JP4475517B2 - プラスチック廃材の再資源化方法、プラスチック成形体の製造方法およびプラスチック成形体、ならびにプラスチック再資源化装置 - Google Patents
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Description
(b)プラスチック廃材の付着物および/またはプラスチック廃材に施された表面加飾膜に起因する波長スペクトルの変化。
(b)プラスチック廃材の付着物および/またはプラスチック廃材に施された表面加飾膜に起因する波長スペクトルの変化。
△:どちらともいえない
×:劣る
なお、プラスチックの成形ステップにおいては、プラスチックを加熱して溶融することにより、マテリアルリサイクルすることが望ましい。
ここで、本発明のプラスチック廃材の再資源化方法に使用するプラズマ発生の技術は、IC産業や電子部品産業の分野で実用化が進んでいる物質の分解や改質に関する技術を、産業廃棄物再資源化の分野に応用しようとするものである。着目する廃プラスチックなどに付着する塗料の多くは有機物で形成されているが、その分子が切断されたり、他の気体または液体物質に分解されることになる。このような着眼は、従来にはなかったものである。
本発明の装置1の第1の態様としては、プラズマ観測手段16がプラズマ発生装置が生成するラジカルの濃度を観測する機能を有する手段(具体的には、レーザ誘起分光法を利用した発光分析装置や、質量分析装置、分子線(molecular−beam)法を利用した装置など)で実現され、プラズマ発生装置2に供給される原料ガスの流量を制御するガス流量制御手段(具体的には、図3に示すようなガス弁12a,12b)をさらに備える場合が例示される。実験例にて後述するように、本発明者らは、原料ガスにおける酸素ガスの濃度を上げることによって、プラズマジェット中の酸素ラジカル濃度を上げることができることを見出した(図11を参照)。本発明の装置1の第1の態様は、かかる知見に基づきなされたものであり、プラズマ観測手段16によって観測されたラジカル濃度(たとえば酸素ラジカル濃度)をもとに、制御手段17およびガス流量制御手段によって原料ガスの流量を、上述した好ましい範囲内となるようにフィードバック制御することによって、当該ラジカル濃度を一定に保持するように実現するものである。
本発明の装置1の第2の態様としては、プラズマ観測手段16が前記と同様にプラズマ発生装置が生成するラジカルの濃度を観測する機能を有する手段で実現され、前記プラズマ発生装置2の電源4の周波数を制御する周波数制御手段(図示せず)をさらに備える場合が例示される。実験例にて後述するように、本発明者らは、図4に示した電源4からの出力電圧におけるパルス周波数を高くすることで、プラズマジェット9における酸素ラジカル濃度を上げることができることを見出した(図15を参照)。本発明の装置1の第2の態様は、かかる知見に基づきなされたものであり、プラズマ観測手段16によって観測されたラジカル濃度(たとえば酸素ラジカル濃度)をもとに、制御手段17および周波数制御手段によって前記電源の周波数をフィードバック制御することにより、当該ラジカル濃度を一定に保持するように実現するものである。
また本発明の装置1の第3の態様としては、プラズマ観測手段16が(a)前記プラズマ発生装置から発生するプラズマジェットに起因する波長スペクトル(可視光や赤外画像の色調や濃淡)の変化、または、(b)プラスチック廃材の付着物および/またはプラスチック廃材に施された表面加飾膜に起因する波長スペクトル(可視光や赤外光画像の色調や濃淡)の変化、を画像情報処理にて算出する光学的検出装置(たとえば、CCDカメラ、受光素子、色差計、光沢計など)で実現される場合が例示される。なお、かかる第3の態様は、上述した第1の態様または第2の態様と組み合わされて実現されても勿論よい。すなわち、プラズマ観測手段16が、プラズマ発生装置が生成するラジカルの濃度を観測する機能を有する手段(発光分析装置など)と、前記光学的検出装置とで実現され、ガス流量制御手段または周波数制御手段を備えるように実現されてもよい。
本発明の装置1の第4の態様としては、プラズマ観測手段16が、被処理物上のプラズマ処理領域における気体温度、および/または、被処理物の表面温度を測定する温度検出装置(具体的には、放射温度計、熱電対、サーミスタ、主要ガスの回転温度を分光によって求める方法を利用した装置など)にて実現される場合が例示される。すなわち、プラスチック廃材上に付着物および/または表面加飾膜が存在する時点と、プラズマ洗浄により付着物および/または表面加飾膜がプラスチック廃材から除去された時点とでは、プラズマ処理領域における気体温度や被処理物の表面温度の変化が観測される。したがって、このプラズマ処理領域における気体温度および/または被処理物の表面温度の変化についても、プラスチック廃材上に付着物および/または表面加飾膜が除去されたか否かの判断基準とすることができる。
本発明の装置1の第5の態様としては、プラズマ観測手段16が、被処理物上のプラズマ処理領域における二次元的な温度分布を検出可能な温度検出装置(具体的には、温度分布を検出可能な放射温度計、熱画像装置、複数の熱電対やサーミスタを配置したものなど)にて実現される場合が例示される。被処理物上のプラズマ処理領域における二次元的な温度分布を観測することにより、プラズマ領域の広がりを温度分布として把握し、プラズマジェットの端部の変化を測定することができる。具体的には、当該変化は、前記二次元的な温度分布における等温度包絡線を観測することで測定する。
本発明の装置1の第6の態様は、プラズマ観測手段16が、上述した第3の態様と同様に、(a)前記プラズマ発生装置から発生するプラズマジェットに起因する波長スペクトル(可視光や赤外光画像の輪郭)の変化、または(b)プラスチック廃材の付着物および/またはプラスチック廃材に施された表面加飾膜に起因する波長スペクトル(可視光や赤外光画像の輪郭)の変化、を画像情報処理にて算出する光学的検出装置(たとえば、CCDカメラ、受光素子など)で実現される。そして、この光学的検出装置からの出力を、上述した第5の態様と同様に、前記被処理物と前記プラズマジェットの先端との距離、および/または、プラズマジェットの大きさの制御に供する。
(2)(a)前記プラズマ発生装置から発生するプラズマジェットに起因する波長スペクトルの変化、または、(b)プラスチック廃材の付着物および/またはプラスチック廃材に施された表面加飾膜に起因する波長スペクトルの変化を画像情報処理にて算出する光学的検出装置(具体的には、CCDカメラ、受光素子など)、
(3)被処理物上のプラズマ処理領域における気体温度、および/または、被処理物の表面温度を測定する温度検出装置(具体的には、放射温度計、熱電対など)、
(4)被処理物上のプラズマ処理領域における温度分布を検出可能な温度検出装置(具体的には、放射温度計、熱画像装置、複数の熱電対やサーミスタを配置したものなど)。
(B)プラズマ発生装置2の電源4の出力(たとえば、周波数、入力電圧)、
(C)処理の終了判定、
(D)被処理物13とプラズマジェット9の先端との距離、
(E)プラズマジェット9の大きさ、
(F)プラズマジェット9の中央部および/または先端部における温度、
(G)プラズマ洗浄の処理時間(処理終了の判定)。
まず、実施例において用いる実験材料を調製した。具体的には、使用済みの洗濯機を用いて、手解体により水槽(材質:ポリプロピレン(PP))を回収した後、破砕機を用いて10mmに破砕して破砕物を得た。続いて破砕物を、周波数4kHz、350W、空気流量30リットル/分、プラズマジェットの先端と被処理物との距離10mm、処理時間10秒という条件でプラズマにより洗浄して付着物を除去した後、スクリュー系45mmの二軸溶融混練押出機を用いて230℃で溶融混練し、ペレット状のプラスチック成形体を作製した。
(i)引張降伏強さおよび引張破断伸び
JIS K 7113に準じて測定した。
(ii)曲げ強さおよび曲げ弾性率
JIS K 7203に準じて測定した。
(iii)アイゾット衝撃値
JIS K 7110に準じて測定した。
(iv)メルトフローレート(MFR)
JIS K 7210に準じて測定した。
次に、表面加飾膜を除去した実験材料を調製した。具体的には、使用済みのテレビを用いて、手解体により塗装付きテレビキャビネット(材質:ポリスチレン(PS))を回収した後、破砕機を用いて10mmに破砕して破砕物を得た。続いて、破砕物を、周波数4kHz、350W、空気流量30リットル/分、プラズマジェットの先端と被処理物との距離10mm、処理時間10秒という条件でプラズマにより洗浄して表面加飾膜を除去した後、スクリュー系45mmの二軸溶融混練押出機を用いて230℃で溶融混練し、ペレット状のプラスチック原料を作製した。
図2および図3に示した本発明のプラスチック廃材の再資源化装置1を用い、ポリウレタンで表面塗装したポリスチレン板(10×10×1.5mm)をサンプルとして、プラズマ洗浄の実験を行った。装置1は、負極であるA電極6としてタングステン製電極、正極であるB電極5としてSUS製電極を用い、誘電体7として石英ガラスチューブ製のものを用いた(トーチ3の長さ:100mm、ノズル径:2mm、A電極−B電極間距離:2mm)。原料ガスとして空気と、酸素ガスおよび窒素ガスの混合ガスを用いた(総ガス流量:30リットル/分)。サンプルは、プラズマジェットのノズルとの間の距離が10mmとなるように配置した。電源4からの出力は、電圧値V+,V−が3.5kV、パルスの立ち上がり時間Tupおよび立ち下がり時間Tdownが1μsec、パルス幅Tw+,Tw−が2μsec、周波数Tfが5kHz、電力が350Wとなるように設定した。このような条件で、プラズマ処理を10秒間行った。なおプラズマジェットの大きさは20mmであった。
次に、原料ガスにおける酸素濃度を0%、20%、50%と変化させた以外は実験例1と同様にしてプラズマ処理する実験を行った。図11は、原料ガスにおける酸素濃度とプラズマ処理領域における酸素原子と窒素原子との比(O/N比)の関係を示すグラフであり、図12は、原料ガスにおける酸素濃度と処理後のサンプルの組成比の関係を示すグラフである。図11に示すように、0〜50%の範囲内で原料ガスにおける酸素濃度を増加させることで、プラズマ処理領域におけるO/N比が増加し、また図12に示すように0〜50%の範囲内で原料ガスにおける酸素濃度を増加させるにつれて、窒素成分および無機要素(付着物)の割合が減少し、表面塗装を施していない場合のポリスチレン板に近い組成へ変化していることが分かる。なおO/N比は、発光分析装置によりプラズマ処理領域における777nmの波長での酸素原子(O)を示す吸収ピークの強度と、746nmの波長での窒素原子(N)を示す吸収ピークの強度との比として算出した。また、処理後のサンプルの組成比は、X線光電子分光法(XPS)により観測した。
次に、電源4からの出力周波数を4kHzに固定し、電力を300、325、350、375および400Wにそれぞれ変化させた以外は実験例1と同様にしてプラズマ処理する実験を行った。図14は、電源からの出力電力とプラズマ処理領域における酸素原子と窒素原子との比(O/N比)の関係を示すグラフである。図14に示すように、300〜400Wの範囲内で電源からの出力電力を増加させることで、プラズマ処理領域におけるO/N比が増加していることが分かる。なおO/N比は、発光分析装置によりプラズマ処理領域における777nmの波長での酸素原子(O)を示す吸収ピークの強度と、746nmの波長での窒素原子(N)を示す吸収ピークの強度との比として算出した。
次に、周波数を3、4、5kHzにそれぞれ変化させた以外は実験例1と同様にしてプラズマ処理する実験を行った。図15は、電源からの出力周波数とプラズマ処理領域における酸素原子と窒素原子との比(O/N比)の関係を示すグラフである。図15に示すように、3〜5kHzの範囲内で電源からの出力周波数を増加させることで、プラズマ処理領域におけるO/N比が増加していることが分かる。なおO/N比は、発光分析装置によりプラズマ処理領域における777nmの波長での酸素原子(O)を示す吸収ピークの強度と、746nmの波長での窒素原子(N)を示す吸収ピークの強度との比として算出した。
プラズマ処理の時間を1、3、5、10秒と変化させた以外は実験例1と同様にしてプラズマ処理する実験を行った。図18は、プラズマ処理の時間と処理後のサンプルの組成比との関係を示すグラフであり、図19は、プラズマ処理の時間とサンプルの化学結合の組成との関係を示すグラフである。なお、処理後のサンプルの組成比およびサンプルの化学結合の組成は、X線光電子分光法(XPS)により観測した。図18に示すように1〜10秒の範囲内でプラズマ処理の時間を増加させるにつれて、窒素成分および無機要素(付着物)の割合が減少し、表面塗装を施していない場合のポリスチレン板に近い組成へ変化していることが分かる。また図19に示すように、1〜10秒の範囲内でプラズマ処理の時間を増加させるほど、塗装膜(表面加飾膜)を形成するポリウレタン樹脂に起因するH−C−N結合およびO=C−N結合の割合が減少していることが分かる。
Claims (17)
- アクリル系樹脂またはアクリル−ウレタン系樹脂で形成された表面加飾膜が施されたプラスチック廃材をプラズマ洗浄する工程を含むことを特徴とするプラスチック廃材の再資源化方法。
- プラズマ洗浄後のプラスチック廃材を加熱溶融する工程と、加熱溶融された前記プラスチック廃材を成形してプラスチック成形体を得る工程とをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- プラズマ洗浄に供する被洗浄物が、プラスチック廃材の付着物を含む、請求項1または2に記載の方法。
- 300nm〜800nmの範囲内に吸収ピークを有するラジカルの活性種を用いることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
- ラジカルの活性種として、OH、O、HO2から選ばれる少なくともいずれかを用いることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の方法。
- 被処理物のプラズマへの曝露時間を3〜60秒としたことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の方法。
- 請求項1〜6のいずれかに記載のプラスチック廃材の再資源化方法によりプラスチック成形体を得る、プラスチック成形体の製造方法。
- 前記プラスチック成形体がペレット状の形状を有する、請求項7に記載の方法。
- 請求項1〜6のいずれかに記載のプラスチック廃材の再資源化方法により得られたプラスチック成形体。
- 前記プラスチック成形体がペレット状の形状を有する、請求項9に記載のプラスチック成形体。
- プラスチック廃材の付着物、および/または、プラスチック廃材に施された表面加飾膜を被洗浄物とする洗浄手段として、一定濃度のラジカルを生成するプラズマ発生装置と、 前記プラズマ発生装置が生成するラジカルの濃度を観測するプラズマ観測手段と、
前記プラズマ発生装置に供給される原料ガスの流量を制御するガス流量制御手段とを備え、
プラズマ観測手段によって観測された前記ラジカル濃度をもとに原料ガスの流量をフィードバック制御することにより、当該ラジカル濃度を一定濃度に保持することを特徴とするプラスチック廃材の再資源化装置。 - プラスチック廃材の付着物、および/または、プラスチック廃材に施された表面加飾膜を被洗浄物とする洗浄手段として、一定濃度のラジカルを生成するプラズマ発生装置と、
前記プラズマ発生装置が生成するラジカルの濃度を観測するプラズマ観測手段と、
前記プラズマ発生装置の電源の周波数を制御する周波数制御手段とを備え、
プラズマ観測手段によって観測された前記ラジカル濃度をもとに前記電源の周波数をフィードバック制御することにより、当該ラジカル濃度を一定濃度に保持することを特徴とするプラスチック廃材の再資源化装置。 - 以下の(a)または(b)を画像情報処理にて算出する光学的検出装置をプラズマ観測手段としてさらに備え、当該光学的検出装置からの出力を前記プラズマ発生装置の電源の出力制御、および/または、処理終了の判定に供することを特徴とする、請求項11または12に記載の装置。
(a)前記プラズマ発生装置から発生するプラズマジェットに起因する波長スペクトルの変化、
(b)プラスチック廃材の付着物および/またはプラスチック廃材に施された表面加飾膜に起因する波長スペクトルの変化。 - 被処理物上のプラズマ処理領域における気体温度、および/または、被処理物の表面温度を測定する温度検出装置をプラズマ観測手段としてさらに備え、当該温度検出装置からの出力を前記プラズマ発生装置の電源の出力制御、および/または、原料ガスの流量の制御に供することを特徴とする、請求項11〜13のいずれかに記載の装置。
- 被処理物と前記プラズマ発生装置におけるプラズマジェットの先端との距離を2〜30mmとしたことを特徴とする請求項11または12に記載の装置。
- 被処理物上のプラズマ処理領域における二次元的な温度分布を検出可能な温度検出装置をプラズマ観測手段としてさらに備え、当該温度検出装置からの出力を、前記被処理物と前記プラズマジェットの先端との距離、および/または、プラズマジェットの大きさの制御に供することを特徴とする請求項15に記載の装置。
- 以下の(a)または(b)を画像情報処理にて算出する光学的検出装置をプラズマ観測手段としてさらに備え、当該光学的検出装置からの出力を、前記被処理物と前記プラズマジェットの先端との距離、および/または、プラズマジェットの大きさの制御に供することを特徴とする請求項15に記載の装置。
(a)前記プラズマ発生装置から発生するプラズマジェットに起因する波長スペクトルの変化、
(b)プラスチック廃材の付着物および/またはプラスチック廃材に施された表面加飾膜に起因する波長スペクトルの変化。
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