JP4456387B2 - 銅製水配管の防食方法。 - Google Patents
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Description
従来、かかる水配管を構成する銅の腐食防止のために、水系に腐食防止剤を添加する方法が多く採用されており、腐食防止剤としてはトリルトリアゾール、ベンゾトリアゾールなどが用いられている。 また、特許文献1などには、銅管の孔食及び銅イオンの溶出を防止するために、無電解めっき法、即ち、置換めっき法又は化学還元めっき法により、銅管の内面にSnめっき皮膜を形成する方法も用いられている。
しかしながら、従来のトリルトリアゾール、ベンゾトリアゾールよりなる腐食防止剤では、場合によって効果が極めて短期間で失われたり、あるいは腐食を十分に防止し得ない場合があった。また、上記特許文献1などに開示されている従来技術については、Sn皮膜に生じたピンホール欠陥により、銅イオン溶出することから孔食が発生する場合があり、その効果は十分ではなかった。
一方、鋼管のスケール防止の分野では磁気処理が行われている。磁気処理は、施工が簡単であり、ランニングコストがかからないといった点で注目され、多くの研究機関や企業で磁気水についての研究が行われている。特許文献2などでは、工業用水を循環させる配管に磁束密度12000〜15000ガウスの磁場を作用させることにより、炭酸ナトリウム及びケイ酸を主成分としたスケールの付着を抑制させる方法が記載されている。また特許文献3などでは、処理流体を5000ガウス以上の高密度の磁束により処理することができる磁気処理装置により、配管中の赤さびやスケール等を除去する方法についての記載がある。
しかしながら、これらは鉄と磁気処理の組み合わせにより、赤さびやスケールを防止する方法であり、銅を対象とするものではなく、しかもその耐孔食性の向上を意図したものでもなく、本発明がここに提案する、銅管を対象とした場合の特有な防食メカニズムを利用し、銅管の防食効果を最大限に発揮させるための適正な磁気処理条件を規定する防食方法とはその技術思想を全く異にしたもである。
2930+1200×e (-1.1×V) ≦B(ガウス)≦7930+1200×e (-1.1×V)
但し、V:銅製水配管内の水の流速(m/s)
本発明者らは銅製水配管(以下、銅管と略称することがある)がその使用期間の経過に伴って孔食を起こすのは、配管内面の銅が水質等の影響により銅イオンとなって流水中に溶出し、これが何らかの事情で不安定となって局部的に進行してその侵食がさらに促進され、ついには配管を貫通するピンホールを形成するものと予測し、この銅イオンの溶出を銅管の内面全域にわたって均一に抑制し、局部的な侵食が進行しない安定した銅管内面の表面状態を維持する対策を講じれば孔食を防止できるのではないか考えた。
そして、こうした観点から、さまざまな対策を立案、試行する過程において、特に銅の耐孔食性に与える水の磁気処理の影響に着目して検討を加えた結果、銅館内を流動する水に磁気照射を施すことにより、銅の耐孔食性が向上する事実を発見した。さらに、この磁気処理に関して、詳細な実験、研究を重ねていくうちに、適正な磁気処理の条件を選定することにり、孔食を極めて有効に防止し得る配管内面の安定した表面状態が得られることを知見するに至った。
ここでいう適正な磁気処理条件とは、まず、その前提として銅製水配管に照射する磁場の向きが、同配管の長さ方向(配管内を流れる水の流れの方向)に対して直角となるように磁場を作用させて処理することである。そして、その磁場の強さは、磁束密度(B)3000ガウス(以下でGと記号で表示こともある)以上とするものである。さらに、配管内を流れる水の流速の影響を考慮して、その流速(V)に応じて作用させる磁場の磁束密度(B)の最小値を変化させた条件(B≧2930+1200×e(-1.1×V))を選択することで、有利で安定したな孔食防止を図るものである。これらの本発明における磁気処理条件については後述の実施例などによって詳しく述べることにする。
上記の孔食防止のメカニズムは現時点で必ずしも完全に解明されたわけではないが、次のように想定される。
図1〜図4はこのメカニズムを概要を説明する銅管の断面模式図である。図1は磁気処理前すなわち磁場がない通常における銅管1内を流れる水2の様子を示したもので、3は銅管1内面から溶出した水中の銅イオン(Cu+2)の流れ、4は水酸化イオン(OH-)の流れで、両イオンはイオン結合により対になって混合した状態となっている。
図2及び図3はこれに直角方向(図2では上から下に、図3では右から左に)に磁場5を照射した磁気処理中の様子を示したもので、両図のように銅イオン3とOHイオン4は磁場5中を通過することでイオン流分離作用が働き、両イオンが銅管1内で二分された状態の流れに変化する。
そして、図4はこの二分されたが両イオンが磁場5中を通り過ぎて、磁場のない銅管1内に到達した状態すなわち磁気処理後の様子を示したもので、銅イオン3とOHイオン4は磁場の開放に伴って、元の混合状態に戻るために分子結合し、微細な水酸化銅6のコロイドゾルとなり、これが順次銅管1の内面(内壁)に吸着され、緻密で均一な保護皮膜7となってその内面を覆うことになる。
この水酸化銅6の緻密な保護皮膜7が銅管1の内面からの銅イオン3の溶出を抑制し、安定した界面状態を維持することにより、銅の侵食、とりわけ局部的に起こる過度の侵食を防止し、耐孔食性を効果的に向上させるものと考えられる。
次に、本発明の磁気処理に適用される防食処理装置(磁気処理装置)についてその概要を図面を参照して説明する。図5及び図6は防食処理装置の実施態様の一例であり、図5は水2が流れている銅管1に防食処理装置Mを設置した状態を示す斜視図、図6はその断面図を示している。
ここにおいて、防食処理装置Mは永久磁石内蔵型の装置であって、図5に示すように、それぞれ複数(図例は二個)の永久磁石片11を内蔵しており、銅管1を囲むように互いに向かい合って配設された一対のケーシング12と、このケーシン12を、銅管1にボルトやピンなどの締結部材により着脱可能に固定するための板状の取付部材13から構成される。
こうした防食処理装置Mは孔食の発生の恐れのある銅製水配管の任意の位置にまた任意の個数を設置できるが、前述の孔食防止のメカニズムから知れるように、この装置を設置した配管の下流側の領域で防食効果が発揮されるため防食を必要とする配管経路の上流側に同装置を設けることが好ましく、またより広範囲にわたる配管経路を対象とするには複数の装置を一定の間隔を置いて設置すれば良い。
以下、本発明にかかる磁気処理条件およびこれによる効果につき、実施例に基づいて具体的に説明、立証することにする。
(実施例1)
本実施例においては耐孔食性の評価方法としてすでに業界において一般的に採用されている、アノード分極測定より求めた孔食発生電位と腐食電位を比較することにより銅管の耐孔食性の評価を行った。
供試材にはリン脱酸銅により製作された銅管(内径:20mm、長さ:300mm)を使用し、これを管軸方向に二分割し、その管内面を試験面(水溶液接触領域100mm2)とし、その他を絶縁被覆した。試験水には、神戸市水を用いた。磁場の照射のため図5の装置態様と同様にして、一対の永久磁石を互いに異なる磁極を向き合わせ、銅管を挟み込むようにしてその長さ方向に対して直角に配置した。磁束密度は磁束密度計を用いて、管内部の中心を測定した。この外側から磁石を取り付けた銅管に神戸市水を2.6m/sの流速で流すことにより磁気水を生成した。試験液の温度は30℃一定とした。
電気化学的測定は、ポテンショスタットを用いて、図8に模式的に示すようなアノード分極曲線の測定を行い、腐食電位、孔食発生電位を求めた。腐食電位の測定を5分行った後、その電位から20mV/minで貴に掃引し、電流の立ち上がりが10A/cm2に到達した電位を「孔食発生電位」とした。
また、孔食発生のしやすさを定義するパラメータとしてΔE1を採用した。このΔE1とは孔食発生電位と腐食電位の差であり、電位差が大きいほど孔食は発生し難いことを意味する。そして、耐孔食性を評価は下記基準に従って行った。
□…ΔE1が400mV以下:耐孔食性に劣る。
△…ΔE1が400〜500mV:耐孔食性を示すがなお不十分である。
○…ΔE1が500〜600mV:耐孔食性に優れる。
◎…ΔE1が600mV以上。耐孔食性に極めて優れる。
(実施例2)
次に、上記の実施例1では試験水の流速を一定(2.6m/s)としたが、本実施例では銅管に流すこの水の流速を0.2〜4.0m/sの範囲で変化させながら各磁束密度で同様な試験を行って、ΔE1を測定した。これに基づき、前記境界条件となる磁束密度3000ガウスに相当するΔE1すなわち500mVになる水の流速(m/s)と磁束密度(G)の相関を調査、解析した。
図11はこのようにして求められた流速V(m/s)と磁束密度B(G)の関係を示すグラフである。
そして、このグラフは以下のような指数関数式で近似して表すことができる。
このBは銅管を流れる水の流速Vによって変化する場合にΔE1すなわち耐孔食性が優れた状態を維持する磁束密度の最小値を意味しており、従って、本発明による防食効果を確実に発揮させるためには、次式(1)を満足するように、水の流速Vの値に応じて照射する磁場の磁束密度を選定することが必要である。
また、前述のように実用面を考慮すれば、上式(1)と下式(2)を同時に満足する範囲の磁束密度を選定して実施することがより好ましいといえる。
本実施例によって、明らかにされた耐孔食性に与える水の流速Vは、水に照射される磁場の磁束密度Bが一定とした場合、その流速Vが大きくなればなるほど水中に存在する銅イオンならびに水酸化イオンの流れの速度がこれを通過する磁束に対して相対的に大きくなり、これに伴い磁場によるこれらイオンの分流作用がより大きく働くことになり、これにより、磁場が開放された後に再結合する水酸化銅の分子の量も増加し、そのコロイドゾルの銅管内面への吸着量も増え、より緻密で厚い保護皮膜の生成、成長が促進される結果と推測される。
5:磁場 6:水酸化銅コロイドゾル(流) 7:保護皮膜 11:永久磁石片
12:ケーシング 13:取付部材 14:電磁コイル 15:導線
Claims (1)
- 水が流れている銅製水配管に、その長さ方向に対して直角の向きに、下式を満たす磁束密度(B)の磁場を作用させることを特徴とする銅製水配管の防食方法。
2930+1200×e (-1.1×V) ≦B(ガウス)≦7930+1200×e (-1.1×V)
但し、V:銅製水配管内の水の流速(m/s)
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