光ビームスプリッタ装置1の再帰反射器部2の境界を定め、全内反射のためかおよび/または反射コーティングのために反射性である。入射ビーム9および出射ビーム10を平行に伸びるように示す。これは、再帰反射器部2の対称軸に沿う方向のためだけでなく、比較的大きな立体角または、例えば、非コーティング面4、5および6の場合全内反射の最大角に依って複数方向の集光のためにも維持する。
この光学素子は、再帰反射器表面を備える再帰反射器部2’、および説明目的だけのために、破線24で示す仮想平面によって分離した、ビームスプリッタ部3’を含む。
ビームスプリッタ部3’は、面8’、面23、並びに追加の面22および22と反対の見えない対応面を含むハンドラ表面(の一部)を備える放射線ビーム通過表面を含む。偏光ビームスプリッタ層を面8’上に設けてもよい(図2bには示さず)。
ビームスプリッタ部3’の面22および再帰反射器部の面20は、実際、図2aの平面図ではっきり見えるように、ハンドラ表面の一つの大きな面の二つの部分であり、それは再帰反射器部2’の先端切断によって生じる。他の形状、例えば、米国特許第4,504,157号に開示してある、角を取った、円筒形形状のような、ハンドラ表面を得ることも可能である。
ここで、ある参照数字の付いた図3aのある部分は、同じであるがプライム記号を付けた参照数字で示す、図3bの類似の部分に対応する。
図3aおよび図3bで分るように、線36、36’と面34、34’の間の角度α、α’は、共に45°ではなく、小さい(図3a)か大きい(図3b)。
この偏光ビームスプリッタ装置は、図1の一つに類似する光学素子60、並びに第2光学またはビームスプリッタ素子61、偏光ビームスプリッタ層(見えず)、第1四分の一波長板62、平面ミラー63および第2四分の一波長板64を含む。
この固定結合は、例えば、光学セメントによって、これら二つの素子を接着することによってもたらしてもよい。平面ミラー63を蒸着等によって設け/創成することも可能であり、その場合はこのミラーも固定結合されている。
この装置は、レーザビーム源120、偏光ビームスプリッタ装置100、受光器121および、例えば、矢印Aによって示す方向に、変位し得る物体130を含む。この装置は、物体130の変位または相対位置を測定するように構成・配置してある。レーザビーム源120、偏光ビームスプリッタ装置100、および受光器121を含むシステムを、本発明の一実施例による、物体の変位または相対位置を測定するように構成・配置した、干渉計システムとも呼んでよい。
1. ステップモードでは、放射線ビームに与えた全パターンを目標部分C上に一度に(即ち、単一静的露出で)投影する間、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを本質的に固定して保持する。次に基板テーブルWTをXおよび/またはY方向に移動して異なる目標部分Cを露出できるようにする。ステップモードでは、露出領域の最大サイズが単一静的露出で結像する目標部分Cのサイズを制限する。この変位を測定および/または制御するために、各シフト後に干渉計システムIFを使うことが可能である。
2. 走査モードでは、放射線ビームに与えたパターンを目標部分C上に投影(即ち、単一動的露出で)しながら、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期して走査する。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの(縮)倍率および像反転特性によって決る。基板テーブルWTおよび/またはマスクテーブルMTの変位は、やはり、この発明の一実施例による一つ以上の干渉計システムで決めてもよい。走査モードでは、露出領域の最大サイズが単一動的露出での目標部分の(非走査方向の)幅を制限し、一方走査運動の長さが目標部分の(走査方向の)高さを決める。
3. もう一つのモードでは、プログラム可能パターニング装置を保持するマスクテーブルMTを本質的に固定し、放射線ビームに与えたパターンを目標部分C上に投影しながら、基板テーブルWTを動かしまたは走査する。上と同様、基板テーブルWTの変位は、この発明の一実施例による干渉計システムで決めてもよい。このモードでは、一般的にパルス化した放射線源を使用し、プログラム可能パターニング装置を基板テーブルWTの各運動後または走査中の連続する放射線パルスの間に必要に応じて更新する。この作動モードは、上に言及した型式のプログラム可能ミラーアレイのような、プログラム可能パターニング装置を利用するマスクレス・リソグラフィに容易に適用できる。
上に説明した使用モードの組合せおよび/または変形または全く異なった使用モードも使ってよい。
2 再帰反射器部
3 ビームスプリッタ部
4 第1面
5 第2面
6 第3面
7a 第5面
7b 表面
7c 表面
8 第4面
11 表面
60 光学素子
61 第2光学素子
62 四分の一波長板
63 平面ミラー
64 四分の一波長板
67 第1面
68 第2面
100 偏光ビームスプリッタ装置
120 レーザビーム源
121 受光器
141 非偏光ビームスプリッタ装置
142 フレーム板
143 偏光ビームスプリッタ装置
144 偏光ビームスプリッタ装置
153 開口
154 開口
155 第2側面
156 第1側面
B 放射線ビーム
BD ビーム送出システム
C 目標部分
IF 干渉計システム
IL 照明器
MA パターニング装置
PS 投影システム
SO 線源
W 基板
WT 基板ホルダ
Claims (19)
- 偏光ビームスプリッタ装置であって、
(a)連続した一体構成の光学素子と、
(b)偏光ビームスプリッタ層と、を備え、
前記光学素子は、
(i)内部入射する放射線ビームを再帰反射するように構成してあり、共通点で交わる実質的に平面である、少なくとも第1面、第2面及び第3面を含む再帰反射器表面、
(ii)前記光学素子に入るか又は出る放射線ビームを通過させるように構成してあり、実質的に平面であり且つ前記共通点と反対に配置してある第4面及び実質的に平面であり且つ前記第4面に関してある角度に配置してある第5面を含む放射線ビーム通過表面、及び、
(iii)前記偏光ビームスプリッタ装置を再帰反射器表面又は放射線ビーム通過表面に触れることなく取扱うように構成してあり、前記再帰反射器表面及び前記放射線ビーム通過表面の間に拡がる少なくとも一つの表面を含むハンドラ表面、を有し、
前記光学素子は、再帰反射器機能及び偏光ビームスプリッタ機能の双方を単一の光学素子で同時に達成するものであり、
前記偏光ビームスプリッタ層は、前記光学素子の前記第4面に配置され、
前記再帰反射器表面の前記第1面、前記第2面及び前記第3面の少なくとも一つは、前記ハンドラ表面の少なくとも一つの表面に境を接するように選択され、
前記ハンドラ表面が前記第4面、第5面、及び前記再帰反射器表面の間に拡がる、二つの別々で実質的に平面で相互に対向する面を含む、
装置。 - 前記共通点を、前記第1、第2及び第3面の各々に関して実質的に45°の角度で貫通する線が前記第4面と90°未満である第2角度を成す、
請求項1に記載された偏光ビームスプリッタ装置。 - 前記第2角度が実質的に45°である、
請求項2に記載された偏光ビームスプリッタ装置。 - 前記第5面が前記線と実質的に平行に伸びる、
請求項2に記載された偏光ビームスプリッタ装置。 - 前記第5面が前記第4面と実質的に45°の角度を成す、
請求項1に記載された偏光ビームスプリッタ装置。 - 前記相互に対向する面が、前記共通点を、前記第1、第2及び第3面の各々に関して実質的に45°の第1角度で貫通する線に実質的に平行に延びる、
請求項1に記載された偏光ビームスプリッタ装置。 - 少なくとも第1の実質的に平面を有する第2光学素子をさらに含み、偏光ビームスプリッタ層が光学素子の前記第4面と前記第2光学素子の前記少なくとも第1面の間に挟んである、
請求項1に記載された偏光ビームスプリッタ装置。 - 光学素子及び第2光学素子が、それぞれ、第1及び第2透明材料で作ってあり、前記第1材料の屈折率が前記第2材料の屈折率と実質的に等しい、
請求項7に記載された偏光ビームスプリッタ装置。 - 前記第4面が、前記共通点を、前記第1、第2及び第3面の各々に関して実質的に45°の第1角度で貫通する線と実質的に45°の角度を成し、前記光学素子の前記第5面が前記線と実質的に平行に拡がり、そして、前記第2光学素子が、前記光学素子の前記第5面と実質的に平行に広がる、第2の実質的平面をさらに含む、
請求項7に記載された偏光ビームスプリッタ装置。 - 前記偏光光ビームスプリッタ装置の面の一つに固定結合してある、少なくとも一つの四分の一波長板をさらに含む、
請求項7に記載された偏光ビームスプリッタ装置。 - 前記少なくとも一つの四分の一波長板の一つは、向きが前記偏光光ビームスプリッタ装置から逸れている側面を有し、該側面に平面ミラーが固定結合又はコーティング工程によって結合してある、
請求項10に記載された偏光ビームスプリッタ装置。 - 非偏光ビームスプリッタ装置をさらに含む、
請求項7に記載された偏光ビームスプリッタ装置。 - 偏光ビームスプリッタ装置と、非偏光ビームスプリッタ装置と、第1側面及び該第1側面と対向する第2側面を備えるフレーム板と、を含む干渉計モジュールであって、
前記偏光ビームスプリッタ装置は、
(a)連続した一体構成の第1光学素子と、
(b)偏光ビームスプリッタ層と、を備え、
前記第1光学素子は、
(i)内部入射する放射線ビームを再帰反射するように構成してあり、共通点で交わる実質的に平面である、少なくとも第1面、第2面及び第3面を含む再帰反射器表面、
(ii)前記第1光学素子に入るか又は出る放射線ビームを通過させるように構成してあり、実質的に平面であり且つ前記共通点と反対に配置してある第4面及び実質的に平面であり且つ前記第4面に関してある角度に配置してある第5面を含む放射線ビーム通過表面、及び、
(iii)前記偏光ビームスプリッタ装置をこの再帰反射器表面又はこの放射線ビーム通過表面に触れることなく取扱うように構成してあり、前記再帰反射器表面及び前記放射線ビーム通過表面の間に拡がる少なくとも一つの表面を含むハンドラ表面、を有し、
前記第1光学素子は、再帰反射器機能及び偏光ビームスプリッタ機能の双方を単一の光学素子で同時に達成するものであり、
前記偏光ビームスプリッタ層は、前記第1光学素子の前記第4面に配置されてあり、
前記再帰反射器表面の前記第1面、前記第2面及び前記第3面の少なくとも一つは、前記ハンドラ表面の少なくとも一つの表面に境を接するように選択され、
前記ハンドラ表面が前記第4面、第5面、及び前記再帰反射器表面の間に拡がる、二つの別々で実質的に平面で相互に対向する面を含み、
前記偏光ビームスプリッタ装置が前記フレーム板の第1側面に取付けてあり、そして、前記非偏光ビームスプリッタ装置が前記フレーム板の第2側面に取付けてあり、
前記フレーム板が前記偏光ビームスプリッタ装置と前記非偏光ビームスプリッタ装置との間に位置する少なくとも一つの開口を含む、
干渉計モジュール。 - 前記フレーム板の第1側面に取付けてある少なくとも一つの追加の偏光ビームスプリッタ装置をさらに含み、前記フレーム板が前記追加の偏光ビームスプリッタ装置と前記非偏光ビームスプリッタ装置との間に少なくとも一つの開口を含み、
前記追加の偏光ビームスプリッタ装置が、
(a)連続した一体構成の光学素子と、
(b)偏光ビームスプリッタ層と、を備え、
前記光学素子は、
(i)内部入射する放射線ビームを再帰反射するように構成してあり、共通点で交わる実質的に平面である、少なくとも第1面、第2面及び第3面を含む再帰反射器表面、
(ii)前記光学素子に入るか又は出る放射線ビームを通過させるように構成してあり、実質的に平面であり且つ前記共通点と反対に配置してある第4面及び実質的に平面であり且つ前記第4面に関してある角度に配置してある第5面を含む放射線ビーム通過表面、及び、
(iii)前記追加の偏光ビームスプリッタ装置を再帰反射器表面又は放射線ビーム通過表面に触れることなく取扱うように構成してあり、前記再帰反射器表面及び前記放射線ビーム通過表面の間に拡がる少なくとも一つの表面を含むハンドラ表面、を有し、再帰反射器機能及び偏光ビームスプリッタ機能の双方を単一の光学素子で同時に達成するものであり、前記ハンドラ表面が前記第4面、第5面、及び前記再帰反射器表面の間に拡がる、二つの別々で実質的に平面で相互に対向する面を含み、
前記偏光ビームスプリッタ層は、前記光学素子の前記第4面に配置され、
前記再帰反射器表面の前記第1面、前記第2面及び前記第3面の少なくとも一つは、前記ハンドラ表面の少なくとも一つの表面に境を接するように選択される、
請求項13に記載された干渉計モジュール。 - レーザビーム源と、偏光ビームスプリッタ装置と、光信号を受け得る受光器と、前記光信号を変位値に変換するように構成した処理装置と、を含み、物体の変位を測定するように構成した干渉計システムであって、
前記偏光ビームスプリッタ装置は、
(a)連続した一体構成の光学素子と、
(b)偏光ビームスプリッタ層と、を備え、
前記光学素子は、
(i)内部入射する放射線ビームを再帰反射するように構成してあり、共通点で交わる実質的に平面である、少なくとも第1面、第2面及び第3面を含む再帰反射器表面、
(ii)前記光学素子に入るか又は出る放射線ビームを通過させるように構成してあり、実質的に平面であり且つ前記共通点と反対に配置してある第4面及び実質的に平面であり且つ前記第4面に関してある角度に配置してある第5面を含む放射線ビーム通過表面、及び、
(iii)前記偏光ビームスプリッタ装置を再帰反射器表面又は放射線ビーム通過表面に触れることなく取扱うように構成してあり、前記再帰反射器表面及び前記放射線ビーム通過表面の間に拡がる少なくとも一つの表面を含むハンドラ表面、を有し、再帰反射器機能及び偏光ビームスプリッタ機能の双方を単一の光学素子で同時に達成するものであり、前記ハンドラ表面が前記第4面、第5面、及び前記再帰反射器表面の間に拡がる、二つの別々で実質的に平面で相互に対向する面を含み、
前記偏光ビームスプリッタ層は、前記光学素子の前記第4面に配置され、
前記再帰反射器表面の前記第1面、前記第2面及び前記第3面の少なくとも一つは、前記ハンドラ表面の少なくとも一つの表面に境を接するように選択される、
干渉計システム。 - 変位し得る物体及び請求項15に記載された干渉計システムを含む装置であって、
該干渉計システムが前記物体の変位を決めるように構成しかつ配置してある、
装置。 - 放射線ビームを調節するように構成した放射線システム、該放射線ビームをパターン化するように構成したパターニング装置、基板を保持するように構成した基板ホルダ、放射線ビームを前記基板の目標部分上に投影するように構成した投影システム、及び、前記基板の変位を測定するように構成した干渉計システム、を包含するリソグラフィ装置であって、
前記干渉計システムが、
(a)レーザビーム源と、
(b)偏光ビームスプリッタ装置と、
(c)光信号を受け得る受光器と、
(d)前記光信号を変位値に変換するように構成した処理装置と、を含み、
前記偏光ビームスプリッタ装置は、
(i)連続した一体構成の光学素子と、
(ii)偏光ビームスプリッタ層と、を備え、
前記光学素子は、
(1)内部入射する放射線ビームを再帰反射するように構成してあり、共通点で交わる実質的に平面である、少なくとも第1面、第2面及び第3面を含む再帰反射器表面、
(2)前記光学素子に入るか又は出る放射線ビームを通過させるように構成してあり、実質的に平面であり且つ前記共通点と反対に配置してある第4面及び実質的に平面であり且つ前記第4面に関してある角度に配置してある第5面を含む放射線ビーム通過表面、及び、
(3)前記偏光ビームスプリッタ装置を前記再帰反射器表面又は前記放射線ビーム通過表面に触れることなく取扱うように構成してあり、前記再帰反射器表面及び前記放射線ビーム通過表面の間に拡がる少なくとも一つの表面を含むハンドラ表面、を有し、再帰反射器機能及び偏光ビームスプリッタ機能の双方を単一の光学素子で同時に達成するものであり、前記ハンドラ表面が前記第4面、第5面、及び前記再帰反射器表面の間に拡がる、二つの別々で実質的に平面で相互に対向する面を含み、
前記偏光ビームスプリッタ層は、前記光学素子の前記第4面に配置され、
前記再帰反射器表面の前記第1面、前記第2面及び前記第3面の少なくとも一つは、前記ハンドラ表面の少なくとも一つの表面に境を接するように選択される、
リソグラフィ装置。 - 放射線ビームをパターン化する工程、放射線ビームを基板上に投影する工程、及び、前記基板の変位を干渉計システムでもって測定する工程、を含むデバイス製造方法であって、
(a)レーザビーム源と、
(b)偏光ビームスプリッタ装置と、
(c)光信号を受け得る受光器と、
(d)前記光信号を変位値に変換するように構成した処理装置と、を含み、
前記偏光ビームスプリッタ装置は、
(i)連続した一体構成の光学素子と、
(ii)偏光ビームスプリッタ層と、を備え、
前記光学素子は、
(1)内部入射する放射線ビームを再帰反射するように構成してあり、共通点で交わる実質的に平面である、少なくとも第1面、第2面及び第3面を含む再帰反射器表面、
(2)前記光学素子に入るか又は出る放射線ビームを通過させるように構成してあり、実質的に平面であり且つ前記共通点と反対に配置してある第4面及び実質的に平面であり且つ前記第4面に関してある角度に配置してある第5面を含む放射線ビーム通過表面、及び、
(3)前記偏光ビームスプリッタ装置を前記再帰反射器表面又は前記放射線ビーム通過表面に触れることなく取扱うように構成してあり、前記再帰反射器表面及び前記放射線ビーム通過表面の間に拡がる少なくとも一つの表面を含むハンドラ表面、を有し、再帰反射器機能及び偏光ビームスプリッタ機能の双方を単一の光学素子で同時に達成するものであり、前記ハンドラ表面が前記第4面、第5面、及び前記再帰反射器表面の間に拡がる、二つの別々で実質的に平面で相互に対向する面を含み、
前記偏光ビームスプリッタ層は、前記光学素子の前記第4面に配置され、
前記再帰反射器表面の前記第1面、前記第2面及び前記第3面の少なくとも一つは、前記ハンドラ表面の少なくとも一つの表面に境を接するように選択される、
方法。 - 再帰反射器部と、前記再帰反射器部のベースから拡がるビームスプリッタ部と、を含む、偏光ビームスプリッタ装置であって、
前記再帰反射器部は、
前記再帰反射器部の頂点から拡がる第1、第2及び第3の実質的平面を含み、前記第1、第2及び第3平面が互いに実質的に垂直であり、
前記ビームスプリッタ部は、
(a)前記装置を取扱うように構成し、前記ベースに実質的に垂直である、第1及び第2ハンドラ面と、
(b)前記再帰反射器部の頂点から伸びる対称軸と実質的に45°に等しい角度を成し、偏光ビームスプリッタ層で実質的に覆われた、ビームスプリッタ面と、を含み、
前記再帰反射器部及び前記ビームスプリッタ部が単一の光学素子で構成され、
前記再帰反射器部の前記第1平面、前記第2平面及び前記第3平面の少なくとも一つは、前記ビームスプリッタ部の前記ハンドラ面の少なくとも一つに境を接するように選択され、
前記第1及び第2ハンドラ表面が、実質的に平面で相互に対向する面である、
偏光ビームスプリッタ装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/923,083 US7317539B2 (en) | 2004-08-23 | 2004-08-23 | Polarizing beam splitter device, interferometer module, lithographic apparatus, and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006060229A JP2006060229A (ja) | 2006-03-02 |
JP4476195B2 true JP4476195B2 (ja) | 2010-06-09 |
Family
ID=35909310
