JP4467982B2 - 画像化システムの収差を確定するための方法およびシステムと、この方法で使用するためのテストオブジェクトおよび検出器 - Google Patents
画像化システムの収差を確定するための方法およびシステムと、この方法で使用するためのテストオブジェクトおよび検出器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4467982B2 JP4467982B2 JP2003556855A JP2003556855A JP4467982B2 JP 4467982 B2 JP4467982 B2 JP 4467982B2 JP 2003556855 A JP2003556855 A JP 2003556855A JP 2003556855 A JP2003556855 A JP 2003556855A JP 4467982 B2 JP4467982 B2 JP 4467982B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- test object
- image
- mask
- characteristic
- test
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
- G03F7/706—Aberration measurement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
− テストオブジェクトを前記画像化システムの物体面に配置するステップと、
− 多数のテストオブジェクト画像を前記画像化システムと画像化ビームとによって形成するステップであって、各テストオブジェクト画像が、前記画像化システムの異なる焦点状態で形成される、前記ステップと、
− 前記画像化システムの分解能よりも大きい分解能を有する検出デバイスによって、前記テストオブジェクト画像を検出するステップと、
− 前記検出デバイスの出力信号を分析して、前記収差の異なる収差項の値を確定するステップと、
を有する、方法に関する。
− 前記テストオブジェクトを配置する前記ステップが、前記画像化システムの前記分解能と比較して小さい大きさを有する少なくとも1つのテストオブジェクト特性を含めるステップを有することと、
− 前記テストオブジェクト画像を検出する前記ステップが、テストオブジェクト特性のすべての画像について、そのテストオブジェクト特性に関連付けられる画像平面領域全体にわたる強度プロファイルを検出するステップを有し、当該画像平面領域が、前記テストオブジェクト特性の前記画像のエアリー分布の第一輪よりも実質的に大きいことと、
− 分析する前記ステップが、前記異なる収差項の結果としての点広がり関数の動径部分を含んでいる少なくとも一組の等式を解いて、これらの収差項を取得するステップを有すること、
を特徴とする。
− 前記画像化システムが一部を形成している装置と、
− 少なくとも1つのテストオブジェクト特性を有するテストオブジェクトと、
− 当該少なくとも1つのテストオブジェクト特性の前記画像フィールド内の前記強度分布を検出するための検出手段と、
− 当該強度分布を分析するための、前記検出手段に結合されている画像プロセッサと、
の組み合わせによって構成されている。このシステムは、前記画像プロセッサが、前記画像化システムが示すことのある異なるタイプの収差を確定するための、前記画像化システムの前記点広がり関数によって確定される当該分布に関する情報を処理するための分析手段、を有することを特徴とする。
− 直交座標において測定された前記観察された強度分布を、極座標と焦点条件の関数としての強度分布I(r, φ, f)に変換するステップと、
− 前記観察された画像強度のフーリエ展開Ψ(r, f)を確定するステップと、
− (r, f)空間内で、前記フーリエ展開Ψ(r, f)と前記収差の位相Φの内積を確定するステップと、
− 前述した前記ステップの結果であり、かつ前記異なる収差項からの結果となる点広がり関数の動径部分を含む、少なくとも一組の一次方程式を解いて、これらの収差項を取得するステップと
を有することを特徴とする。
− 当該層に形成されるデバイス形状に対応する形状を有する製造マスクパターンを形成するステップと、
− 制御されている投影システムによって、前記基板上にコーティングされたレジスト層に前記製造マスクパターンを画像化し、かつ、この層を現像することによって、前記製造マスクパターンに対応するパターン化されたコーティングを形成するステップと、
− 前記パターン化されたコーティングの前記パターンによって描かれる前記基板層の領域から材料を除去する、または前記基板層の領域に材料を追加するステップ、
の少なくとも1セットを有する、プロセスであって、
前記投影システムの制御が、前記投影システムの収差を検出するステップと、前記検出の結果に従って当該システムの要素を再設定するステップとを有する、プロセスに関する。このプロセスは、前記検出が、本文書において上述した前記方法によって実行されることを特徴とする。
によって定義される。この式において、n2は板材料の屈折率であり、n1は周囲の媒体の屈折率であり(一般的には空気であってn = 1)、λは投影ビームPBの波長である。
− 入力画像データから雑音を取り除くステップと、
− 例えば、微分によって、または、観察された各ピクセルの強度が所定のしきい値よりどれだけ低いかを確定することによって、画像の輪郭を確定するステップと、
− 観察された画像の強度分布の重心を確定するステップと、
を有する。
− 直交座標において測定された前記観察された強度を、極座標の関数としての強度、すなわちI(r, φ, f)に変換するステップと、
− 前記観察された画像強度のフーリエ展開Ψ(r, f)を確定するステップと、
− (r, f)空間内で、前記フーリエ展開Ψ(r, f)と前記収差の位相Φの内積を確定するステップと、
− 前述した前記ステップの結果であり、かつ前記異なる収差項からの結果となる点広がり関数の動径部分を含む、少なくとも一組の一次方程式を解いて、これらの収差項を取得するステップとによって確定される。
Xm n=4RE{imV00 *Vnm}
これらの式において、*は複素共役化(complex conjugation)を示す。この場合にも、理論上の強度パターンと観察された強度パターンとの間の一致が最適化される。これらの二組の一次方程式を解くことによって、βnm係数の虚数部分と実数部分とを取得することができる。
に単に修正することによって、有限のピンホール直径を分析において考慮できることが判明した。この式において、d=2πNA/λ*Dは、基準化された(scaled)、すなわち正規化された穴直径Dである。この等式は、テスト特性の半径が、画像化ビームの半径、従って画像化システムの瞳のうちこのビームによって照射される部分の半径と比較して小さい場合に成り立つ。リソグラフィー投影装置においては、この半径は容易に設定することができ、従ってこの条件は容易に満たすことができる。
に修正されるが、位相の取得手順は、本文書において上述されているものと同じである。新しい関数Vnmは、複素数の焦点ずれ値の処理を可能にする。従って、相対的に大きな直径のテスト特性を使用することができる。このことは、十分な信号対雑音比を得るために必要な露光線量を小さいままにしておくことができ、従って、実際にこの測定方法を容易に実行できることを意味する。
に修正することができる。この式において、関数b(z)は、波長λと、開口数NAと、テスト特性の大きさDとに依存する複素関数であり、テスト特性の大きさDについては明示的な分析手順が存在する。特に、λ、NA、およびDは、物理的な焦点ずれ値zに線形的に依存する。
本発明は、ステッピング型(stepping)リソグラフィー投影装置と照射されて、第一IC領域に画像化される。その後、次のIC領域がマスクパターンと投影システムの下に位置するまで、マスクパターンと基板が互いに相対的に動かされ、これによって1ステップが完了する。次いで、このIC領域がマスクパターンを介して照射されて、これによって次のステップが完了し、基板のすべてのIC領域にマスクパターンが画像化されるまで、同じステップが繰り返される。投影レンズシステムに課せられる、大きな開口数と大きな画像フィールドという要件を軽減するため、および/または、装置の分解能と画像フィールドとを増大させるためには、ステップアンドスキャン型装置が使用されることが好ましい。この装置においては、マスクパターンは1ステップでは全体が画像化されない。マスクパターンは、細長い長方形、または環状断片形状のビーム横断面を持つビームによって照射される。マスクパターンのすべての副領域が基板の対応する副領域に連続的に画像化されるように、投影システムの倍率を考慮しながら、マスクパターンと基板がシステムに対して同期的に動かされる。このような装置においては、一方向(例:X方向)における投影ビームの横断面はすでに小さいため、新規の方法のための最適な照射を得るためには、他方の方向(例:Y方向)におけるビーム横断面のみを低減すればよい。
点広がり関数の電界を計算するための基本式
点広がり関数の電界は、U(x, y)である。規格化された座標(x, y)に焦点をずらす媒介変数fを足したもの、及び側面及び軸方向における実空間画像の座標(x, y, z)の関係は、次の通りである。
対称性の仮定は、一般性を失うことなく行うことができる。全収差関数Aexp(iΦ)は、ゼルニケ多項式により、次のように表すことができる。
一般に、係数βnm (n≧m≧0、n-m偶数)は複素数である。点広がり関数Uの電界は、
によって与えられ、ここで、
整数nはm≧0かつn-m≧0であり、偶数に対し、
である。Vnmをベッセル級数で表記すると
となり、ここで、vijは
で与えられ、かつl=1,2,…,j=0,…,pである。式(5)において
とした。lについての無限級数に含まれる項の数Lには、次の規則が用いられる。
すなわち、Lが焦点をずらす媒介変数の三倍である時、絶対数の切り捨て誤差は10-6のオーダであると言う規則である。
収差の決定
観測された数値は、画像の明暗度I(x, y, z)=|U(x, y, z)|2である。通常、画像の明暗度は、長方形の座標に対して定義される。収差の検索には、以下の手順が実行される。
1.観測された画像の明暗度は、極座標I(r, φ, f)に変換される。
2.観測された画像の明暗度を用いてフーリエ展開が行われる。すなわち、
となる。
3.(r, f)空間において、内積、すなわち、
が定義される。
良好に補正されたレンズでは、式(2)におけるAは、1に等しく、かつ収差位相Φは、十分に小さくなるので、一次近似では、
となり、ここで、αnmは、Φにおける単一収差Rm n(ρ)=cosmφの係数であり、かつ、Iから推定されるべきである。これにより、
となるが、ここで、n=m+2l及びl=0,1,…である。
これは、
となる。
上述したように、Ψm m+2kを用いて式(13)の内積を取ることにより、数量αm、つまりゼルニケ係数を、方程式の線形系を解くことにより見出すことが出来る。式(13)の左辺の総和をLに限定すると、線形系(L+1)x(L+1)を解くことにより得られるΨm m+2lの線形結合は、Ψm m+2l ,l=0,…,Lの線形結合として、Ψmの最小二乗近似、すなわちLを与える。この解は、式(13)におけるL+1項を用いて、実験により得られた明暗度分析結果から得ることが出来る、最上の線形結合である。
MA マスク
MH マスクホルダ
MT マスクテーブル
W 基板
WH 基板ホルダ
WT 基板テーブル
LA 放射線源
LS レンズシステム
RE 反射器
CO 集光レンズ
PB 投影ビーム
MA マスク
PR レジスト層
C マスクパターン
Wd IC領域
M1, M2, P1, P2 位置合わせマーク
Si, S13, S'13, SAC 信号
SPU 信号処理ユニット
AC アクチュエータ
IP 空間強度分布
CI 円
PA 投影装置
DE 現像/エッチング装置
SEM 走査型電子顕微鏡
IP 画像処理デバイス
MO モニタ
10 開口
12 不透明な板または層
13, 13' 放射線感応検出器
14 基板
16, 26 グラフ
18 エアリー強度分布
20 中心ローブ
22, 24 サイドローブ
E' 電界ベクトル
wi 中心ローブ幅
28 不透明領域
30 透明層
32, 52 微細領域くぼみ
34 開口
35 クロム層
40 反射性領域
42 非反射性層
44 板またはマスク基板
48 非反射性領域
50, 54 反射性層
65〜70 環状領域
71 レジスト層
72〜80, 82〜89 露光領域
90 強度分布
100, 102〜105 スポット
107 円
109 領域
112 放射線感応検出器
114 リード線
116 開口
118 カバー層
120, 121 矢印
130 検出器
132 画像フィールド
134, 136 破線
140 複合検出器
141〜156, 161〜167 検出器要素
160 複合検出器
170〜174 基板領域
175 半導体放射線センサ
180 光学測定デバイス
182 基板
184〜188 センサ
192 メモリ
194 入力/出力インタフェース
196 電源
200 テストマスク
202 外側領域
203 認識マーク
204, 206 長方形
208 さらなる情報
210 照射ユニット
212 走査方向
214 支持部
216, 217, 218, 219, 220 ミラー
Claims (41)
- 光学画像化システムの収差を確定する方法であって、当該方法が、
− テストオブジェクトを前記画像化システムの物体面に配置するステップと、
− 多数のテストオブジェクト画像を前記画像化システムと画像化ビームとによって形成するステップであって、各テストオブジェクト画像が、前記画像化システムの異なる焦点状態で形成される、前記ステップと、
− 前記画像化システムの分解能よりも大きい分解能を有する検出デバイスによって、前記テストオブジェクト画像を検出するステップと、
− 前記検出デバイスの出力信号を分析して、前記収差の異なる収差項の値を確定するステップと、
を有する、方法において、
− 前記テストオブジェクトを配置する前記ステップが、前記画像化システムの前記分解能と比較して小さい大きさを有する少なくとも1つのテストオブジェクト特性を含めるステップを有することと、
− 前記テストオブジェクト画像を検出する前記ステップが、テストオブジェクト特性のすべての画像について、そのテストオブジェクト特性に関連付けられる画像平面領域全体にわたる強度プロファイルを検出するステップを有し、当該画像平面領域が、前記テストオブジェクト特性の前記画像のエアリー分布の第一輪よりも実質的に大きいことと、
− 前述した前記確定するステップの結果であり、かつ前記異なる収差項からの結果となる点広がり関数の動径部分を含む、少なくとも一組の一次方程式を解いて、これらの収差項を取得するステップを有することと、
を特徴とする、方法。 - テストオブジェクト画像を形成する前記ステップが、前記テストオブジェクト特性の前記大きさよりも実質的に大きい相互距離に配置されているテストオブジェクト特性の行列を画像化するステップを有することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- テストオブジェクト画像を形成する前記ステップが、レジスト層にテストオブジェクト画像を形成するステップを有することと、この層が、現像されることと、前記現像された画像が、走査型検出デバイスによって検出されることとを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 前記レジスト層を現像する前に、各テストオブジェクト特性のための基準特性を前記レジスト層に画像化する、追加のステップ、を特徴とする、請求項3に記載の方法。
- 前記追加のステップが、各テストオブジェクト特性の前記画像フィールドの中心に点形状の基準特性を形成するステップを有することを特徴とする、請求項4に記載の方法。
- 前記追加のステップが、各テストオブジェクト特性の前記画像フィールドの縁に円形の基準特性を形成するステップを有することを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- 前記追加のステップが、各テストオブジェクト特性の前記画像フィールド内に、複数組の向かい合う線状の基準特性を形成するステップを有することを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- テストオブジェクト画像を形成する前記ステップが、放射線感応検出器上に空中像を形成するステップを有することを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- テストオブジェクト画像を形成する前記ステップが、各テストオブジェクト特性の空中像を個別の検出器領域上に同時に形成するステップを有することを特徴とする、請求項8に記載の方法。
- 製造マスク内に存在しているマスクパターンをレジスト層が設けられている製造基板上に投影するのに適しているリソグラフィー投影装置における収差を検出するための、請求項1〜9のいずれかに記載の方法において、少なくとも1つのテストオブジェクト特性を有するマスクが、前記投影装置内の前記製造マスクの位置に配置されていることと、レジスト層または放射線感応検出デバイスのいずれかが、前記製造基板の位置に配置されていることとを特徴とする、方法。
- テストマスクの一部を形成しているテストオブジェクトが使用されることを特徴とする、請求項10に記載の方法。
- 製造マスクの一部を形成しているテストオブジェクトが使用されることを特徴とする、請求項10に記載の方法。
- 請求項1〜12のいずれかに記載の方法を実行するためのシステムであって、当該システムが、
− 前記画像化システムが一部を形成している装置と、
− 少なくとも1つのテストオブジェクト特性を有するテストオブジェクトと、
− 当該少なくとも1つのテストオブジェクト特性の前記画像内の前記強度分布を検出するための検出手段と、
− 当該強度分布を分析するための、前記検出手段に結合されている画像プロセッサと、
の組み合わせによって構成されているシステムにおいて、
前記画像プロセッサが、前記画像化システムが示すことができる異なるタイプの収差を確定するための、前記画像化システムの前記点広がり関数によって確定される当該分布に関する情報を処理するための分析手段、を有することを特徴とする、システム。 - 前記検出手段が、前記少なくとも1つのテストオブジェクト特性の画像を受けるためのレジスト層と、前記レジスト層に形成されかつ現像されている前記テストオブジェクト特性の画像を走査するための走査型検出デバイスとを有することを特徴とする、請求項13に記載のシステム。
- 前記検出手段が、前記少なくとも1つのテストオブジェクト特性の空中像を受信するための放射線感応検出器を有することを特徴とする、請求項13に記載のシステム。
- 前記検出器が、点走査型検出器であることを特徴とする、請求項15に記載のシステム。
- 前記テストオブジェクトが、多数のテストオブジェクト特性を有することと、前記検出器が、放射線感応部材と、前記テストオブジェクト内のテスト特性の数に対応する数の透明な点状領域とを有する走査型複合検出器であることとを特徴とする、請求項15に記載のシステム。
- 前記放射線感応部材が、すべての透明領域をカバーする1つの要素であることを特徴とする、請求項17に記載のシステム。
- 前記放射線感応部材が、前記透明領域の数に対応する数の副部材から成ることを特徴とする、請求項17に記載のシステム。
- 前記対応する副部材の中心に対しての透明領域の位置が、前記透明領域と副部材の複数の対ごとに異なることを特徴とする、請求項19に記載のシステム。
- 前記複数の透明領域が、前記画像化システムから異なる距離に配置されていることを特徴とする、請求項19に記載のシステム。
- マスク内に存在する製造マスクパターンを基板上に画像化するためのリソグラフィー投影装置であって、当該装置が、投影ビームを供給するための照射ユニットと、マスクを収納するためのマスクホルダと、前記基板を収納するための基板ホルダとを有し、当該装置が、請求項1〜12のいずれかに記載の方法を実行するように適合化されている、リソグラフィー投影装置において、前記画像化システムが、前記マスクホルダと前記基板ホルダの間に配置されている投影システムによって構成されていることと、前記方法を実行している間、前記投影ビームが画像化ビームとして使用されることと、前記照射ユニットが、前記方法を実行している間、前記投影ビームの横断面の直径を、前記製造マスクパターンの投影時における前記投影ビームの横断面の直径よりも小さい値に縮小するための手段を有することとを特徴とする、リソグラフィー投影装置。
- マスク内に存在する製造マスクパターンを基板上に画像化するためのリソグラフィー投影装置であって、当該装置が、投影ビームを供給するための照射ユニットと、マスクを収納するためのマスクホルダと、前記基板を収納するための基板ホルダと、前記マスクホルダと前記基板ホルダの間に配置されている投影システムとを有し、当該装置が、請求項1〜12のいずれかに記載の方法を実行するように適合化されている、リソグラフィー投影装置において、当該リソグラフィー投影装置が、請求項15〜21のいずれかに記載の、空中像を検出する放射線感応検出器を有することを特徴とする、リソグラフィー投影装置。
- 請求項1〜12のいずれかに記載の方法で使用するための測定デバイスにおいて、当該測定デバイスが、製造基板の形状と寸法を有し、かつ、電子信号処理手段と、電源手段と、インタフェース手段と、デルタテスト特性の画像内の強度プロファイルを検出するための少なくとも1つの検出器とを有することを特徴とする、測定デバイス。
- 前記検出器が、点走査型検出器であることを特徴とする、請求項24に記載の測定デバイス。
- 前記検出器が、放射線感応部材と、多数の透明な点状領域とを有する複合検出器であることとを特徴とする、請求項24に記載の測定デバイス。
- 前記放射線感応部材が、すべての透明領域をカバーする1つの要素であることを特徴とする、請求項26に記載の測定デバイス。
- 前記放射線感応部材が、前記透明領域の数に対応する数の副部材から成ることを特徴とする、請求項26に記載の測定デバイス。
- 前記対応する副部材の中心に対しての透明領域の位置が、前記透明領域と副部材の複数の対ごとに異なることを特徴とする、請求項26に記載の測定デバイス。
- 前記複数の透明領域が、異なる高さに配置されていることを特徴とする、請求項26に記載の測定デバイス。
- 請求項1〜12のいずれかに記載の、テストオブジェクトに関する特徴的な形状のうちの1つ以上を有する、テストオブジェクト。
- テストマスクとして実施されており、かつ、前記マスクの表面の一部を形成している外側領域が、各テストオブジェクト特性を囲んでいる、請求項31に記載のテストオブジェクトにおいて、各外側領域に認識マークが形成されていることを特徴とする、テストオブジェクト。
- 請求項31または32に記載のテストオブジェクトにおいて、各テストオブジェクト特性に対して、視野移動マークが、前記テストオブジェクト特性と前記外側領域の間の中間領域に配置されていることを特徴とする、テストオブジェクト。
- 請求項31、32、または33に記載のテストオブジェクトにおいて、各テストオブジェクト特性に対して、前記テストオブジェクト特性、および/または、前記マスク表面上のその位置、に関する情報を有するさらなるマークが、前記テストオブジェクト特性の前記外側領域に配置されていることを特徴とする、テストオブジェクト。
- 請求項31〜34のいずれかに記載のテストオブジェクトにおいて、当該テストオブジェクトが、振幅構造を有することを特徴とする、テストオブジェクト。
- 請求項31〜34のいずれかに記載のテストオブジェクトにおいて、当該テストオブジェクトが、位相構造を有することを特徴とする、テストオブジェクト。
- 請求項35または36に記載のテストオブジェクトにおいて、当該テストオブジェクトが、透過性オブジェクトであることを特徴とする、テストオブジェクト。
- 請求項35または36に記載のテストオブジェクトにおいて、当該テストオブジェクトが、反射性オブジェクトであることを特徴とする、テストオブジェクト。
- 画像化システムによって形成されるテストオブジェクトの画像における強度分布を表すデータストリームから、前記画像化システムの収差の異なる収差項を取得するための取得方法であって、当該方法が、
− 直交座標において測定された前記観察された強度分布を、極座標と焦点条件の関数としての強度I(r,φ,f)に変換するステップと、
− 前記観察された画像強度のフーリエ展開Ψ(r,f)を確定するステップと、
− (r,f)空間内で、前記フーリエ展開Ψ(r,f)と前記収差の位相(Φ)の内積を確定するステップと、
− 前述した前記内積を確定するステップの結果であり、かつ前記異なる収差項からの結果となる点広がり関数の動径部分を含む、少なくとも一組の一次方程式を解いて、これらの収差項を取得するステップ、
を有することを特徴とする、取得方法。 - 請求項39の取得方法を実行するためのソフトウェアを有するコンピュータプログラム。
- デバイス基板の少なくとも1つの基板層にデバイス形状を有するデバイスを製造するプロセスであって、当該プロセスが、以下の連続するステップ、すなわち、
− 当該層に形成されるデバイス形状に対応する形状を有する製造マスクパターンを形成するステップと、
− 制御されている投影システムによって、前記基板上にコーティングされたレジスト層に前記製造マスクパターンを画像化し、かつ、この層を現像することによって、前記製造マスクパターンに対応するパターン化されたコーティングを形成するステップと、
− 前記パターン化されたコーティングの前記パターンによって描かれる前記基板層の領域から材料を除去する、または前記基板層の領域に材料を追加するステップ、
の少なくとも1セットを有する、プロセスであって、
前記投影システムの制御が、前記投影システムの収差を検出するステップと、前記検出の結果に従って当該システムの要素を再設定するステップとを有する、プロセスにおいて、
前記検出が、請求項1〜12のいずれかに記載の方法によって実行されることを特徴とする、プロセス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP01205085 | 2001-12-24 | ||
PCT/IB2002/001485 WO2003056392A1 (en) | 2001-12-24 | 2002-05-03 | Determining the aberrations of an imaging system |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005513809A JP2005513809A (ja) | 2005-05-12 |
JP2005513809A5 JP2005513809A5 (ja) | 2009-03-19 |
JP4467982B2 true JP4467982B2 (ja) | 2010-05-26 |
Family
ID=8181508
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003556855A Expired - Lifetime JP4467982B2 (ja) | 2001-12-24 | 2002-05-03 | 画像化システムの収差を確定するための方法およびシステムと、この方法で使用するためのテストオブジェクトおよび検出器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7423739B2 (ja) |
EP (1) | EP1461666A1 (ja) |
JP (1) | JP4467982B2 (ja) |
KR (1) | KR100847154B1 (ja) |
TW (1) | TWI266862B (ja) |
WO (1) | WO2003056392A1 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6807503B2 (en) * | 2002-11-04 | 2004-10-19 | Brion Technologies, Inc. | Method and apparatus for monitoring integrated circuit fabrication |
EP1581836A2 (en) * | 2002-12-30 | 2005-10-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of measuring the performance of an illumination system |
US7053355B2 (en) | 2003-03-18 | 2006-05-30 | Brion Technologies, Inc. | System and method for lithography process monitoring and control |
DE10335982A1 (de) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Zounek, Alexis Dr. | Verfahren und Vorrichtung zur Überprüfung der Abbildungseigenschaften von Fotomasken |
KR100855074B1 (ko) * | 2003-12-09 | 2008-08-29 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치용 센서 및 측정치들을 획득하는 방법 |
KR20070019976A (ko) * | 2004-02-23 | 2007-02-16 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 이미지 블러 관련 파라미터 결정 방법, 마스크 패턴 설계방법, 컴퓨터 프로그램 및 이미지 블러 관련 파라미터 결정디바이스 |
US7518712B2 (en) * | 2004-05-12 | 2009-04-14 | Edmund Optics, Inc. | Tilted edge for optical-transfer-function measurement |
WO2005119368A2 (en) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Carl Zeiss Smt Ag | System for measuring the image quality of an optical imaging system |
US20060072097A1 (en) * | 2004-10-06 | 2006-04-06 | Zach Franz X | Method for characterization of the illuminator in a lithographic system |
US7519940B2 (en) | 2005-05-02 | 2009-04-14 | Cadence Design Systems, Inc. | Apparatus and method for compensating a lithography projection tool |
BRPI0619872A2 (pt) * | 2005-12-15 | 2011-10-25 | Koninkl Philips Electronics Nv | dispositivo, métodos para produzir um dispositivo, para testar um meio de produção de ci e para testar um processo de fabricação de ci, e, sistema |
JP2008177064A (ja) | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査型荷電粒子顕微鏡装置および走査型荷電粒子顕微鏡装置で取得した画像の処理方法 |
TWI398338B (zh) * | 2008-04-03 | 2013-06-11 | Nat Applied Res Laboratories | 光學模仁加工補償方法 |
DE102010014215A1 (de) * | 2010-04-08 | 2011-10-13 | Chrosziel Gmbh | Verfahren und System zum Bestimmen von optischen Eigenschaften eines Linsensystems |
DE102012204704A1 (de) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Messvorrichtung zum Vermessen einer Abbildungsgüte eines EUV-Objektives |
TWI510059B (zh) * | 2012-05-29 | 2015-11-21 | Giga Byte Tech Co Ltd | 色差測試治具、色差測試介面裝置與色差測試方法 |
JP2014035326A (ja) * | 2012-08-10 | 2014-02-24 | Toshiba Corp | 欠陥検査装置 |
CN103207023B (zh) * | 2013-03-18 | 2015-06-10 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 相位复原测试过程中消除系统误差的绝对标定方法 |
DE102014210641B4 (de) | 2014-06-04 | 2020-12-10 | Carl Zeiss Ag | Testobjekt, Verwendung eines Testobjekts sowie Einrichtung und Verfahren zur Messung der Punktbildfunktion eines optischen Systems |
DE102017101824A1 (de) * | 2017-01-31 | 2018-08-02 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zum Bestimmen einer Abweichung auf einem Verschiebeweg einer Zoom-Optik und Verfahren zur Korrektur sowie Bildaufnahmevorrichtung |
TWI631600B (zh) * | 2017-05-26 | 2018-08-01 | 緯創資通股份有限公司 | 光學裝置 |
EP3731020A1 (en) * | 2019-04-25 | 2020-10-28 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, computer program and lithographic system |
DE102019206651B4 (de) * | 2019-05-08 | 2022-10-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum dreidimensionalen Bestimmen eines Luftbildes einer Lithographiemaske |
WO2021026515A1 (en) * | 2019-08-07 | 2021-02-11 | Agilent Technologies, Inc. | Optical imaging performance test system and method |
RU2730101C1 (ru) * | 2019-10-09 | 2020-08-17 | Публичное акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королёва" | Способ определения разрешающей способности оптико-электронной аппаратуры дистанционного зондирования |
US11340531B2 (en) * | 2020-07-10 | 2022-05-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Target control in extreme ultraviolet lithography systems using aberration of reflection image |
CN113465885B (zh) * | 2021-06-18 | 2024-04-26 | 深圳市鼎鑫盛光学科技有限公司 | 一种贝塞尔玻璃切割头光束质量测试系统 |
CN116399451B (zh) * | 2023-05-29 | 2023-08-11 | 长春理工大学 | 一种适用于平面对称光学系统的偏振像差简化获取方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5866911A (en) * | 1994-07-15 | 1999-02-02 | Baer; Stephen C. | Method and apparatus for improving resolution in scanned optical system |
JP3297545B2 (ja) | 1994-09-02 | 2002-07-02 | キヤノン株式会社 | 露光条件及び投影光学系の収差測定方法 |
KR0146172B1 (ko) | 1995-03-24 | 1998-08-01 | 김주용 | 노광장치의 렌즈 비점수차 측정방법 |
GB9820664D0 (en) * | 1998-09-23 | 1998-11-18 | Isis Innovation | Wavefront sensing device |
US20020041377A1 (en) * | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
-
2002
- 2002-05-03 JP JP2003556855A patent/JP4467982B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-05-03 WO PCT/IB2002/001485 patent/WO2003056392A1/en active Application Filing
- 2002-05-03 US US10/499,271 patent/US7423739B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-05-03 EP EP02727833A patent/EP1461666A1/en not_active Withdrawn
- 2002-05-03 KR KR1020047009979A patent/KR100847154B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-05-15 TW TW091110169A patent/TWI266862B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7423739B2 (en) | 2008-09-09 |
JP2005513809A (ja) | 2005-05-12 |
KR20040070271A (ko) | 2004-08-06 |
TWI266862B (en) | 2006-11-21 |
KR100847154B1 (ko) | 2008-07-17 |
WO2003056392A1 (en) | 2003-07-10 |
US20050117148A1 (en) | 2005-06-02 |
EP1461666A1 (en) | 2004-09-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4467982B2 (ja) | 画像化システムの収差を確定するための方法およびシステムと、この方法で使用するためのテストオブジェクトおよび検出器 | |
JP2005513809A5 (ja) | ||
US6368763B2 (en) | Method of detecting aberrations of an optical imaging system | |
KR100528745B1 (ko) | 광학 결상 시스템의 수차 검출 방법, 시스템 및리소그래픽 투사 장치 | |
US7075651B2 (en) | Image forming characteristics measuring method, image forming characteristics adjusting method, exposure method and apparatus, program and storage medium, and device manufacturing method | |
KR100927560B1 (ko) | 이미지 형성 상태 조정 시스템, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 프로그램 및 정보 기록 매체 | |
KR100562190B1 (ko) | 리소그래피장치의 투영시스템의 수차를 측정하는 방법,디바이스제조방법, 및 그 제조된 디바이스 | |
US7088426B2 (en) | Projection optical system adjustment method, prediction method, evaluation method, adjustment method, exposure method and exposure apparatus, program, and device manufacturing method | |
TWI256484B (en) | Method of measuring aberration in an optical imaging system | |
TW200305197A (en) | Manufacturing method of exposure apparatus, adjustment method of exposure apparatus, and exposure method | |
JP6744984B2 (ja) | 波面の可変コレクタ | |
JP6917477B2 (ja) | リソグラフィ装置及びリソグラフィ方法 | |
US20040156041A1 (en) | Method and apparatus for measuring optical characteristic, and projection exposure apparatus using the same | |
JP3742242B2 (ja) | 収差評価方法 | |
KR20050090429A (ko) | 조명 시스템의 성능 측정 방법, 그를 실행하는 시스템,측정 디바이스, 테스트 객체, 디바이스 제조 공정,리소그래피 투사 장치 및 디바이스 | |
JP3673783B2 (ja) | 収差計測方法及び投影露光装置 | |
JP2005158829A (ja) | 波面収差計測方法及び装置、並びに露光装置 | |
CN112484658A (zh) | 检测物体结构的方法和实行该方法的设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050414 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060801 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080617 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080917 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080925 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20081216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100113 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100204 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100224 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 3 |