JP4456972B2 - 半導体素子搭載用放熱部材 - Google Patents
半導体素子搭載用放熱部材 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4456972B2 JP4456972B2 JP2004291786A JP2004291786A JP4456972B2 JP 4456972 B2 JP4456972 B2 JP 4456972B2 JP 2004291786 A JP2004291786 A JP 2004291786A JP 2004291786 A JP2004291786 A JP 2004291786A JP 4456972 B2 JP4456972 B2 JP 4456972B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic particles
- composite material
- mass
- less
- casting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Manufacture Of Alloys Or Alloy Compounds (AREA)
Description
即ち、本発明は、アルミニウム合金マトリクス中にセラミックス粒子が分散された複合材料であって、アルミニウム合金が、Siと、以下の第一元素と、以下の第二元素とからなる添加元素と残部がアルミニウム及び不純物とからなり、セラミックス粒子と、添加元素のうち少なくとも第二元素を含む晶析出物とが上記アルミニウム合金マトリクス中に均一に分散していることを特徴とする。
(第一元素)
Ca、Mg、Sr、Ti、Baからなる第一群から選択される1種以上の元素
(第二元素)
Sc、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ge、Ag、In、Sn、Hf、Ta、Pb、Bi、Au、Pt、B、Y、Sb、Zr、希土類元素からなる第二群から選択される1種以上の元素
1. Siと、上記の第一元素と、上記の第二元素とからなる添加元素と残部がアルミニウム及び不純物とからなるアルミニウム合金を溶解する工程
2. 溶解したアルミニウム合金溶湯にセラミックス粒子を添加して攪拌し、合金中にセラミックス粒子を均一に分散させる工程
3. セラミックス粒子が分散された溶融混合物を鋳造する工程
そして、上記鋳造工程において、添加元素のうち少なくとも第二元素を含む晶析出物を溶融混合物の凝固時に析出させ、この晶析出物をアルミニウム合金マトリクス中に均一に分散させる。
即ち、本発明は、アルミニウム合金マトリクス中にセラミックス粒子が分散された複合材料であって、アルミニウム合金が、以下の添加元素と残部がアルミニウム及び不純物とからなり、セラミックス粒子を10体積%以上45体積%以下含む。そして、セラミックス粒子と、添加元素のうち少なくとも1種の元素を含む晶析出物とが上記アルミニウム合金マトリクス中に均一に分散している。
(添加元素)
アルミニウム合金を100質量%として8質量%超40質量%以下のSi、及びCa、Mg、Sr、Ti、Baから選択される1種以上の元素
1. Siと、Ca、Mg、Sr、Ti、Baから選択される1種以上の元素とからなる添加元素と残部がアルミニウム及び不純物とからなるアルミニウム合金を溶解する工程
2. 溶解したアルミニウム合金溶湯にセラミックス粒子を10体積%以上45体積%以下添加して攪拌し、合金中にセラミックス粒子を均一に分散させる工程
3. セラミックス粒子が分散された溶融混合物を鋳造する工程
そして、上記鋳造工程において、添加元素のうち少なくとも1種の元素を含む晶析出物を溶融混合物の凝固時に析出させ、この晶析出物をアルミニウム合金マトリクス中に均一に分散させる。
ただし、添加元素においてSiの含有量は、アルミニウム合金を100質量%として8質量%超40質量%以下とする。
(添加元素)
<析出系複合材料>
析出系の本発明複合材料においてアルミニウム合金は、少なくとも三つの元素が添加されているものとする。一つは、Siである。他の一つは、Ca、Mg、Sr、Ti、Baから選択される1種以上の元素(第一元素)であり、これらの元素は析出されるSiの粒成長を抑制し、微細な晶析出物にする効果がある。また、これら第一元素は、後述するセラミックス粒子とアルミニウムとの濡れ性を向上させ、溶湯の粘度上昇を低減させる効果がある。MnやZnといった元素もセラミックス粒子との濡れ性向上の作用を有するが、大量に添加する必要があり、大量添加により他の特性(例えば、熱伝導率)を低下させる恐れがある。更に、これら第一元素は、後述する第二元素を含む晶析出物を析出させる際、晶析出物の成長を抑制して微細な粒子とさせる作用がある。加えて、これら第一元素を含む晶析出物を析出させ、この晶析出物もセラミックス粒子の代わりとすることができる。そこで、本発明では、アルミニウムとセラミックス粒子との濡れ性の改善、晶析出物の析出及び微細化を期待して、上記のように第一元素を規定する。これらの第一元素は、一種でもよいし、二種以上の複数種としてもよい。他のもう一つは、Sc、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ge、Ag、In、Sn、Hf、Ta、Pb、Bi、Au、Pt、B、Y、Sb、Zr、希土類元素から選択される1種以上の元素(第二元素)である。本発明は、母相であるアルミニウムに上述したSi及び第一元素に加えて第二元素を添加して合金化することで、少なくとも第二元素を含有する晶析出物を析出させ、熱膨張係数の低減や耐摩耗性の向上を実現する。これらの元素は、一種でもよいし、二種以上の複数種としてもよい。特に、本発明複合材料を半導体素子搭載用基板の材料とする場合、第二元素は、Sc、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ge、Ag、In、Sn、Hf、Ta、Pb、Bi、Au、Pt、B、Y、希土類元素から選択される1種以上の元素とすることが好ましい。特に、本発明複合材料を耐摩耗材の材料とする場合、第二元素は、Ni、V、Fe、Cr、B、Zr、Sb、Au、Mnから選択される1種以上の元素とすることが好ましい。
高Si系の本発明複合材料においてアルミニウム合金は、少なくとも二つの元素が添加されているものとする。一つは、Siであり、特に、アルミニウム合金を100質量%として8質量%超40質量%以下含有させる。より好ましくは、10質量%以上、特に好ましくは12質量%以上である。高Si系の本発明複合材料では、Siを比較的多めに添加することより、低熱膨張数で硬質の晶析出物であるSiを多く析出させることができ、後述するようにセラミック粒子の含有量を45体積%以下としながら、熱膨張係数の低減、耐摩耗性の向上を図る。他の一つは、Ca、Mg、Sr、Ti、Baから選択される1種以上の元素であり、これらの元素は、上記のようにアルミニウムとセラミックス粒子との濡れ性向上に寄与することができる。これらCaなどの元素は、一種でもよいし、二種以上の複数種としてもよい。一元素あたりの含有量は、アルミニウム合金を100質量%として0.0005質量%以上2.0質量%以下が好ましく、合計含有量は、0.005質量%以上5.0質量%以下が好ましい。
析出系の本発明複合材料、高Si系の本発明複合材料において添加元素の合計含有量は、アルミニウム合金を100質量%として5質量%以上48質量%以下が好ましい。合計含有量がアルミニウム合金100質量%に対して5質量%未満では、添加元素の効果が得られにくく、48質量%を超えると、熱伝導率の低下が大きくなり易い。特に、好ましくは、10質量%40質量%以下、より好ましくは、15質量%以上35質量%以下である。
<組成>
本発明複合材料においてアルミニウム合金に複合させるセラミックス粒子としては、特に、アルミニウム(23.5×10-6/K)よりも熱膨張係数が小さいものが適する。具体的には、例えば、熱膨張係数が4.2×10-6/Kである炭化珪素(SiC)が挙げられる。その他、酸化アルミニウム、窒化珪素、ホウ化チタン、酸化珪素、酸化ベリリウム、窒化アルミニウムが挙げられる。これらのうち、一種のみを用いてもよいし、二種以上の複数種のセラミックス粒子を組み合わせて用いてもよい。
このようなセラミックス粒子の含有量は、複合材料を100体積%として、10体積%以上45体積%以下とすることが好ましい。45体積%超添加させた場合、セラミックス粒子を添加したアルミニウム合金溶湯の粘度が上昇して攪拌しにくくなって、セラミックス粒子がアルミニウム合金に均一に分散されにくくなり、熱特性や耐摩耗性が向上できなかったり、均一に分散するべく高速攪拌を行うと、ボイドなどの欠陥が多くなって品質の低下を招く。10体積%未満では、熱膨張係数の低減及び熱伝導率の向上の双方を十分に満たさない。これに対し、本発明では、溶湯時に液相状態で存在し、凝固時に積極的に析出させた晶析出物を存在させることで、熱膨張係数の低減、熱伝導率の向上、耐摩耗性の向上を図ることができるため、セラミックス粒子を45体積%超といった過剰に添加する必要がなく、過剰添加による不具合が生じ得ない。なお、上記添加範囲においてセラミックス粒子の含有量が多いほど、熱膨張係数の低減、耐摩耗性の向上を図ることができる。従って、セラミックス粒子の含有量は、25体積%超、特に、30体積%以上とすることが好ましい。更に、製造の容易性を考慮すると30体積%以上40体積%以下がより好ましい。
セラミックス粒子の平均粒径は、10μm以上100μm以下であることが好ましい。10μm未満と小さ過ぎても、100μm超と大き過ぎても、アルミニウム合金マトリクスに均一に分散させにくくなる。セラミックス粒子の不均一な分散は、熱伝導率や耐摩耗性の低下の他、例えば、半導体素子搭載用基板の材料とする場合、基板の反りなどといった不具合を生じる。15μm以上60μm以下がより好ましい。このような大きさのセラミックス粒子は、市販されているものを利用してもよいし、所望の大きさとなるように粉砕して用いてもよい。なお、この「平均粒径」は原料としてのセラミックス粒子の平均粒径のことである。ただし、複合材料中のセラミックス粒子の平均粒径は原料としてのセラミックス粒子の平均粒径と同等である。
<組成>
本発明複合材料において晶析出物としては、添加元素のうち1種の元素のみからなるもの(例えば、Siなど)、添加元素のうち2種以上の元素が結合したもの(例えば、Mg2Siなど)、添加元素のうち1種以上の元素とアルミニウムとが結合したもの(例えば、Al3Niなど)から選択される1種以上が挙げられる。具体的には、析出系の本発明複合材料では、Si、Ge、Mg2Si、Al3Mg2、Al6Mn、FeAl3、Al7Cr、Al3Ni、Al3Ni2、Al3Ni5、AlNi3、AlB2、ZrAl3、AlSb、Al4Sr、Al4Ca、TiAl3、TiAl、Al2Au、Al12Mn、HfAl3、TaAl3、Al3Y、Al9Co2から選択される1種以上が挙げられる(ただし、第二元素を含む晶析出物を必須とする)。高Si系の本発明複合材料では、Si、Mg2Si、Al3Mg2、Al4Sr、Al4Ca、TiAl3、TiAlから選択される1種以上が挙げられる。これらの晶析出物は、アルミニウムよりも熱膨張係数が小さいため、アルミニウム合金中に存在することで、熱膨張係数を低下させることができる。また、これらの晶析出物は、高硬度であるため、アルミニウム合金中に存在することで、耐摩耗性を向上させることができる。即ち、本発明では、セラミックス粒子とほぼ同等の機能を晶析出物にて実現する。更に、晶析出物を形成する元素は、溶融状態にあるアルミニウム合金中に液相として存在するため、セラミックス粒子を大量に添加した場合と比較して、溶湯の粘度がほとんど上昇しない、或いは全く上昇しない。そのため、粘度上昇による不具合が起こり得ず、高品質の複合材料を生産性よく製造することができる。また、Ca、Mg、Sr、Ti、Baから選択される1種以上の元素の添加による晶析出物の微細化作用により、アルミニウム合金マトリクス中に晶析出物を均一に分散させることができるため、不均一な分散による品質の低下を低減し、より高品質な複合材料とすることができる。加えて、本発明複合材料は、上記晶析出物を析出させることで、従来の複合材料とセラミックス粒子の含有量を同じとする場合、熱膨張係数をより小さく、耐摩耗性をより向上させることができる。
このような晶析出物は、最大粒径を500μm以下とすることが好ましい。特に好ましくは、200μm以下である。500μmを超える粗大な晶析出物の場合、アルミニウム合金マトリクス中に均一に分散しにくい。マトリクス中に晶析出物が不均一に分散していると、上記のように熱伝導率や耐摩耗性の低下、反りなどの形状劣化を生じ易い。晶析出物の粒径を制御するには、析出系の本発明複合材料の場合、例えば、第一元素の添加量を調整したり、製造条件、具体的には、鋳造時の冷却速度を制御させることが挙げられる。特に、晶析出物の成長を抑制するべく、急冷することが挙げられる。高Si系の本発明複合材料の場合、Ca、Mg、Sr、Ti、Baから選択される1種以上の元素の添加により晶析出物の成長を抑制することができるため、最大粒径を500μm以下とすることができる。また、上記Caなどの元素の添加に加えて、析出系の本発明複合材料と同様に鋳造時の冷却速度を制御してもよい。
本発明複合材料は、アルミニウム合金マトリクス中に、上記セラミックス粒子と晶析出物との双方を含むものとする。これらセラミックス粒子と晶析出物とは、析出系、高Si系の本発明複合材料のいずれにおいても、複合材料を100体積%として、合計で20体積%以上70積%以下含むことが好ましい。特に、30体積%以上60体積%以下含むことが好ましい。20体積%未満では、セラミックス粒子及び晶析出物含有効果を十分に得ることが難しい。70体積%超では、熱伝導率の低下や耐衝撃特性の低下といった不具合が生じることがある。本発明では、セラミックス粒子と晶析出物とを合計で70体積%といった高含有率であっても、晶析出物は、凝固するまでの間液相として存在するため、セラミックス粒子を70体積%含む場合と比較して、溶湯粘度の向上などといった不具合が生じない。従って、本発明複合材料を製造する際、材料となる溶湯は、流動性に優れる。流動性の良否を評価する方法としては、例えば、溶湯の粘度や、一定の大きさの筒状鋳型或いは渦巻き状鋳型に鋳造を行い、溶湯が鋳型に充満している距離を測定し、これら粘度や距離などにより評価することが挙げられる。その他、材料を母相であるアルミニウム合金の融点以上に加熱し、一定の大きさの板状(例えば、内寸:厚み5mm×幅50mm×長さ100mm)の鋳型を用いて重力鋳造を行い、この鋳型全体に材料溶湯が充満でき、鋳造が行えるものを流動性が良好とし、所定の厚さ(例えば、5mm)の鋳型に溶湯が入らなかったり、鋳型全体に材料溶湯が充満せず良好な板材が得られないものを流動性が悪いとしてもよい。
本発明複合材料は、粉末冶金法ではなく、後述するように鋳造法により製造する。そのため、気孔率(ボイド占有率)を非常に低くする、具体的には、3体積%以下とすることができ、内部欠陥が少なく、熱伝導性の低下を低減することができる。また、ボイドが少ないことで表面凹凸も少なく、表面性状に優れるため、本発明複合材料は、メッキなどの表面加工を適正に施すことができる。気孔率の測定方法としては、一般的にアルキメデス法や水銀法などがあるが、金属顕微鏡で撮影した断面写真を用いた測定を行ってもよい。具体的には、測定したい試料(サンプル)の断面を研磨し、研磨面を金属顕微鏡付属のカメラで倍率25倍にて撮影したときの視野範囲を一視野とし、複数の視野について撮影を行って、各視野内に存在する全ての気孔の面積を視野ごとに求めて足し合わせ、各視野に対する全気孔の面積率を算出する。そして、得られた複数の面積率の平均を体積率として利用してもよい。本発明複合材料では、等方性があると考えられるので、面積率=体積率として用いることができる。視野範囲は、例えば、縦2.02mm×横3.08mm、面積約6.2mm2とすることが挙げられる。気孔の面積は、サンプルの断面写真を画像処理により算出することが挙げられる。観察する視野数は、5以上が好ましい。複数の視野は、試料の任意の各所を選択するとよい。また、試料の形状や大きさによって、観察箇所(撮影箇所)、観察視野の視野数を適宜選択するとよい。なお、気孔が微細な場合などで25倍で撮影した画像で適正に評価が行えない場合は、一視野を分割し、各分割視野を高倍率で撮像し、分割視野ごとの写真で解析を行い、その結果を足し合わせて一視野の結果として評価を行ってもよい。
<熱伝導率>
本発明複合材料は、添加元素の組成や含有量を上記範囲内で適宜調整することで、所望の熱伝導率、熱膨張係数を得ることができる。具体的には、熱伝導率を150W/m・K以上250W/m・K以下とすることができる。熱伝導率が150W/m・K未満では、本発明複合材料を半導体素子搭載用基板材料に用いる場合、熱放散を効率よく行うべく基板を大きくする必要があり、小型化が望まれる半導体材料に適さず、また、ブレーキディスクなどの放熱性が望まれる部材においても不十分である。本発明者らが調べた結果、アルミニウム合金にセラミックス粒子を添加した複合材料では、250W/m・K超の熱伝導率を達成することが非常に困難であり、生産性を考慮して上限を250W/m・Kとする。特に、半導体素子搭載用基板材料に用いる場合、熱伝導率は180W/m・K以上が好ましい。
本発明複合材料は、熱膨張係数を小さくすることができる。具体的には、4×10-6/K以上15×10-6/K以下とすることができる。半導体素子の熱膨張係数は、4×10-6/K〜7×10-6/K程度(例えば、Si:4.2×10-6/K、GaAs:6.5×10-6/K)であり、周辺部品の熱膨張係数は、7×10-6/K〜17×10-6/K程度(セラミックスパッケージの場合周辺部品を形成するセラミックス、例えば、Al2O3が6.5×10-6/K、プラスチックパッケージの場合周辺部品を形成するプラスチックが12×10-6/K〜17×10-6/K程度)である。従って、これら半導体素子の熱膨張係数や周辺部品の熱膨張係数と整合をとるには、4×10-6/K以上15×10-6/K以下が好適である。本発明者らが調べた結果、アルミニウム合金にセラミックス粒子を添加した複合材料では、4×10-6/K未満の熱膨張係数を達成することが非常に困難であり、生産性を考慮して下限を4×10-6/Kとする。特に6×10-6/K以上12×10-6/K以下とすることもできる。また、生産性を考慮すると、8×10-6/K以上12×10-6/K以下が好適である。
本発明複合材料は、上記のように熱伝導率、熱膨張係数を調整可能であることから、セラミックスパッケージ、メタルパッケージはもちろんのこと、プラスチックパッケージの半導体素子搭載用基板の材料として好適に利用することができる。また、半導体素子とパッケージとの接合にフリップチップ方式やボールグリッドアレイ方式を採用した構造のものにも利用することができる。或いは、半導体素子の近傍に配置されるヒートスプレッダーなどの放熱部材の材料として利用してもよい。その他、車載用のパワーディバイスの材料などにも好適に利用できる。特に、本発明複合材料は、軽量なアルミニウム合金系であるため、軽量化が求められている種々の分野での利用に適する。また、本発明複合材料では、セラミックス粒子の過剰添加を行わないことから溶湯の粘度上昇を抑制して上記のように流動性に優れるため、板状といった簡単な形状のものから、リッド形状、フィン形状などの複雑な形状のものの他、10mm以下、特に、5mm以下、更に、1mm以下といった厚みが薄いものでも寸法精度に優れた高品位とすることができる。なお、熱伝導率、熱膨張係数は、半導体素子や周辺部品、その他用途に応じて適宜調整するとよい。
また、本発明複合材料は、アルミニウム合金マトリクス中に高硬度な晶析出物及びセラミックス粒子が均一に分散していることで、耐摩耗性にも優れる。従って、本発明複合材料は、自動車のブレーキディスクや、自転車のスプロケットなどといった耐摩耗材の材料に好適に利用することができる。特に、本発明複合材料は、上記のように熱伝導性にも優れることから、自動車のブレーキディスクのように放熱性も要求される部材の材料に適する。
<溶解工程>
本発明複合材料は、鋳造にて製造する。具体的には、まず、上記添加元素を添加したアルミニウム合金を溶解する。より具体的には、純アルミニウムを溶解した後、このアルミニウムの溶湯に添加元素を添加して合金の溶湯とすることが挙げられる。
次に、溶解したアルミニウム合金溶湯にセラミックス粒子を添加して攪拌する。この攪拌により、セラミックス粒子をアルミニウム合金マトリクス中に均一に分散させる。このとき、アルミニウム合金を完全に液相状態に溶融して攪拌してもよいが、半溶融状態で攪拌する方がより短時間で均一に分散させることができる。また、攪拌は、真空雰囲気で行うと、溶湯の表面が泡立って気泡を巻き込んだとしても、鋳造前に大気圧に開放することで気泡を小さくし、表面性状が良好な複合材料を得ることができる。
そして、アルミニウム合金溶湯中にセラミックス粒子が分散された溶融混合物を鋳造する。この鋳造工程において溶融混合物が凝固する際に、アルミニウム合金マトリクス中に晶析出物を析出させる。このとき、本発明では、上記のように添加元素の組成を特定することで、晶析出物の成長を効果的に抑制して微細な組織とし、マトリクス中に晶析出物を均一に分散させた複合材料を製造することができる。また、鋳造温度を高温としたり、指向性凝固を行うことで、セラミックス粒子及び晶析出物をより均一に分散させると共に、表面性状がより良好な複合材料とすることができる。なお、鋳造は、真空雰囲気下で行ってもよいし、大気圧下で行ってもよい。
上記鋳造により得られた本発明複合材料は、適宜加工を施し、所望の造形体を得ることができる。このような造形体の加工としては、例えば、押出加工、プレス加工、エッチング加工、ブラスト加工、メッキ加工などが挙げられる。これらの加工を施し、例えば、半導体素子搭載用基板やブレーキディスクなどを作製することができる。
(試験例1)
アルミニウムに添加元素を添加して表1,2に示す組成のアルミニウム合金(残部アルミニウム及び不可避的不純物)を作製し、この合金の溶湯に表1,2に示すセラミックス粒子を添加して攪拌した後、溶融混合物を鋳造してアルミニウム合金系複合材料を作製した。表1,2に、アルミニウム合金の組成、セラミックス粒子の組成、含有量(体積%)、平均粒径(μm)を示す。いずれの試料においても、セラミックス粒子は、表1,2に示す平均粒径の市販のものを利用するか、表1,2に示す平均粒径となるように粉砕したものを利用した。また、セラミックス粒子の含有量は、製造された複合材料を100体積%として表1,2に示す割合となるように調整した。
アルミニウムインゴット(アルミニウム99.95体積%、残部不可避的不純物)を大気中において電気炉で溶解し、表1,2に示す量のSiを添加してAl-Si合金を約10kg作製した。Arガスを用いて溶湯処理した後、るつぼと攪拌羽根とを有し、真空引きが可能な複合炉に上記アルミニウム合金溶湯を移槽した。移槽した溶湯に、表1,2に示すSi以外の添加元素を添加してAl-Si-(Caなどの元素)合金とした後、溶湯表面に形成された酸化膜を除去し、1.3×10-2hPa(1×10-2torr)に真空引きした。そして、表1,2に示す溶湯温度で、攪拌羽根の回転数を600r.p.mとして、溶湯の攪拌を開始した。溶湯の攪拌が安定したことを確認した後、表1,2に示すセラミックス粒子を添加して更に攪拌し、セラミックス粒子がアルミニウム合金マトリクス中に均一に分散した溶融混合物を作製した。
試料No.1-1,1-8,1-50,1-59では、溶解混合物を双ロール法により連続鋳造を行い、厚さ5mm×幅200mmの板状の複合材料を得た。これら試料No.1-1,1-8,1-50,1-59はそれぞれ、冷却速度を130℃/秒、110℃/秒、120℃/秒、115℃/秒とした。
試料No.1-2,1-54は横型鋳造法、No.1-10,1-53は双ベルト法により連続鋳造を行い、厚さ5mm×幅50mm×長さ100mmの板状の複合材料を得た。これら試料No.1-2,1-54,No.1-10,1-53の冷却速度はそれぞれ、60℃/秒、60℃/秒、55℃/秒、65℃/秒とした。
これら試料No.1-1〜1-12,1-50〜1-63は、厚さが10mm以下と薄いため、厚さ方向においてほぼ均一に冷却された。
試料No.1-200は、公知の粉末冶金法にて、厚さ10mm×幅50mm×長さ50mmのブロック状の複合材料を作製した。
上記試験例1試料No.1-1〜1-12,1-50〜1-63と同様の組成、同様の条件でセラミックス粒子がアルミニウム合金マトリクス中に均一に分散した溶融混合物を作製し、板状以外の形状の複合材料(試料No.2-1〜2-12,2-50〜2-63)を作製してみた。具体的には、フィン形状、リッド形状を重力鋳造法及びダイキャスト法により作製してみたところ、問題なく作製することができ、かつ寸法精度に優れていた。一方、試料No.1-100と同様の組成、同様の条件(高速攪拌(1000r.p.m)を適用)でセラミックス粒子がアルミニウム合金マトリクス中に分散した溶融混合物を作製し、試料No.2-1〜2-12,2-50〜2-63と同様にフィン形状、リッド形状を重力鋳造法及びダイキャスト法により作製してみたところ、溶解混合物の粘度が高いことで鋳型に十分に溶解混合物が充填されず、寸法精度が低いものであった。
試験例1試料No.1-1〜1-12,1-50〜1-63と同様の組成、同様の条件で作製した複合材料(試料No.3-1〜3-12,3-50〜3-63)に二次加工を施してみた。具体的には、Cu、Al、Niのメッキ加工、押出加工、圧延加工、プレス加工、エッチング加工、ブラスト加工をそれぞれ行ってみたところ、いずれの加工も十分に行うことができ、造形体への加工が可能であることが確認された。一方、試料No.1-100と同様の組成、同様の条件(高速攪拌を適用)で作製した複合材料に試料No.3-1〜3-12,3-50〜3-63と同様に二次加工を施してみたところ、適切に加工が施せないことが確認された。例えば、メッキ加工では、表面凹凸により良好にメッキを施すことができない箇所があるなどの不具合が生じた。
試験例1試料No.1-1〜1-12,1-50〜1-63,1-100,1-200と同様の組成で、重力鋳造法による鋳造(試料No.4-1〜4-12,4-50〜4-63の鋳造条件は試料No.1-3と同様、試料No.3-100は試料No.1-100と同様に厚さ50mm×幅50mm×長さ100mmの鋳型で鋳造)、又は粉末冶金法(試料No.4-200のみ適用)でφ5mmの円柱状に作製した複合材料(試料No.4-1〜4-12,4-50〜4-63,4-100,4-200)を用いて、耐摩耗性、疲労特性を調べてみた。
Claims (20)
- アルミニウム合金マトリクス中にセラミックス粒子が分散された複合材料から構成された半導体素子搭載用放熱部材であって、
当該放熱部材は、鋳造法により製造されており、
前記アルミニウム合金は、
Siと、Ca、Mg及びTiから選択される1種以上の第一元素と、Niとからなる添加元素と残部がアルミニウム及び不純物とからなり、
前記Siの含有量が5質量%以上40質量%以下、
前記第一元素の合計含有量が0.01質量%以上5.0質量%以下、
前記Niの含有量が5質量%以上40質量%以下であり、
前記セラミックス粒子の含有量が10体積%以上45体積%以下であり、
前記アルミニウム合金マトリクス中には、セラミックス粒子と、前記添加元素のうち少なくともNiを含む晶析出物とが均一に分散しており、
熱膨張係数が8×10-6/K以上12×10-6/K以下、かつ熱伝導率が150W/m・K以上250W/m・K以下であることを特徴とする半導体素子搭載用放熱部材。 - セラミックス粒子と晶析出物とを合わせて20体積%以上70体積%以下含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子搭載用放熱部材。
- 添加元素において一元素あたりの含有量は、アルミニウム合金を100質量%として0.0005質量%以上40質量%以下であり、
添加元素の合計含有量は、アルミニウム合金を100質量%として10.01質量%以上48質量%以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体素子搭載用放熱部材。 - 熱膨張係数が10.1×10-6/K以上12×10-6/K以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体素子搭載用放熱部材。
- 熱伝導率が180W/m・K以上250W/m・K以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体素子搭載用放熱部材。
- セラミックス粒子は、酸化アルミニウム、炭化珪素、窒化珪素、ホウ化チタン、酸化珪素、酸化ベリリウム、窒化アルミニウムから選択された1種以上であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体素子搭載用放熱部材。
- セラミックス粒子は、炭化珪素であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体素子搭載用放熱部材。
- セラミックス粒子の平均粒径が10μm以上100μm以下であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体素子搭載用放熱部材。
- 晶析出物は、添加元素のうち1種の元素からなるもの、添加元素のうち2種以上の元素が結合したもの、添加元素のうち1種以上の元素とアルミニウムとが結合したものから選択される1種以上であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体素子搭載用放熱部材。
- 晶析出物は、Si、Mg2Si、Al3Mg2、Al3Ni、Al3Ni2、Al3Ni5、AlNi3、TiAl3、及びTiAlから選択される1種以上であることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体素子搭載用放熱部材。
- 晶析出物の最大粒子径が500μm以下であることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の半導体素子搭載用放熱部材。
- 気孔率が3体積%以下であることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の半導体素子搭載用放熱部材。
- 半導体素子搭載用放熱部材の材料に用いられる複合材料の製造方法であって、
Siと、以下の第一元素と、Niとからなる添加元素を以下の含有量含み、残部がアルミニウム及び不純物とからなるアルミニウム合金の溶湯を作製する工程と、
作製したアルミニウム合金溶湯にセラミックス粒子を添加して攪拌し、合金中にセラミックス粒子を均一に分散させる工程と、
セラミックス粒子が分散された溶融混合物を鋳造する工程とを具え、
前記分散工程では、作製する複合材料中のセラミックス粒子の含有量が10体積%以上45体積%以下となるように前記セラミックス粒子を前記アルミニウム合金溶湯に添加し、
前記鋳造工程において、添加元素のうち少なくともNiを含む晶析出物を溶融混合物の凝固時に析出させ、この晶析出物をアルミニウム合金マトリクス中に均一に分散させることを特徴とする複合材料の製造方法。
(第一元素)
Ca、Mg、及びTiから選択される1種以上の元素
(添加元素の含有量)
Siの含有量:5質量%以上40質量%以下
第一元素の合計含有量:0.01質量%以上5.0質量%以下
Niの含有量:5質量%以上40質量%以下 - セラミックス粒子は、酸化アルミニウム、炭化珪素、窒化珪素、ホウ化チタン、酸化珪素、酸化ベリリウム、窒化アルミニウムから選択された1種以上であることを特徴とする請求項13に記載の複合材料の製造方法。
- セラミックス粒子は、炭化珪素であることを特徴とする請求項13又は14に記載の複合材料の製造方法。
- 鋳造は、セラミックス粒子が分散された溶融混合物を急冷して、連続的に鋳造材を得る連続鋳造であることを特徴とする請求項13〜15のいずれか1項に記載の複合材料の製造方法。
- 連続鋳造は、双ベルト法、ベルト車輪法、双ロール法、横型鋳造法のいずれかであることを特徴とする請求項16に記載の複合材料の製造方法。
- 鋳造材を得る際の冷却速度が10℃/秒以上であることを特徴とする請求項16又は17に記載の複合材料の製造方法。
- 鋳造は、重力鋳造法、ダイキャスト法、スクイーズキャスト法、低圧鋳造法のいずれかであることを特徴とする請求項13〜15のいずれか1項に記載の複合材料の製造方法。
- 更に、請求項13〜19のいずれか1項に記載される製造方法により得られた複合材料に押出加工、プレス加工、エッチング加工、ブラスト加工、メッキ加工の少なくとも一つの加工を施し、半導体素子搭載用放熱部材を得る工程を具えることを特徴とする半導体素子搭載用放熱部材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004291786A JP4456972B2 (ja) | 2004-10-04 | 2004-10-04 | 半導体素子搭載用放熱部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004291786A JP4456972B2 (ja) | 2004-10-04 | 2004-10-04 | 半導体素子搭載用放熱部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006108317A JP2006108317A (ja) | 2006-04-20 |
| JP4456972B2 true JP4456972B2 (ja) | 2010-04-28 |
Family
ID=36377696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004291786A Expired - Fee Related JP4456972B2 (ja) | 2004-10-04 | 2004-10-04 | 半導体素子搭載用放熱部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4456972B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111485146A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-08-04 | 华南理工大学 | 一种高导热高强度低Si铸造铝合金及其制备方法 |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008066379A (ja) * | 2006-09-05 | 2008-03-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 複合材料 |
| JP2008189995A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Shinshu Univ | 鋳造による酸化物粒子分散強化合金の製造方法 |
| JP5284681B2 (ja) * | 2007-05-16 | 2013-09-11 | 住友電気工業株式会社 | 放熱部材、放熱部材の製造方法、及び半導体デバイス |
| WO2012082621A1 (en) * | 2010-12-13 | 2012-06-21 | Gkn Sinter Metals, Llc | Aluminum alloy powder metal with high thermal conductivity |
| CN102530957B (zh) * | 2011-12-14 | 2013-07-10 | 太原理工大学 | 一种制备纳米Mg2-xSiREx热电材料的方法 |
| RU2533512C2 (ru) * | 2012-12-26 | 2014-11-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственный центр автоматики и приборостроения имени академика Н.А. Пилюгина" (ФГУП "НПЦАП") | Порошковый композиционный материал акп-1пк и способ его получения |
| RU2516679C1 (ru) * | 2013-02-26 | 2014-05-20 | Федеральное Государственное Автономное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Сибирский Федеральный Университет" | Литой композиционный материал на основе алюминия и способ его получения |
| CN105132762B (zh) * | 2015-09-29 | 2017-04-05 | 济南大学 | 一种铝‑硅‑镁‑铜‑钽合金及其制备方法 |
| CN106191535A (zh) * | 2016-07-07 | 2016-12-07 | 无锡戴尔普机电设备有限公司 | 一种新型过滤网外框材料 |
| CN106191536A (zh) * | 2016-07-07 | 2016-12-07 | 无锡戴尔普机电设备有限公司 | 一种新型风量调节阀边框材料 |
| CN106048315A (zh) * | 2016-07-07 | 2016-10-26 | 无锡戴尔普机电设备有限公司 | 一种铝型材材料 |
| CN107447138B (zh) * | 2017-08-10 | 2021-02-05 | 佛山市三水凤铝铝业有限公司 | 一种抗腐蚀铝合金型材及其挤压方法 |
| CN108034861B (zh) * | 2017-11-27 | 2020-02-21 | 宁波华源精特金属制品有限公司 | 一种机器人盖板及其制备工艺 |
| CN109652680A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-04-19 | 安徽鑫铂铝业股份有限公司 | 一种高性能大型车辆铝型材 |
| CN109680182B (zh) * | 2019-02-21 | 2020-08-07 | 武汉大学 | 一种铝-钛铝金属间化合物-氧化铝复合材料及其制备方法和应用 |
| CN110157929A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-08-23 | 西安交通大学 | 一种改善镁合金中Mg2Si强化相组织和形貌的方法 |
| CN110484779A (zh) * | 2019-08-23 | 2019-11-22 | 广西平果铝合金精密铸件有限公司 | 高性能铝合金压铸件及其制备方法 |
| CN111041306A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-21 | 上海交通大学 | 一种优良焊接性的2xxx系铝合金及其制备方法 |
| CN111424193B (zh) * | 2020-04-30 | 2021-06-22 | 新沂天源节能材料有限公司 | 一种高强度耐腐蚀铝合金门窗及其制备方法 |
| CN112522554A (zh) * | 2020-11-19 | 2021-03-19 | 保定市立中车轮制造有限公司 | 一种稀土铝合金及其制备方法 |
| CN115094280A (zh) * | 2022-07-21 | 2022-09-23 | 栋梁铝业有限公司 | 汽车刹车盘用铝基复合材料及其制备方法 |
| CN115369276B (zh) * | 2022-08-15 | 2023-06-06 | 哈尔滨工业大学(威海) | 一种SiC和TiB2双相增强铝基复合材料及其制备方法 |
| CN116024469B (zh) * | 2022-12-20 | 2024-05-14 | 西安邮电大学 | 一种颗粒增强耐热铝基复合材料及其制备方法和热处理方法 |
-
2004
- 2004-10-04 JP JP2004291786A patent/JP4456972B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111485146A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-08-04 | 华南理工大学 | 一种高导热高强度低Si铸造铝合金及其制备方法 |
| CN111485146B (zh) * | 2020-04-21 | 2021-07-20 | 华南理工大学 | 一种高导热高强度低Si铸造铝合金及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2006108317A (ja) | 2006-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4456972B2 (ja) | 半導体素子搭載用放熱部材 | |
| TWI802548B (zh) | 高強度鋁合金底板及製造方法 | |
| EP4067521B1 (en) | Aluminum alloy and preparation method therefor | |
| US5211778A (en) | Method for forming aluminum-silicon alloy | |
| EP2980268A1 (en) | Cylindrical sputtering target and process for producing same | |
| US20230143183A1 (en) | Aluminum-based powder for metal additive manufacturing, producing method thereof, and metal additive manufactured objects thereof | |
| CN111041290A (zh) | 一种铝合金及其应用 | |
| WO2007094507A1 (ja) | Cr-Cu合金、その製造方法、半導体用放熱板および半導体用放熱部品 | |
| WO2006112063A1 (ja) | 半導体装置放熱用合金材およびその製造方法 | |
| JP7005647B2 (ja) | スパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに磁気記録媒体の製造方法 | |
| Zhou et al. | Microstructure and properties of Cu-TiB2 composites prepared by mechanical stirring-assisted double-melt in-situ reaction | |
| US20230203622A1 (en) | Aluminum-Scandium Composite, Aluminum-Scandium Composite Sputtering Target And Methods Of Making | |
| CN108884520A (zh) | 磁盘用铝合金坯体和磁盘用铝合金基片 | |
| US20110002809A1 (en) | Low lead brass alloy and method for producing product comprising the same | |
| CN109072419B (zh) | 溅射靶材 | |
| CN115398017B (zh) | 镁合金及其制造方法 | |
| EP2905351B1 (en) | Hypereutectic aluminum/silicon alloy die-cast member and process for producing same | |
| JP2020143340A (ja) | 感光ドラム基体用アルミニウム合金および感光ドラム基体用アルミニウム合金押出材の製造方法 | |
| EP1905856B1 (en) | Al base alloy excellent in heat resistance, workability and rigidity | |
| CN1511970A (zh) | 铜基大块非晶合金 | |
| JP7100832B2 (ja) | アルミニウム合金材 | |
| Bülbül et al. | Casting of AA 7075 aluminium alloy into gravity die and effect of the die preheating temperature on microstructure and mechanical properties | |
| JP4275892B2 (ja) | 半導体素子搭載用基板材の製造方法 | |
| US20210310102A1 (en) | Aluminum alloy material and method for producing aluminum alloy material | |
| Tyagi et al. | Characterization of AA6082/Si3N4 composites |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070612 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090324 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090413 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090610 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091112 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091225 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100121 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100208 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130212 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4456972 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140212 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |