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005239265A Expired - Fee Related JP4476195B2 (ja) | 2004-08-23 | 2005-08-22 | 偏光ビームスプリッタ装置、干渉計モジュール、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7317539B2 (ja) |
JP (1) | JP4476195B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100503007B1 (ko) * | 2003-06-24 | 2005-07-21 | 삼성전기주식회사 | 광픽업용 액추에이터의 부공진 측정 장치 |
US20070109552A1 (en) * | 2005-11-03 | 2007-05-17 | Felix Greg C | Optical interferometer |
US9201313B2 (en) | 2011-11-09 | 2015-12-01 | Zygo Corporation | Compact encoder head for interferometric encoder system |
CN104040296B (zh) | 2011-11-09 | 2016-08-24 | 齐戈股份有限公司 | 双通干涉测量编码器系统 |
WO2013073538A1 (ja) | 2011-11-17 | 2013-05-23 | 株式会社ニコン | エンコーダ装置、移動量計測方法、光学装置、並びに露光方法及び装置 |
DE102012217769A1 (de) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren |
CN103777476B (zh) * | 2012-10-19 | 2016-01-27 | 上海微电子装备有限公司 | 一种离轴对准系统及对准方法 |
US9335555B1 (en) * | 2014-10-18 | 2016-05-10 | National Taiwan Normal University | Device for converting unpolarized incident light into polarized emitting light |
WO2016154780A1 (zh) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | 浙江理工大学 | 激光干涉波长杠杆式绝对距离测量装置与方法 |
DE102017200935A1 (de) * | 2017-01-20 | 2018-07-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Führung von EUV-Abbildungslicht sowie Justageanordnung für eine derartige abbildende Optik |
US10976562B2 (en) | 2017-10-10 | 2021-04-13 | Kla Corporation | Nano-structured non-polarizing beamsplitter |
KR102436448B1 (ko) * | 2017-12-13 | 2022-08-24 | 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. | 빔 분할 프리즘 시스템 |
US12000698B2 (en) | 2021-03-08 | 2024-06-04 | Massachusetts Institute Of Technology | Polarization-separated, phase-shifted interferometer |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4504147A (en) * | 1981-07-28 | 1985-03-12 | Huang Cheng Chung | Angular alignment sensor |
US4509858A (en) * | 1983-01-17 | 1985-04-09 | Gca Corporation/Tropel Division | Compact, linear measurement interferometer with zero abbe error |
GB8730169D0 (en) * | 1987-12-24 | 1988-02-03 | Renishaw Plc | Optical apparatus for use with interferometric measuring devices |
JPH0587518A (ja) * | 1990-06-12 | 1993-04-06 | Zygo Corp | 直線および上下左右の変位測定用干渉計 |
JPH0540011A (ja) * | 1991-08-06 | 1993-02-19 | Olympus Optical Co Ltd | 干渉測長器 |
US6208424B1 (en) * | 1998-08-27 | 2001-03-27 | Zygo Corporation | Interferometric apparatus and method for measuring motion along multiple axes |
US6163379A (en) * | 1999-08-27 | 2000-12-19 | Zygo Corporation | Interferometer with tilted waveplates for reducing ghost reflections |
US6876451B1 (en) * | 2000-08-25 | 2005-04-05 | Zygo Corporation | Monolithic multiaxis interferometer |
WO2002046691A1 (en) * | 2000-12-08 | 2002-06-13 | Zygo Corporation | Monolithic corrector plate |
US6542247B2 (en) * | 2001-06-06 | 2003-04-01 | Agilent Technologies, Inc. | Multi-axis interferometer with integrated optical structure and method for manufacturing rhomboid assemblies |
US6947148B2 (en) * | 2001-07-24 | 2005-09-20 | Zygo Corporation | Interferometric apparatus and method with phase shift compensation |
US7193726B2 (en) * | 2001-08-23 | 2007-03-20 | Zygo Corporation | Optical interferometry |
US6757066B2 (en) * | 2002-01-28 | 2004-06-29 | Zygo Corporation | Multiple degree of freedom interferometer |
JP4204803B2 (ja) * | 2002-05-09 | 2009-01-07 | 株式会社リコー | レーザー測長器 |
JP2004138554A (ja) * | 2002-10-18 | 2004-05-13 | Nikon Corp | 計測装置及び露光装置 |
US7180603B2 (en) * | 2003-06-26 | 2007-02-20 | Zygo Corporation | Reduction of thermal non-cyclic error effects in interferometers |
US7426039B2 (en) * | 2003-12-31 | 2008-09-16 | Corning Incorporated | Optically balanced instrument for high accuracy measurement of dimensional change |
US7310152B2 (en) * | 2004-03-03 | 2007-12-18 | Zygo Corporation | Interferometer assemblies having reduced cyclic errors and system using the interferometer assemblies |
US7315381B2 (en) * | 2004-10-26 | 2008-01-01 | Mitutoyo Corporation | Monolithic quadrature detector |
-
2004
- 2004-08-23 US US10/923,083 patent/US7317539B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-08-22 JP JP2005239265A patent/JP4476195B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006060229A (ja) | 2006-03-02 |
US7317539B2 (en) | 2008-01-08 |
US20060039006A1 (en) | 2006-02-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4476195B2 (ja) | 偏光ビームスプリッタ装置、干渉計モジュール、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 | |
KR101264798B1 (ko) | 위치 센서 및 리소그래피 장치 | |
TWI557513B (zh) | 疊對測量裝置及使用該疊對測量裝置之微影裝置及器件製造方法 | |
TWI525397B (zh) | 量測方法和裝置、微影裝置和器件製造方法 | |
TWI332118B (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP5192358B2 (ja) | 位置合わせ方法、アライメントシステムおよびアライメントマークを有する製品 | |
JP3774476B2 (ja) | 2種類の波長を使う干渉計システム、およびそのようなシステムを備えるリソグラフィー装置 | |
US7443511B2 (en) | Integrated plane mirror and differential plane mirror interferometer system | |
TWI522750B (zh) | 標記位置量測裝置及方法、微影裝置及器件製造方法 | |
TWI547685B (zh) | 量測方法、量測裝置、微影裝置及器件製造方法 | |
JP2004040067A (ja) | 焦点検出方法および焦点検出系を備えた結像系 | |
JP2009094512A (ja) | 位置合わせ方法及び装置、リソグラフィ装置、計測装置、及びデバイス製造方法 | |
JP5377461B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP6740370B2 (ja) | リソグラフィ装置 | |
KR100823242B1 (ko) | 리소그래피 장치, 렌즈 간섭계 및 디바이스 제조 방법 | |
TWI625605B (zh) | 微影設備及器件製造方法 | |
TWI460559B (zh) | 用於微影裝置之位階感測器配置、微影裝置及器件製造方法 | |
JP2006030212A (ja) | 楕円偏光計、測定デバイス及び方法並びにリソグラフィ装置及び方法 | |
JP5477774B2 (ja) | 光学ユニット、干渉装置、ステージ装置、パターン形成装置およびデバイス製造方法 | |
JP2008177561A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP2008028386A (ja) | リソグラフィ装置、放射センサおよび放射センサ製造方法 | |
JP2003222572A (ja) | 位相測定装置 | |
JP5815221B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP6817468B2 (ja) | センサ、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 | |
JP5784576B2 (ja) | リソグラフィ装置および方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060904 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070622 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090126 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090416 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090512 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090722 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090811 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091127 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20091221 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100218 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100309 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 3 |
|
S802 | Written request for registration of partial abandonment of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R311802 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140319 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |