KR102436448B1 - 빔 분할 프리즘 시스템 - Google Patents

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스타니스라프 스미노프
리처드 칼 짐머만
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Abstract

일 실시예에 따르면, 프리즘 시스템(900)이 제공된다. 프리즘 시스템은 편광 빔 스플리터(PBS) 표면을 포함한다. PBS 표면은 수광된 빔(917)으로부터 대응하는 제 1 및 제 2 편광 정보를 가지는 제 1 서브-빔(919a) 및 제 2 서브-빔(921a)을 생성하도록 구성되고, 제 2 편광 정보는 제 1 편광 정보와 상이하다. 프리즘 시스템 내에서의 제 1 서브-빔의 제 1 광로는 프리즘 시스템 내에서의 제 2 서브-빔의 제 2 광로와 실질적으로 동일한 길이를 가진다. 추가적으로 또는 대안적으로, 제 1 서브-빔은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 된다.

Description

빔 분할 프리즘 시스템
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2017 년 12 월 13 일에 출원된 미국 가특허출원 번호 제 62/597,971의 우선권을 주장하며, 이것은 그 전체 내용이 원용되어 본원에 통합된다.
본 발명의 실시예는, 예를 들어 리소그래피 장치에서 사용될 수 있는 프리즘 시스템에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟 영역 상에 원하는 패턴을 부여하는 장치이다. 리소그래피 장치는 예컨대 집적회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 그 경우, 마스크 또는 레티클(reticle)이라고도 불리는 패터닝 장치가 집적회로의 개별 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이러한 패턴은 기판(예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 상의 타겟부(예를 들어, 다이의 일부, 하나 또는 몇몇 다이들을 포함) 상으로 전사될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트) 층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속적으로 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한 번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각 타겟부가 조사(irradiate)되는 이른바 스텝퍼, 및 주어진 방향("스캐닝" 방향)으로 방사선 빔을 통해 패턴을 스캔하는 동시에 이러한 방향에 평행 또는 반-평행하게 기판을 스캔함으로써 각 타겟부가 조사되는 이른바 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 장치로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
리소그래피 공정을 모니터하기 위해서는 패터닝된 기판의 파라미터를 측정한다. 이러한 파라미터에는 예컨대 패터닝된 기판 내에 형성되거나 또는 패터닝된 기판 상에 형성된 연속층 간의 오버레이 오차 및 현상된 감광성 레지스트의 임계 선폭(critical linewidth)이 포함될 수 있다. 이러한 측정은 제품 기판 및/또는 전용의 계측 타겟 상에서 수행될 수 있다. 리소그래피 공정으로 형성된 미세 구조물의 측정을 행하기 위한 다양한 기술이 있으며, 이들 기술에는 주사 전자 현미경(scanning electron microscope) 및 다양한 특수 기기를 사용하는 것이 포함된다. 신속하고 비침투식 형태의 특수 검사 기기인 산란계(scatterometer)는 방사선의 빔을 기판의 표면 상의 타겟으로 향하게 하여 산란 또는 반사된 빔의 성질을 측정한다. 빔이 기판에 의해 반사되거나 산란되기 전과 후의 빔의 특성을 비교함으로써, 기판의 특성을 결정할 수 있다. 이것은 예컨대 반사 빔을 공지의 기판 특성과 연계된 공지의 측정치의 라이브러리에 저장된 데이터와 비교함으로써 행해질 수 있다. 분광 산란계(spectroscopic scatterometer)는 광대역 방사선 빔을 기판 상으로 지향시키고 특정한 좁은 각도 범위로 산란된 방사선의 스펙트럼(예컨대, 파장을 함수로 하는 세기)을 측정한다. 반대로, 각도 분해 산란계(angularly resolved scatterometer)는 단색성 방사선 빔(monochromatic radiation beam)을 이용하고, 산란된 방사선의 세기를 각도를 함수로 하여 측정한다.
이러한 광학적 산란계는, 현상된 감광성 레지스트의 임계 치수 또는 패터닝된 기판 안이나 위에 형성된 두 층들 사이의 오버레이 오차(OV)와 같은 파라미터를 측정하기 위하여 사용될 수 있다. 기판의 특성은 조명 빔이 기판에 의해 반사되거나 산란되기 전과 후의 해당 빔의 속성들을 비교함으로써 결정될 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에서, 인입하는 방사선 빔을 수광하고 방사선 빔을 두 개의 별개의 편광 방사선 빔으로 분할하도록 구성될 수 있는 프리즘 시스템이 제공된다. 결과적으로 얻어지는 편광 방사선 빔은 서로 인접하게 프리즘 시스템을 벗어나고, 예를 들어 입사 방사선 빔의 배향에 수직인 동일하거나 실질적으로 동일한 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 두 개의 출력된 편광 방사선 빔은 프리즘 시스템 내에서 동일하거나 실질적으로 동일한 광로 거리를 이동할 수 있다. 본 발명의 일부 예에 따르면, 두 개의 출력된 편광 방사선 빔은 단일 검출기 상에 포커싱될 수 있다. 본 발명의 일부 실시예들에서, 프리즘 시스템은 프리즘 시스템으로부터의 "고스트(ghost)" 반사들이 검출기에서 일차 빔과 중첩하지 않도록 할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 장치가 제공된다. 이러한 장치는 편광 빔 스플리터(PBS) 표면을 포함하는 프리즘 시스템을 포함한다. PBS 표면은 수광된 빔으로부터 대응하는 제 1 및 제 2 편광 정보를 가지는 제 1 및 제 2 서브-빔을 생성하도록 구성되고, 제 2 편광 정보는 제 1 편광 정보와 상이하다. 프리즘 시스템 내에서의 제 1 서브-빔의 제 1 광로는 프리즘 시스템 내에서의 제 2 서브-빔의 제 2 광로와 실질적으로 동일한 길이를 가진다. 추가적으로 또는 대안적으로, 제 1 서브-빔은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 된다.
다른 실시예에서, 리소그래피 장치가 제공된다. 리소그래피 장치는 패턴을 조명하도록 구성되는 제 1 조명 광학 시스템을 포함한다. 리소그래피 장치는, 패턴의 이미지를 기판 상에 투영하도록 구성되는 투영 광학계를 더 포함한다. 리소그래피 장치는 리소그래피 장치의 파라미터를 결정하도록 구성되는 산란계를 더 포함한다. 산란계는, 적어도 하나의 방사선 빔을 전달하도록 구성되는 제 2 조명 광학 시스템, 적어도 하나의 빔을 기판 상에 포커싱하도록 구성되는 대물 광학 시스템, 기판으로부터의 반사된 방사선 빔을 검출하도록 구성되는 검출기, 및 장치를 포함한다. 이러한 장치는 편광 빔 스플리터(PBS) 표면을 포함하는 프리즘 시스템을 포함한다. PBS 표면은 방사선의 수신된 적어도 하나의 빔 또는 반사된 방사선 빔으로부터 대응하는 제 1 및 제 2 편광 정보를 가지는 제 1 및 제 2 서브-빔을 생성하도록 구성되고, 제 2 편광 정보는 제 1 편광 정보와 상이하다. 프리즘 시스템 내에서의 제 1 서브-빔의 제 1 광로는 프리즘 시스템 내에서의 제 2 서브-빔의 제 2 광로와 실질적으로 동일한 길이를 가진다. 추가적으로 또는 대안적으로, 제 1 서브-빔은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 된다.
또 다른 실시예에서, 방법은 편광 빔 스플리터(PBS) 표면을 포함하는 복수 개의 광학 요소를 포함하는 프리즘 시스템에 의해서, 방사선 빔을 수광하는 단계를 포함한다. 이러한 방법은, PBS 표면은 수신된 방사선 빔으로부터 대응하는 제 1 및 제 2 편광 정보를 가지는 제 1 및 제 2 서브-빔을 생성하는 단계를 더 포함하고, 제 2 편광 정보는 제 1 편광 정보와 상이하다. 프리즘 시스템 내에서의 제 1 서브-빔의 제 1 광로는 프리즘 시스템 내에서의 제 2 서브-빔의 제 2 광로와 실질적으로 동일한 길이를 가진다. 추가적으로 또는 대안적으로, 제 1 서브-빔은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 된다.
다른 실시예에 따르면, 프리즘 시스템이 제공된다. 프리즘 시스템은 제 1, 제 2, 및 제 3 표면을 가지는 제 1 광학 요소를 포함하고, 제 1 광학 요소의 제 2 표면은 편광 빔 스플리터 표면을 가진다. 프리즘 시스템은 제 1 광학 요소에 커플링된 제 2 광학 요소를 더 포함한다. 프리즘 시스템은 제 1 광학 요소에 커플링된 제 3 광학 요소를 더 포함하는데, 제 3 광학 요소는 사분파장 플레이트(QWP)를 포함한다.
다른 실시예에서, 리소그래피 장치가 제공된다. 리소그래피 장치는 패턴을 조명하도록 구성되는 제 1 조명 광학 시스템을 포함한다. 리소그래피 장치는, 패턴의 이미지를 기판 상에 투영하도록 구성되는 투영 광학계를 더 포함한다. 리소그래피 장치는 리소그래피 장치의 파라미터를 결정하도록 구성되는 산란계를 더 포함한다. 산란계는, 적어도 하나의 방사선 빔을 전달하도록 구성되는 제 2 조명 광학 시스템, 적어도 하나의 빔을 기판 상에 포커싱하도록 구성되는 대물 광학 시스템, 기판으로부터의 반사된 방사선 빔을 검출하도록 구성되는 검출기, 및 프리즘 시스템을 포함한다. 프리즘 시스템은 제 1 광학 요소에 커플링된 제 2 광학 요소를 더 포함한다. 프리즘 시스템은 제 1 광학 요소에 커플링된 제 3 광학 요소를 더 포함하는데, 제 3 광학 요소는 사분파장 플레이트(QWP)를 포함한다.
본 발명의 다른 특징과 장점 및 본 발명의 다양한 실시예의 구조 및 동작은 첨부 도면들을 참조하여 아래에서 상세하게 설명된다. 본 발명이 본 명세서에서 설명되는 특정 실시예로 한정되지 않는다는 것에 주의한다. 이러한 실시예는 본 명세서에서 예시를 위해 제공될 뿐이다. 본 명세서에 포함된 교시에 기초하는 추가적인 실시예들이 당업자에게 명백해질 것이다.
본 명세서에 통합되며 명세서의 일부를 구성하는 첨부 도면은 본 발명을 도시하며, 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용과 함께 본 발명의 이론을 설명하고 당업자가 본 발명을 생산하고 사용하도록 하는데 더욱 기여한다.
도 1은 예시적인 일 실시예에 따르는 반사형 리소그래피 장치의 개략도이다.
도 1은 예시적인 일 실시예에 따르는 투과형 리소그래피 장치의 개략도이다.
도 2는 예시적인 일 실시예에 따르는 반사형 리소그래피 장치의 더 상세한 개략도이다.
도 3은 예시적인 일 실시예에 따르는 리소그래피 셀의 개략도이다.
도 4 및 도 5는 예시적인 다양한 실시예들에 따른 산란계들의 개략도이다.
도 6은 예시적인 다양한 실시예들에 따른, 예시적인 산란계에서 사용되는 예시적인 프리즘 시스템의 개략도이다.
도 7a는 예시적인 실시예에 따른 예시적인 프리즘 시스템을 도시한다.
도 7b는 예시적인 실시예에 따른, 예시적인 프리즘 시스템 및 방사선 빔의 경로를 예시한다.
도 7c는 예시적인 실시예에 따른 예시적인 프리즘 시스템의 개별 광학 요소의 예시적인 전개도이다.
도 8a 및 도 8b는, 예시적인 다양한 실시예에 따른 예시적인 프리즘 시스템을 도시한다.
도 8c는 예시적인 실시예에 따른, 예시적인 프리즘 시스템 및 방사선 빔의 경로를 예시한다.
도 8d는 예시적인 실시예에 따른 예시적인 프리즘 시스템의 개별 광학 요소의 예시적인 전개도이다.
도 9a 및 도 9b는 예시적인 다양한 실시예에 따른, 예시적인 프리즘 시스템 및 방사선 빔의 경로를 예시한다.
도 10a 내지 도 10c, 도 11a 내지 도 11c, 도 12a 내지 도 12c, 도 13a 내지 도 13c, 도 14a 내지 도 14c, 도 15a 내지 도 15c, 도 16a 내지 도 16c, 도 17a 내지 도 17c, 도 18a 내지 도 18c, 도 19a 내지 도 19c, 도 20a 내지 도 20c, 도 21a 내지 도 21c, 도 22a 내지 도 22c, 도 23a 내지 도 23c, 도 24a 내지 도 24c, 도 25a 내지 도 25c, 도 26a 26C, 도 27a 내지 도 27c, 도 28a 내지 도 28c, 도 29a 내지 도 29c, 도 30a 내지 도 30c, 도 31a 내지 도 31c, 도 32a 내지 도 32c, 도 33a 내지 도 33c, 도 34a 내지 도 34c, 도 35a 내지 도 35c, 도 36a 내지 도 36c, 및 도 37a 내지 도 37c는, 예시적인 다양한 실시예에 따른 예시적인 프리즘 시스템 및 방사선 빔의 경로를 보여준다.
다른 특징과 장점은 도면과 함께 아래에서 진술되는 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용으로부터 더욱 명백해질 것인데, 도면에서 유사한 참조 기호는 전체적으로 대응하는 요소들을 식별한다. 도면에서, 유사한 부재 번호는 동일하고 기능적으로 유사하며, 및/또는 구조적으로 유사한 요소를 일반적으로 표시한다. 도면에서 제일 먼저 나타나는 요소는 대응하는 참조 번호에서 첫 번째 숫자(들)에 의하여 표시된다.
이러한 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용은 본 명세서의 피쳐를 포함하는 하나 이상의 실시예를 개시한다. 개시된 실시예(들)는 본 발명을 단지 예시할 뿐이다. 본 발명의 범위는 개시된 실시예(들)로 한정되지 않는다. 본 발명은 첨부된 청구의 범위에 의하여 정의된다.
설명된 실시예(들) 및 명세서에서, "일 실시예", "실시예", "예시적인 실시예" 등에 대한 언급은 기술된 실시예(들)가 특정 요소, 구조, 또는 특징을 포함할 수 있지만, 각각의 실시예가 이러한 특정 요소, 구조, 또는 특징을 반드시 포함하지 않을 수도 있음을 뜻한다. 더욱이, 이러한 문구들은 반드시 동일한 실시예를 지칭하는 것은 아니다. 나아가, 특정 요소, 구조, 또는 특징이 실시예와 관련하여 기술될 때, 명시적으로 기술되든 아니든, 다른 실시예와 관련하여 이러한 요소, 구조, 또는 특징을 구현하는 것도 당업자의 지식 범위 내에 속한다고 이해된다.
공간적인 상대적 용어, 예컨대 "밑에(beneath)," "아래(below)," "더 낮은(lower)," "위의(above)" "위(on)," "더 위(upper)" 등은 본 명세서에서 설명의 편의를 위하여 하나의 요소 또는 피쳐의 도면에 도시된 바와 같은 다른 요소(들) 또는 피쳐(들)에 대한 관계를 설명하기 위해 사용될 수 있다. 공간적인 상대적 용어들이 도면에 도시된 방위에 추가하여 사용 중이거나 동작 중인 디바이스의 다른 방위를 망라하는 것이 의도된다. 이러한 장치는 다르게 배향될 수도 있고(90 도 또는 다른 배향으로 회전됨), 본 명세서에서 사용되는 공간적으로 상대적인 기술자는 그에 따라 유사하게 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용될 때 "약"이라는 용어는 특정한 기술에 기반하여 변동할 수 있는 주어진 양의 값을 나타낸다. 특정 기술에 기반하여, "약"이라는 용어는, 예를 들어 값의 10-30%(예를 들어, 값의 ±10%, ±20%, 또는 ±30%) 내에서 변하는 주어진 양의 값을 나타낼 수 있다.
본 발명의 실시예들은 하드웨어, 펌웨어, 소프트웨어, 또는 이것들의 임의의 조합으로 구현될 수도 있다. 본 발명의 실시예는 또한 머신-판독가능 매체 상에 저장되는 명령으로서 구현될 수도 있고, 이들은 하나 이상의 프로세서에 의하여 판독되고 실행될 수도 있다. 머신-판독가능 매체는 머신(예컨대, 컴퓨팅 디바이스)에 의해 판독가능한 형태로 정보를 저장하거나 송신하기 위한 임의의 메커니즘을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 머신-판독가능 매체는 판독 전용 메모리(ROM); 랜덤 액세스 메모리(RAM); 자기적 디스크 스토리지 미디어; 광학적 스토리지 미디어; 플래시 메모리 디바이스; 전기적, 광학적, 음향학적이거나 다른 형태의 전파된 신호(예를 들어, 반송파, 적외선 신호, 디지털 신호, 등), 및 다른 것들을 포함할 수도 있다. 더 나아가, 펌웨어, 소프트웨어, 루틴, 명령은 본 명세서에서 특정 동작들을 수행하고 있는 것으로 설명될 수도 있다. 그러나, 이러한 설명들이 단지 편의를 위한 것이라는 것과 이러한 동작들이 사실상 펌웨어, 소프트웨어, 루틴, 명령 등을 실행하는 컴퓨팅 디바이스, 프로세서, 제어기, 또는 다른 디바이스로부터 초래된다는 것이 인정되어야 한다.
그러나, 이러한 실시예를 좀 더 상세하게 설명하기 이전에, 본 발명의 실시예들이 구현될 수도 있는 일 예시적인 환경을 제시하는 것이 유익하다.
예시적인 반사형 및 투과형 리소그래피 시스템
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 실시예들이 구현될 수 있는 리소그래피 장치(100) 및 리소그래피 장치(100') 각각의 개략도이다. 리소그래피 장치(100) 및 리소그래피 장치(100')는: 방사선 빔(B)(예를 들어, 심자외선 또는 극자외 방사선)을 조절하도록 구성되는 조명 시스템(조명기)(IL); 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크, 레티클, 또는 동적 패터닝 디바이스)(MA)를 지지하도록 구성되고 패터닝 디바이스(MA)를 정확하게 위치설정하도록 구성되는 제 1 위치설정기(PM)에 연결되는 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT); 및, 기판(예를 들어, 레지스트 코팅된 웨이퍼)(W)을 홀딩하도록 구성되고 기판(W)을 정확하게 위치설정하도록 구성되는 제 2 위치설정기(PW)에 연결되는 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT)을 각각 포함한다. 리소그래피 장치(100, 100')는 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 기판(W)의 타겟부(C)(예를 들어 하나 이상의 다이를 포함함)로 투영하도록 구성되는 투영 시스템(PS)을 더 포함한다. 리소그래피 장치(100)에서, 패터닝 디바이스(MA) 및 투영 시스템(PS)은 반사형이다. 리소그래피 장치(100'), 패터닝 디바이스(MA) 및 투영 시스템(PS)은 투과형이다.
조명 시스템(IL)은 방사선을 지향시키고, 성형(shaping)하며, 또는 제어하기 위한 다양한 유형의 광 컴포넌트, 예컨대 굴절형, 반사형, 반사굴절형, 자기형, 전자기형, 정전기 또는 다른 유형의 광 컴포넌트, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수도 있다.
지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스(MA)를, 레퍼런스 프레임에 대한 패터닝 디바이스(MA)의 배향, 리소그래피 장치(100 및 100') 중 적어도 하나의 디자인, 및 패터닝 디바이스(MA)가 진공 환경에서 유지되는지 여부와 같은 다른 조건에 의존하는 방식으로 홀딩한다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스(MA)를 홀딩하기 위해 기계식, 진공식, 정전식, 또는 기타 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체(MT)는 예컨대 필요에 따라 고정되거나 이동시킬 수 있는 프레임(frame) 또는 테이블일 수 있다. 센서를 사용함으로써, 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스(MA)가 예를 들어 투영 시스템(PS)에 대하여 원하는 위치에 있다는 것을 보장할 수 있다.
"패터닝 디바이스"(MA)라는 용어는, 기판(W)의 타겟부(C) 내에 패턴을 생성하는 것과 같이, 자신의 단면 내에 패턴을 가지는 방사선 빔(B)을 부여하기 위하여 사용될 수 있는 임의의 디바이스를 지칭하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔(B)에 부여된 패턴은 타겟부(C) 회로 내에 생성되는 중인 디바이스 내의 특정 기능성 층에 대응하여 집적 회로를 형성할 수 있다.
패터닝 디바이스(MA)는 투과형이거나(도 1b의 리소그래피 장치(100')에서와 같음) 또는 반사형일 수 있다(도 1a의 리소그래피 장치(100)에서와 같음). 패터닝 장치(MA)의 예는 레티클, 마스크, 프로그램가능 미러 어레이, 및 프로그램가능(LCD) 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에 잘 알려져 있으며, 이진, 교번 위상-시프트, 감쇄 위상-시프트, 및 다양한 하이브리드 마스크 타입과 같은 마스크 타입을 포함한다. 프로그램가능 미러 어레이의 일 예는 소형 미러들의 매트릭스 정렬을 채용하는데, 이들 각각은 인입하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사하기 위하여 개별적으로 틸팅될 수 있다. 틸팅된 미러는 작은 미러들의 매트릭스에 의하여 반사된 방사선 빔 내에 패턴을 부여한다.
"투영 시스템"이라는 용어는, 이용되고 있는 노광 방사선(exposure radiation)에 대해 적합하거나 또는 기판(W) 상의 침지액(immersion liquid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 요인들에 대해 적합한, 굴절형, 반사형, 반사 굴절형(catadioptric), 자기식, 전자기식, 및 정전식 광학 시스템, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 어떠한 타입의 투영 시스템도 포함하는 것으로 넓게 해석되어야 한다. 진공 환경은 EUV 또는 전자 빔 방사선에 대하여 사용될 수 있는데, 그 이유는 다른 가스들은 너무 많은 방사선 또는 전자를 흡수할 수 있기 때문이다. 그러므로, 진공 벽 또는 저압 펌프의 도움을 받아 진공 환경이 전체 빔 경로로 제공될 수 있다.
리소그래피 장치(100) 및/또는 리소그래피 장치(100')는 2개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(WT)(및/또는 2개 이상의 마스크 테이블(MT)을 갖는 유형의 것일 수 있다. 그러한 "다중 스테이지" 기계에서, 부가적인 기판 테이블(WT)은 평행하게 사용될 수 있으며, 또한 하나 이상의 다른 기판 테이블들(WT)이 노광을 위해 사용되고 있는 동안 준비 단계들이 하나 이상의 테이블 상에 수행될 수 있다. 일부 상황들에서, 추가적 테이블은 기판 테이블(WT)이 아닐 수도 있다.
리소그래피 장치는 또한, 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해 기판의 적어도 일부분이 상대적으로 높은 굴절률을 가진 액체, 예컨대 물에 의해 커버될 수 있는 유형일 수 있다. 침지액은 또한 예컨대 마스크 및 투영 시스템 사이와 같은 리소그래피 장치 내의 다른 공간에도 도포될 수 있다. 침지 기법은 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)를 증가시키기 위하여 당업계에 주지된다. 본 명세서에 사용된 바와 같은 "침지"라는 용어는, 기판과 같은 구조체가 액체에 잠겨져야 하는 것을 의미하지 않고, 그보다는 노광 동안에 투영 시스템과 기판 사이에 액체가 위치된다는 것을 의미한다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 조명기(IL)는 방사선 빔을 방사선 소스(SO)로부터 수광한다. 예를 들어, 방사원(SO)이 엑시머 레이저인 경우, 소스(SO) 및 리소그래피 장치(100, 100')는 별도의 물리적 엔티티일 수 있다. 이러한 경우에, 소스(SO)는 리소그래피 장치(100 또는 100')의 일부를 형성하는 것으로 간주되지 않고, 방사선 빔(B)은, 예를 들어 적합한 지향 미러 및/또는 빔 확장기를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로(도 1b 참조), 소스(SO)로부터 조명기(IL)로 전달된다. 다른 경우에, 예컨대 방사원(SO)이 수은 램프인 경우에, 이러한 소스(SO)는 리소그래피 장치(100, 100')에 통합된 부품일 수 있다. 소스(SO) 및 조명기(IL)는 필요할 경우 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고 지칭될 수도 있다.
조명기(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포(angular intensity distribution)를 조절하기 위한 조절기(AD)(도 1b 참조)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 조명기(IL)의 퓨필 평면(pupil plane)에서의 세기 분포의 적어도 외측 및/또는 내측 반경 범위(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)는 조절될 수 있다. 부가적으로, 조명기(IL)는 집속기(integrator)(IN) 및 집광기(condenser)(CO)와 같은 다양한 다른 컴포넌트들(도 1b 참조)을 포함할 수도 있다. 조명기(IL)는 방사선 빔(B)이 자신의 단면에서 원하는 균일성 및 세기 분포를 가지도록 조정하기 위하여 사용될 수 있다.
도 1a를 참조하면, 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 홀딩되는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사하고, 그리고 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)에 의하여 패터닝된다. 리소그래피 장치(100)에서, 방사선 빔(B)은 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)로부터 반사된다. 패터닝 디바이스(예를 들어 마스크(MA)로부터 반사된 이후에, 방사선 빔(B)은 기판(W)의 타겟부(C) 상에 방사선 빔(B)을 포커싱하는 투영 시스템(PS)을 통과한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF2)(예를 들어 간섭측정 측정 디바이스, 선형 인코더, 또는 용량성 센서)의 도움을 받아, 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로에 상이한 타겟부들(C)을 위치설정하기 위하여, 기판 테이블(WT)이 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 다른 위치 센서(IF1)가 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크(MA)를 방사선 빔(B)에 대한 경로에 대하여 정확하게 위치설정하기 위하여 사용될 수 있다. 패터닝 디바이스(예를 들어 마스크(MA)) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다.
도 1a를 참조하면, 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 홀딩되는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사하고, 그리고 패터닝 디바이스에 의하여 패터닝된다. 패터닝 디바이스(MA)를 가로지르면, 방사선 빔(B)은 기판(W)의 타겟부(C) 상에 빔을 포커싱하는 투영 시스템(PL)을 통과한다. 투영 시스템은 조명 시스템 퓨필(IPU)의 공액관계(conjugate)인 퓨필(PPU)을 가진다. 방사선의 일부는 조명 시스템 퓨필(IPU)에서의 세기 분포로부터 발산하고 마스크 패턴에서의 회절에 의하여 영향받지 않으면서 마스크 패턴을 횡단하여, 조명 시스템 퓨필(IPU)에서의 세기 분포의 이미지를 생성한다.
제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어 간섭측정 측정 디바이스, 선형 인코더, 또는 용량성 센서)의 도움을 받아, 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로에 상이한 타겟부들(C)을 위치설정하기 위하여, 기판 테이블(WT)이 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 다른 위치 센서(도 1b에는 미도시)는, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계적 탐색 이후에, 또는 스캔 동안에, 방사선 빔(B)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확하게 위치설정하기 위하여 사용될 수 있다.
일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은, 제 1 위치설정기(PM)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈(long-stroke module; 개략적 위치 설정) 및 숏-스트로크 모듈(short-stroke module; 미세 위치 설정)을 이용하여 실현될 수 있다. 마찬가지로, 기판 테이블(WT)의 이동은 제 2 위치설정기(PW)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈 및 숏-스트로크 모듈을 이용하여 실현될 수 있다. 스테퍼의 경우(스캐너에 반대됨), 마스크 테이블(MT)은 숏-스트로크 액추에이터에만 연결될 수 있고, 또는 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다. 비록 도시된 바와 같이 기판 정렬 마크들이 전용 타겟부를 점유하지만, 이들은 타겟부 사이의 공간(스크라이브 레인(scribe-lane) 정렬 마크로 알려짐)에 위치될 수 있다. 마찬가지로, 마스크(MA)에 두 개 이상의 다이가 제공되는 상황에서는, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수도 있다.
마스크 테이블(MT) 및 패터닝 디바이스(MA)는 진공 챔버 내에 있을 수 있는데, 여기에서 진공내 로봇(in-vacuum robot; IVR)이 마스크와 같은 패터닝 디바이스를 진공 챔버 안팎으로 이동시키기 위해서 사용될 수 있다. 또는, 마스크 테이블(MT) 및 패터닝 디바이스(MA)가 진공 챔버 밖에 있는 경우, 진공외 로봇이 진공내 로봇(IVR)과 유사한 다양한 수송 동작을 위해 사용될 수 있다. 진공내 및 진공외 로봇 양자 모두는 임의의 페이로드(예를 들어, 마스크)를 전달 스테이션의 고정된 운동 마운트로 부드럽게 전달하기 위해 조정될 필요가 있다.
리소그래피 장치(100 및 100')는 다음 모드들 중 적어도 하나에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서는, 지지 구조(예를 들어, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)이 본질적으로 정지 상태로 유지되는 동안, 방사선 빔(B)에 부여된 전체 패턴이 한 번에 타겟부(C) 상에 투영된다(즉, 단일 정적 노광). 그러면, 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 기판 테이블(WT)이(X) 방향 및/또는(Y) 방향으로 시프트된다.
2. 스캔 모드에서는, 지지 구조(예를 들어, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)이 동기되어 스캐닝되는 동안, 방사선 빔(B)에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영된다(즉, 단일 동적 노광). 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블(MT)에 상대적인 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대율(축소율) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다.
3. 다른 모드에서는, 프로그램가능 패터닝 디바이스를 홀딩하면서 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블(MT)은 실질적으로 정지 상태로 유지되고, 기판 테이블(WT)은 방사선 빔(B)에 부여된 패턴이 타겟 영역(C) 상에 투영되는 동안에 이동되거나 스캐닝된다. 펄스형(pulsed) 방사선 소스가 채용될 수 있고, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 요구될 때, 기판 테이블(WT)의 각 이동 이후에 또는 스캔 도중의 연속적인 방사선 펄스들 사이에서 업데이트된다. 동작의 이러한 모드는 프로그램가능한 미러 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크 없는 리소그래피에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 전술한 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 전혀 다른 사용 모드들이 채용될 수도 있다.
추가적인 실시예에서, 리소그래피 장치(100)는 극자외(EUV) 소스를 포함하는데, 이것은 EUV 리소그래피를 위한 EUV 방사선의 빔을 생성하도록 구성된다. 일반적으로, EUV 소스는 방사선 시스템 내에 구성되고, 대응하는 조명 시스템은 EUV 소스의 EUV 방사선 빔을 조절하도록 구성된다.
도 2는 소스 콜렉터 장치(SO), 조명 시스템(IL), 및 투영 시스템(PS)을 포함하는 리소그래피 장치(100)를 좀 더 상세하게 도시한다. 소스 콜렉터 장치(SO)는, 진공 환경이 소스 콜렉터 장치(SO)의 밀폐 구조(220) 내에서 유지될 수 있도록 구성되고 배치된다. EUV 방사선 방출 플라즈마(210)는 방전 생성 플라즈마 소스에 의하여 형성될 수 있다. 매우 고온의 플라즈마(210)가 전자기 스펙트럼의 EUV 범위에서 방사선을 방출하도록 생성되는, 가스 또는 증기, 예를 들어 Xe 가스, Li 증기 또는 Sn 증기에 의하여 EUV 방사선이 생성될 수 있다. 매우 고온의 플라즈마(210)는, 예를 들어 적어도 부분적으로 이온화된 플라즈마를 초래하는 전기 방전에 의하여 생성된다. 예를 들어, Xe, Li, Sn 증기 또는 임의의 다른 적합한 가스 또는 증기의 10 Pa의 분압이 방사선을 효율적으로 생성하기 위하여 필요할 수 있다. 일 실시예에서, 여기된 주석(Sn)의 플라즈마가 EUV 방사선을 생성하기 위하여 제공된다.
고온 플라즈마(210)에 의하여 방출되는 방사선은 소스 챔버(211)에 있는 개구 내에 또는 그 뒤에 위치하는 선택적인 가스 베리어 또는 오염물 트랩(230)(몇 가지 경우에 오염물 베리어 또는 호일 트랩이라고도 불림)을 통해 소스 챔버(211)로부터 콜렉터 챔버(212) 내로 전달된다. 오염물 트랩(230)은 채널 구조를 포함할 수 있다. 오염물 트랩(230)은 가스 베리어 또는 가스 베리어와 채널 구조의 조합을 더 포함할 수 있다. 본 명세서에 표시되는 오염물 트랩 또는 오염물 베리어(230)는 채널 구조를 적어도 포함한다.
콜렉터 챔버(212)는 소위 그레이징 입사 콜렉터일 수 있는 방사선 콜렉터(CO)를 포함할 수 있다. 방사선 콜렉터(CO)는 업스트림 방사선 콜렉터측(251)과 다운스트림 방사선 콜렉터측(252)을 가진다. 콜렉터(CO)를 횡단하는 방사선은 격자 스펙트럼 필터(240)에 의하여 반사되어 가상 소스 포인트(IF)에 집광될 수 있다. 가상 소스 포인트(IF)는 일반적으로 중간 초점이라고 지칭되고, 소스 콜렉터 장치는, 중간 초점(IF)이 밀폐 구조(220) 내의 개구(219)에 또는 이에 인접하게 위치되도록 정렬된다. 가상 소스 포인트(IF)는 방사선 방출 플라즈마(210)의 이미지이다. 격자 스펙트럼 필터(240)는 특히 적외(IR) 방사선을 억제하기 위해서 사용된다.
후속하여, 방사선은 조명 시스템(IL)을 가로지르는데, 이것은 패터닝 디바이스(MA)에서 방사선 빔(221)의 원하는 각도 분포와 패터닝 디바이스(MA)에서의 방사선 세기의 원하는 균일성을 제공하도록 정렬되는 다면 필드 미러 디바이스(facetted field mirror device; 222) 및 다면 퓨필 미러 디바이스(224)를 포함할 수도 있다. 지지 구조체(MT)에서의 방사선(221)의 빔의 반사 시에, 패터닝된 빔(226)이 형성되고, 패터닝된 빔(226)은 반사성 소자(228, 230)를 통하여 웨이퍼 스테이지 또는 기판 테이블(WT)에 의하여 홀딩되는 기판(W) 상에 투영 시스템(PS)에 의하여 이미징된다.
도시된 것보다 더 많은 요소들이 일반적으로 조명 광학기(IL) 및 투영 시스템(PS) 내에 존재할 수도 있다. 리소그래피 장치의 타입에 따라서 선택적으로 격자 스펙트럼 필터(240)가 존재할 수도 있다. 더욱이, 도 2에 도시된 것보다 더 많은 미러가 존재할 수도 있고, 예를 들어 도 2에 도시되는 투영 시스템(PS) 내에 존재하는 것보다 1 개 내지 6 개의 추가적 반사형 요소가 존재할 수도 있다.
도 2에 도시된 바와 같은 콜렉터 광학기(CO)는 콜렉터(또는 콜렉터 미러)의 일 예로서, 그레이징 입사 반사기(253, 254 및 255)를 가지는 네스팅된 콜렉터로서 도시된다. 그레이징 입사 반사기(253, 254 및 255)는 광축(O)에 축대칭으로 배치되고, 이러한 타입의 콜렉터 광학기(CO)는 바람직하게는 DPP(discharge produced plasma) 소스라고 불리는 방전 생성 플라즈마 소스와 함께 사용된다.
예시적인 리소그래피 셀
도 3은 가끔 리소셀 또는 클러스터라고도 불리는 리소그래피 셀(300)을 보여준다. 리소그래피 장치(100 또는 100')는 리소그래피 셀(300)의 일부를 형성할 수 있다. 리소그래피 셀(300)은 사전-노광 및 사후-노광 프로세스를 기판에 수행하기 위한 장치를 더 포함할 수 있다. 통상적으로, 이러한 장치는 레지스트층을 침착시키기 위한 스핀 코터(spin coater; SC), 노광된 레지스트를 현상하기 위한 현상기(DE), 냉각 플레이트(chill plate; CH), 및 베이크 플레이트(bake plate; BK)를 포함한다. 기판 핸들러 또는 로봇(RO)이 입력/출력 포트(I/O1, I/O2)로부터 기판을 픽업하여, 이들을 상이한 공정 장치 간에 이동시키며, 그 후 리소그래피 장치의 로딩 베이(loading bay; LB)에 전달한다. 통칭하여 트랙으로도 지칭되는 이들 장치는 감독 제어 시스템(supervisory control system; SCS)에 의해 제어되는 트랙 제어 유닛(TCU)의 제어 하에 있게 되며, 감독 제어 시스템은 또한 리소그래피 제어 유닛(LACU)을 통해 리소그래피 장치를 제어한다. 그러므로, 처리량 및 처리 효율을 최대화하기 위해 상이한 장치가 작동될 수 있다.
예시적인 산란계
리소그래피 장치(100 및/또는 100')와 같은 리소그래피 장치에 의해 노광되는 기판이 정확하고 일정하게 노광되도록 보장하기 위해서는, 노광된 기판을 검사하여 후속 층들 사이의 오버레이 에러, 라인 두께, 임계 치수(CD) 등과 같은 특성을 측정하는 것이 바람직할 수 있다. 오차가 검출되는 경우, 특히 동일 배치(batch)의 다른 기판이 여전히 노광되기에 충분한 정도로 검사가 곧바로 신속하게 행해질 수 있으면, 후속 기판의 노광에 대한 조정이 이루어질 수 있다. 또한, 이미 노광된 기판들은 스트리핑되고 재작업(rework) 되며 - 수율을 개선하기 위하여 - 또는 폐기되어, 이를 통하여 오류가 있는 것으로 알려진 기판에 노광을 수행하는 것을 회피할 수도 있다. 기판의 일부 타겟부에만 오류가 있는 경우, 양호한 것으로 간주되는 타겟부에만 추가의 노광이 수행될 수 있다.
기판의 특성, 및 구체적으로 상이한 기판의 특성 또는 동일 기판의 상이한 층의 특성이 층에 따라 어떻게 변화하는지를 결정하기 위해 검사 장치가 사용될 수 있다. 검사 장치는 리소그래피 장치(100 및/또는 100')와 같은 리소그래피 투영 장치(LA) 또는 리소셀(300)에 통합될 수도 있고, 또는 독립형 장치일 수도 있다. 가장 신속한 측정을 할 수 있기 위해서는, 검사 장치가 노광 직후에 노광된 레지스트 층에서 특성을 측정하는 것이 바람직하다. 그러나, 레지스트 내의 잠상(latent image)이 매우 낮은 콘트라스트를 가지며 - 이 경우 방사선에 노광된 레지스트의 부분과 방사선에 노광되지 않은 부분 간에 단지 매우 작은 굴절률차가 있음 - 모든 검사 장치가 잠상의 유용한 측정을 행하기에 충분한 감도를 갖는 것은 아니다. 따라서, 통상적으로 노광된 기판에 대해 수행되는 첫 번째 단계이고, 레지스트의 노광된 부분과 노광되지 않은 부분 간의 콘트라스트를 증가시키는 단계인, 노광 후 베이크 단계(post-exposure bake step, PEB) 후에 측정이 이루어질 수 있다. 이 스테이지에서, 레지스트 내의 이미지는 반잠상(semi-latent)으로 지칭될 수 있다. 또한, 에칭과 같은 패턴 전사 단계 후에, 현상된 레지스트 이미지의 측정을 행하는 것도 가능하며, 그 시점에서 레지스트의 노광된 부분 또는 노광되지 않은 부분 중의 하나가 제거된다. 후자의 가능성은 오류가 있는 기판의 재작업에 대한 가능성은 제한하지만, 여전히 유용한 정보를 제공할 수 있다.
도 4는 본 발명에서 사용될 수 있는 산란계(SM1)를 도시한다. 산란계(SM1)는 검사 장치는 리소그래피 장치(100 및/또는 100')와 같은 리소그래피 투영 장치(LA) 또는 리소셀(300)에 통합될 수도 있고, 또는 독립형 장치일 수도 있다. 이것은 방사선을 기판(W) 상에 투영하는 브로드밴드(백색 광) 방사선 투영기(2)를 포함한다. 반사된 방사선은 분광계 검출기(4)에 통과되며, 이것은 정반사(specular reflected) 방사선의 스펙트럼(10)(파장의 함수로서의 세기)을 측정한다. 이러한 데이터로부터, 예를 들어 정밀 결합 파 분석(Rigorous Coupled Wave Analysis) 및 비선형 회귀(non-linear regression)에 의해 또는 도 4의 하단에 도시한 바와 같은 시뮬레이션된 스펙트럼(simulated spectra)의 라이브러리와의 비교에 의해, 검출된 스펙트럼을 초래하는 구조 또는 프로파일이 처리 유닛(PU)에 의해 재구성될 수도 있다. 일반적으로, 복원을 위해서는, 그 구조의 전반적인 형태가 알려져 있으며 일부 파라미터는 이 구조를 제조하는 프로세스에 대한 정보로부터 가정되어, 이 구조의 소수의 파라미터만이 산란측정 데이터(scatterometry data)로부터 결정되도록 남게 된다. 이러한 산란계는 수직 입사(normal-incidence) 산란계 또는 경사 입사(oblique-incidence) 산란계로서 구성될 수 있다.
본 발명에서 사용될 수 있는 다른 산란계(SM2)가 도 5에 도시된다. 산란계(SM2)는 검사 장치는 리소그래피 장치(100 및/또는 100')와 같은 리소그래피 투영 장치(LA) 또는 리소셀(300)에 통합될 수도 있고, 또는 독립형 장치일 수도 있다. 산란계(SM2)는, 방사선 소스(2), 렌즈 시스템(12), 필터(13)(예를 들어, 간섭 필터), 반사 디바이스(14)(예를 들어, 레퍼런스 미러), 렌즈 시스템(15)(예를 들어, 본 명세서에서 대물 렌즈 시스템이라고도 불리는 미세 대물 렌즈 시스템), 부분 반사면(16)(예를 들어, 빔 스플리터), 및 편광자(17)를 가지는 광학 시스템(1)을 포함할 수 있다. 산란계(SM2)는 검출기(18) 및 처리 유닛(PU)을 더 포함할 수 있다.
예시적인 동작에서, 방사선 소스(2)에 의해 방출된 방사선은 렌즈 시스템(12)을 이용하여 시준되고, 간섭 필터(13) 및 편광기(polarizer)(17)를 통하여 투과되며, 부분 반사면(16)에 의해 반사되고, 현미경 대물 렌즈(15)을 통해 기판(W) 상에 포커싱된다. 산란 스펙트럼(scatter spectrum)이 검출되게 하기 위하여, 반사된 방사선은 이제 부분 반사면(16)을 통해 검출기(18)로 투과한다. 검출기는 대물 렌즈 시스템(15)의 초점 거리(focal length)에 위치하는 역투영 퓨필 평면(back-projected pupil plane)(11) 내에 배치될 수 있지만, 퓨필 평면은 보조 광학 장치(미도시)에 의해 검출기에 재결상될(re-imaged) 수도 있다. 퓨필 평면은, 방사선의 방사 위치(radial position)가 입사각을 정하고, 각도 위치가 방사선의 방위각을 정하는 평면이다. 일 예에서, 검출기는 기판 타겟(30)의 2차원 각도 산란 스펙트럼이 측정될 수 있도록 2차원 검출기일 수 있다. 검출기(18)는 예를 들어 CCD 또는 CMOS 센서의 어레이일 수도 있으며, 예컨대 프레임당 40 ms의 노출 시간(integration time)을 사용할 수도 있다.
입사 방사선의 세기를 측정하기 위해, 예를 들어 레퍼런스 빔이 사용될 수 있다. 이를 위해, 방사선 빔이 빔 스플리터(16)에 입사될 때, 방사선 빔의 일부가 빔 스플리터를 투과하여 기준 빔으로서 기준 미러(14)를 향하게 된다. 기준 빔은 그 후 동일한 검출기(18)의 상이한 부분 상에 투영되거나 또는 이와 달리 상이한 검출기(도시하지 않음) 상으로 투영된다.
간섭 필터(13)는, 405 - 790 nm 또는 그보다 낮은 200 - 300 nm와 같은 범위의 관심 파장을 선택하기 위해 사용될 수 있는 간섭 필터의 세트를 포함할 수 있다. 간섭 필터는 상이한 필터의 세트를 포함하기보다는 튜닝가능할 수도 있다. 간섭 필터 대신 격자(grating)가 이용될 수 있다.
검출기(18)는 단일 파장(또는 좁은 파장 범위)에서의 산란 광의 세기를 측정할 수도 있고, 여러 파장에서의 세기를 별도로 측정할 수도 있으며, 또는 일정 파장 범위에 걸쳐 통합된 세기를 측정할 수도 있다. 또한, 검출기(18)는 횡자기 편광광(transverse magnetic-polarized light) 및 횡전기 편광광(transverse electric-polarized light)의 세기, 및/또는 횡자기 편광광과 횡전기 편광광 간의 위상차를 별도로 측정할 수도 있다.
방사선 소스(2)를 위해서 광대역 광원(즉, 넓은 범위의 광 주파수 또는 파장을 갖고 또한 그에 따라 넓은 범위의 컬러를 갖는 광원)을 이용함으로써, 커다란 에텐듀(large etendue)가 제공되어 복수의 파장들의 혼합(mixing)이 가능하게 될 수 있다. 광대역에서의 복수의 파장은 바람직하게는 각각 Δλ의 대역폭 및 적어도 2ㆍΔλ(즉, 대역폭의 2배)의 간격을 각각 가질 수 있다. 방사선의 몇몇 "소스"는 광섬유 번들을 이용하여 분할된, 연장된 방사 소스의 상이한 부분일 수 있다. 이러한 방식으로, 각도 분해 산란 스펙트럼(angle resolved scatter spectra)이 복수의 파장에서 병렬로 측정될 수 있다. 3-D 스펙트럼(파장과 2개의 상이한 각도)이 측정될 수 있으며, 이 3-D 스펙트럼은 2-D 스펙트럼보다 더 많은 정보를 담고 있다. 이것은 더 많은 정보가 측정될 수 있도록 하여, 계측 프로세스 견실성(metrology process robustness)을 증가시킨다. 이것은 EP 1,628,164A에 더 상세히 설명되고, 해당 문헌은 그 전체가 본 명세서에서 원용에 의해 통합된다.
기판(W) 상의 타겟(30)은 1-D 격자일 수도 있으며, 이 1-D 격자는 현상 후에 바(bar)가 솔리드 레지스트 라인(solid resist line)으로 형성되도록 프린트된다. 타겟(30)은 2-D 격자일 수도 있으며, 이 2-D 격자는 현상 후에 바(bar)가 솔리드 레지스트 필라(solid resist pillar) 또는 레지스트 내의 비아(via)로 형성되도록 프린트된다. 바, 필러 또는 비아는 이와 달리 기판 내로 에칭될 수도 있다. 이러한 패턴은 리소그래피 투영 장치, 특히 투영 시스템(PL)에서의 색수차(chromatic aberration)에 민감하며, 그리고 조명 대칭성 및 이러한 수차의 존재는 프린트된 격자에서의 변동(variation)에서 명백하게 드러날 것이다. 이에 따라, 프린트된 격자의 산란 데이터가 격자를 복원하는데 이용된다. 인쇄 단계 및/또는 다른 산란 프로세스의 지식으로부터, 라인 폭 및 라인 형상과 같은 1-D 격자의 파라미터 또는 필러 또는 비아의 폭, 길이 또는 형상과 같은 2-D 격자의 파라미터가 처리 유닛(PU)에 의해 수행되는 복원 프로세스에 입력될 수 있다.
위에서 설명된 바와 같이, 타겟은 기판의 표면 위에 있을 수 있다 이러한 타겟은 흔히 격자 내의 일련의 라인의 형상 또는 2-D 어레이에 있는 실질적으로 직사각형 구조체의 형상을 가질 것이다. 계측에 있어서의 정밀(rigorous) 광학적 회절 이론의 목적은, 타겟으로부터 반사되는 회절 스펙트럼을 효과적으로 계산하는 것이다. 다르게 말하면, 타겟 형상 정보가 CD(임계 치수) 균일성 및 오버레이 계측에 대하여 획득된다. 오버레이 계측은, 기판 상의 두 개의 층들이 정렬되는지 아닌지 여부를 결정하기 위하여 두 개의 타겟의 오버레이가 측정되는 측정 시스템이다. CD 균일성은 단순히, 리소그래피 장치의 노광 시스템이 어떻게 동작하고 있는지를 결정하기 위한, 스펙트럼에 있는 격자의 균일성의 측정이다. 구체적으로 설명하면, CD 또는 임계 치수는 기판에 "기록된(written)" 대상물의 폭이고, 리소그래피 장치가 기판에 물리적으로 기록할 수 있는 한계이다.
예시적인 로봇 시스템
도 6은 본 발명의 일부 실시예에 따른 예시적인 산란계 내에서 사용되는 예시적인 프리즘 시스템의 개략도이다. 프리즘 시스템(600)이 하나의 산란계와 함께 사용되도록 도시되지만, 본 발명의 실시예는 이러한 예로 한정되지 않고, 본 발명의 실시예의 프리즘 시스템이 비한정적으로 리소그래피 장치(100 및/또는 100'), 리소셀(300), 산란계(SM1), 산란계(SM2), 및/또는 다른 광학 시스템과 같은 다른 광학 시스템과 함께 사용될 수 있다는 것에 주의한다.
도 6은 프리즘 시스템(600)을 포함하는 예시적인 산란계의 일부의 개략도이다. 예를 들어, 도 6은 도 5의 산란계(SM2)의 광학 시스템(1), 도 5의 산란계(SM2)의 검출기(18), 도 5의 산란계(SM2)의 처리 유닛(PU), 및 프리즘 시스템(600)을 예시한다. 일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(600)은 레퍼런스 방사선 빔(617a) 및 산란된 및/또는 반사된 방사선 빔(617b)을 수광하도록 구성된다.
일부 실시예에 따르면, 프리즘 시스템(600)은 레퍼런스 방사선 빔(617a)으로부터 서브-빔(623a 및 629a)을 생성하도록 구성될 수 있다. 또한, 프리즘 시스템(600)은 산란된 방사선 빔 및/또는 반사된 방사선 빔(617b)으로부터 서브-빔(623b 및 629b)을 생성하도록 구성될 수 있다. 일부 실시예에 따르면, 검출기(18)는 서브-빔(623a, 623b, 629a, 및 629b)을 수광할 수 있고, 서브-빔(623a, 623b, 629a, 및 629b) 내의 레퍼런스 광 및/또는 산란된 광의 세기를 측정할 수 있다. 검출기(18) 및 처리 유닛(PU)은 기판(W) 및/또는 기판(W)을 생성하도록 사용되는 광학 시스템(예컨대 리소그래피 장치)의 하나 이상의 파라미터를 측정하도록 구성될 수 있다.
일부 예에 따르면, 레퍼런스 방사선 빔(617a) 및 산란된 및/또는 반사된 방사선 빔(617b)은 프리즘 시스템(600)으로의 입력으로서 비편광(unpolarized) 방사선 빔을 포함할 수 있다. 프리즘 시스템(600)은 입력 빔을 그들의 수평(H) 및 수직(V) 편광 성분으로 분할하고, 결과적으로, 예를 들어 서로 평행하고 인접한 서브-빔들을 출력하도록 구성될 수 있다. 본 발명의 실시예의 프리즘 시스템은 H 및 V 편광 빔들(polarized beam)을 공통 초점면에서 단일 검출기(예를 들어, 센서) 상에 이미징하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 검출기(18)는 H 및 V 편광 빔을 수광하는 단일 검출기일 수 있다. 일 예에서, 서브-빔(623a 및 623b)은 수평(H) 편광 정보 및 P 편광 배향을 가질 수 있다. 예를 들어, 서브-빔(629a 및 629b)은 수직(V) 편광 정보 및 P 편광 배향을 가질 수 있다.
일부 예시적인 실시예에 따르면, 프리즘 시스템(600)은 편광 빔 스플리터 표면, 하나 이상의 사분파장 플레이트(QWP), 및 하나 이상의 미러 표면을 포함할 수 있다. 일부 예에 따르면, QWP는 QWP 폴리머 스택 또는 미러 표면에 도포된 QWP 코팅을 포함할 수 있다.
또는, 일부 실시예에 따르면, 프리즘 시스템(600)은 프리즘 시스템(600)이 QWP를 포함하지 않도록 설계될 수 있다. 일부 예들에서, 프리즘 시스템(600)은 미러 표면이 있거나 없는 프리즘 시스템(600) 내에서 내부 전반사(TIR)를 사용하도록 설계될 수 있다.
일부 예시적인 실시예에 따르면, 프리즘 시스템(600)은, 서브-빔(623a 및 629a)(및 서브-빔(623b 및 629b)이 프리즘 시스템(600)을 통해 동일하거나 실질적으로 동일한 광로를 이동하도록 설계될 수 있다. 본 발명의 콘텍스트에서, "실질적으로 동일한 광로" 라는 용어는 경로차가 매우 작아서 서브-빔들이, 프리즘 시스템(600)을 통과한 후에 서브-빔들에 의해 형성되는 이미지에 대한 초점 심도 내에서 후속하는 검출기에 포커싱되게 한다는 것을 의미한다. 초점 심도는, 예를 들어 광 파장, 서브-빔 개구수 및/또는 수차의 함수일 수 있다. 다르게 말하면, 일부 예시적인 실시예에 따르면, 프리즘 시스템(600)은, 프리즘 시스템(600)을 통과하는 서브-빔(623a 및 629a)에 대한 광로(및 서브-빔(623b 및 629b)에 대한 광로)가 동일하거나 실질적으로 동일한 길이를 가지도록 설계될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 그리고 더 상세히 후술되는 바와 같이, 프리즘 시스템(600)은, 프리즘 시스템(600)의 출사면(들), 입사면, 및/또는 다른 표면이 틸팅되도록 설계될 수 있다. 일부 예에 따르면, 이러한 틸트는 이러한 표면의 "고스트" 반사(reflection off)가 검출기(예컨대 검출기(18)) 상의 일차 빔과 중첩하지 않게 하거나 최소화할 수 있다. 추가적이거나 대안적인 실시예에서, 서브-빔(613a 또는 619a) 중 하나(및 서브-빔(613b 또는 619b) 중 하나)는 편광 빔 스플리터 표면을 통과하거나 그로부터 두 번 반사되어 미리 결정된 편광 소광비(PER)를 얻을 수 있다. 편광 소광비는 원하는 성분에 대한 원치않는 성분의 투과의 비율로서 규정될 수 있다. 편광 소광비는 선형 비율(예를 들어, T2/T1), 퍼센티지(예를 들어, (T2/T1)*100)로 표현되거나, 데시벨(dB) 단위의 함수로서 표현될 수 있다(예를 들어, 10*log(T2/T1)). 여기에서, T2는 원치않는 성분(예를 들어, 원치않는 편광)의 투과율(예를 들어, 파워)일 수 있고, T1은 원하는 성분(예를 들어, 요구되는 편광)의 투과율(예를 들어, 파워) 일 수 있다. 편광 소광비는 방사선 빔의 파장에 따라 달라지는 속성이다. 일 예로서, 비편광 방사선 빔은 편광 빔 스플리터(PBS)에 의하여, P 편광 배향이 있는 서브-빔 및 S 편광 배향이 있는 다른 서브-빔으로 분할될 수 있다. P-편광 서브-빔은 PBS를 투과할 수 있고, S-편광 서브-빔은 PBS로부터 반사될 수 있다. S-편광 서브-빔에 대한 편광 소광비는, PBS에 의해 반사된 원하는 S-편광 서브-빔에 대한 PBS에 의해 반사된 방사선 빔의 원치않는 부분의 비율로서 규정될 수 있다.
도 7a는 본 발명의 일부 실시예에 따른 예시적인 프리즘 시스템을 도시한다. 일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(700)은 네 개의 인접된 광학 요소(701, 703, 705, 및 707)를 포함할 수 있다.
일부 실시예에 따르면, 도 6의 프리즘 시스템(600)은 도 7a의 프리즘 시스템(700)을 포함할 수 있다. 프리즘 시스템(700)은 도 4의 검출기(4), 및/또는 도 5 및/또는 도 6의 검출기(18) 근처에 위치될 수 있고, 도 4 내지 도 6에서 전술된 바와 같이 레퍼런스 방사선 빔 및/또는 산란된 및/또는 반사된 방사선 빔을 수광하도록 구성될 수 있다. 그러나, 프리즘 시스템(700)은 리소그래피 장치, 계측 장치, 등의 임의의 위치에 위치될 수 있다.
일부 실시예들에서, 프리즘 시스템(700)은 인입하는 방사선을 수광하고 해당 방사선 빔을 두 개의 별개의 수평(H) 및 수직(V) 편광 방사선 빔으로 분할하도록 구성될 수 있다. 일부 실시예에 따르면, 결과적으로 얻어지는 H 및 V 편광 방사선 빔은 서로 인접하여 프리즘 시스템(700)을 벗어나고, 동일하거나 실질적으로 동일한 방향, 예를 들어 입사 방사선 빔의 배향에 수직인 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 두 개의 출력된 H 및 V 편광 방사선 빔은 프리즘 시스템(700) 내에서 동일하거나 실질적으로 동일한 광로 거리를 이동할 수 있다. 다르게 말하면, 프리즘 시스템(700) 내의 두 개의 출력된 H 및 V 편광 방사선 빔들은 동일하거나 실질적으로 동일한 길이를 가진다. 이것은 더 상세히 후술되는 바와 같이, 편광 빔 스플리터, 사분파장 플레이트(QWP), 및 미러 표면을 사용하여 달성될 수 있다. 일부 예에 따르면, 수렴하는 방사선 빔이 프리즘 시스템(700)에 입사되면, 두 개의 출력된 H 및 V 편광 방사선 빔들은 공통 면 상에 포커싱될 수 있다.
일부 예에 따르면, 광학 요소(701 및 703)는 프리즘을 포함할 수 있고, 광학 요소(705)는 미러를 포함할 수 있다. 광학 요소(701 및 703)는 유리로 제작될 수 있다. 그러나, 당업자에게 공지된 다른 적합한 재료들도 광학 요소(701 및 703)를 제작하기 위하여 사용될 수 있다. 일부 예에 따르면, 광학 요소(707)는 사분파장 플레이트(QWP)를 포함할 수 있다. 예를 들어, QWP(707)는 QWP 폴리머 스택을 포함할 수 있다.
도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따르는 프리즘 시스템의 측면도 및 방사선 빔의 경로를 예시한다. 위에서 논의된 바와 같이, 프리즘 시스템(700)은 네 개의 인접된 광학 요소(701, 703, 705, 및 707)를 포함할 수 있다.
방사선 빔(717)은 입사면(711)을 통하여 광학 요소(703)에 진입한다. 광학 요소(703)는 편광 빔 스플리터 표면(715)을 가질 수 있다. 편광 빔 스플리터 표면(715)은 입사 방사선 빔(717)을 서브-빔들(719 및 721)로 분할할 수 있다.
일부 예에 따르면, 방사선 빔(717)은 비-편광 방사선 빔일 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 방사선 빔(717)은 상이한 편광 정보를 포함할 수 있다. 일부 예에 따르면, 편광 빔 스플리터 표면(715)으로부터 반사되는 서브-빔(719)은 편광 빔 스플리터 표면(715)에서의 수직(V) 편광 정보 및 S 편광 배향을 가질 수 있다. 일부 예에 따르면, 편광 빔 스플리터 표면(715)을 통과하는 서브-빔(721)은 편광 빔 스플리터 표면(715)에서의 수평(H) 편광 정보 및 P 편광 배향을 가질 수 있다.
일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(700)은 QWP(707) 및 광학 요소(705)를 포함한다. 일부 예에 따르면, 광학 요소(705)는 반사면(예를 들어, 미러 표면)을 가지는 미러 기판을 포함한다. 서브-빔(719)은 QWP(707)에 진입하고 광학 요소(705)의 표면에 의해 반사된다. 다르게 말하면, 서브-빔(719)은 QWP(707)을 통과하고 광학 요소(705)의 미러 표면(예를 들어, 미러 표면(713))으로부터 반사되어 서브-빔(723)이 된다. QWP(707)를 두 번 통과함으로써, 서브-빔(719)의 편광은 편광 빔 스플리터 표면(715)에서 S 편광 배향으로부터 P 편광 배향으로 변한다. 다르게 말하면, 서브-빔(723)은 일부 예에 따르면, 편광 빔 스플리터 표면(715)에서 수직(V) 편광 정보 및 P 편광 배향을 가질 수 있다. 서브-빔(723)은 편광 빔 스플리터 표면(715)과 광학 요소(701)을 통과하여 광학 요소(701)의 출사면(725)을 빠져나온다. 일부 예에서, 편광 빔 스플리터 표면(715)을 통과함으로써, 서브-빔(723)은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 될 수 있다. 이러한 예에서, 서브-빔(723)은 편광 빔 스플리터 표면(715)으로부터 반사되고(서브-빔(719)으로서) 편광 빔 스플리터 표면을 통해 투과되어 미리 결정된 편광 소광비를 얻었다.
비록 도 7b가 서브-빔들(719 및 723)이 일치하는 것을 예시하지만, 본 발명의 실시예는 이러한 예로 한정되지 않는다는 것에 주의한다. 다르게 말하면, 프리즘 시스템(700)은, 서브-빔들(719 및 723)이 일치하지 않도록 설계될 수 있다. 예를 들어, 프리즘 시스템(700)의 표면(715 및 713)은 서브-빔들(719 및 723)이 일치하지 않도록 상이한 각도를 사용하여 설계될 수 있다. 일부 예에 따르면, 서브-빔들(719 및 723)이 일치하지 않는 경우, 프리즘 시스템(700)의 광학 요소(예를 들어, 광학 요소(701) 및/또는 703)은, 빔(717, 719, 723)에 대한 광로 길이 및 빔(717, 721, 729)에 대한 광로 길이가 동일하거나 실질적으로 동일하도록 설계될 수 있다.
서브-빔(721)은 편광 빔 스플리터 표면(715)을 사용하여 방사선 빔(717)으로부터 생성된다. 위에서 논의된 바와 같이, 서브-빔(721)은 편광 빔 스플리터 표면(715)에서 수평(H) 편광 정보 및 P 편광 배향을 가질 수 있다. 서브-빔(721)은 광학 요소(701)의 표면(727)으로부터 반사된다. 일 예에 따르면, 표면(727)은 내부 전반사(TIR)를 위해 사용되는 무코팅(uncoated) 표면일 수 있다. 그러나, 표면(727)은 서브-빔(721)을 반사하기 위한 다른 광학 디바이스 및/또는 재료, 예컨대 반사 코팅을 포함할 수 있다. 반사된 서브-빔(729)은 출사면(725)을 통해 광학 요소(701)를 빠져나올 수 있다.
출사 서브-빔들(723 및 729)은 양자 모두 P 편광 빔일 수 있다. 그러나, 일부 실시예에 따르면, 서브-빔(723)은 수직 편광 정보를 가지고 서브-빔(729)은 수평 편광 정보를 가진다.
일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(700)은 양자 모두의 출사 서브-빔들(723 및 729)에 대해 평판(예를 들어, 허용불가능한 레벨의 색수차를 초래할 수 있는 쐐기형(wedged) 플레이트에 반대임)으로서의 역할을 할 수 있다. 프리즘 시스템(700)은 빔들 중 하나의 다른 빔에 대한 배향을 뒤집을 수 있다. 예를 들어, 프리즘 시스템(700)은 하나의 경로(717, 719, 723)를 우수 횟수만큼 그리고 다른 경로(717, 721, 및 729)를 기수 횟수만큼 반사한다. 하지만, 프리즘 시스템(700)의 접힘이 해제되면, 프리즘 시스템(700)은 빔(717)에 대해 법선인 평행 플레이트 윈도우와 유사하게 보일 수 있다. 그러므로, 프리즘 시스템(700)에 진입하는 빔들의 방향을 따라 색채 이미지 천이가 있을 수 있지만, 빔들의 각도 편차는 없을 것이다. 예를 들어, 파장의 기능인 각도 편차는 관심 파장 범위에 대해서는 발생하지 않을 것이다. 그러므로, 측방향 또는 각도 색수차는 없을 것이고, 컬러들을 동일한 광로를 따라갈 것이다.
본 발명의 실시예의 프리즘 시스템은 비편광 빔의 H 및 V 편광들을 분리하고, H 및 V 편광 빔 양자 모두를 공통 초점면에서 단일 검출기(예를 들어, 센서) 상에 이미징하도록 구성될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 본 발명의 실시예의 프리즘 시스템은 프리즘 시스템이 H 및 V 편광 빔 광로들 양자 모두에서 평판처럼 기능하게 함으로써, 색수차(예를 들어, 측방향 색수차)를 최소화할 수 있다.
도 7c는 본 발명의 일 실시예에 따르는 프리즘 시스템(700)의 확대도를 도시한다. 일부 실시예에 따르면, 프리즘 시스템(700)은 네 개의 인접된 광학 요소(701, 703, 705, 및 707)를 포함한다.
일부 예에 따르면, 광학 요소(701)는 표면(725, 727, 및 743)을 포함할 수 있다. 출사면(725)은 약 410 nm 내지 약 900 nm의 파장 범위에 있는 방사선 빔에 대한 반사-방지(AR) 코팅을 포함할 수 있다. 광학 요소(701)의 표면(727)은 코팅되지 않을 수 있고 TIR을 위해 사용될 수 있다. 이와 유사하게, 광학 요소(701)의 표면(743)은 무코팅 표면일 수 있다. 일부 예에 따르면, 표면들(727 및 743) 사이의 각도는 약 90°이고, 표면들(725 및 743) 사이의 각도는 약 45°이다. 본 발명의 실시예가 이러한 예들로 한정되지 않으며, 다른 코팅, 광학 디바이스, 및/또는 각도가 광학 요소(701)의 표면에 대해 사용될 수 있다는 것에 주의한다.
일부 예에 따르면, 광학 요소(703)는 표면(711, 715, 및 741)을 포함할 수 있다. 일부 예에 따르면, 입사면(711)은 약 410 nm 내지 약 900 nm의 파장 범위에 있는 방사선 빔에 대한 반사-방지(AR) 코팅을 포함할 수 있다. 일부 실시예에 따르면, 광학 요소(703)의 표면(741)은 무코팅 표면을 포함할 수 있다. 일부 실시예에 따르면, 광학 요소(703)의 표면(715)은 편광 빔 스플리터(PBS) 코팅을 포함할 수 있다. 예를 들어, 광학 요소(703)의 표면(715)은 약 410 nm 내지 약 900 nm의 파장 범위에 있는 방사선 빔에 대한 PBS 코팅을 포함할 수 있다. 일부 예에 따르면, 표면들(711 및 741) 사이의 각도는 약 90°이고 표면들(715 및 741) 사이의 각도는 약 45°이다. 본 발명의 실시예가 이러한 예들로 한정되지 않으며, 다른 코팅, 광학 디바이스, 및 각도가 광학 요소(703)의 표면에 대해 사용될 수 있다는 것에 주의한다. 예를 들어, 프리즘(703)의 표면(715)은 코팅되지 않을 수 있고, 프리즘(701)의 표면(743)은 편광 빔분할 코팅을 가진다.
일부 예에 따르면, 광학 요소(703)의 표면(715)은 광학 요소(701)의 표면(743)에 커플링될 수 있다. 일 예에서, 광학 요소(703)의 표면(715)은, 예를 들어 접착제(예를 들어, 광학적 시멘트)를 사용하여 광학 요소(701)의 표면(743)에 커플링될 수 있다. 예를 들어, 접착제 접착 표면이 표면들(715 및 743) 사이에 배치되어 광학 요소들(703 및 701)을 커플링할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 광학 요소(703)의 표면(715)은 광학 요소(701)의 표면(743)에 광학적으로 커플링 및/또는 접촉될 수 있다(예를 들어 광학적으로 접촉된 표면을 사용함으로써).
일부 실시예에 따르면, 광학 요소(707)는 표면(708 및 710)을 가지는 QWP를 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, QWP는 사분파장 폴리머 스택을 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예는 사분파장 폴리머로 한정되지 않고 임의의 사분파장 지연제(retarder)가 사용될 수 있다. 일 예에서, 광학 요소(707)의 표면(708)은, 예를 들어 접착제(예를 들어, 광학적 시멘트)를 사용하여 광학 요소(703)의 표면(741)에 커플링될 수 있다. 예를 들어, 접착제 접착 표면이 표면들(708 및 741) 사이에 배치되어 광학 요소들(707 및 703)을 커플링할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 광학 요소(707)의 표면(708)은 광학 요소(703)의 표면(741)에 광학적으로 커플링 및/또는 접촉될 수 있다(예를 들어 광학적으로 접촉된 표면을 사용함으로써).
일부 예에 따르면, 광학 요소(705)(예를 들어, 미러 기판)는 표면(713)을 포함할 수 있다. 일부 실시예에 따르면 표면(713)은 미러 표면을 포함할 수 있다. 광학 요소(705)의 표면(713)은 광학 요소(707)의 표면(710)에 커플링될 수 있다. 일 예에서, 광학 요소(705)의 표면(713)은, 예를 들어 접착제(예를 들어, 광학적 시멘트)를 사용하여 광학 요소(707)의 표면(710)에 커플링될 수 있다. 예를 들어, 접착제 접착 표면이 표면들(713 및 710) 사이에 배치되어 광학 요소들(705 및 707)을 커플링할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 광학 요소(705)의 표면(713)은 광학 요소(707)의 표면(710)에 광학적으로 커플링 및/또는 접촉될 수 있다(예를 들어 광학적으로 접촉된 표면을 사용함으로써).
도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 일부 실시예에 따른 예시적인 다른 프리즘 시스템을 도시한다. 도 8a 및 도 8b 프리즘 시스템(800)을 상이한 측면도로 예시한다. 일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(800)은 세 개의 인접된 광학 요소(801, 803, 및 805)를 포함할 수 있다.
일부 실시예에 따르면, 도 6의 프리즘 시스템(600)은 도 8a 내지 도 8d의 프리즘 시스템(800)을 포함할 수 있다. 프리즘 시스템(800)은 도 4의 검출기(4), 및/또는 도 5 및/또는 도 6의 검출기(18) 근처에 위치될 수 있고, 도 4 내지 도 6에서 전술된 바와 같이 레퍼런스 방사선 빔 및/또는 산란된 및/또는 반사된 방사선 빔을 수광하도록 구성될 수 있다. 그러나, 프리즘 시스템(800)은 리소그래피 장치, 계측 장치, 등의 임의의 위치에 위치될 수 있다.
일부 실시예들에서, 프리즘 시스템(800)은 인입하는 방사선을 수광하고 해당 방사선 빔을 두 개의 별개의 수평(H) 및 수직(V) 편광 방사선 빔으로 분할하도록 구성될 수 있다. 결과적으로 얻어지는 H 및 V 편광 방사선 빔은 서로 인접하여 프리즘 시스템(800)을 벗어나고, 동일하거나 실질적으로 동일한 방향, 예를 들어 입사 방사선 빔의 배향에 수직인 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 두 개의 출력된 H 및 V 편광 방사선 빔은 프리즘 시스템(800) 내에서 동일하거나 실질적으로 동일한 광로 거리를 이동할 수 있다. 이것은 더 상세히 후술되는 바와 같이, 편광 빔 스플리터, 사분파장 플레이트, 및 미러 표면을 사용하여 달성될 수 있다. 일부 예에 따르면, 수렴하는 방사선 빔이 프리즘 시스템(800)에 입사되면, 두 개의 출력된 H 및 V 편광 방사선 빔들은 공통 면 상에 포커싱될 수 있다.
일부 예에 따르면, 광학 요소(801 및 803)는 프리즘을 포함할 수 있고, 광학 요소(805)는 미러를 포함할 수 있다. 광학 요소(801 및 803)는 유리로 제작될 수 있다. 그러나, 당업자에게 공지된 다른 적합한 재료들도 광학 요소(801 및 803)를 제작하기 위하여 사용될 수 있다.
도 8c는 본 발명의 일 실시예에 따르는 프리즘 시스템의 측면도 및 방사선 빔의 경로를 예시한다. 방사선 빔(817)은 입사면(811)을 통하여 광학 요소(803)에 진입한다. 일부 예에 따르면, 광학 요소(803)의 입사면(811)은 틸팅된 표면이다. 이러한 예에서, 틸팅된 표면(811)의 틸트는 표면(811)에 대한 법선과 방사선 빔(817) 사이의 각도인 틸팅각에 의해 규정될 수 있다. 광학 요소(803)는 편광 빔 스플리터 표면(815)을 가질 수 있다. 편광 빔 스플리터 표면(815)은 입사 방사선 빔(817)을 서브-빔들(819 및 821)로 분할할 수 있다.
일부 예에 따르면, 방사선 빔(817)은 비-편광 방사선 빔일 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 방사선 빔(817)은 상이한 편광 정보를 포함할 수 있다. 일부 예에 따르면, 편광 빔 스플리터 표면(815)으로부터 반사되는 서브-빔(819)은 편광 빔 스플리터 표면(815)에서의 수직(V) 편광 정보 및 S 편광 배향을 가질 수 있다. 일부 예에 따르면, 편광 빔 스플리터 표면(815)을 통과하는 서브-빔(821)은 편광 빔 스플리터 표면(815)에서의 수평(H) 편광 정보 및 P 편광 배향을 가질 수 있다.
일부 예에 따르면, 광학 요소(805)는 표면(813)을 포함할 수 있다. 표면(813)은, 미러 표면에 도포된 QWP 코팅과 같은 사분파장 플레이트(QWP)가 있는 반사면(예를 들어, 미러 표면)을 포함할 수 있다. 서브-빔(819)은 표면(813)에 진입하고 그에 의해 반사된다. 다르게 말하면, 서브-빔(819)은 QWP을 통과하고 미러 표면으로부터 반사되어 서브-빔(823)이 된다. QWP를 두 번 통과함으로써, 서브-빔(819)의 편광은 편광 빔 스플리터 표면(815)에서 S 편광 배향으로부터 P 편광 배향으로 변한다. 다르게 말하면, 서브-빔(823)은 일부 예에 따르면, 편광 빔 스플리터 표면(815)에서 수직(V) 편광 정보 및 P 편광 배향을 가질 수 있다. 서브-빔(823)은 편광 빔 스플리터 표면(815)과 광학 요소(801)을 통과하여 광학 요소(801)의 출사면(825)을 빠져나온다. 일부 예에 따르면, 광학 요소(801)의 출사면(825)도 역시 틸팅된다. 일부 예에서, 편광 빔 스플리터 표면(815)을 통과함으로써, 서브-빔(823)은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 될 수 있다. 이러한 예에서, 서브-빔(823)은 편광 빔 스플리터 표면(815)으로부터 반사되고(서브-빔(819)으로서) 편광 빔 스플리터 표면을 통해 투과되어 미리 결정된 편광 소광비를 얻었다.
비록 도 8c가 서브-빔들(819 및 823)이 일치하는 것을 예시하지만, 본 발명의 실시예는 이러한 예로 한정되지 않는다는 것에 주의한다. 다르게 말하면, 프리즘 시스템(800)은, 서브-빔들(819 및 823)이 일치하지 않도록 설계될 수 있다. 예를 들어, 프리즘 시스템(800)의 표면(815 및 813)은 서브-빔들(819 및 823)이 일치하지 않도록 상이한 각도를 사용하여 설계될 수 있다. 일부 예에 따르면, 서브-빔들(819 및 823)이 일치하지 않는 경우, 프리즘 시스템(800)의 광학 요소(예를 들어, 광학 요소(801) 및/또는 803)은, 빔(817, 819, 823)에 대한 광로 길이 및 빔(817, 821, 829)에 대한 광로 길이가 동일하거나 실질적으로 동일하도록 설계될 수 있다.
서브-빔(821)은 편광 빔 스플리터 표면(815)을 사용하여 방사선 빔(817)으로부터 생성된다. 위에서 논의된 바와 같이, 서브-빔(821)은 편광 빔 스플리터 표면(815)에서 수평(H) 편광 정보 및 P 편광 배향을 가질 수 있다. 서브-빔(821)은 광학 요소(801)의 표면(827)으로부터 반사된다. 일 예에 따르면, 표면(827)은 내부 전반사(TIR)를 위해 사용되는 무코팅(uncoated) 표면일 수 있다. 그러나, 표면(827)은 서브-빔(821)을 반사하기 위한 다른 광학 디바이스 및/또는 재료, 예컨대 반사 코팅을 포함할 수 있다. 반사된 서브-빔(829)은 출사면(831)을 통해 광학 요소(801)를 빠져나올 수 있다. 일부 예에 따르면, 출사면(831)도 역시 틸팅된 표면이다. 이러한 예들에서, 출사면들(825 및 831)은 반대 방향으로 틸팅된다. 이러한 예에서, 틸팅된 표면(825)의 틸트는 표면(825)에 대한 법선과 서브-빔(823) 사이의 각도인 틸팅각에 의해 규정될 수 있다. 또한, 이러한 예에서, 틸팅된 표면(831)의 틸트는 표면(831)에 대한 법선과 서브-빔(829) 사이의 각도인 틸팅각에 의해 규정될 수 있다.
더 상세히 후술되는 바와 같이, 일부 예에 따르면, 이러한 틸트는 이러한 표면의 "고스트" 반사가 검출기 상의 일차 빔과 중첩하는 것을 최소화할 수 있다. 일부 예에 따르면, 표면들(825 및 831)의 틸트의 양은 프리즘 시스템(800)과 검출기(예를 들어, 도 4의 검출기(4) 및/또는 도 5 및 도 6의 검출기(18))사이의 거리에 관련될 수 있다. 예를 들어, 표면들(825 및 831)의 틸트의 양은 프리즘 시스템(800)과 검출기 사이의 거리의 역수로 크기가 변할 수 있다. 일부 예에 따르면, 표면(825 및 831)의 틸트의 양을 최소화하고, 따라서 검출기 평면에서의 색수차를 최소화하기 위하여, 프리즘 시스템(800)의 디자인은 프리즘 시스템(800)과 검출기 사이의 거리를 최대화하도록 콤팩트하다.
출사 서브-빔(823 및 829) 양자 모두는 P 편광 빔일 수 있다. 그러나, 서브-빔(823)은 수직 편광 정보를 가지고 서브-빔(829)은 수평 편광 정보를 가진다.
일부 예에 따르면, 입사 방사선 빔(817)에 대한 입사면(811)의 틸팅각 및 출사 서브-빔(823)(및/또는 출사 서브-빔(829))에 대한 출사면(825)(및/또는 출사면(831))의 틸팅각은, 프리즘 시스템(800)이 틸팅된 평행-평면(plano-parallel) 플레이트로서의 역할을 할 수 있도록 설계된다. 예를 들어, 입사면(811)은, 출사면(825)(및/또는 출사면(831))의 출사 서브-빔(823)(및/또는 출사 서브-빔(829))에 대한 것과 동일하거나 실질적으로 동일한 양만큼 입사 방사선 빔(817)에 대해 틸팅된다. 그러면, 프리즘 시스템(800)은 양자 모두의 출사 서브-빔들(823 및 829)에 대해 평행-평면 플레이트(예를 들어, 허용불가능한 레벨의 색수차를 초래할 수 있는 쐐기형(wedged) 플레이트에 반대임)로서의 역할을 할 수 있다. 프리즘 시스템(800)은 빔들 중 하나의 다른 빔에 대한 배향을 뒤집을 수 있다. 예를 들어, 프리즘 시스템(800)은 하나의 경로(817, 819, 823)를 우수 횟수만큼 그리고 다른 경로(817, 821, 및 829)를 기수 횟수만큼 반사한다.
하지만, 프리즘 시스템(800)의 접힘이 해제되면, 프리즘 시스템(800)은 각 경로에 대해 평행 플레이트 윈도우와 유사하게 보일 수 있다. 그러므로, 프리즘 시스템(800)에 진입하는 방사선 빔에 대하여 가로 및 세로 색채 이미지 천이가 존재할 수 있지만, 빔들의 각도 편차는 없을 것이다. 예를 들어, 파장의 기능인 각도 편차는 관심 파장 범위에 대해서는 발생하지 않을 것이다.
본 발명의 실시예의 프리즘 시스템은 비편광 빔의 H 및 V 편광들을 분리하고, H 및 V 편광 빔 양자 모두를 공통 초점면에서 단일 검출기(예를 들어, 센서) 상에 이미징하도록 구성될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 본 발명의 실시예의 프리즘 시스템은 "고스트" 반사가 프리즘 시스템에 근접할 수 있는 검출기에 도달하는 것을 완화, 예를 들어 방지하거나 최소화할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예의 프리즘 시스템의 틸팅된 표면은 프리즘 시스템이 H 및 V 편광 빔 광로들 양자 모두에서 평행-평면 플레이트처럼 기능하게 함으로써, 색수차(예를 들어, 측방향 색수차)를 최소화할 수 있다.
도 8d는 본 발명의 일 실시예에 따르는 프리즘 시스템(800)의 확대도를 도시한다. 일부 예에 따르면, 광학 요소(801)는 틸팅된 표면(825 및 831), 및 표면(827 및 843)을 포함할 수 있다. 틸팅된 표면(825 및 831)은 약 410 nm 내지 약 900 nm의 파장 범위에 있는 방사선 빔에 대한 반사-방지(AR) 코팅을 포함할 수 있다. 광학 요소(801)의 표면(827)은 코팅되지 않을 수 있고 TIR을 위해 사용될 수 있다. 이와 유사하게, 광학 요소(801)의 표면(843)은 무코팅 표면일 수 있다. 본 발명의 실시예가 이러한 예들로 한정되지 않으며, 다른 코팅, 및/또는 광학 디바이스가 광학 요소(801)의 표면에 대해 사용될 수 있다는 것에 주의한다.
일부 예에 따르면, 광학 요소(803)는 표면(811, 815, 및 841)을 포함할 수 있다. 위에서 논의된 바와 같이, 표면(811)은 틸팅된 표면이다. 일부 예에 따르면, 표면(811)은 약 410 nm 내지 약 900 nm의 파장 범위에 있는 방사선 빔에 대한 반사-방지(AR) 코팅을 포함할 수 있다. 일부 실시예에 따르면, 광학 요소(803)의 표면(841)은 무코팅 표면을 포함할 수 있다. 일부 실시예에 따르면, 광학 요소(803)의 표면(815)은 편광 빔 스플리터(PBS) 코팅을 포함할 수 있다. 예를 들어, 광학 요소(803)의 표면(815)은 약 410 nm 내지 약 900 nm의 파장 범위에 있는 방사선 빔에 대한 PBS 코팅을 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예가 이러한 예들로 한정되지 않으며, 다른 코팅, 및/또는 광학 디바이스가 광학 요소(803)의 표면에 대해 사용될 수 있다는 것에 주의한다.
일부 예에 따르면, 광학 요소(803)의 표면(815)은 광학 요소(801)의 표면(843)에 커플링될 수 있다. 일 예에서, 광학 요소(803)의 표면(815)은, 예를 들어 접착제(예를 들어, 광학적 시멘트)를 사용하여 광학 요소(801)의 표면(843)에 커플링될 수 있다. 예를 들어, 접착제 접착 표면이 표면들(815 및 843) 사이에 배치되어 광학 요소들(803 및 801)을 커플링할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 광학 요소(803)의 표면(815)은 광학 요소(801)의 표면(843)에 광학적으로 커플링 및/또는 접촉될 수 있다(예를 들어 광학적으로 접촉된 표면을 사용함으로써).
일부 예에 따르면, 광학 요소(805)는 표면(813)을 포함할 수 있다. 일부 실시예에 따르면, 표면(813)은 미러의 표면에 도포된 QWP가 있는 미러를 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, QWP는 사분파장 폴리머를 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예는 사분파장 폴리머로 한정되지 않고 임의의 사분파장 지연제(retarder)가 사용될 수 있다. 광학 요소(805)의 표면(813)은 광학 요소(803)의 표면(841)에 커플링될 수 있다. 일 예에서, 광학 요소(805)의 표면(813)은, 예를 들어 접착제(예를 들어, 광학적 시멘트)를 사용하여 광학 요소(803)의 표면(841)에 커플링될 수 있다. 예를 들어, 접착제 접착 표면이 표면들(813 및 841) 사이에 배치되어 광학 요소들(805 및 803)을 커플링할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 광학 요소(905)의 표면(813)은 광학 요소(803)의 표면(841)에 광학적으로 커플링 및/또는 접촉될 수 있다(예를 들어 광학적으로 접촉된 표면을 사용함으로써).
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 일부 실시예에 따른 프리즘 시스템 및 검출기를 도시한다. 도 9a 및 도 9b는 프리즘 시스템의 틸팅된 출사면이 어떻게 "고스트" 반사를 최소화할 수 있는지를 보여준다. 도시된 바와 같이, 프리즘 시스템(900)은 하나 이상의 방사선 빔을 수광하고 각각의 입사 방사선 빔에 대해 두 개의 방사선 빔들을 출력하도록 구성된다.
예를 들어, 프리즘 시스템(900)은 방사선 빔(917a 및 917b)을 수광하도록 구성된다. 일 예에서, 방사선 빔(917a)은 위에서 예를 들어 도 4 내지 도 6에서 논의된 바와 같이 웨이퍼로부터 반사 및/또는 산란된, 반사 및/또는 산란된 방사선 빔일 수 있다. 방사선 빔(917b)은 예를 들어 도 4 내지 도 6에서 전술된 바와 같이 레퍼런스 방사선 빔을 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예는 두 개의 입사 방사선 빔으로 한정되지 않고, 본 발명의 프리즘 시스템은 임의의 개수의 방사선 빔(하나 이상의 방사선 빔)을 수광하도록 구성될 수 있다.
일 예에 따르면, 방사선 빔(917a)은 951a에서 광학 요소(903)에 진입한다. 이러한 예에서, 방사선 빔(917b)은 951b에서 광학 요소(903)에 진입할 수 있다. 도 9a 및 도 9b의 실시예가 본 명세서에서 방사선 빔(917a)에 대해서 논의된다는 것에 주의한다. 유사한 논의가 방사선 빔(917b)에도 적용가능하다.
광학 요소(903)에 진입한 후에, 방사선 빔(917a)은 광학 요소(903)의 PBS 표면을 사용하여 두 개의 서브-빔(919a 및 921a)으로 분할된다. 서브-빔(919a)은 광학 요소(905)의 QWP를 가지는 미러를 통과하고 서브-빔(923a)으로서 그로부터 반사된다. 서브-빔(923a)은 광학 요소(901)을 통과하고 953a에서 그것에서 출사된다. 서브-빔(923a)은 검출기(952)에 의해 검출된다. 일부 실시예에서, 검출기(952)는 도 4의 검출기(4), 및/또는 도 5 및/또는 도 6의 검출기(18)를 포함한다.
서브-빔(921a)은 광학 요소(903)의 PBS 표면을 통해 투과하고, 서브-빔(929a)으로서 광학 요소(901) 내에서 반사되며, 955a에서 광학 요소(901)에서 출사된다. 서브-빔(929a)은 검출기(952)에 의해 검출된다. 일 예에서, 검출기(952)는 서브-빔들(923a, 923b, 929a, 및 929b)이 그 위에 이미징되는 단일 검출기일 수 있다.
일부 실시예에 따르면, 서브-빔(923a)의 일부 및/또는 서브-빔(929a)의 일부는 검출기(952)로부터 반사될 수 있다. 서브-빔(923a 및 929a)의 반사된 부분들은, 서브-빔(923a 및 929a)과 동일하거나 실질적으로 동일한 궤적에서 프리즘 시스템(900)으로 이동할 수 있다. 또한, 서브-빔(923a 및 929a)의의 반사된 부분은 광학 요소(901)의 출사면들(925 및 931) 각각으로부터 반사될 수 있다. 광학 요소(901)의 표면(925 및 931)이 틸팅되기 때문에, 반사된 빔(957a 및 959a)은 서브-빔(923a 및 929a)으로부터 발산할 수 있다. 그러므로, 검출기(952)는 반사된 빔(957a 및 959a)을 검출하지 않을 것이다. 위에서 논의된 바와 같이, 광학 요소(901)의 표면(925 및 931)의 틸트는, 예를 들어 검출기(952)가 반사된 빔(957a 및 959a)을 검출하지 않도록 프리즘 시스템(900)과 검출기(952) 사이의 거리에 기반하여 설계될 수 있다.
틸팅된 출사면(925 및 931)에 추가하여, 광학 요소(901)의 틸팅된 입사면은, 검출기(952)에 의해 반사되고 프리즘 시스템(900)을 통과하는 임의의 빔을 발산시킬 수 있다. 일부 예에 따르면, 서브-빔(923a 및 929a)의의 반사된 부분들은, 서브-빔(923a 및 929a)과 동일하거나 실질적으로 동일한 궤적에서 프리즘 시스템(900)으로 이동하고 프리즘 시스템(900)에 진입한다할 수 있다. 그러면, 서브-빔(923a 및 929a)의 이러한 반사된 부분은 광학 요소(903)의 틸팅된 표면(811)으로부터 반사될 수 있다(도 8a 내지 도 8d에에 도시된 바와 같음). 광학 요소(803)의 표면(811)(도 8a 내지 도 8d에 도시된 바와 같음)도 틸팅되기 때문에, 서브-빔(923a 및 929a)의의 반사된 부분들이 표면(811)으로부터 반사될 때, 이들은 서브-빔들(923a 및 929a)과 상이한 경로를 따라갈 것이고, 검출기(952)에 의해 검출되지 않을 것이다.
도 10 내지 도 37은 본 발명의 일부 실시예에 따르는 예시적인 프리즘 시스템들을 예시한다. 일부 실시예에 따르면, 도 6의 프리즘 시스템(600)은 도 10 내지 도 37의 프리즘 시스템을 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예의 프리즘 시스템은, 비한정적으로 리소그래피 장치(100 및/또는 100'), 리소셀(300), 산란계(SM1), 산란계(SM2), 및/또는 다른 광학 시스템과 같은 다른 광학 시스템과 함께 사용될 수 있다. 도 10 내지 도 37의 프리즘 시스템은 도 4의 검출기(4), 및/또는 도 5 및/또는 도 6의 검출기(18) 근처에 위치될 수 있고, 도 4 내지 도 6에서 전술된 바와 같이 레퍼런스 방사선 빔 및/또는 산란된 및/또는 반사된 방사선 빔을 수광하도록 구성될 수 있다. 그러나, 도 10 내지 도 37의 프리즘 시스템은 리소그래피 장치, 계측 장치, 등의 임의의 위치에 위치될 수 있다.
비록 본 발명의 실시예의 프리즘 시스템 중 일부의 입사 및 출사면들이 틸팅된 표면으로 도시되지는 않지만, 본 발명의 프리즘 시스템의 입사 및 출사면은 예를 들어 도 8a 내지 도 D 및 도 9a 및 도 9b에서 전술된 바와 같이 틸팅되어 "고스트" 완화를 일부 달성할 수 있다는 것에 주의한다.
도 10a 내지 도 10c는 본 발명의 일부 실시예에 따른 프리즘 시스템(1000)을 도시한다. 프리즘 시스템(1000)은 편광 빔 스플리터 표면(1015), QWP(1007), 및 미러 표면(1013)을 포함하는 복수 개의 광학 요소를 포함한다. 도 10a의 입사 방사선 빔(1017) 및 편광 빔 스플리터 표면(1015)을 통과하고, 미러 표면(1013)에 의해 반사되며, QWP(1007)를 두 번 통과하고, 편광 빔 스플리터 표면(1015)에 의해 반사되어 프리즘 시스템(1000)으로부터 출사되는 서브-빔(1029)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(1029)은 QWP(1007)를 두 번 통과하기 전에 PBS 표면(1015)에서 P 편광 배향을 가진다. 프리즘 시스템(1000)의 출력에서 서브-빔(1029)은 PBS 표면(1015)에서 S 편광 배향을 가진다. 도 10b는, 편광 빔 스플리터 표면(1015)에 의해 반사되고, 예를 들어 TIR을 사용하여 프리즘 시스템(1000)의 광학 요소에 걸쳐 반사되어 프리즘 시스템(1000)으로부터 출사되는 서브-빔(1023)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(1023)은 PBS 표면(1015)에서 S 편광 배향을 가진다. 도 10c는 서브-빔(1023 및 1029) 양자 모두에 대한 광로들을 예시한다.
일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(1000)은 "고스트" 반사를 완화시키도록, 틸팅된 입사면 및/또는 루프형(roof-shaped) 출사면(두 개의 틸팅된 출사면)으로 설계될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 프리즘 시스템(1000)은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 될 수 있다. 또한, 서브-빔들(1023 및 1029)은 프리즘 시스템(1000) 내에서 동일하거나 실질적으로 동일한 광로 거리를 이동할 수 있다.
도 11a 내지 도 11c는 본 발명의 일부 실시예에 따른 프리즘 시스템(1100)을 도시한다. 프리즘 시스템(1100)은 편광 빔 스플리터 표면(1115a-1115d), QWP(1107), 및 미러 표면(1113)을 포함하는 복수 개의 광학 요소를 포함한다. 도 11a는 입사 방사선 빔(1117) 및 편광 빔 스플리터 표면(1115a 및 1115b)을 통과하고, 미러 표면(1113)에 의해 반사되며, QWP(1107)를 두 번 통과하고, PBS 표면(1115b)으로부터 반사되며, 미러 표면(1113)으로부터 반사되고, QWP(1107)에 걸쳐 다시 두 번 투과되고, 편광 빔 스플리터 표면(1115b 및 1115c)을 통해 투과되어 프리즘 시스템(1100)으로부터 출사되는 서브-빔(1129)의의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(1129)은 PBS 표면(1115a, 1115b 및 1115c)에 걸쳐 투과될 때 해당 PBS 표면에서 P 편광 배향을 가진다. 서브-빔(1129)은 PBS 표면(1115b)에 의해 반사될 때 해당 PBS 표면에서 S 편광 배향을 가진다. 도 11b는, 편광 빔 스플리터 표면(1115a, 1115d, 1115c, 1115b)에 의해 반사되고, 다시 1115a에 의해 반사되어 서브-빔을 미러 표면(1113)으로 디렉팅하는 서브-빔(1123)의의 광로를 예시한다. 그러면 이러한 서브-빔은 QWP(1107)를 두 번 통과한 후에 PBS 표면(1115a 및 1115d)을 통해 투과된다. 도 11c는 서브-빔(1123 및 1129) 양자 모두에 대한 광로들을 예시한다.
일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(1100)은 "고스트" 반사를 완화시키도록, 틸팅된 입사면 및/또는 루프형 출사면(두 개의 틸팅된 출사면)으로 설계될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 프리즘 시스템(1100)은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 될 수 있다. 또한, 서브-빔들(1123 및 1129)은 프리즘 시스템(1100) 내에서 동일하거나 실질적으로 동일한 광로 거리를 이동할 수 있다.
도 12a 내지 도 12c는 본 발명의 일부 실시예에 따른 프리즘 시스템(1200)을 도시한다. 프리즘 시스템(1200)은 편광 빔 스플리터 표면(1215a 및 1215b), QWP(1207), 및 미러 표면(1213)을 포함하는 복수 개의 광학 요소를 포함한다. 도 12a의 입사 방사선 빔(1217) 및 편광 빔 스플리터 표면(1215a)을 통과하고, 미러 표면(1213)에 의해 반사되며, QWP(1207)를 두 번 통과하고, 편광 빔 스플리터 표면(1215a)에 의해 반사되어 프리즘 시스템(1200)으로부터 출사되는 서브-빔(1229)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(1229)은 QWP(1207)를 두 번 통과하기 전에 표면(1215a)에서 P 편광 배향을 가진다. 서브-빔(1229)은 표면(1215a)으로부터 반사될 때 S 편광 배향을 가진다. 도 12b는, 편광 빔 스플리터 표면(1215a 및 1215b)에 의해 반사되고, 예를 들어 TIR을 사용하여 프리즘 시스템(1200)의 광학 요소에 걸쳐 반사되어 프리즘 시스템(1200)으로부터 출사되는 서브-빔(1223)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(1223)은 PBS 표면(1215a 및 1215b)에서 S 편광 배향을 가진다. 도 12c는 서브-빔(1223 및 1229) 양자 모두에 대한 광로들을 예시한다.
일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(1200)은 "고스트" 반사를 완화시키도록, 틸팅된 입사면 및/또는 루프형 출사면(두 개의 틸팅된 출사면)으로 설계될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 프리즘 시스템(1200)은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 될 수 있다. 또한, 서브-빔들(1223 및 1229)은 프리즘 시스템(1200) 내에서 동일하거나 실질적으로 동일한 광로 거리를 이동할 수 있다.
도 13a 내지 도 13c는 본 발명의 일부 실시예에 따른 프리즘 시스템(1300)을 도시한다. 프리즘 시스템(1300)은 편광 빔 스플리터 표면(1315), QWP(1307), 및 미러 표면(1313)을 포함하는 복수 개의 광학 요소를 포함한다. 도 13a는, 입사 방사선 빔(1317) 및 편광 빔 스플리터 표면(1315)을 통해 투과되고, 예를 들어 TIR을 사용하여 프리즘 시스템(1300)의 광학 요소에 걸쳐 반사되어 프리즘 시스템(1300)으로부터 출사되는 서브-빔(1329)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(1329)은 PBS 표면(1315)에서 P 편광 배향을 가진다. 도 13b는, 편광 빔 스플리터 표면(1315)에 의해 반사되고, 미러 표면(1313)에 의해 반사되며, QWP(1307)를 두 번 통과하여 프리즘 시스템(1300)으로부터 출사되는 서브-빔(1323)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(1323)은 QWP(1307)를 두 번 통과하기 전에 PBS 표면(1315)에서 S 편광 배향을 가진다. 프리즘 시스템(1300)의 출력에서의 서브-빔(1323)은 빔(1329)과 동일한 편광 배향을 가진다. 도 13c는 서브-빔(1323 및 1329) 양자 모두에 대한 광로들을 예시한다.
일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(1300)은 "고스트" 반사를 완화시키도록, 틸팅된 입사면 및/또는 루프형 출사면(두 개의 틸팅된 출사면)으로 설계될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 프리즘 시스템(1300)은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 될 수 있다. 또한, 서브-빔들(1323 및 1329)은 프리즘 시스템(1300) 내에서 동일하거나 실질적으로 동일한 광로 거리를 이동할 수 있다.
도 14a 내지 도 14c는 본 발명의 일부 실시예에 따른 프리즘 시스템(1400)을 도시한다. 프리즘 시스템(1400)은 편광 빔 스플리터 표면(1415), QWP(1407), 및 미러 표면(1413)을 포함하는 복수 개의 광학 요소를 포함한다. 도 14a는, 입사 방사선 빔(1417) 및 편광 빔 스플리터 표면(1415)을 통해 투과되고, 예를 들어 TIR을 사용하여 프리즘 시스템(1400)의 광학 요소에 걸쳐 반사되어 프리즘 시스템(1400)으로부터 출사되는 서브-빔(1429)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(1429)은 PBS 표면(1415)에서 P 편광 배향을 가진다. 도 14b는, 편광 빔 스플리터 표면(1415)에 의해 반사되고, 미러 표면(1413)에 의해 반사되며, QWP(1407)를 두 번 통과하여 프리즘 시스템(1400)으로부터 출사되는 서브-빔(1423)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(1423)은 QWP(1407)를 두 번 통과하기 전에 PBS 표면(1415)에서 S 편광 배향을 가진다. 프리즘 시스템(1400)의 출력에서의 서브-빔(1423)은 빔(1429)과 동일한 편광 배향을 가진다. 도 14c는 서브-빔(1423 및 1429) 양자 모두에 대한 광로들을 예시한다.
일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(1400)은 "고스트" 반사를 완화시키도록, 틸팅된 입사면 및/또는 루프형 출사면(두 개의 틸팅된 출사면)으로 설계될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 프리즘 시스템(1400)은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 될 수 있다. 또한, 서브-빔들(1423 및 1429)은 프리즘 시스템(1400) 내에서 동일하거나 실질적으로 동일한 광로 거리를 이동할 수 있다.
도 15a 내지 도 15c는 본 발명의 일부 실시예에 따른 프리즘 시스템(1500)을 도시한다. 프리즘 시스템(1500)은 편광 빔 스플리터 표면(1515), QWP(1507), 및 미러 표면(1513a 및 1513b)을 포함하는 복수 개의 광학 요소를 포함한다. 도 15a는, 입사 방사선 빔(1517) 및 편광 빔 스플리터 표면(1515)을 통해 투과되고, 예를 들어 TIR을 사용하여 프리즘 시스템(1500)의 광학 요소에 걸쳐 반사되고 미러 표면(1513b)에 의해 반사되어 프리즘 시스템(1500)으로부터 출사되는 서브-빔(1529)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(1529)은 PBS 표면(1515)에서 P 편광 배향을 가진다. 도 15b는, 편광 빔 스플리터 표면(1515)에 의해 반사되고, 미러 표면(1513b 및 1513a)에 의해 반사되며, QWP(1507)를 두 번 통과하여 프리즘 시스템(1500)으로부터 출사되는 서브-빔(1523)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(1523)은 QWP(1507)를 두 번 통과하기 전에 PBS 표면(1515)에서 S 편광 배향을 가진다. 프리즘 시스템(1500)의 출력에서의 서브-빔(1523)은 빔(1529)과 동일한 편광 배향을 가진다. 도 15c는 서브-빔(1523 및 1529) 양자 모두에 대한 광로들을 예시한다.
일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(1500)은 "고스트" 반사를 완화시키도록, 틸팅된 입사면 및/또는 루프형 출사면(두 개의 틸팅된 출사면)으로 설계될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 프리즘 시스템(1500)은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 될 수 있다. 또한, 서브-빔들(1523 및 1529)은 프리즘 시스템(1500) 내에서 동일하거나 실질적으로 동일한 광로 거리를 이동할 수 있다.
도 16a 내지 도 16c는 본 발명의 일부 실시예에 따른 프리즘 시스템(1600)을 도시한다. 프리즘 시스템(1600)은 편광 빔 스플리터 표면(1615), QWP(1707), 및 미러 표면(1613)을 포함하는 복수 개의 광학 요소를 포함한다. 도 16a는, 입사 방사선 빔(1617) 및 편광 빔 스플리터 표면(1615)을 통해 투과되고, 예를 들어 TIR을 사용하여 프리즘 시스템(1600)의 광학 요소에 걸쳐 반사되어 프리즘 시스템(1600)으로부터 출사되는 서브-빔(1629)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(1629)은 PBS 표면(1615)에서 P 편광 배향을 가진다. 도 16b는, 편광 빔 스플리터 표면(1615)에 의해 반사되고, 예를 들어 TIR을 사용하여 프리즘 시스템(1600)의 광학 요소에 걸쳐 반사되고, 미러 표면(1613)에 의해 반사되며, QWP(1607)를 두 번 통과하여 프리즘 시스템(1600)으로부터 출사되는 서브-빔(1623)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(1623)은 QWP(1607)를 두 번 통과하기 전에 PBS 표면(1615)에서 S 편광 배향을 가진다. 프리즘 시스템(1600)의 출력에서의 서브-빔(1623)은 빔(1629)과 동일한 편광 배향을 가진다. 도 16c는 서브-빔(1623 및 1629) 양자 모두에 대한 광로들을 예시한다.
일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(1600)은 "고스트" 반사를 완화시키도록, 틸팅된 입사면 및/또는 루프형 출사면(두 개의 틸팅된 출사면)으로 설계될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 프리즘 시스템(1600)은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 될 수 있다. 또한, 서브-빔들(1623 및 1629)은 프리즘 시스템(1600) 내에서 동일하거나 실질적으로 동일한 광로 거리를 이동할 수 있다.
도 17a 내지 도 17c는 본 발명의 일부 실시예에 따른 프리즘 시스템(1700)을 도시한다. 프리즘 시스템(1700)은 편광 빔 스플리터 표면(1715), QWP(1707), 및 미러 표면(1713)을 포함하는 복수 개의 광학 요소를 포함한다. 도 17a는, 입사 방사선 빔(1717) 및 편광 빔 스플리터 표면(1715)을 통해 투과되고, 예를 들어 TIR을 사용하여 프리즘 시스템(1700)의 광학 요소에 걸쳐 반사되어 프리즘 시스템(1700)으로부터 출사되는 서브-빔(1729)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(1729)은 PBS 표면(1715)에서 P 편광 배향을 가진다. 도 17b는, 편광 빔 스플리터 표면(1715)에 의해 반사되고, 미러 표면(1713)에 의해 반사되며, QWP(1707)를 두 번 통과하고, 예를 들어 TIR을 사용하여 프리즘 시스템(1700)의 광학 요소에 걸쳐 반사되어 프리즘 시스템(1700)으로부터 출사되는 서브-빔(1723)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(1723)은 QWP(1707)를 두 번 통과하기 전에 PBS 표면(1715)에서 S 편광 배향을 가진다. 프리즘 시스템(1700)의 출력에서의 서브-빔(1723)은 빔(1729)과 동일한 편광 배향을 가진다. 도 17c는 서브-빔(1723 및 1729) 양자 모두에 대한 광로들을 예시한다.
일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(1700)은 "고스트" 반사를 완화시키도록, 틸팅된 입사면 및/또는 루프형 출사면(두 개의 틸팅된 출사면)으로 설계될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 프리즘 시스템(1700)은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 될 수 있다. 또한, 서브-빔들(1723 및 1729)은 프리즘 시스템(1700) 내에서 동일하거나 실질적으로 동일한 광로 거리를 이동할 수 있다.
도 18a 내지 도 18c는 본 발명의 일부 실시예에 따른 프리즘 시스템(1800)을 도시한다. 프리즘 시스템(1800)은 편광 빔 스플리터 표면(1815), QWP(1807), 및 미러 표면(1813a 및 1813b)을 포함하는 복수 개의 광학 요소를 포함한다. 도 18a는, 입사 방사선 빔(1817) 및 편광 빔 스플리터 표면(1815)을 통해 투과되고, 예를 들어 TIR을 사용하여 프리즘 시스템(1800)의 광학 요소에 걸쳐 반사되고 미러 표면(1813b)에 의해 반사되어 프리즘 시스템(1800)으로부터 출사되는 서브-빔(1829)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(1829)은 PBS 표면(1815)에서 P 편광 배향을 가진다. 도 18b는, 편광 빔 스플리터 표면(1815)에 의해 반사되고, 미러 표면(1813a)에 의해 반사되며, QWP(1807)를 두 번 통과하여 프리즘 시스템(1800)으로부터 출사되는 서브-빔(1823)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(1823)은 QWP(1807)를 두 번 통과하기 전에 PBS 표면(1815)에서 S 편광 배향을 가진다. 프리즘 시스템(1800)의 출력에서의 서브-빔(1823)은 빔(1829)과 동일한 편광 배향을 가진다. 도 18c는 서브-빔(1823 및 1829) 양자 모두에 대한 광로들을 예시한다.
일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(1800)은 "고스트" 반사를 완화시키도록, 틸팅된 입사면 및/또는 루프형 출사면(두 개의 틸팅된 출사면)으로 설계될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 프리즘 시스템(1800)은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 될 수 있다. 또한, 서브-빔들(1823 및 1829)은 프리즘 시스템(1800) 내에서 동일하거나 실질적으로 동일한 광로 거리를 이동할 수 있다.
도 19a 내지 도 19c는 본 발명의 일부 실시예에 따른 프리즘 시스템(1900)을 도시한다. 프리즘 시스템(1900)은 편광 빔 스플리터 표면(1915), QWP(1907), 및 미러 표면(1913)을 포함하는 복수 개의 광학 요소를 포함한다. 도 19a는, 입사 방사선 빔(1917) 및 편광 빔 스플리터 표면(1915)을 통해 투과되고, 예를 들어 TIR을 사용하여 프리즘 시스템(1900)의 광학 요소에 걸쳐 반사되는 서브-빔(1929)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(1929)은 PBS 표면(1915)에서 P 편광 배향을 가진다. 도 19b는, 편광 빔 스플리터 표면(1915)에 의해 반사되고, 미러 표면(1913)에 의해 반사되며, QWP(1907)를 두 번 통과하여 프리즘 시스템(1900)으로부터 출사되는 서브-빔(1923)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(1923)은 QWP(1907)를 두 번 통과하기 전에 PBS 표면(1915)에서 S 편광 배향을 가진다. 프리즘 시스템(1900)의 출력에서의 서브-빔(1923)은 빔(1929)과 동일한 편광 배향을 가진다. 도 19c는 서브-빔(1923 및 1929) 양자 모두에 대한 광로들을 예시한다.
일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(1900)은 "고스트" 반사를 완화시키도록, 틸팅된 입사면 및/또는 루프형 출사면(두 개의 틸팅된 출사면)으로 설계될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 프리즘 시스템(1900)은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 될 수 있다. 또한, 서브-빔들(1923 및 1929)은 프리즘 시스템(1900) 내에서 동일하거나 실질적으로 동일한 광로 거리를 이동할 수 있다.
도 20a 내지 도 20c는 본 발명의 일부 실시예에 따른 프리즘 시스템(2000)을 도시한다. 프리즘 시스템(2000)은 편광 빔 스플리터 표면(2015), QWP(2007a 및 2007b), 및 미러 표면(2013)을 포함하는 복수 개의 광학 요소를 포함한다. 도 20a는, 입사 방사선 빔(2017) 및 편광 빔 스플리터 표면(2015)을 통해 투과되고, 예를 들어 TIR을 사용하여 프리즘 시스템(2000)의 광학 요소에 걸쳐 반사되며, QWP(2007a)를 다시 통과하는 서브-빔(2029)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(2029)은 PBS 표면(2015)에 의해 반사될 때 PBS 표면(2015)에서 S 편광 배향을 가진다. 도 20b는, 편광 빔 스플리터 표면(2015)에 의해 반사되고, 미러 표면(2013)에 의해 반사되며, QWP(2007b)를 두 번 통과하여 프리즘 시스템(2000)으로부터 출사되는 서브-빔(2023)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(2023)은 QWP(2007b)를 두 번 통과하기 전에 PBS 표면(2015)에서 S 편광 배향을 가진다. 서브-빔(2023)은 PBS 표면(2015)을 통과할 때 PBS 표면에서 P 편광 배향을 가진다. 도 20c는 서브-빔(2023 및 2029) 양자 모두에 대한 광로들을 예시한다.
일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(2000)은 "고스트" 반사를 완화시키도록, 틸팅된 입사면 및/또는 루프형 출사면(두 개의 틸팅된 출사면)으로 설계될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 프리즘 시스템(2000)은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 될 수 있다. 또한, 서브-빔들(2023 및 2029)은 프리즘 시스템(2000) 내에서 동일하거나 실질적으로 동일한 광로 거리를 이동할 수 있다.
도 21a 내지 도 21c는 본 발명의 일부 실시예에 따른 프리즘 시스템(2100)을 도시한다. 프리즘 시스템(2100)은 편광 빔 스플리터 표면(2115a 및 2115b), QWP(2107a 및 2107b), 및 미러 표면(2213a 및 2113b)을 포함하는 복수 개의 광학 요소를 포함한다. 도 21a의 입사 방사선 빔(2117) 및 편광 빔 스플리터 표면(2115a)을 통과하고, 미러 표면(2113a)에 의해 반사되며, QWP(2107a)를 두 번 통과하고, PBS(2115b)를 두 번 통과하는 서브-빔(2129)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(2129)은 PBS 표면(2115b)을 통해 투과할 때 PBS 표면(2115b)에서 P 편광 배향을 가진다. 도 21b는, 편광 빔 스플리터 표면(2115a)에 의해 반사되고, 미러 표면(2113b)에 의해 반사되며, QWP(2107b)를 두 번 통과하고, PBS 표면(2115a 및 2115b)을 통과하며, 예를 들어 TIR을 사용하여 프리즘 시스템(2100)의 광학 요소에 걸쳐 반사되어 프리즘 시스템(2100)으로부터 출사되는 서브-빔(2123)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(2123)은 QWP(2107b)를 두 번 통과하기 전에 PBS 표면(2115a)에서 S 편광 배향을 가진다. 프리즘 시스템(2100)의 출력에서의 서브-빔(2123)은 빔(2129)과 동일한 편광 배향을 가진다. 도 21c는 서브-빔(2123 및 2129) 양자 모두에 대한 광로들을 예시한다.
일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(2100)은 "고스트" 반사를 완화시키도록, 틸팅된 입사면 및/또는 루프형 출사면(두 개의 틸팅된 출사면)으로 설계될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 프리즘 시스템(2100)은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 될 수 있다. 또한, 서브-빔들(2123 및 2129)은 프리즘 시스템(2100) 내에서 동일하거나 실질적으로 동일한 광로 거리를 이동할 수 있다.
도 22a 내지 도 22c는 본 발명의 일부 실시예에 따른 프리즘 시스템(2200)을 도시한다. 프리즘 시스템(2200)은 편광 빔 스플리터 표면(2215)을 포함하는 복수 개의 광학 요소를 포함한다. 도 22a는, 입사 방사선 빔(2217) 및 편광 빔 스플리터 표면(2215)을 통해 투과되고, 예를 들어 TIR을 사용하여 프리즘 시스템(2200)의 광학 요소에 걸쳐 반사되는 서브-빔(2229)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(2229)은 PBS 표면(2215)을 통해 투과될 때 PBS 표면(2215)에서 P 편광 배향을 가진다. 도 22b는, 편광 빔 스플리터 표면(2215)에 의해 반사되고, 예를 들어 TIR을 사용하여 프리즘 시스템(2200)의 광학 요소에 걸쳐 반사되며, PBS(2215)에 의해 반사되어 프리즘 시스템(2200)으로부터 출사되는 서브-빔(2223)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(2223)은 PBS 표면(2215)에서 S 편광 배향을 가진다. 도 22c는 서브-빔(2223 및 2229) 양자 모두에 대한 광로들을 예시한다.
일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(2200)은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 될 수 있다. 또한, 서브-빔들(2223 및 2229)은 프리즘 시스템(2200) 내에서 동일하거나 실질적으로 동일한 광로 거리를 이동할 수 있다.
도 23a 내지 도 23c는 본 발명의 일부 실시예에 따른 프리즘 시스템(2300)을 도시한다. 프리즘 시스템(2300)은 편광 빔 스플리터 표면(2315)을 포함하는 복수 개의 광학 요소를 포함한다. 도 23a는, 입사 방사선 빔(2317) 및 편광 빔 스플리터 표면(2315)을 통해 투과되고, 예를 들어 TIR을 사용하여 프리즘 시스템(2300)의 광학 요소에 걸쳐 반사되는 서브-빔(2329)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(2329)은 PBS 표면(2315)을 통해 투과될 때 PBS 표면(2315)에서 P 편광 배향을 가진다. 도 23b는, 편광 빔 스플리터 표면(2315)에 의해 반사되고, 예를 들어 TIR을 사용하여 프리즘 시스템(2300)의 광학 요소에 걸쳐 반사되며, PBS(2315)에 의해 반사되어 프리즘 시스템(2300)으로부터 출사되는 서브-빔(2323)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(2323)은 PBS 표면(2315)에서 S 편광 배향을 가진다. 도 23c는 서브-빔(2323 및 2329) 양자 모두에 대한 광로들을 예시한다.
일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(2300)은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 될 수 있다. 또한, 서브-빔들(2323 및 2329)은 프리즘 시스템(2300) 내에서 동일하거나 실질적으로 동일한 광로 거리를 이동할 수 있다.
도 24a 내지 도 24c는 본 발명의 일부 실시예에 따른 프리즘 시스템(2400)을 도시한다. 프리즘 시스템(2400)은 편광 빔 스플리터 표면(2415)을 포함하는 복수 개의 광학 요소를 포함한다. 도 24a는, 입사 방사선 빔(2417) 및 편광 빔 스플리터 표면(2415)을 통해 투과되고, 예를 들어 TIR을 사용하여 프리즘 시스템(2400)의 광학 요소에 걸쳐 반사되는 서브-빔(2429)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(2429)은 PBS 표면(2415)을 통해 투과될 때 PBS 표면(2415)에서 P 편광 배향을 가진다. 도 24b는, 편광 빔 스플리터 표면(2415)에 의해 반사되고, 예를 들어 TIR을 사용하여 프리즘 시스템(2400)의 광학 요소에 걸쳐 반사되며, PBS(2415)에 의해 다시 반사되어 프리즘 시스템(2400)으로부터 출사되는 서브-빔(2423)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(2423)은 PBS 표면(2415)에서 S 편광 배향을 가진다. 도 24c는 서브-빔(2423 및 2429) 양자 모두에 대한 광로들을 예시한다. 일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(2400)은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 될 수 있다.
도 25a 내지 도 25c는 본 발명의 일부 실시예에 따른 프리즘 시스템(2500)을 도시한다. 프리즘 시스템(2500)은 편광 빔 스플리터 표면(2515a 및 2515b)을 포함하는 복수 개의 광학 요소를 포함한다. 도 25a는, 입사 방사선 빔(2517) 및 편광 빔 스플리터 표면(2515a)을 통해 투과되고, 예를 들어 TIR을 사용하여 프리즘 시스템(2500)의 하나 이상의 광학 요소에 걸쳐 반사되는 서브-빔(2529)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(2529)은 PBS 표면(2515a)을 통해 투과될 때 PBS 표면(2515a)에서 P 편광 배향을 가진다. 도 25b는, 편광 빔 스플리터 표면(2515a 및 2515b)에 의해 반사되고, 예를 들어 TIR을 사용하여 프리즘 시스템(2500)의 하나 이상의 광학 요소에 걸쳐 반사되어 프리즘 시스템(2500)으로부터 출사되는 서브-빔(2523)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(2523)은 PBS 표면(2515a)에서 S 편광 배향을 가진다. 도 25c는 서브-빔(2523 및 2529) 양자 모두에 대한 광로들을 예시한다.
일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(2500)은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 될 수 있다. 또한, 서브-빔들(2523 및 2539)은 프리즘 시스템(2500) 내에서 동일하거나 실질적으로 동일한 광로 거리를 이동할 수 있다.
도 26a 내지 도 26c는 본 발명의 일부 실시예에 따른 프리즘 시스템(2600)을 도시한다. 프리즘 시스템(2600)은 편광 빔 스플리터 표면(2615a 및 2615b)을 포함하는 복수 개의 광학 요소를 포함한다. 도 26a는 입사 방사선 빔(2617) 및 편광 빔 스플리터 표면(2615a)을 통해 투과된 서브-빔(2629)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(2629)은 PBS 표면(2615a)에서 P 편광 배향을 가진다. 도 26b는 편광 빔 스플리터 표면(2615a 및 2615b)에 의해 반사되어 프리즘 시스템(2600)으로부터 출사되는 서브-빔(2623)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(2623)은 PBS 표면들(2615a 및 2615b) 양자 모두에서 S 편광 배향을 가진다. 도 26c는 서브-빔(2623 및 2629) 양자 모두에 대한 광로들을 예시한다. 일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(2600)은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 될 수 있다.
도 27a 내지 도 27c는 본 발명의 일부 실시예에 따른 프리즘 시스템(2700)을 도시한다. 프리즘 시스템(2700)은 편광 빔 스플리터 표면(2715a 및 2715b)을 포함하는 복수 개의 광학 요소를 포함한다. 도 27a는 입사 방사선 빔(2717) 및 편광 빔 스플리터 표면(2715a)을 통해 투과된 서브-빔(2729)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(2729)은 PBS 표면(2715a)에서 P 편광 배향을 가진다. 도 27b는 편광 빔 스플리터 표면(2715a 및 2715b)에 의해 반사되어 프리즘 시스템(2700)으로부터 출사되는 서브-빔(2723)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(2723)은 PBS 표면들(2715a 및 2715b) 양자 모두에서 S 편광 배향을 가진다. 도 27c는 서브-빔(2723 및 2729) 양자 모두에 대한 광로들을 예시한다. 일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(2700)은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 될 수 있다.
도 28a 내지 도 28c는 본 발명의 일부 실시예에 따른 프리즘 시스템(2800)을 도시한다. 프리즘 시스템(2800)은 편광 빔 스플리터 표면(2815), 및 미러 표면(2813a 및 2813b)을 포함하는 복수 개의 광학 요소를 포함한다. 도 28a는, 입사 방사선 빔(2817) 및 편광 빔 스플리터 표면(2815)을 통해 투과되고, 예를 들어 TIR을 사용하여 프리즘 시스템(2800)의 광학 요소에 걸쳐 반사되어 프리즘 시스템(2800)으로부터 출사되는 서브-빔(2829)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(2829)은 PBS 표면(2815)에서 P 편광 배향을 가진다. 도 28b는, 편광 빔 스플리터 표면(2815)에 의해 반사되고, 미러 표면(2813a 및 2813b)에 의해 반사되며, PBS 표면(2815)에 의해 반사되어 프리즘 시스템(2800)으로부터 출사되는 서브-빔(2823)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 프리즘 시스템(2800)의 출력에서 서브-빔(2823)은 PBS 표면(2815)에서 S 편광 배향을 가진다. 도 28c는 서브-빔(2823 및 2829) 양자 모두에 대한 광로들을 예시한다.
일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(2800)은 "고스트" 반사를 완화시키도록, 틸팅된 입사면 및/또는 루프형 출사면(두 개의 틸팅된 출사면)으로 설계될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 프리즘 시스템(2800)은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 될 수 있다.
도 29a 내지 도 29c는 본 발명의 일부 실시예에 따른 프리즘 시스템(2900)을 도시한다. 프리즘 시스템(2900)은 편광 빔 스플리터 표면(2915a 및 2915b), 및 미러 표면(2913a 및 2913b)을 포함하는 복수 개의 광학 요소를 포함한다. 도 29a는, 입사 방사선 빔(2917) 및 편광 빔 스플리터 표면(2915a)을 통해 투과되고, 예를 들어 TIR을 사용하여 프리즘 시스템(2900)의 광학 요소에 걸쳐 반사되며, 빔 스플리터 표면(2915a 및 2915b)을 통과하여 프리즘 시스템(2900)으로부터 출사되는 서브-빔(2929)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(2929)은 PBS 표면(2915a 및 2915b)에서 P 편광 배향을 가진다. 도 29b는 편광 빔 스플리터 표면(2915a 및 2915b)에 의해 반사되고, 미러 표면(2913a 및 2913b)에 의해 반사되어 프리즘 시스템(2900)으로부터 출사되는 서브-빔(2923)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(2923)은 PBS 표면(2915a 및 2915b)에서 S 편광 배향을 가진다. 도 29c는 서브-빔(2923 및 2929) 양자 모두에 대한 광로들을 예시한다.
일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(2900)은 "고스트" 반사를 완화시키도록, 틸팅된 입사면 및/또는 루프형 출사면(두 개의 틸팅된 출사면)으로 설계될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 프리즘 시스템(2900)은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 될 수 있다.
도 30a 내지 도 30c는 본 발명의 일부 실시예에 따른 프리즘 시스템(3000)을 도시한다. 프리즘 시스템(3000)은 편광 빔 스플리터 표면(3015), 및 미러 표면(3013a 및 3013d)을 포함하는 복수 개의 광학 요소를 포함한다. 도 30a는 입사 방사선 빔(3017) 및 편광 빔 스플리터 표면(3015)을 통해 투과되고, 미러 표면(3013a 및 3013b)에 의해 반사되며, 편광 빔 스플리터 표면(3015)을 통해 통과되어 프리즘 시스템(3000)으로부터 출사되는 서브-빔(3029)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(3029)은 PBS 표면(3015)에서 P 편광 배향을 가진다. 도 30b는 편광 빔 스플리터 표면(3015) 및 미러 표면(3013a 및 3013d)에 의해 반사되어 프리즘 시스템(3000)으로부터 출사되는 서브-빔(3023)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(3023)은 PBS 표면(3015)에서 S 편광 배향을 가진다. 도 30c는 서브-빔(3023 및 3029) 양자 모두에 대한 광로들을 예시한다.
일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(3000)은 "고스트" 반사를 완화시키도록, 틸팅된 입사면 및/또는 루프형 출사면(두 개의 틸팅된 출사면)으로 설계될 수 있다. 또한, 서브-빔들(3023 및 3029)은 프리즘 시스템(3000) 내에서 동일하거나 실질적으로 동일한 광로 거리를 이동할 수 있다.
도 31a 내지 도 31c는 본 발명의 일부 실시예에 따른 프리즘 시스템(3100)을 도시한다. 프리즘 시스템(3100)은 편광 빔 스플리터 표면(3115), 및 미러 표면(3013a 내지 3013c)을 포함하는 복수 개의 광학 요소를 포함한다. 도 31a는 입사 방사선 빔(3117) 및 편광 빔 스플리터 표면(3115)을 통해 투과되고, 미러 표면(3013b)에 의해 반사되어 프리즘 시스템(3100)으로부터 출사되는 서브-빔(3129)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(3129)은 PBS 표면(3115)에서 P 편광 배향을 가진다. 도 31b는 편광 빔 스플리터 표면(3115) 및 미러 표면(3113c)에 의해 반사되어 프리즘 시스템(3100)으로부터 출사되는 서브-빔(3123)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(3123)은 PBS 표면(3115)에서 S 편광 배향을 가진다. 도 31c는 서브-빔(3123 및 3129) 양자 모두에 대한 광로들을 예시한다.
일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(3100)은 "고스트" 반사를 완화시키도록, 틸팅된 입사면 및/또는 루프형 출사면(두 개의 틸팅된 출사면)으로 설계될 수 있다. 또한, 서브-빔들(3123 및 3129)은 프리즘 시스템(3100) 내에서 동일하거나 실질적으로 동일한 광로 거리를 이동할 수 있다.
도 32a 내지 도 32c는 본 발명의 일부 실시예에 따른 프리즘 시스템(3200)을 도시한다. 프리즘 시스템(3200)은 편광 빔 스플리터 표면(3215a 및 3215b), 및 미러 표면(3213a 및 3213b)을 포함하는 복수 개의 광학 요소를 포함한다. 도 32a는, 입사 방사선 빔(3217) 및 편광 빔 스플리터 표면(3215a)을 통해 투과되고, 미러 표면(3213a)에 의해 반사되며, 예를 들어 TIR을 사용하여 프리즘 시스템(3200)의 광학 요소에 걸쳐 반사되어 프리즘 시스템(3200)으로부터 출사되는 서브-빔(3229)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(3229)은 PBS 표면(3215a 및 3215b)에서 P 편광 배향을 가진다. 도 32b는, 편광 빔 스플리터 표면(3215a)에 의해 반사되고, 미러 표면(3213b)에 의해 반사되며, PBS 표면(3215b)에 의해 반사되어 프리즘 시스템(3200)으로부터 출사되는 서브-빔(3223)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(3223)은 PBS 표면(3215a)에서 S 편광 배향을 가진다. 도 32c는 서브-빔(3223 및 3229) 양자 모두에 대한 광로들을 예시한다.
일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(3200)은 "고스트" 반사를 완화시키도록, 틸팅된 입사면 및/또는 루프형 출사면(두 개의 틸팅된 출사면)으로 설계될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 프리즘 시스템(3200)은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 될 수 있다. 또한, 서브-빔들(3223 및 3229)은 프리즘 시스템(3200) 내에서 동일하거나 실질적으로 동일한 광로 거리를 이동할 수 있다.
도 33a 내지 도 33c는 본 발명의 일부 실시예에 따른 프리즘 시스템(3300)을 도시한다. 프리즘 시스템(3300)은 편광 빔 스플리터 표면(3315a 및 3315b), 및 미러 표면(3313a - 3313c)을 포함하는 복수 개의 광학 요소를 포함한다. 도 33a는, 입사 방사선 빔(3317) 및 편광 빔 스플리터 표면(3315b)을 통해 투과되고, 예를 들어 TIR을 사용하여 프리즘 시스템(3300)의 광학 요소에 걸쳐 반사되고 미러 표면(3313b)에 의해 반사되어 프리즘 시스템(3300)으로부터 출사되는 서브-빔(3329)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(3329)은 PBS 표면(3315b)에서 P 편광 배향을 가진다. 도 33b는 편광 빔 스플리터 표면(3315b) 및 그 후에 3315a에 의해 반사되고, 미러 표면(3213c)에 의해 반사되어 프리즘 시스템(3300)으로부터 출사되는 서브-빔(3323)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(3323)은 PBS 표면(3315b 및 3315a)에서 S 편광 배향을 가진다. 도 33c는 서브-빔(3323 및 3329) 양자 모두에 대한 광로들을 예시한다.
일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(3300)은 "고스트" 반사를 완화시키도록, 틸팅된 입사면 및/또는 루프형 출사면(두 개의 틸팅된 출사면)으로 설계될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 프리즘 시스템(3300)은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 될 수 있다. 또한, 서브-빔들(3323 및 3329)은 프리즘 시스템(3300) 내에서 동일하거나 실질적으로 동일한 광로 거리를 이동할 수 있다.
도 34a 내지 도 34c는 본 발명의 일부 실시예에 따른 프리즘 시스템(3400)을 도시한다. 프리즘 시스템(3400)은 편광 빔 스플리터 표면(3415), 및 미러 표면(3413a - 3413d)을 포함하는 복수 개의 광학 요소를 포함한다. 도 34a는, 입사 방사선 빔(3417) 및 편광 빔 스플리터 표면(3415)을 통해 투과되고, 미러 표면(3413a 및 3413b)에 의해 반사되며, 예를 들어 TIR을 사용하여 프리즘 시스템(3400)의 광학 요소에 걸쳐 반사되고, PBS 표면(3415)을 통해 한 번 더 통과하여 프리즘 시스템(3400)으로부터 출사되는 서브-빔(3429)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(3429)은 PBS 표면(3415)에서 P 편광 배향을 가진다. 도 34b는, 편광 빔 스플리터 표면(3415), 미러 표면(3413c 및 3413d), 및 그 후에 PBS 표면(3415)에 의해 반사되어 프리즘 시스템(3400)으로부터 출사되는 서브-빔(3423)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(3423)은 PBS 표면(3415)에서 S 편광 배향을 가진다. 도 34c는 서브-빔(3423 및 3429) 양자 모두에 대한 광로들을 예시한다.
일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(3400)은 "고스트" 반사를 완화시키도록, 틸팅된 입사면 및/또는 루프형 출사면(두 개의 틸팅된 출사면)으로 설계될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 프리즘 시스템(3400)은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 될 수 있다. 또한, 서브-빔들(3423 및 3429)은 프리즘 시스템(3400) 내에서 동일하거나 실질적으로 동일한 광로 거리를 이동할 수 있다.
도 35a 내지 도 35c는 본 발명의 일부 실시예에 따른 프리즘 시스템(3500)을 도시한다. 프리즘 시스템(3500)은 편광 빔 스플리터 표면(3515), 및 미러 표면(3513a - 3513d)을 포함하는 복수 개의 광학 요소를 포함한다. 도 35a는 입사 방사선 빔(3517) 및 편광 빔 스플리터 표면(3515)을 통해 투과되고, 미러 표면(3513a 및 3513b)에 의해 반사되며, PBS 표면(3515)을 한 번 더 통과하여 프리즘 시스템(3500)으로부터 출사되는 서브-빔(3529)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(3529)은 PBS 표면(3515)에서 P 편광 배향을 가진다. 도 35b는, 편광 빔 스플리터 표면(3515), 미러 표면(3513c 및 3513d), 및 그 후에 PBS 표면(3515)에 의해 반사되어 프리즘 시스템(3500)으로부터 출사되는 서브-빔(3523)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(3523)은 PBS 표면(3515)에서 S 편광 배향을 가진다. 도 35c는 서브-빔(3523 및 3529) 양자 모두에 대한 광로들을 예시한다.
일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(3500)은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 될 수 있다. 또한, 서브-빔들(3523 및 3529)은 프리즘 시스템(3500) 내에서 동일하거나 실질적으로 동일한 광로 거리를 이동할 수 있다.
도 36a 내지 도 36c는 본 발명의 일부 실시예에 따른 프리즘 시스템(3600)을 도시한다. 프리즘 시스템(3600)은 편광 빔 스플리터 표면(3615a 및 3615b), 및 미러 표면(3613a-3613d)을 포함하는 복수 개의 광학 요소를 포함한다. 도 36a는, 입사 방사선 빔(3617) 및 편광 빔 스플리터 표면(3615a)을 통해 투과되고, 미러 표면(3613a 및 3613b)에 의해 반사되며, 예를 들어 TIR을 사용하여 프리즘 시스템(3600)의 광학 요소에 걸쳐 반사되고, PBS 표면(3615a)을 통해 한 번 더 통과하여 프리즘 시스템(3600)으로부터 출사되는 서브-빔(3629)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(3629)은 PBS 표면(3615a)에서 P 편광 배향을 가진다. 도 36b는, 편광 빔 스플리터 표면(3615a), 미러 표면(3613c), 및 PBS 표면(3615b) 및 미러 표면(3613d)에 의해 반사되어 프리즘 시스템(3600)으로부터 출사되는 서브-빔(3623)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(3623)은 PBS 표면(3615a 및 3615b)에서 S 편광 배향을 가진다. 도 36c는 서브-빔(3623 및 3629) 양자 모두에 대한 광로들을 예시한다.
일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(3600)은 "고스트" 반사를 완화시키도록, 틸팅된 입사면 및/또는 루프형 출사면(두 개의 틸팅된 출사면)으로 설계될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 프리즘 시스템(3600)은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 될 수 있다. 또한, 서브-빔들(3623 및 3629)은 프리즘 시스템(3600) 내에서 동일하거나 실질적으로 동일한 광로 거리를 이동할 수 있다.
도 37a 내지 도 37c는 본 발명의 일부 실시예에 따른 프리즘 시스템(3700)을 도시한다. 프리즘 시스템(3700)은 편광 빔 스플리터 표면(3715), 및 미러 표면(3713a - 3713d)을 포함하는 복수 개의 광학 요소를 포함한다. 도 37a는, 입사 방사선 빔(3717) 및 편광 빔 스플리터 표면(3715)을 통해 투과되고, 미러 표면(3713a)에 의해 반사되며, 예를 들어 TIR을 사용하여 프리즘 시스템(3700)의 광학 요소에 걸쳐 반사되고, 미러 표면(3713b)에 의해 반사되며, PBS 표면(3715)을 통해 한 번 더 통과하여 프리즘 시스템(3700)으로부터 출사되는 서브-빔(3729)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(3729)은 PBS 표면(3715)에서 P 편광 배향을 가진다. 도 37b는, 편광 빔 스플리터 표면(3715) 미러 표면(3713c), 예를 들어 TIR을 사용하는 프리즘 시스템(3700)의 광학 요소, 및 미러 표면(3713d)에 의해 반사되어 프리즘 시스템(3700)으로부터 출사되는 서브-빔(3723)의 광로를 예시한다. 일 예에 따르면, 서브-빔(3723)은 PBS 표면(3715)에서 S 편광 배향을 가진다. 도 37c는 서브-빔(3723 및 3729) 양자 모두에 대한 광로들을 예시한다.
일부 예에 따르면, 프리즘 시스템(3700)은 "고스트" 반사를 완화시키도록, 틸팅된 입사면 및/또는 루프형 출사면(두 개의 틸팅된 출사면)으로 설계될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 프리즘 시스템(3700)은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 될 수 있다. 또한, 서브-빔들(3723 및 3729)은 프리즘 시스템(3700) 내에서 동일하거나 실질적으로 동일한 광로 거리를 이동할 수 있다.
이러한 실시예들은 다음 절들을 사용하여 더 기술될 수 있다.
1. 편광 빔 스플리터(polarizing beam splitter; PBS) 표면을 포함하는 프리즘 시스템을 포함하고,
상기 PBS 표면은 수광된 빔으로부터 대응하는 제 1 및 제 2 편광 정보를 가지는 제 1 및 제 2 서브-빔을 생성하도록 구성되며, 상기 제 2 편광 정보는 제 1 편광 정보와 상이하고,
상기 프리즘 시스템 내에서의 제 1 서브-빔의 제 1 광로는 상기 프리즘 시스템 내에서의 제 2 서브-빔의 제 2 광로와 실질적으로 동일한 길이를 가지거나, 상기 제 1 서브-빔은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 되는, 장치.
2. 제 1 절에 있어서,
상기 프리즘 시스템은 프리즘 및 미러 기판을 더 포함하는, 장치.
3. 제 2 절에 있어서,
상기 프리즘 시스템은 상기 미러 기판에 커플링된 사분파장 플레이트(quarter-wave plate; QWP)를 더 포함하는, 장치.
4. 제 1 절에 있어서,
상기 장치는 검출기를 더 포함하고,
상기 제 1 및 제 2 서브-빔은 상기 검출기 상에 이미징되는, 장치.
5. 제 4 절에 있어서,
상기 프리즘 시스템은, 상기 검출기로부터 반사된 방사선 빔의 적어도 일부를 수광하고 상기 방사선 빔의 적어도 일부를 상기 검출기로부터 멀리 반사하도록 구성되는, 장치.
6. 제 4 절에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 서브-빔은 공통 초점면에서 상기 검출기 상에 이미징되는, 장치.
7. 제 1 절에 있어서,
상기 제 1 서브-빔은 상기 PBS 표면을 통해 투과하고 상기 PBS 표면으로부터 반사되어, 상기 프리즘 시스템 내에서 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 되는, 장치.
8. 제 1 절에 있어서,
상기 제 1 편광 정보는 수직(V) 편광 정보를 포함하고, 상기 제 2 편광 정보는 수평(H) 편광 정보를 포함하는, 장치.
9. 리소그래피 장치로서,
패턴을 조명하도록 구성되는 제 1 조명 광학 시스템;
상기 패턴의 이미지를 기판 상에 투영하도록 구성되는 투영 광학 시스템; 및
상기 리소그래피 장치의 파라미터를 결정하도록 구성되는 산란계를 포함하고, 상기 산란계는,
적어도 하나의 방사선 빔을 전달하도록 구성되는 제 2 조명 광학 시스템;
상기 적어도 하나의 방사선 빔을 상기 기판 상에 포커싱하도록 구성되는 대물 광학 시스템;
상기 기판으로부터 반사된 방사선 빔 검출하도록 구성되는 검출기; 및
편광 빔 스플리터(PBS) 표면을 포함하는 프리즘 시스템을 포함하는 장치를 포함하며,
상기 PBS 표면은 수광된 상기 적어도 하나의 방사선 빔 또는 반사된 방사선 빔으로부터 대응하는 제 1 및 제 2 편광 정보를 가지는 제 1 및 제 2 서브-빔을 생성하도록 구성되며, 상기 제 2 편광 정보는 제 1 편광 정보와 상이하고,
상기 프리즘 시스템 내에서의 제 1 서브-빔의 제 1 광로는 상기 프리즘 시스템 내에서의 제 2 서브-빔의 제 2 광로와 실질적으로 동일한 길이를 가지거나, 상기 제 1 서브-빔은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 되는, 리소그래피 장치.
10. 제 9 절에 있어서,
상기 프리즘 시스템은 프리즘 및 미러 기판을 더 포함하는, 리소그래피 장치.
11. 제 10 절에 있어서,
상기 프리즘 시스템은 상기 미러 기판에 커플링된 사분파장 플레이트(QWP)를 더 포함하는, 리소그래피 장치.
12. 제 9 절에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 서브-빔은 상기 검출기 상에 이미징되는, 리소그래피 장치.
13. 제 12 절에 있어서,
상기 프리즘 시스템은, 상기 검출기로부터 반사된 방사선 빔의 적어도 일부를 수광하고 상기 방사선 빔의 적어도 일부를 상기 검출기로부터 멀리 반사하도록 구성되는, 리소그래피 장치.
14. 제 12 절에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 서브-빔은 공통 초점면에서 상기 검출기 상에 이미징되는, 리소그래피 장치.
15. 제 9 절에 있어서,
상기 제 1 서브-빔은 상기 PBS 표면을 통해 투과하고 상기 PBS 표면으로부터 반사되어, 상기 프리즘 시스템 내에서 미리 결정된 소광비를 이루게 되는, 리소그래피 장치.
16. 제 9 절에 있어서,
상기 제 1 편광 정보는 수직(V) 편광 정보를 포함하고, 상기 제 2 편광 정보는 수평(H) 편광 정보를 포함하는, 리소그래피 장치.
17. 방법으로서,
편광 빔 스플리터(PBS) 표면을 포함하는 프리즘 시스템에 의하여, 방사선 빔을 수광하는 단계; 및
수광된 방사선 빔으로부터 대응하는 제 1 및 제 2 편광 정보를 가지는 제 1 및 제 2 서브-빔을 생성하는 단계 - 상기 제 2 편광 정보는 상기 제 1 편광 정보와 상이함 -을 포함하고,
상기 프리즘 시스템 내에서의 제 1 서브-빔의 제 1 광로는 상기 프리즘 시스템 내에서의 제 2 서브-빔의 제 2 광로와 실질적으로 동일한 길이를 가지거나, 상기 제 1 서브-빔은 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 되는, 방법.
18. 제 17 절에 있어서,
상기 방법은,
상기 제 1 및 제 2 서브-빔을 상기 검출기 상에 이미징하는 단계를 더 포함하는, 방법.
19. 제 18 절에 있어서
상기 방법은,
상기 검출기로부터 반사된 방사선 빔의 적어도 일부를 수광하는 단계; 및
상기 방사선 빔의 적어도 일부를 상기 검출기로부터 멀리 반사하는 단계를 더 포함하는, 방법.
20. 제 17 절에 있어서
상기 제 1 서브-빔은 상기 PBS 표면을 통해 투과되고 상기 PBS 표면으로부터 반사되어, 상기 프리즘 시스템 내에서 미리 결정된 소광비를 이루게 되는, 방법.
21. 프리즘 시스템으로서,
제 1, 제 2, 및 제 3 표면을 포함하는 제 1 광학 요소 - 상기 제 1 광학 요소의 제 2 표면은 편광 빔 스플리터 표면을 포함함 -;
상기 제 1 광학 요소에 커플링된 제 2 광학 요소; 및
제 1 광학 요소에 커플링된 제 3 광학 요소 - 상기 제 3 광학 요소는 사분파장 플레이트(QWP)를 포함함 - 를 포함하는, 프리즘 시스템.
22. 제 21 절에 있어서,
상기 제 1 광학 요소의 제 2 표면은 상기 제 2 광학 요소의 제 1 표면에 커플링되고,
상기 제 1 광학 요소의 제 3 표면은 상기 제 3 광학 요소에 커플링되는, 프리즘 시스템.
23. 제 21 절에 있어서,
상기 QWP는 QWP 폴리머 스택을 포함하고,
상기 프리즘 시스템은, 상기 QWP 폴리머 스택에 커플링된 미러 기판을 포함하는 제 4 광학 요소를 포함하는, 프리즘 시스템.
24. 제 21 절에 있어서,
상기 QWP는 QWP 코팅을 포함하고,
상기 제 3 광학 요소는 제 1 표면을 포함하며,
상기 제 3 광학 요소의 제 1 표면은 반사면을 포함하고, 상기 반사면 상에 QWP 코팅이 있는, 프리즘 시스템.
25. 제 21 절에 있어서,
상기 제 1 광학 요소의 제 1 표면은 틸팅된 표면이고,
상기 제 2 광학 요소의 제 1 표면 및 제 2 표면은 틸팅된 표면들인, 프리즘 시스템.
26. 제 25 절에 있어서,
상기 제 1 광학 요소의 제 1 표면의 틸팅각은 상기 제 2 광학 요소의 제 1 표면의 틸팅각 및 상기 제 2 광학 요소의 제 2 표면의 틸팅각과 실질적으로 동일한, 프리즘 시스템.
27. 제 21 절에 있어서,
상기 제 1 광학 요소의 제 1 표면은 방사선 빔을 수광하도록 구성되고,
상기 방사선 빔으로부터 생성되는 두 개의 서브-빔은 상기 제 2 광학 요소의 제 1 표면 및 제 2 표면으로부터 상기 프리즘 시스템을 벗어나도록 구성되는, 프리즘 시스템.
28. 제 27 절에 있어서,
상기 두 개의 서브-빔은 상이한 편광 정보를 가지는, 프리즘 시스템.
29. 제 27 절에 있어서,
상기 두 개의 서브-빔은 검출기 상에 이미징되는, 프리즘 시스템.
30. 제 29 절에 있어서,
상기 프리즘 시스템은, 상기 검출기로부터 반사된 방사선 빔의 적어도 일부를 수광하고 수신된 방사선 빔의 적어도 일부를 상기 검출기로부터 멀리 반사하도록 구성되는, 프리즘 시스템.
31. 제 29 절에 있어서,
상기 제 2 광학 요소의 제 1 표면의 틸팅각 및 상기 제 2 광학 요소의 제 2 표면의 틸팅각은 상기 프리즘 시스템과 상기 검출기 사이의 거리에 기반하여 결정되는, 프리즘 시스템.
32. 제 27 절에 있어서
상기 두 개의 서브-빔은 상기 프리즘 시스템 내에서 실질적으로 동일한 광로 길이를 가지는, 프리즘 시스템.
33. 리소그래피 장치로서,
패턴을 조명하도록 구성되는 제 1 조명 광학 시스템;
상기 패턴의 이미지를 기판 상에 투영하도록 구성되는 투영 광학 시스템; 및
상기 리소그래피 장치의 파라미터를 결정하도록 구성되는 산란계를 포함하고, 상기 산란계는,
적어도 하나의 방사선 빔을 전달하도록 구성되는 제 2 조명 광학 시스템;
상기 적어도 하나의 빔을 상기 기판 상에 포커싱하도록 구성되는 대물 광학 시스템;
상기 기판으로부터 반사된 방사선 빔을 검출하도록 구성되는 검출기; 및
프리즘 시스템을 포함하며, 상기 프리즘 시스템은,
제 1, 제 2, 및 제 3 표면을 포함하는 제 1 광학 요소 - 상기 제 1 광학 요소의 제 2 표면은 편광 빔 스플리터 표면을 포함함 -;
상기 제 1 광학 요소에 커플링된 제 2 광학 요소; 및
제 1 광학 요소에 커플링된 제 3 광학 요소 - 상기 제 3 광학 요소는 사분파장 플레이트(QWP)를 포함함 - 를 포함하는, 리소그래피 장치.
34. 제 33 절에 있어서,
상기 제 1 광학 요소의 제 2 표면은 상기 제 2 광학 요소의 제 1 표면에 커플링되고,
상기 제 1 광학 요소의 제 3 표면은 상기 제 3 광학 요소에 커플링되는, 리소그래피 장치.
35. 제 33 절에 있어서,
상기 QWP는 QWP 폴리머 스택을 포함하고,
상기 프리즘 시스템은, 상기 QWP 폴리머 스택에 커플링된 미러 기판을 포함하는 제 4 광학 요소를 포함하는,리소그래피 장치.
36. 제 33 절에 있어서,
상기 QWP는 QWP 코팅을 포함하고,
상기 제 3 광학 요소는 제 1 표면을 포함하며,
상기 제 3 광학 요소의 제 1 표면은 반사면을 포함하고, 상기 반사면 상에 QWP 코팅이 있는, 리소그래피 장치.
37. 제 33 절에 있어서,
상기 제 1 광학 요소의 제 1 표면은 틸팅된 표면이고,
상기 제 2 광학 요소의 제 1 표면 및 제 2 표면은 틸팅된 표면들인, 리소그래피 장치.
38. 제 37 절에 있어서,
상기 제 1 광학 요소의 제 1 표면의 틸팅각은 상기 제 2 광학 요소의 제 1 표면의 틸팅각 및 상기 제 2 광학 요소의 제 2 표면의 틸팅각과 실질적으로 동일한, 리소그래피 장치.
39. 제 33 절에 있어서,
상기 제 1 광학 요소의 제 1 표면은 상기 기판으로부터 적어도 하나의 방사선 빔 또는 반사된 방사선 빔을 수광하도록 구성되고,
상기 기판으로부터의 상기 적어도 하나의 방사선 빔 또는 반사된 방사선 빔으로부터 생성된 두 개의 서브-빔은 상기 제 2 광학 요소의 제 1 표면 및 제 2 표면으로부터 상기 프리즘 시스템을 벗어나도록 구성되는, 리소그래피 장치.
40. 제 39 절에 있어서,
상기 두 개의 서브-빔은 상이한 편광 정보를 가지는, 리소그래피 장치.
41. 제 39 절에 있어서,
상기 두 개의 서브-빔은 상기 검출기 상에 이미징되는, 리소그래피 장치.
42. 제 41 절에 있어서,
상기 프리즘 시스템은, 상기 검출기로부터 반사된 방사선 빔의 적어도 일부를 수광하고 수신된 방사선 빔의 적어도 일부를 상기 검출기로부터 멀리 반사하도록 구성되는, 리소그래피 장치.
43. 제 41 절에 있어서,
상기 제 2 광학 요소의 제 1 표면의 틸팅각 및 상기 제 2 광학 요소의 제 2 표면의 틸팅각은 상기 프리즘 시스템과 상기 검출기 사이의 거리에 기반하여 결정되는, 리소그래피 장치.
44. 제 39 절에 있어서,
상기 두 개의 서브-빔은 상기 프리즘 시스템 내에서 실질적으로 동일한 광로 길이를 가지는, 리소그래피 장치.
비록 예시적인 디자인들이 본 명세서에서 논의되지만, 본 발명의 실시예들은 이러한 예로 한정되지 않는다는 것에 주의한다. 예를 들어, 본 발명의 실시예들은 논의된 예시적인 디자인들의 임의의 조합을 포함한다.
비록 본문에서 IC의 제조에서 리소그래피 장치를 사용하는 것에 대해서 특별히 언급하였지만, 본 명세서에서 설명되는 리소그래피 장치는 다른 응용 분야, 예컨대 집적 광 시스템의 제조, 자기장 도메인 메모리용 유도 및 검출 패턴, 평판-패널 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드, 등을 가질 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 당업자는, 이러한 다른 응용예의 문맥에서, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 기판은, 예를 들어 트랙(통상적으로 레지스트 층을 기판에 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 계측 툴 및/또는 검사 툴에서, 노광 전 또는 노광 후에 처리될 수 있다. 적용 가능한 범위에서, 본 명세서에서의 개시물은 이러한 기판 처리 툴 및 다른 기판 처리 툴에 적용될 수 있다. 또한, 예컨대 다층 집적회로를 생성하기 위하여 기판이 복수 회 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함한 기판을 지칭할 수 있다.
비록 위에서 광 리소그래피의 콘텍스트에서 본 발명의 실시예를 사용하는 것에 대해 특정하여 언급하였지만, 본 발명이 다른 애플리케이션, 예를 들어 임프린트(imprint) 리소그래피에서 사용될 수도 있고, 콘텍스트가 허용하는 경우 광 리소그래피로 제한되는 것이 아니라는 것이 인정될 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 장치의 토포그래피는 기판 상에 생성된 패턴을 정의한다. 패터닝 장치의 토포그래피는 기판에 공급된 레지스트의 층에 프레스될 수도 있고, 그 위에서 레지스트는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 이들의 조합을 적용함으로써 경화된다. 패터닝 장치는 레지스트가 경화된 후에 레지스트 외부로 이동됨으로써 그 내부에 패턴을 잔류시킨다.
본 명세서에서 구문 또는 어휘는 설명의 목적을 위한 것이고 한정하기 위한 것이 아니며, 따라서 본 명세서의 용어 또는 구문은 본 명세서에서의 교시 내용을 고려하여 당업자(들)에 의하여 해석되어야 한다는 것이 이해되어야 한다.
본원에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는, 자외(UV) 방사선(예컨대, 365, 248, 193, 157, 또는 126 nm의 파장 λ를 가짐) 및 극자외(EUV 또는 소프트 X-레이) 방사선(예컨대, 5-20 nm 범위, 예를 들어 13.5 nm와 같은 파장을 가짐), 또는 5 nm 미만에서 동작하는 하드 X-레이, 및 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는, 모든 타입의 전자기 방사선을 망라한다. 일반적으로, 약 400 내지 약 700 nm의 파장을 가지는 방사선은 가시 방사선이라고 여겨진다; 약 780-3000 nm(또는 그 이상)의 파장을 가지는 방사선은 IR 방사선이라고 여겨진다. UV란 약 100-400 nm의 파장을 가지는 방사선을 가리킨다. 리소그래피에서, "UV"라는 용어는 수은 방전 램프: G-선 436 nm; H-선 405 nm; 및/또는, I-선 365 nm에 의해 생성될 수 있는 파장에도 역시 적용된다. 진공 UV, 또는 VUV(즉, 가스에 의해 흡수된 UV)는 약 100-200 nm의 파장을 가지는 방사선을 가리킨다. 심 UV(DUV)는 일반적으로 126 nm 내지 428 nm의 범위인 파장을 가지는 방사선에 대응하고, 일 실시예에서는, 엑시머 레이저가 리소그래피 장치 내에서 사용되는 DUV 방사선을 생성할 수 있다. 예를 들어 5 - 20 nm의 범위 내의 파장을 가지는 방사선이, 적어도 일부가 5-20 nm의 범위에 속하는 특정 파장 대역의 방사선에 관련된다는 것이 이해되어야 한다.
본 명세서에서 사용될 때 "기판"이라는 용어는 일반적으로 후속하는 재료 층이 그 위에 추가되는 재료를 기술한다. 실시예들에서, 기판 자체는 패터닝될 수 있고, 그 위에 추가된 재료도 역시 패터닝될 수 있거나, 패터닝이 없이 남겨질 수 있다.
본 명세서에 사용된 "렌즈"라는 용어는, 문맥이 허용한다면, 굴절, 회절, 반사, 자기, 전자자기, 및 정전기 광 컴포넌트를 포함하는 다양한 타입의 광 컴포넌트 중 임의의 것 또는 조합을 가리킬 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 하나 이상의 특정 피쳐, 구조체, 또는 특성의 상대적인 공간적인 기술이 오직 예를 들기 위한 것이고, 본 명세서에서 설명되는 구조체의 실제 구현형태는 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서 오정렬 공차를 포함할 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
특정 실시예에 대한 전술한 설명은 본 발명의 전반적인 특성을 완전하게 보여주어, 당해 기술 분야에 익숙한 사람이 갖고 있는 지식을 적용함으로써 본 발명의 전반적인 개념으로부터 벗어나지 않고서도 불필요한 실험 없이 이러한 구체적인 실시예에 대한 다양한 응용을 용이하게 수정 및/또는 적응시킬 수 있을 것이다. 따라서, 이러한 수정 및 적응은 본 명세서에 제공된 교시 및 지침을 기반으로 하는 개시 실시예의 등가물의 범위 내에 있도록 의도된다. 본 명세서에서 구문 또는 어휘는 예에 의한 설명의 목적을 위한 것이고 한정하기 위한 것이 아니며, 따라서 본 명세서의 용어 또는 구문은 교시 및 지도를 고려하여 당업자에 의하여 해석되어야 한다는 것이 이해되어야 한다.
본 발명의 적용 범위 및 범위는 전술한 예시 실시예의 어떠한 것에 의해서도 한정되어서는 안되며, 후속하는 청구범위 및 그 균등물에 따라서만 정해져야 한다.
발명의 내용 및 요약서 섹션이 아니라 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 섹션이 청구항을 해석하기 위하여 사용되도록 의도된다는 것이 이해되어야 한다. 발명의 내용 및 요약서는 발명자(들)에 의하여 고찰되는 바와 같은 본 발명의 하나 이상의 그러나 전부가 아닌 예시적인 실시예들을 진술할 수도 있으며, 따라서 어떠한 경우에도 본 발명 및 첨부된 청구항을 한정하는 것으로 의도되지 않는다.
본 발명은 특정 기능부 및 이들의 관계에 대한 구현을 예시하는 기능적 구성 블록들을 이용하여 위에서 설명되었다. 이들 기능적 구성 블록들의 경계는 설명의 편의를 위해 본 명세서 내에서 임의적으로 정해진 것이다. 특정된 기능 및 이들의 관련성이 적절하게 수행되는 한 대안적 경계들이 정의될 수 있다.
특정 실시예에 대한 전술한 설명은 본 발명의 전반적인 특성을 완전하게 보여주어, 당해 기술 분야에 익숙한 사람이 갖고 있는 지식을 적용함으로써 본 발명의 전반적인 개념으로부터 벗어나지 않고서도 불필요한 실험 없이 이러한 구체적인 실시예에 대한 다양한 응용을 용이하게 수정 및/또는 적응시킬 수 있을 것이다. 따라서, 이러한 수정 및 적응은 본 명세서에 제공된 교시 및 지침을 기반으로 하는 개시 실시예의 등가물의 범위 내에 있도록 의도된다. 본 명세서에서 구문 또는 어휘는 설명의 목적을 위한 것이고 한정하기 위한 것이 아니며, 따라서 본 명세서의 용어 또는 구문은 교시 및 지도를 고려하여 당업자에 의하여 해석되어야 한다는 것이 이해되어야 한다.

Claims (28)

  1. 프리즘 시스템을 포함하는 장치에 있어서, 상기 프리즘 시스템은 편광 빔 스플리터(polarizing beam splitter; PBS) 표면을 포함하고,
    상기 PBS 표면은 수광된 빔으로부터 대응하는 제 1 및 제 2 편광 정보를 가지는 제 1 및 제 2 서브-빔을 생성하도록 구성되며, 상기 제 2 편광 정보는 제 1 편광 정보와 상이하고,
    상기 프리즘 시스템 내에서의 제 1 서브-빔의 광로 길이는 상기 프리즘 시스템 내에서의 제 2 서브-빔의 광로 길이와 동일하고,
    상기 장치는 검출기를 더 포함하되, 상기 제 1 및 제 2 서브-빔은 상기 검출기 상에 이미징되고,
    상기 프리즘 시스템은, 상기 검출기로부터 반사된 방사선 빔의 적어도 일부를 수광하고 방사선 빔의 수광된 적어도 일부를 상기 검출기로부터 멀리 반사시키도록 구성되는, 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 프리즘 시스템은 프리즘 및 미러 기판을 더 포함하는, 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 프리즘 시스템은 상기 미러 기판에 커플링된 사분파장 플레이트(quarter-wave plate; QWP)를 더 포함하는, 장치.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 서브-빔은 공통 초점면에서 상기 검출기 상에 이미징되는, 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 서브-빔은 상기 PBS 표면을 통해 투과하고 상기 PBS 표면으로부터 반사되어, 상기 프리즘 시스템 내에서 미리 결정된 편광 소광비를 이루게 되는, 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 편광 정보는 수직(V) 편광 정보를 포함하고, 상기 제 2 편광 정보는 수평(H) 편광 정보를 포함하는, 장치.
  9. 리소그래피 장치로서,
    패턴을 조명하도록 구성되는 제 1 조명 광학 시스템;
    상기 패턴의 이미지를 기판 상에 투영하도록 구성되는 투영 광학 시스템; 및
    상기 리소그래피 장치의 파라미터를 결정하도록 구성되는 산란계를 포함하고, 상기 산란계는,
    적어도 하나의 방사선 빔을 전달하도록 구성되는 제 2 조명 광학 시스템;
    상기 적어도 하나의 방사선 빔을 상기 기판 상에 포커싱하도록 구성되는 대물 광학 시스템;
    상기 기판으로부터 반사된 방사선 빔 검출하도록 구성되는 검출기; 및
    편광 빔 스플리터(PBS) 표면을 포함하는 프리즘 시스템을 포함하는 장치를 포함하며,
    상기 PBS 표면은 수광된 상기 적어도 하나의 방사선 빔 또는 반사된 방사선 빔으로부터 대응하는 제 1 및 제 2 편광 정보를 가지는 제 1 및 제 2 서브-빔을 생성하도록 구성되며, 상기 제 2 편광 정보는 제 1 편광 정보와 상이하고,
    상기 프리즘 시스템 내에서의 제 1 서브-빔의 광로 길이는 상기 프리즘 시스템 내에서의 제 2 서브-빔의 광로 길이와 동일하고,
    상기 제 1 및 제 2 서브-빔은 상기 검출기 상에 이미징되며,
    상기 프리즘 시스템은, 상기 검출기로부터 반사된 방사선 빔의 적어도 일부를 수광하고 방사선 빔의 수광된 적어도 일부를 상기 검출기로부터 멀리 반사시키도록 구성되는, 리소그래피 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 프리즘 시스템은 프리즘 및 미러 기판을 더 포함하는, 리소그래피 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 프리즘 시스템은 상기 미러 기판에 커플링된 사분파장 플레이트(QWP)를 더 포함하는, 리소그래피 장치.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 서브-빔은 공통 초점면에서 상기 검출기 상에 이미징되는, 리소그래피 장치.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 서브-빔은 상기 PBS 표면을 통해 투과하고 상기 PBS 표면으로부터 반사되어, 상기 프리즘 시스템 내에서 미리 결정된 소광비를 이루게 되는, 리소그래피 장치.
  16. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 편광 정보는 수직(V) 편광 정보를 포함하고, 상기 제 2 편광 정보는 수평(H) 편광 정보를 포함하는, 리소그래피 장치.
  17. 프리즘 시스템으로서,
    제 1, 제 2, 및 제 3 표면을 포함하는 제 1 광학 요소 - 상기 제 1 광학 요소의 제 2 표면은 편광 빔 스플리터 표면을 포함함 -;
    상기 제 1 광학 요소에 커플링된 제 2 광학 요소; 및
    상기 제 1 광학 요소에 커플링된 제 3 광학 요소 - 상기 제 3 광학 요소는 사분파장 플레이트(QWP)를 포함함 - 를 포함하고,
    프리즘 시스템은, 2개의 서브-빔이 상기 프리즘 시스템으로부터 출력될 때 서로 상이한 편광 정보를 갖도록, 입력 방사선 빔에 기초해 상기 2개의 서브-빔을 생성하도록 구성되고,
    상기 2개의 서브-빔은 검출기 상에 이미징되며,
    상기 프리즘 시스템은, 상기 검출기로부터 반사된 방사선 빔의 적어도 일부를 수광하고 방사선 빔의 수광된 적어도 일부를 상기 검출기로부터 멀리 반사시키도록 구성되는, 프리즘 시스템.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 1 광학 요소의 제 2 표면은 상기 제 2 광학 요소의 제 1 표면에 커플링되고,
    상기 제 1 광학 요소의 제 3 표면은 상기 제 3 광학 요소에 커플링되는, 프리즘 시스템.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 QWP는 QWP 폴리머 스택을 포함하고,
    상기 프리즘 시스템은, 상기 QWP 폴리머 스택에 커플링된 미러 기판을 포함하는 제 4 광학 요소를 포함하는,프리즘 시스템.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 QWP는 QWP 코팅을 포함하고,
    상기 제 3 광학 요소는 제 1 표면을 포함하며,
    상기 제 3 광학 요소의 제 1 표면은 반사면을 포함하고, 상기 반사면 상에 QWP 코팅이 있는, 프리즘 시스템.
  21. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 1 광학 요소의 제 1 표면은 틸팅된 표면이고,
    상기 제 2 광학 요소의 제 1 표면 및 제 2 표면은 틸팅된 표면들인, 프리즘 시스템.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 제 1 광학 요소의 제 1 표면의 틸팅각은 상기 제 2 광학 요소의 제 1 표면의 틸팅각 및 상기 제 2 광학 요소의 제 2 표면의 틸팅각과 실질적으로 동일한, 프리즘 시스템.
  23. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 1 광학 요소의 제 1 표면은 상기 입력 방사선 빔을 수광하도록 구성되는 입력 표면이고,
    상기 제 2 광학 요소의 제 1 표면 및 제 2 표면은 상기 2개의 서브-빔이 프리즘 시스템에서 빠져나가는 것을 허용하도록 구성되는 출력 표면인, 프리즘 시스템.
  24. 삭제
  25. 삭제
  26. 삭제
  27. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 2 광학 요소의 제 1 표면의 틸팅각 및 상기 제 2 광학 요소의 제 2 표면의 틸팅각은 상기 프리즘 시스템과 상기 검출기 사이의 거리에 기반하여 결정되는, 프리즘 시스템.
  28. 제 23 항에 있어서,
    상기 2개의 서브-빔은 상기 프리즘 시스템 내에서 실질적으로 동일한 광로 길이를 가지는, 프리즘 시스템.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102436448B1 (ko) 2017-12-13 2022-08-24 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. 빔 분할 프리즘 시스템
US20220283516A1 (en) * 2019-08-29 2022-09-08 Asml Holding N.V. On chip sensor for wafer overlay measurement
RU2736920C1 (ru) * 2020-05-15 2020-11-23 Самсунг Электроникс Ко., Лтд. Многофункциональный миниатюрный оптический датчик для дистанционного обнаружения микро- и макрообъектов и для измерения характеристик обнаруженных объектов
US11360294B2 (en) 2020-05-15 2022-06-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical sensor
RU2750681C1 (ru) * 2020-10-07 2021-07-01 Самсунг Электроникс Ко., Лтд. Оптическое сенсорное устройство определения дальности, скорости и идентификации формы и структуры объекта

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0256685A2 (en) * 1986-08-14 1988-02-24 Optical Coating Laboratory, Inc. Optical system and components for optical disk reader
US4905311A (en) 1988-02-10 1990-02-27 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Optical surface roughness measuring apparatus with polarization detection
US5585922A (en) 1992-12-24 1996-12-17 Nikon Corporation Dual interferometer apparatus compensating for environmental turbulence or fluctuation and for quantization error
JP2017049486A (ja) * 2015-09-03 2017-03-09 日本電信電話株式会社 偏波分離素子

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4787747A (en) 1987-11-13 1988-11-29 Zygo Corporation Straightness of travel interferometer
US5663793A (en) 1995-09-05 1997-09-02 Zygo Corporation Homodyne interferometric receiver and calibration method having improved accuracy and functionality
US6487014B2 (en) * 1996-08-12 2002-11-26 National Research Council Of Canada High isolation optical switch, isolator or circulator having thin film polarizing beam-splitters
US6163379A (en) 1999-08-27 2000-12-19 Zygo Corporation Interferometer with tilted waveplates for reducing ghost reflections
US6201609B1 (en) 1999-08-27 2001-03-13 Zygo Corporation Interferometers utilizing polarization preserving optical systems
US6876451B1 (en) 2000-08-25 2005-04-05 Zygo Corporation Monolithic multiaxis interferometer
US6819431B2 (en) 2001-07-06 2004-11-16 Zygo Corporation Polymer retarder
JP4262087B2 (ja) 2001-07-06 2009-05-13 ザイゴ コーポレーション 多軸干渉計
WO2003040648A1 (en) 2001-11-05 2003-05-15 Zygo Corporation Interferometric cyclic error compensation
US7057739B2 (en) 2002-02-12 2006-06-06 Zygo Corporation Separated beam multiple degree of freedom interferometer
US7298493B2 (en) 2004-06-30 2007-11-20 Zygo Corporation Interferometric optical assemblies and systems including interferometric optical assemblies
US7791727B2 (en) 2004-08-16 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
US7317539B2 (en) * 2004-08-23 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Polarizing beam splitter device, interferometer module, lithographic apparatus, and device manufacturing method
US7489407B2 (en) * 2004-10-06 2009-02-10 Zygo Corporation Error correction in interferometry systems
US7692792B2 (en) * 2006-06-22 2010-04-06 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
US20110007392A1 (en) * 2007-12-28 2011-01-13 English Jr Ronald E Light combiner
WO2011106567A2 (en) * 2010-02-24 2011-09-01 Mothew, Neil Waveplate compensation in projection polarization conversion system
US8885172B2 (en) 2011-02-01 2014-11-11 Zygo Corporation Interferometric heterodyne optical encoder system
KR102436448B1 (ko) 2017-12-13 2022-08-24 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. 빔 분할 프리즘 시스템

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0256685A2 (en) * 1986-08-14 1988-02-24 Optical Coating Laboratory, Inc. Optical system and components for optical disk reader
US4905311A (en) 1988-02-10 1990-02-27 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Optical surface roughness measuring apparatus with polarization detection
US5585922A (en) 1992-12-24 1996-12-17 Nikon Corporation Dual interferometer apparatus compensating for environmental turbulence or fluctuation and for quantization error
JP2017049486A (ja) * 2015-09-03 2017-03-09 日本電信電話株式会社 偏波分離素子

Also Published As

Publication number Publication date
TWI678562B (zh) 2019-12-01
KR20200079330A (ko) 2020-07-02
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