JP4467115B2 - 高周波用部品の接続構造 - Google Patents
高周波用部品の接続構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4467115B2 JP4467115B2 JP35453199A JP35453199A JP4467115B2 JP 4467115 B2 JP4467115 B2 JP 4467115B2 JP 35453199 A JP35453199 A JP 35453199A JP 35453199 A JP35453199 A JP 35453199A JP 4467115 B2 JP4467115 B2 JP 4467115B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency
- connection structure
- frequency component
- conductor
- connection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は情報通信分野や半導体分野等における半導体素子等の電子部品や半導体装置あるいは半導体パッケージ・配線基板等の高周波用部品同士の間で高周波信号を伝搬するための相互接続に使用される高周波用部品の接続構造に関し、特に高周波用部品同士をいわゆるフリップチップ実装により接続する際の接続部における高周波電気特性を改善した高周波用部品の接続構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、高周波用部品である半導体装置をフリップチップ実装にて同じく高周波用部品である高周波用配線基板に接続した構造として、例えば図４に断面図で示したような接続構造がある。
【０００３】
図４において、１は高周波用半導体素子、６は高周波用配線基板である。高周波用半導体素子１は例えば誘電体から成る基体２の上面に接地導体３が、また下面に高周波信号を伝送する線路導体４が形成されており、線路導体４の両方の先端にはそれぞれ高周波用入出力部である接続パッド５ａ・５ｂが設けられている。
【０００４】
一方、高周波用配線基板６は複数の誘電体層７ａ・７ｂ・７ｃを積層して成る基体７の内部および下面に複数の接地導体８ａ・８ｂ・８ｃが、上面に２つの線路導体９ａ・９ｂが形成されており、線路導体９ａ・９ｂのそれぞれの一方の先端には、高周波用半導体素子１の線路導体４の両端の接続パッド５ａ・５ｂに対応した高周波用入出力部である接続パッド10ａ・10ｂが設けられている。
【０００５】
そして、高周波用配線基板６の上面に高周波用半導体素子１をこれら互いの線路導体４および９ａ・９ｂの高周波用入出力部である接続パッド５ａ・５ｂおよび10ａ・10ｂ同士を向かい合わせにして載置し、それぞれの接続パッド５ａ・５ｂと接続パッド10ａ・10ｂとの間を導電性接続部材、例えば金属バンプ11ａ・11ｂにより接続している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来の高周波用部品の接続構造では、高周波用半導体素子１の線路導体４が高周波用配線基板６の複数の接地導体８ａ〜８ｃに対向することとなるため、高周波用半導体素子１の線路導体４を伝搬する高周波信号がこの複数の接地導体８ａ〜８ｃのそれぞれに対応する電界分布を有することとなる。その結果、電界分布が一様でないために高周波用半導体素子１の線路導体４を伝搬する高周波信号の特性インピーダンスが設計値から大きく異なる値を有することとなり、また、線路導体４と９ａ・９ｂとの接続部において電気的な不連続性による高周波信号の反射や放射損失が生じてしまうこととなって、接続構造における電気的特性の劣化をもたらすという問題点があった。
【０００７】
これに対し、このような電気的特性の劣化を軽減するための構成として、例えば特開平９−260426号公報には、図５に図４と同様の断面図で示すような高周波用部品の接続構造が開示されている。
【０００８】
図５において図４と同様の箇所には同じ符号を付してある。この構成においては、高周波用配線基板６の基体７について、高周波用半導体素子１の線路導体４と対向する部位の誘電体層７ｃを形成しないものとして、その部位に誘電体が存在しない凹部12を設けている。
【０００９】
このような構成によれば、高周波用半導体素子１の線路導体４から高周波用配線基板６の接地導体８ａ〜８ｃのうち接地導体８ｃへの電界分布が低減されることとなるために、この線路導体４を伝搬する高周波信号の特性インピーダンスが設計した値から大きく異なることがなくなり、特性インピーダンスを設計値のまま維持して整合させることが可能となるというものである。
【００１０】
しかしながら、特開平９−260426号公報に提案された高周波用部品の接続構造においては、凹部12の厚み（深さ）を必要以上の大きさに設けると、高周波信号が高周波用半導体素子１の接地導体３と高周波用配線基板６の接地導体８ｃとの間を平行平板モードで伝搬することとなり、高周波用半導体素子１の入出力間のアイソレーションが悪化するために高周波半導体素子１が発振してしまい正常に動作しなくなるという問題点もあり、そのような悪影響を防止するための凹部12の厚みの制御が難しいという問題点もあった。
【００１１】
本発明は上記従来技術における問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、フリップチップ実装により接続した高周波用部品の接続構造における高周波信号の電気的特性を改善することができるとともに、製造上の困難性がなく、良好な電気的特性の接続部を安定して得ることができる高周波用部品の接続構造を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の高周波用部品の接続構造は、第１の基体の上面側に接地導体が形成されているとともに前記第１の基体の下面側に第１の接続部を先端に有する高周波信号伝送用の線路導体が形成された第１の高周波用部品と、複数の誘電体層を積層して成る第２の基体の下面側に複数の接地導体が形成されているとともに前記第２の基体の上面側に前記第１の接続部に対応した第２の接続部を先端に有する高周波信号伝送用の線路導体が形成された第２の高周波用部品と、を対向させるとともに、前記第１の接続部と前記第２の接続部とを導電性接続部材により電気的に接続した高周波用部品の接続構造であって、前記第２の高周波用部品の前記誘電体層のうち最上面側から少なくとも１層の誘電体層の前記第１の高周波用部品の線路導体と対向する部位に複数の穴を設け、該複数の穴の少なくとも１つの内部に接地導体を形成したことを特徴とするものである。
【００１４】
本発明の高周波用部品の接続構造によれば、第１の高周波用部品の線路導体を伝搬する高周波信号について最小作用の法則に従い生じていた第２の高周波用部品の接地導体へ向かう電界成分が、誘電体層に複数の穴を設けたことにより第２の高周波用部品の接地導体との間の見かけの誘電率が低下するために第１の高周波用部品の接地導体に向かう成分に比べて弱い成分しか向かわないこととなるため、従来の接続構造に比べて第１の高周波用部品の線路導体からの電界分布が設計された電界分布に近付くこととなる。これにより、従来の接続構造のように第１の高周波用部品の線路導体を伝搬する高周波信号が第２の高周波用部品の接地導体への電界分布を強く有する場合と比較して、電気的な不連続性による高周波信号の反射や放射損失を軽減することができ、その結果、電気的特性を向上させることができるので、良好な電気的特性を有する高周波信号の接続を行なうことができる高周波用部品の接続構造となる。
【００１５】
また、本発明の高周波用部品の接続構造によれば、特開平９−260426号公報に開示された高周波用部品の接続構造と比較しても同等以上の良好な電気的特性を得ることができるうえ、複数の穴の位置・大きさ・深さ等を適宜設定することにより高周波信号の第２の高周波用部品の接地導体に対する電界分布を任意に調整して所望の良好な電気的特性を得ることができることから、特に高精度を要求しない複数の穴を設けるだけで良いので、従来周知の製造方法、例えばグリーンシート積層法等により接続構造の仕様に応じて第２の高周波用部品を容易に製造することができ、良好な電気的特性を有する接続構造を安定して得ることができる高周波用部品の接続構造となる。
【００１６】
さらに、本発明の高周波用部品の接続構造によれば、上記構成において、前記複数の穴のうち少なくとも１つの内部に接地導体を形成した場合には、特開平９−260426号公報に開示された高周波用部品の接続構造と比較して、平行平板モードや表面波の発生を容易に抑制することができるので、第１の高周波用部品における接続部間のアイソレーションを良好に保つことが可能となる。その結果、第１の高周波用部品において高周波信号の発振が発生することがなくなって安定に正常動作させることができ、良好な電気的特性を有する高周波信号の接続を行なうことができる高周波用部品の接続構造となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明を詳細に説明する。図１は本発明の高周波用部品の接続構造の実施の形態の一例を示す断面図である。
【００１８】
図１において、21は第１の高周波用部品としての高周波用半導体素子、26は第２の高周波用部品としての高周波用配線基板である。高周波用半導体素子21は第１の基体である基体22を具備している。基体22の上面側、この例では上面に接地導体23が形成されている。また基体22の下面側、この例では下面に高周波信号を伝送する線路導体24が形成されており、線路導体24の両方の先端には高周波信号の第１の接続部（高周波用入出力部）である接続パッド25ａ・25ｂが設けられている。
【００１９】
なお、この接地導体23および線路導体24は、これら接地導体23と線路導体24とにより高周波信号を伝送するための接地導体および線路導体として機能するものであれば、いずれもその一部が基体22の内部に形成された、いわゆる内層化されたものであってもよい。また、線路導体24は複数形成されていてもよく、両側に同一面接地導体を設けたコプレーナ線路構造であってもよい。
【００２０】
また、接地導体23は通常は基体22の裏面側の略全面に形成されるが、線路導体24により高周波信号を伝送するための接地導体として機能するものであれば、線路導体24に対応した必要な部分のみに形成しておけばよい。
【００２１】
一方、高周波用配線基板26は、例えば複数の誘電体層27ａ・27ｂ・27ｃを積層して成る第２の基体である基体27を具備している。基体27の下面側、すなわち内部および下面に複数の接地導体28ａ・28ｂ・28ｃが形成されている。また基体27の上面側、この例では上面に２つの線路導体29ａ・29ｂが形成されており、線路導体29ａ・29ｂのそれぞれの一方の先端には、高周波用半導体素子21の線路導体24の両端の接続パッド25ａ・25ｂに対応した高周波信号の第２の接続部（高周波用入出力部）である接続パッド30ａ・30ｂが設けられている。
【００２２】
なお、基体27をなす複数の誘電体層27ａ・27ｂ・27ｃはそれぞれ別体として形成した後、はんだ接合等の従来周知の製造方法により一体化したものであってもよく、特に限定されるものではない。また、高周波用配線基板26としては、このように複数の誘電体層27ａ〜27ｃを積層して成る多層配線基板の上面に、さらに誘電体基板（誘電体層）を積層して構成したものであってもよい。
【００２３】
高周波用配線基板26における線路導体29ａ・29ｂは、高周波用半導体素子21の線路導体24と対向する位置には配設されておらず、線路導体24が高周波用配線基板26の接地導体28ａ〜28ｃに対向するように形成されている。また、この線路導体29ａ・29ｂもその一部が基体27の内部に形成されていわゆる内層化されていてもよく、線路導体24に対応してさらに複数形成されていてもよく、両側に同一面接地導体を設けたコプレーナ線路構造であってもよい。
【００２４】
また、接地導体28ａ〜28ｃも通常は基体27の裏面側の略全面に形成されるが、線路導体29ａ・29ｂにより高周波信号を伝送するための接地導体として機能するものであれば、線路導体29ａ・29ｂに対応した必要な部分のみに形成しておけば良い。
【００２５】
高周波用半導体素子21は、高周波用配線基板26の上面にこれら互いの線路導体24・29ａ・29ｂの接続パッド25ａ・25ｂおよび30ａ・30ｂ同士を向かい合わせにして載置し、それぞれの接続パッド25ａ・25ｂと接続パッド30ａ・30ｂとの間を導電性接続部材、例えば金属バンプ31ａ・31ｂにより接続している。
【００２６】
なお、接続部における良好な接続状態を得るために、それぞれの線路導体24・29ａ・29ｂの先端の接続パッド25ａ ・25ｂ・30ａ・30ｂの両側の基体22・27の表面に接地用パッドを設けて、これらを金属バンプ31ａ・31ｂと同様の金属バンプにより電気的に接続するようにしてもよい。
【００２７】
そして、32は高周波用配線基板26の複数の誘電体層27ａ〜27ｃのうち最上面側から少なくとも１層、この例では２層の誘電体層27ｃおよび27ｂの高周波用半導体素子21の線路導体24と対向する部位に設けた複数の穴であり、ここでは線路導体24に沿って８つの穴32ａ〜32ｈを設けた例を示している。
【００２８】
なお、このような複数の穴32の位置・形状・大きさ・長さ等は所望の電界分布が得られるように適宜設定すればよいが、例えば、比誘電率εrの配線基板に半径ｒの円形の穴32を縦横同一ピッチｐで格子状に配列した場合（ただし、２ｒ＜ｐ）であれば、見かけの誘電率は概略でεr−（εr−１）・π（ｒ／ｐ）2となるので、これにしたがって所望の電界分布が得られるように穴を設ければよい。また、その断面形状は円形の他にも楕円形や四角形等の種々の形状とすることができる。
【００２９】
本発明の高周波用部品の接続構造によれば、このように第２の高周波用部品である高周波用配線基板26の基体27を構成する複数の誘電体層27ａ〜27ｃのうち、最上面側から少なくとも１層の誘電体層27ｂ・27ｃに対して、高周波用半導体素子21の線路導体24と対向する部位に複数の穴32ａ〜32ｈを設けたことにより、従来の接続構造では接続パッド25ａ・25ｂ・30ａ・30ｂ近傍を初めとして最小作用の法則に従って高周波用半導体素子21の線路導体24から高周波用配線基板26の上面側に位置する接地導体28ｃおよび28ｂへ向かっていた電界成分が、複数の穴32ａ〜32ｈによりその間の見かけの誘電率が低下するために高周波用半導体素子21の接地導体23に向かう成分に比べて弱い成分しか向かわないこととなるため、高周波用半導体素子21の線路導体24からの電界分布が設計された電界分布に近付くこととなる。これにより、電気的な不連続性による高周波信号の反射や放射損失を低減することができて電気的特性を向上させることができ、良好な電気的特性を有する高周波信号の接続を行なうことができる。
【００３０】
なお、この例では高周波用配線基板26の接地導体28ｃは、高周波用半導体素子21の線路導体24と対向する部位には形成していないものを示したが、従来のように接地導体28ｃも略全面にわたって形成しておき、複数の穴32が誘電体層27ｂ・27ｃとともにこの接地導体28ｃも貫通するようにしておいてもよく、この場合も複数の穴32によって電界分布を所望の分布に調整することができる。
【００３１】
次に、図２に本発明の高周波用部品の接続構造の実施の形態の他の例を図１と同様の断面図で示す。
【００３２】
図２において図１と同様の箇所には同じ符号を付してあり、21は高周波用半導体素子、22は基体、23は接地導体、24は線路導体、25ａ・25ｂは接続パッドである。また、26は高周波用配線基板、27は基体（27ａ〜27ｃは誘電体層）、28ａ〜28ｃは複数の接地導体、29ａ・29ｂは線路導体、30ａ・30ｂは接続パッドであり、31ａ・31ｂは金属バンプである。
【００３３】
そして、この例では図１の例と同じく高周波用配線基板26をなす複数の誘電体層27ａ〜27ｃのうち、最上面側の２層の誘電体層27ｂ・27ｃに複数の穴32（32ａ〜32ｈ）を設けるとともに、さらにその穴32のうちここでは両端の穴32ａおよび32ｈの内部に、高周波用配線基板26の接地導体28ｂに接続した接地導体33ａ・33ｂを形成している。
【００３４】
このような本発明の高周波部品の接続構造によれば、特開平９−260426号公報に開示された高周波用部品の接続構造と比較して、平行平板モードや表面波の発生を容易に抑制することができるので、高周波用半導体素子21における接続部間、すなわち接続パッド25ａ・25ｂ間のアイソレーションを良好に保つことが可能となる。その結果、高周波半導体素子21が発振することがなくなり、安定に正常動作させることができ、良好な電気的特性を有する高周波信号の接続を行なうことができる。
【００３５】
なお、穴32の内部に形成する接地導体33は、図２に示したように穴32の内部を充填して形成したいわゆるビア導体のようなものの他にも、穴32の内壁に被着形成したいわゆるスルーホール導体のようなものであってもよい。また、穴32のうちどの箇所に形成するかは所望の高周波電気特性が得られるように選択すればよく、その大きさや形状は穴32のそれに準じたものとすればよい。また、この接地導体33は、高周波用配線基板26の接地導体28ａ〜28ｃに接続して接地する他にも、配線基板26の下面側に導出して外部の接地導体に直接接続して接地してもよい。
【００３６】
【実施例】
次に、本発明の高周波用部品の接続構造について具体例を説明する。
まず、第１の高周波用部品として厚み100μｍのＧａＡｓ基板に形成されたＭＭＩＣ（Microwave Monolithic Integrated Circuits）の増幅器を用意した。
【００３７】
一方、比誘電率が9.6で厚みが200μｍの誘電体基板（誘電体層）と、比誘電率が4.8で１層あたりの厚みが150μｍの誘電体層とを積層して成る積層基板とを半田接続して基体を作製し、この基体に対して下面および内層に金属導体膜を複数の接地導体として形成した。
【００３８】
また、この基体の上面にコプレーナ線路の線路導体を形成し、これを第１の高周波用部品の接続パッドと対応する位置に形成した接続パッドと接続した。ここで、基体を構成する誘電体層のうち、最上面側の誘電体層（比誘電率が9.6の誘電体基板）には、第１の高周波用部品の線路導体と対向する部位に、直径が約200μｍの複数の穴を縦横400μmピッチの格子状に配列して設けた。これにより第２の高周波用部品を作製した。
【００３９】
そして、これら第１の高周波用部品と第２の高周波用部品とを接続パッド同士が向かい合うようにして高さ20μｍの金属バンプによりフリップチップ実装法により接続することにより、図１に示す本発明の高周波用部品の接続構造である試料Ａを作製した。
【００４０】
次に、第２の高周波用部品として上記のように基体を構成する誘電体層（比誘電率が9.6の誘電体基板）に同じ形状・寸法で設けた複数の穴のうち、接続パッドに近い穴の内部に接地導体を形成し、その他は試料Ａと同様にして作製することにより、図２に示す本発明の高周波用部品の接続構造である試料Ｂを作製した。
【００４１】
また、比較例として、上記試料Ａおよび試料Ｂと同様にして、ただし第２の高周波用部品の基体を構成する誘電体層に穴を設けることなく作製して、図４に示す従来の高周波用部品の接続構造である試料Ｃを作製した。
【００４２】
そして、これら試料Ａ・試料Ｂ・試料Ｃについて、第１の増幅器にバイアスを加えずに、その入出力間における高周波信号のアイソレーション特性を測定し、その指標として入射波に対する透過波の電力比である透過係数を抽出した。これらのアイソレーション特性の抽出結果を図３に示す。
【００４３】
図３は高周波用部品の接続構造の試料Ａ・試料Ｂ・試料Ｃのアイソレーション特性を示す線図であり、横軸は周波数（単位：ＧＨｚ）を、縦軸は透過係数（単位：ｄＢ）を示しており、この透過係数はその値が小さいほどアイソレーションが高い（良好である）ことを示している。また、実線・破線・点線で示した特性曲線は、それぞれ試料Ａ・試料Ｂ・試料Ｃの特性を示している。
【００４４】
この結果から分かるように、本発明の高周波用部品の接続構造である試料Ａおよび試料Ｂは、従来の高周波用部品の接続構造である試料Ｃと比べて透過係数が小さく、アイソレーション特性に優れている。また、試料Ｂは、試料Ａに比べて接続パッドに近い穴の内部に接地導体を形成したことにより、接続パッド付近で表面波の励振を抑圧することができたため、アイソレーション特性の改善がより効果的であった。
【００４５】
そして、それぞれの試料において増幅器にバイアスを印加して増幅器の動作を確認したところ、試料Ａおよび試料Ｂでは正常な動作が得られ、増幅の利得が得られたが、試料Ｃでは発振が生じてしまう結果、利得が得られないという結果であった。これにより、本発明の高周波用部品の接続構造である試料Ａおよび試料Ｂは、良好な電気的特性を有する高周波信号の接続を行なうことができることが確認できた。
【００４６】
なお、以上はあくまで本発明の実施の形態の例示であって、本発明はこれらに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更や改良を加えることは何ら差し支えない。例えば、上記の例では導電性接続部材として金属バンプを用いた例を示したが、導電性接続部材は導体を介して高周波用入出力部同士を電気的に接続するものであれば、金属バンプの他にも金属ボールや金属ピラー等であってもよい。
【００４７】
また、第２の高周波用部品の誘電体層に設ける複数の穴は、第１の高周波用部品の線路導体に対向する部位の全面にわたって設ける必要があるものではなく、所望の電気的特性が得られるような配列であれば、その一部に偏在させて設けてもよく、１次元的な配列（列状等）や２次元的な配列（格子状やいわゆる千鳥状・放射状・周状等）、あるいは層毎に異なる配列（例えば、最上層の配列密度が高く、下層において徐々に間引く等）としてもよい。
【００４８】
【発明の効果】
本発明の高周波用部品の接続構造によれば、第１の高周波用部品の線路導体を伝搬する高周波信号について最小作用の法則に従い生じていた第２の高周波用部品の接地導体へ向かう電界成分が、誘電体層に複数の穴を設けたことにより第２の高周波用部品の接地導体との間の見かけの誘電率が低下するために第１の高周波用部品の接地導体に向かう成分に比べて弱い成分しか向かわないこととなるため、従来の接続構造に比べて第１の高周波用部品の線路導体からの電界分布が設計された電界分布に近付くこととなる。これにより、従来の接続構造のように第１の高周波用部品の線路導体を伝搬する高周波信号が第２の高周波用部品の接地導体への電界分布を強く有する場合と比較して、電気的な不連続性による高周波信号の反射や放射損失を軽減することができ、その結果、電気的特性を向上させることができるので、良好な電気的特性を有する高周波信号の接続を行なうことができる高周波用部品の接続構造となる。
【００４９】
また、本発明の高周波用部品の接続構造によれば、特開平９−260426号公報に開示された高周波用部品の接続構造と比較しても同等以上の良好な電気的特性を得ることができるうえ、複数の穴の位置・大きさ・深さ等を適宜設定することにより高周波信号の第２の高周波用部品の接地導体に対する電界分布を任意に調整して所望の良好な電気的特性を得ることができ、第２の高周波用部品の基体を構成する複数の誘電体層の一部に特に高精度を要求しない複数の穴を設けるだけで良いことから、従来周知の製造方法により接続構造の仕様に応じて第２の高周波用部品を容易に製造することができ、良好な電気的特性を有する接続構造を安定して得ることができる。
【００５０】
さらに、本発明の高周波用部品の接続構造によれば、上記構成において、前記複数の穴のうち少なくとも１つの内部に接地導体を形成した場合には、特開平９−260426号公報に開示された高周波用部品の接続構造と比較して、平行平板モードや表面波の発生を容易に抑制することができるので、第１の高周波用部品における接続部間のアイソレーションを良好に保つことが可能となる。その結果、第１の高周波用部品において高周波信号の発振が発生することがなくなって安定に正常動作させることができ、良好な電気的特性を有する高周波信号の接続を行なうことができる。
【００５１】
以上により、本発明によれば、フリップチップ実装による高周波用部品の接続構造における高周波信号の電気的特性を改善することができるとともに、製造上の困難性がなく、良好な電気的特性の接続部を安定して得ることができる高周波用部品の接続構造を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の高周波用部品の接続構造の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の高周波用部品の接続構造の実施の形態の他の例を示す断面図である。
【図３】高周波用部品の接続構造におけるアイソレーション特性を示す線図である。
【図４】従来の高周波用部品の接続構造の例を示す断面図である。
【図５】従来の高周波用部品の接続構造の他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
21・・・・・・・・高周波用半導体素子（第１の高周波用部品）
22・・・・・・・・基体
23・・・・・・・・接地導体
24・・・・・・・・線路導体
25ａ、25ｂ・・・・接続パッド（接続部）
26・・・・・・・・高周波用配線基板（第２の高周波用部品）
27・・・・・・・・基体
27ａ〜27ｃ・・・・誘電体層
28ａ〜28ｃ・・・・接地導体
29ａ、29ｂ・・・・線路導体
30ａ、30ｂ・・・・接続パッド（接続部）
31・・・・・・・・金属バンプ（導電性接続部材）
32、32ａ〜32ｈ・・・貫通孔
33ａ、33ｂ・・・・・接地導体
【発明の属する技術分野】
本発明は情報通信分野や半導体分野等における半導体素子等の電子部品や半導体装置あるいは半導体パッケージ・配線基板等の高周波用部品同士の間で高周波信号を伝搬するための相互接続に使用される高周波用部品の接続構造に関し、特に高周波用部品同士をいわゆるフリップチップ実装により接続する際の接続部における高周波電気特性を改善した高周波用部品の接続構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、高周波用部品である半導体装置をフリップチップ実装にて同じく高周波用部品である高周波用配線基板に接続した構造として、例えば図４に断面図で示したような接続構造がある。
【０００３】
図４において、１は高周波用半導体素子、６は高周波用配線基板である。高周波用半導体素子１は例えば誘電体から成る基体２の上面に接地導体３が、また下面に高周波信号を伝送する線路導体４が形成されており、線路導体４の両方の先端にはそれぞれ高周波用入出力部である接続パッド５ａ・５ｂが設けられている。
【０００４】
一方、高周波用配線基板６は複数の誘電体層７ａ・７ｂ・７ｃを積層して成る基体７の内部および下面に複数の接地導体８ａ・８ｂ・８ｃが、上面に２つの線路導体９ａ・９ｂが形成されており、線路導体９ａ・９ｂのそれぞれの一方の先端には、高周波用半導体素子１の線路導体４の両端の接続パッド５ａ・５ｂに対応した高周波用入出力部である接続パッド10ａ・10ｂが設けられている。
【０００５】
そして、高周波用配線基板６の上面に高周波用半導体素子１をこれら互いの線路導体４および９ａ・９ｂの高周波用入出力部である接続パッド５ａ・５ｂおよび10ａ・10ｂ同士を向かい合わせにして載置し、それぞれの接続パッド５ａ・５ｂと接続パッド10ａ・10ｂとの間を導電性接続部材、例えば金属バンプ11ａ・11ｂにより接続している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来の高周波用部品の接続構造では、高周波用半導体素子１の線路導体４が高周波用配線基板６の複数の接地導体８ａ〜８ｃに対向することとなるため、高周波用半導体素子１の線路導体４を伝搬する高周波信号がこの複数の接地導体８ａ〜８ｃのそれぞれに対応する電界分布を有することとなる。その結果、電界分布が一様でないために高周波用半導体素子１の線路導体４を伝搬する高周波信号の特性インピーダンスが設計値から大きく異なる値を有することとなり、また、線路導体４と９ａ・９ｂとの接続部において電気的な不連続性による高周波信号の反射や放射損失が生じてしまうこととなって、接続構造における電気的特性の劣化をもたらすという問題点があった。
【０００７】
これに対し、このような電気的特性の劣化を軽減するための構成として、例えば特開平９−260426号公報には、図５に図４と同様の断面図で示すような高周波用部品の接続構造が開示されている。
【０００８】
図５において図４と同様の箇所には同じ符号を付してある。この構成においては、高周波用配線基板６の基体７について、高周波用半導体素子１の線路導体４と対向する部位の誘電体層７ｃを形成しないものとして、その部位に誘電体が存在しない凹部12を設けている。
【０００９】
このような構成によれば、高周波用半導体素子１の線路導体４から高周波用配線基板６の接地導体８ａ〜８ｃのうち接地導体８ｃへの電界分布が低減されることとなるために、この線路導体４を伝搬する高周波信号の特性インピーダンスが設計した値から大きく異なることがなくなり、特性インピーダンスを設計値のまま維持して整合させることが可能となるというものである。
【００１０】
しかしながら、特開平９−260426号公報に提案された高周波用部品の接続構造においては、凹部12の厚み（深さ）を必要以上の大きさに設けると、高周波信号が高周波用半導体素子１の接地導体３と高周波用配線基板６の接地導体８ｃとの間を平行平板モードで伝搬することとなり、高周波用半導体素子１の入出力間のアイソレーションが悪化するために高周波半導体素子１が発振してしまい正常に動作しなくなるという問題点もあり、そのような悪影響を防止するための凹部12の厚みの制御が難しいという問題点もあった。
【００１１】
本発明は上記従来技術における問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、フリップチップ実装により接続した高周波用部品の接続構造における高周波信号の電気的特性を改善することができるとともに、製造上の困難性がなく、良好な電気的特性の接続部を安定して得ることができる高周波用部品の接続構造を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の高周波用部品の接続構造は、第１の基体の上面側に接地導体が形成されているとともに前記第１の基体の下面側に第１の接続部を先端に有する高周波信号伝送用の線路導体が形成された第１の高周波用部品と、複数の誘電体層を積層して成る第２の基体の下面側に複数の接地導体が形成されているとともに前記第２の基体の上面側に前記第１の接続部に対応した第２の接続部を先端に有する高周波信号伝送用の線路導体が形成された第２の高周波用部品と、を対向させるとともに、前記第１の接続部と前記第２の接続部とを導電性接続部材により電気的に接続した高周波用部品の接続構造であって、前記第２の高周波用部品の前記誘電体層のうち最上面側から少なくとも１層の誘電体層の前記第１の高周波用部品の線路導体と対向する部位に複数の穴を設け、該複数の穴の少なくとも１つの内部に接地導体を形成したことを特徴とするものである。
【００１４】
本発明の高周波用部品の接続構造によれば、第１の高周波用部品の線路導体を伝搬する高周波信号について最小作用の法則に従い生じていた第２の高周波用部品の接地導体へ向かう電界成分が、誘電体層に複数の穴を設けたことにより第２の高周波用部品の接地導体との間の見かけの誘電率が低下するために第１の高周波用部品の接地導体に向かう成分に比べて弱い成分しか向かわないこととなるため、従来の接続構造に比べて第１の高周波用部品の線路導体からの電界分布が設計された電界分布に近付くこととなる。これにより、従来の接続構造のように第１の高周波用部品の線路導体を伝搬する高周波信号が第２の高周波用部品の接地導体への電界分布を強く有する場合と比較して、電気的な不連続性による高周波信号の反射や放射損失を軽減することができ、その結果、電気的特性を向上させることができるので、良好な電気的特性を有する高周波信号の接続を行なうことができる高周波用部品の接続構造となる。
【００１５】
また、本発明の高周波用部品の接続構造によれば、特開平９−260426号公報に開示された高周波用部品の接続構造と比較しても同等以上の良好な電気的特性を得ることができるうえ、複数の穴の位置・大きさ・深さ等を適宜設定することにより高周波信号の第２の高周波用部品の接地導体に対する電界分布を任意に調整して所望の良好な電気的特性を得ることができることから、特に高精度を要求しない複数の穴を設けるだけで良いので、従来周知の製造方法、例えばグリーンシート積層法等により接続構造の仕様に応じて第２の高周波用部品を容易に製造することができ、良好な電気的特性を有する接続構造を安定して得ることができる高周波用部品の接続構造となる。
【００１６】
さらに、本発明の高周波用部品の接続構造によれば、上記構成において、前記複数の穴のうち少なくとも１つの内部に接地導体を形成した場合には、特開平９−260426号公報に開示された高周波用部品の接続構造と比較して、平行平板モードや表面波の発生を容易に抑制することができるので、第１の高周波用部品における接続部間のアイソレーションを良好に保つことが可能となる。その結果、第１の高周波用部品において高周波信号の発振が発生することがなくなって安定に正常動作させることができ、良好な電気的特性を有する高周波信号の接続を行なうことができる高周波用部品の接続構造となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明を詳細に説明する。図１は本発明の高周波用部品の接続構造の実施の形態の一例を示す断面図である。
【００１８】
図１において、21は第１の高周波用部品としての高周波用半導体素子、26は第２の高周波用部品としての高周波用配線基板である。高周波用半導体素子21は第１の基体である基体22を具備している。基体22の上面側、この例では上面に接地導体23が形成されている。また基体22の下面側、この例では下面に高周波信号を伝送する線路導体24が形成されており、線路導体24の両方の先端には高周波信号の第１の接続部（高周波用入出力部）である接続パッド25ａ・25ｂが設けられている。
【００１９】
なお、この接地導体23および線路導体24は、これら接地導体23と線路導体24とにより高周波信号を伝送するための接地導体および線路導体として機能するものであれば、いずれもその一部が基体22の内部に形成された、いわゆる内層化されたものであってもよい。また、線路導体24は複数形成されていてもよく、両側に同一面接地導体を設けたコプレーナ線路構造であってもよい。
【００２０】
また、接地導体23は通常は基体22の裏面側の略全面に形成されるが、線路導体24により高周波信号を伝送するための接地導体として機能するものであれば、線路導体24に対応した必要な部分のみに形成しておけばよい。
【００２１】
一方、高周波用配線基板26は、例えば複数の誘電体層27ａ・27ｂ・27ｃを積層して成る第２の基体である基体27を具備している。基体27の下面側、すなわち内部および下面に複数の接地導体28ａ・28ｂ・28ｃが形成されている。また基体27の上面側、この例では上面に２つの線路導体29ａ・29ｂが形成されており、線路導体29ａ・29ｂのそれぞれの一方の先端には、高周波用半導体素子21の線路導体24の両端の接続パッド25ａ・25ｂに対応した高周波信号の第２の接続部（高周波用入出力部）である接続パッド30ａ・30ｂが設けられている。
【００２２】
なお、基体27をなす複数の誘電体層27ａ・27ｂ・27ｃはそれぞれ別体として形成した後、はんだ接合等の従来周知の製造方法により一体化したものであってもよく、特に限定されるものではない。また、高周波用配線基板26としては、このように複数の誘電体層27ａ〜27ｃを積層して成る多層配線基板の上面に、さらに誘電体基板（誘電体層）を積層して構成したものであってもよい。
【００２３】
高周波用配線基板26における線路導体29ａ・29ｂは、高周波用半導体素子21の線路導体24と対向する位置には配設されておらず、線路導体24が高周波用配線基板26の接地導体28ａ〜28ｃに対向するように形成されている。また、この線路導体29ａ・29ｂもその一部が基体27の内部に形成されていわゆる内層化されていてもよく、線路導体24に対応してさらに複数形成されていてもよく、両側に同一面接地導体を設けたコプレーナ線路構造であってもよい。
【００２４】
また、接地導体28ａ〜28ｃも通常は基体27の裏面側の略全面に形成されるが、線路導体29ａ・29ｂにより高周波信号を伝送するための接地導体として機能するものであれば、線路導体29ａ・29ｂに対応した必要な部分のみに形成しておけば良い。
【００２５】
高周波用半導体素子21は、高周波用配線基板26の上面にこれら互いの線路導体24・29ａ・29ｂの接続パッド25ａ・25ｂおよび30ａ・30ｂ同士を向かい合わせにして載置し、それぞれの接続パッド25ａ・25ｂと接続パッド30ａ・30ｂとの間を導電性接続部材、例えば金属バンプ31ａ・31ｂにより接続している。
【００２６】
なお、接続部における良好な接続状態を得るために、それぞれの線路導体24・29ａ・29ｂの先端の接続パッド25ａ ・25ｂ・30ａ・30ｂの両側の基体22・27の表面に接地用パッドを設けて、これらを金属バンプ31ａ・31ｂと同様の金属バンプにより電気的に接続するようにしてもよい。
【００２７】
そして、32は高周波用配線基板26の複数の誘電体層27ａ〜27ｃのうち最上面側から少なくとも１層、この例では２層の誘電体層27ｃおよび27ｂの高周波用半導体素子21の線路導体24と対向する部位に設けた複数の穴であり、ここでは線路導体24に沿って８つの穴32ａ〜32ｈを設けた例を示している。
【００２８】
なお、このような複数の穴32の位置・形状・大きさ・長さ等は所望の電界分布が得られるように適宜設定すればよいが、例えば、比誘電率εrの配線基板に半径ｒの円形の穴32を縦横同一ピッチｐで格子状に配列した場合（ただし、２ｒ＜ｐ）であれば、見かけの誘電率は概略でεr−（εr−１）・π（ｒ／ｐ）2となるので、これにしたがって所望の電界分布が得られるように穴を設ければよい。また、その断面形状は円形の他にも楕円形や四角形等の種々の形状とすることができる。
【００２９】
本発明の高周波用部品の接続構造によれば、このように第２の高周波用部品である高周波用配線基板26の基体27を構成する複数の誘電体層27ａ〜27ｃのうち、最上面側から少なくとも１層の誘電体層27ｂ・27ｃに対して、高周波用半導体素子21の線路導体24と対向する部位に複数の穴32ａ〜32ｈを設けたことにより、従来の接続構造では接続パッド25ａ・25ｂ・30ａ・30ｂ近傍を初めとして最小作用の法則に従って高周波用半導体素子21の線路導体24から高周波用配線基板26の上面側に位置する接地導体28ｃおよび28ｂへ向かっていた電界成分が、複数の穴32ａ〜32ｈによりその間の見かけの誘電率が低下するために高周波用半導体素子21の接地導体23に向かう成分に比べて弱い成分しか向かわないこととなるため、高周波用半導体素子21の線路導体24からの電界分布が設計された電界分布に近付くこととなる。これにより、電気的な不連続性による高周波信号の反射や放射損失を低減することができて電気的特性を向上させることができ、良好な電気的特性を有する高周波信号の接続を行なうことができる。
【００３０】
なお、この例では高周波用配線基板26の接地導体28ｃは、高周波用半導体素子21の線路導体24と対向する部位には形成していないものを示したが、従来のように接地導体28ｃも略全面にわたって形成しておき、複数の穴32が誘電体層27ｂ・27ｃとともにこの接地導体28ｃも貫通するようにしておいてもよく、この場合も複数の穴32によって電界分布を所望の分布に調整することができる。
【００３１】
次に、図２に本発明の高周波用部品の接続構造の実施の形態の他の例を図１と同様の断面図で示す。
【００３２】
図２において図１と同様の箇所には同じ符号を付してあり、21は高周波用半導体素子、22は基体、23は接地導体、24は線路導体、25ａ・25ｂは接続パッドである。また、26は高周波用配線基板、27は基体（27ａ〜27ｃは誘電体層）、28ａ〜28ｃは複数の接地導体、29ａ・29ｂは線路導体、30ａ・30ｂは接続パッドであり、31ａ・31ｂは金属バンプである。
【００３３】
そして、この例では図１の例と同じく高周波用配線基板26をなす複数の誘電体層27ａ〜27ｃのうち、最上面側の２層の誘電体層27ｂ・27ｃに複数の穴32（32ａ〜32ｈ）を設けるとともに、さらにその穴32のうちここでは両端の穴32ａおよび32ｈの内部に、高周波用配線基板26の接地導体28ｂに接続した接地導体33ａ・33ｂを形成している。
【００３４】
このような本発明の高周波部品の接続構造によれば、特開平９−260426号公報に開示された高周波用部品の接続構造と比較して、平行平板モードや表面波の発生を容易に抑制することができるので、高周波用半導体素子21における接続部間、すなわち接続パッド25ａ・25ｂ間のアイソレーションを良好に保つことが可能となる。その結果、高周波半導体素子21が発振することがなくなり、安定に正常動作させることができ、良好な電気的特性を有する高周波信号の接続を行なうことができる。
【００３５】
なお、穴32の内部に形成する接地導体33は、図２に示したように穴32の内部を充填して形成したいわゆるビア導体のようなものの他にも、穴32の内壁に被着形成したいわゆるスルーホール導体のようなものであってもよい。また、穴32のうちどの箇所に形成するかは所望の高周波電気特性が得られるように選択すればよく、その大きさや形状は穴32のそれに準じたものとすればよい。また、この接地導体33は、高周波用配線基板26の接地導体28ａ〜28ｃに接続して接地する他にも、配線基板26の下面側に導出して外部の接地導体に直接接続して接地してもよい。
【００３６】
【実施例】
次に、本発明の高周波用部品の接続構造について具体例を説明する。
まず、第１の高周波用部品として厚み100μｍのＧａＡｓ基板に形成されたＭＭＩＣ（Microwave Monolithic Integrated Circuits）の増幅器を用意した。
【００３７】
一方、比誘電率が9.6で厚みが200μｍの誘電体基板（誘電体層）と、比誘電率が4.8で１層あたりの厚みが150μｍの誘電体層とを積層して成る積層基板とを半田接続して基体を作製し、この基体に対して下面および内層に金属導体膜を複数の接地導体として形成した。
【００３８】
また、この基体の上面にコプレーナ線路の線路導体を形成し、これを第１の高周波用部品の接続パッドと対応する位置に形成した接続パッドと接続した。ここで、基体を構成する誘電体層のうち、最上面側の誘電体層（比誘電率が9.6の誘電体基板）には、第１の高周波用部品の線路導体と対向する部位に、直径が約200μｍの複数の穴を縦横400μmピッチの格子状に配列して設けた。これにより第２の高周波用部品を作製した。
【００３９】
そして、これら第１の高周波用部品と第２の高周波用部品とを接続パッド同士が向かい合うようにして高さ20μｍの金属バンプによりフリップチップ実装法により接続することにより、図１に示す本発明の高周波用部品の接続構造である試料Ａを作製した。
【００４０】
次に、第２の高周波用部品として上記のように基体を構成する誘電体層（比誘電率が9.6の誘電体基板）に同じ形状・寸法で設けた複数の穴のうち、接続パッドに近い穴の内部に接地導体を形成し、その他は試料Ａと同様にして作製することにより、図２に示す本発明の高周波用部品の接続構造である試料Ｂを作製した。
【００４１】
また、比較例として、上記試料Ａおよび試料Ｂと同様にして、ただし第２の高周波用部品の基体を構成する誘電体層に穴を設けることなく作製して、図４に示す従来の高周波用部品の接続構造である試料Ｃを作製した。
【００４２】
そして、これら試料Ａ・試料Ｂ・試料Ｃについて、第１の増幅器にバイアスを加えずに、その入出力間における高周波信号のアイソレーション特性を測定し、その指標として入射波に対する透過波の電力比である透過係数を抽出した。これらのアイソレーション特性の抽出結果を図３に示す。
【００４３】
図３は高周波用部品の接続構造の試料Ａ・試料Ｂ・試料Ｃのアイソレーション特性を示す線図であり、横軸は周波数（単位：ＧＨｚ）を、縦軸は透過係数（単位：ｄＢ）を示しており、この透過係数はその値が小さいほどアイソレーションが高い（良好である）ことを示している。また、実線・破線・点線で示した特性曲線は、それぞれ試料Ａ・試料Ｂ・試料Ｃの特性を示している。
【００４４】
この結果から分かるように、本発明の高周波用部品の接続構造である試料Ａおよび試料Ｂは、従来の高周波用部品の接続構造である試料Ｃと比べて透過係数が小さく、アイソレーション特性に優れている。また、試料Ｂは、試料Ａに比べて接続パッドに近い穴の内部に接地導体を形成したことにより、接続パッド付近で表面波の励振を抑圧することができたため、アイソレーション特性の改善がより効果的であった。
【００４５】
そして、それぞれの試料において増幅器にバイアスを印加して増幅器の動作を確認したところ、試料Ａおよび試料Ｂでは正常な動作が得られ、増幅の利得が得られたが、試料Ｃでは発振が生じてしまう結果、利得が得られないという結果であった。これにより、本発明の高周波用部品の接続構造である試料Ａおよび試料Ｂは、良好な電気的特性を有する高周波信号の接続を行なうことができることが確認できた。
【００４６】
なお、以上はあくまで本発明の実施の形態の例示であって、本発明はこれらに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更や改良を加えることは何ら差し支えない。例えば、上記の例では導電性接続部材として金属バンプを用いた例を示したが、導電性接続部材は導体を介して高周波用入出力部同士を電気的に接続するものであれば、金属バンプの他にも金属ボールや金属ピラー等であってもよい。
【００４７】
また、第２の高周波用部品の誘電体層に設ける複数の穴は、第１の高周波用部品の線路導体に対向する部位の全面にわたって設ける必要があるものではなく、所望の電気的特性が得られるような配列であれば、その一部に偏在させて設けてもよく、１次元的な配列（列状等）や２次元的な配列（格子状やいわゆる千鳥状・放射状・周状等）、あるいは層毎に異なる配列（例えば、最上層の配列密度が高く、下層において徐々に間引く等）としてもよい。
【００４８】
【発明の効果】
本発明の高周波用部品の接続構造によれば、第１の高周波用部品の線路導体を伝搬する高周波信号について最小作用の法則に従い生じていた第２の高周波用部品の接地導体へ向かう電界成分が、誘電体層に複数の穴を設けたことにより第２の高周波用部品の接地導体との間の見かけの誘電率が低下するために第１の高周波用部品の接地導体に向かう成分に比べて弱い成分しか向かわないこととなるため、従来の接続構造に比べて第１の高周波用部品の線路導体からの電界分布が設計された電界分布に近付くこととなる。これにより、従来の接続構造のように第１の高周波用部品の線路導体を伝搬する高周波信号が第２の高周波用部品の接地導体への電界分布を強く有する場合と比較して、電気的な不連続性による高周波信号の反射や放射損失を軽減することができ、その結果、電気的特性を向上させることができるので、良好な電気的特性を有する高周波信号の接続を行なうことができる高周波用部品の接続構造となる。
【００４９】
また、本発明の高周波用部品の接続構造によれば、特開平９−260426号公報に開示された高周波用部品の接続構造と比較しても同等以上の良好な電気的特性を得ることができるうえ、複数の穴の位置・大きさ・深さ等を適宜設定することにより高周波信号の第２の高周波用部品の接地導体に対する電界分布を任意に調整して所望の良好な電気的特性を得ることができ、第２の高周波用部品の基体を構成する複数の誘電体層の一部に特に高精度を要求しない複数の穴を設けるだけで良いことから、従来周知の製造方法により接続構造の仕様に応じて第２の高周波用部品を容易に製造することができ、良好な電気的特性を有する接続構造を安定して得ることができる。
【００５０】
さらに、本発明の高周波用部品の接続構造によれば、上記構成において、前記複数の穴のうち少なくとも１つの内部に接地導体を形成した場合には、特開平９−260426号公報に開示された高周波用部品の接続構造と比較して、平行平板モードや表面波の発生を容易に抑制することができるので、第１の高周波用部品における接続部間のアイソレーションを良好に保つことが可能となる。その結果、第１の高周波用部品において高周波信号の発振が発生することがなくなって安定に正常動作させることができ、良好な電気的特性を有する高周波信号の接続を行なうことができる。
【００５１】
以上により、本発明によれば、フリップチップ実装による高周波用部品の接続構造における高周波信号の電気的特性を改善することができるとともに、製造上の困難性がなく、良好な電気的特性の接続部を安定して得ることができる高周波用部品の接続構造を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の高周波用部品の接続構造の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の高周波用部品の接続構造の実施の形態の他の例を示す断面図である。
【図３】高周波用部品の接続構造におけるアイソレーション特性を示す線図である。
【図４】従来の高周波用部品の接続構造の例を示す断面図である。
【図５】従来の高周波用部品の接続構造の他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
21・・・・・・・・高周波用半導体素子（第１の高周波用部品）
22・・・・・・・・基体
23・・・・・・・・接地導体
24・・・・・・・・線路導体
25ａ、25ｂ・・・・接続パッド（接続部）
26・・・・・・・・高周波用配線基板（第２の高周波用部品）
27・・・・・・・・基体
27ａ〜27ｃ・・・・誘電体層
28ａ〜28ｃ・・・・接地導体
29ａ、29ｂ・・・・線路導体
30ａ、30ｂ・・・・接続パッド（接続部）
31・・・・・・・・金属バンプ（導電性接続部材）
32、32ａ〜32ｈ・・・貫通孔
33ａ、33ｂ・・・・・接地導体
Claims (1)
- 第１の基体の上面側に接地導体が形成されているとともに前記第１の基体の下面側に第１の接続部を先端に有する高周波信号伝送用の線路導体が形成された第１の高周波用部品と、
複数の誘電体層を積層して成る第２の基体の下面側に複数の接地導体が形成されているとともに前記第２の基体の上面側に前記第１の接続部に対応した第２の接続部を先端に有する高周波信号伝送用の線路導体が形成された第２の高周波用部品と、を対向させるとともに、
前記第１の接続部と前記第２の接続部とを導電性接続部材により電気的に接続した高周波用部品の接続構造であって、
前記第２の高周波用部品の前記誘電体層のうち最上面側から少なくとも１層の誘電体層の前記第１の高周波用部品の線路導体と対向する部位に複数の穴を設け、該複数の穴の少なくとも１つの内部に接地導体を形成したことを特徴とする高周波用部品の接続構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35453199A JP4467115B2 (ja) | 1999-12-14 | 1999-12-14 | 高周波用部品の接続構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35453199A JP4467115B2 (ja) | 1999-12-14 | 1999-12-14 | 高周波用部品の接続構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001176922A JP2001176922A (ja) | 2001-06-29 |
| JP4467115B2 true JP4467115B2 (ja) | 2010-05-26 |
Family
ID=18438184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35453199A Expired - Fee Related JP4467115B2 (ja) | 1999-12-14 | 1999-12-14 | 高周波用部品の接続構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4467115B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9325388B2 (en) | 2012-06-21 | 2016-04-26 | Siemens Energy, Inc. | Wireless telemetry system including an induction power system |
| JP5880333B2 (ja) * | 2012-07-27 | 2016-03-09 | 三菱電機株式会社 | フリップチップ実装用半導体チップ |
-
1999
- 1999-12-14 JP JP35453199A patent/JP4467115B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001176922A (ja) | 2001-06-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3976473B2 (ja) | 高周波回路及びそれを用いたモジュール、通信機 | |
| US6985056B2 (en) | High-frequency circuit and high-frequency package | |
| JP3937433B2 (ja) | 平面回路−導波管接続構造 | |
| JP3214470B2 (ja) | マルチチップモジュール及びその製造方法 | |
| US7187256B2 (en) | RF package | |
| JP5909707B2 (ja) | 無線モジュール | |
| US7436056B2 (en) | Electronic component package | |
| EP0938139A2 (en) | Microwave and millimeter wave device | |
| US20020190812A1 (en) | High-frequency interconnection for circuits | |
| JPWO2013084479A1 (ja) | 無線モジュール | |
| JPH10112517A (ja) | 電子部品収納用パッケージ | |
| JP2021141370A (ja) | 半導体パッケージ | |
| JP2017163385A (ja) | 電子装置及び電子機器 | |
| JP5728101B1 (ja) | Ｍｍｉｃ集積回路モジュール | |
| JP4467115B2 (ja) | 高周波用部品の接続構造 | |
| TW202247386A (zh) | 用於極高頻操作之覆晶球柵陣列型積體電路封裝 | |
| JP2002185201A (ja) | 高周波用配線基板 | |
| US8385084B2 (en) | Shielding structures for signal paths in electronic devices | |
| US6538316B2 (en) | High frequency semiconductor device housing package | |
| JP3410673B2 (ja) | 半導体装置及び半導体チップの実装方法 | |
| JPH1168029A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0936617A (ja) | 高周波モジュール | |
| JP2021108359A (ja) | 配線基板 | |
| JP3470052B2 (ja) | 高周波用部品の接続構造 | |
| JP3987659B2 (ja) | 高周波半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061117 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081208 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081216 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090213 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091109 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091228 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100126 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100223 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140305 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |