JP4446065B2 - ダイヤモンド表面上の原子的平坦面の選択的形成方法、そのダイヤモンド基板及びこれを用いた半導体素子 - Google Patents
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Description
これらの欠陥はデバイス特性を劣化させる。他の材料を見てもデバイス特性において表面の平坦性は非常に重要であり、ダイヤモンドを用いたデバイス作製においても、これらの欠陥を作製するデバイス内で低減させる必要がある。
ダイヤモンド(001)基板上において、マイクロ波プラズマCVDを用いて0.025%のメタン濃度によりステップテラス構造の形成が報告されている(非特許文献 1参照)。
しかし、(111)基板上では、そのような平坦な表面は得られていない。従って、ダイヤモンドを用いたデバイス作製において、デバイスサイズの平坦な表面を選択的に形成する技術が求められている。
また、Si(111)基板上にメサ構造形成後、超音速ビームSi2H6を原料に基板温度850℃で堆積を行うことでメサ表面上を原子的平坦にすることが知られている(非特許文献3)。
さらに、GaAs (111)B基板上にSiO2マスクを用いてメサ構造形成後、有機金属気相エピタキシー法を行うことでメサ表面上を原子的平坦にすることが知られている(非特許文献4)。
また、本発明において、前記段差をつけたダイヤモンド表面は、結晶構造(110)又は(111)のダイヤモンド基板またはCVDでホモエピタキシャル成長したダイヤモンド膜の表面に金属等のマスクを設けそのマスクを目的の形状に加工し、前記ダイヤモンドをエッチングしメサ表面を有する段差を形成し、さらに前記マスクを除去することにより得ることができる。
さらに、本発明は、CVDを、マイクロ波プラズマCVDとすることができる。
また、本発明は、ステッフロー成長において、炭素源ガスの供給量を0.001%〜0.2%として、炭素源ガスの供給量をコントロールすることができる。
また、本発明で用いるマスクは、金、白金等が代表的であるが、アルミナ等の金属酸化物やシリコン酸化物を代用することもできる。
また、リソグラフィは、業界周知の手段であり、周知のリソグラフィを採用することができる。その工程は、レジストの塗布、露光、現像から成る。リソグラフィの代表的には、露光の際、光を用いたフォトリソグラフィと電子を用いた電子リソグラフィがある。また、本発明で用いるレジストは、露光により硬化するものであれば、どのようなレジストでも用いることができる。代表的には、ZEP520Aなどがある。
また、本発明で用いるダイヤモンドのエッチングも、周知慣用のダイヤモンドエッチングを採用することができる。代表的には、ICP(誘導結合型プラズマ)を用いたドライエッチングがある。
また、本発明におけるステップフロー成長とは、ステップが優先的に成長する方法であり、用いるダイヤモンド表面の種類(110)又は(111)に応じて、炭素源ガスの濃度などの成長条件を制御する必要がある。
本発明で用いる炭素源ガスは、メタン、エタン等の炭化水素や、一酸化炭素、二酸化炭素及び水素の混合物を用いる。その際、酸素や希ガスが混合された状態でも可能である。
本発明のステップフロー成長の手段としては、CVD(化学気相成長法)を用いることができる。
とくに、マイクロ波プラズマCVDを用いることが望ましい。
(参考例1)
図2のプロセスに基づいて、説明する。
ダイヤモンド基板(001)の表面に、レジスト膜を形成し、電子線露光により、レジストの所望箇所を除去し、次いで、金を蒸着することにより、ダイヤモンド基板(001)表面に、金の層を設けた。次いで、リフトオフすることにより、レジストが除去された部位のみ、金の層が形成された。次いで、ダイヤモンドエッチングすることによりダイヤモンド基板を加工し、さらに金層を除去することにより、段差(メサ構造)をつけ、その後、マイクロ波プラズマCVDを用いてダイヤモンドのステップフロー成長が行われる成長条件(1200 W、50 Torr、水素濃度99.95%、メタン濃度0.05%)でダイヤモンドを成長させた。
これを模式図で示すと、図1に示すようになる。
すなわち、段差(メサ構造)をつけたダイヤモンド基板を作成し、CVDによりダイヤモンドをエピタキシャル成長させ、エピタキシャル成長機構で段差上の表面が原子的に平坦になることが確認できた。
図3にその結果を示す。
ダイヤモンド(111)基板を用いた他は参考例1と同じ操作をした。但し、水素濃度は99.995%、メタン濃度は0.005%とした。
図4及び図5にその結果を示す。
より広いメサ上の表面(図5)においては、原子的に平坦な面と原子ステップを含む面、そして基板上の成長と同様な表面形態をしている部分を持つ。それは、原子的平坦面の形成が途中であることを示す。
高温/高圧合成によるIbダイヤモンド (111)基板を、マイクロ波プラズマCVD装置の反応器に導入し、低抵抗率を有するp+ダイヤモンド膜の成長を行った。その膜中ホウ素濃度は1020 atoms/cm3であった。その後、反応器から取り出し、リソグラフィ技術を用いてそのダイヤモンド膜表面上に段差(メサ構造)をつけた。その後、マイクロ波プラズマCVD装置の反応器に導入し、ダイヤモンドのステップフロー成長が行われる成長条件でp型ダイヤモンド膜を成長させた。その膜中のホウ素濃度は1017 atoms/cm3であった。その後、ダイヤモンドの核形成を有するステップフロー成長によりn型ダイヤモンド膜を形成した。その膜中リン濃度は1017 atoms/cm3であった。メサ上のpn接合は原子的に平坦な界面を有した。メサ構造以外のダイヤモンド膜を最初に形成した低抵抗ダイヤモンド膜がでるまで選択的にエッチングを行い、その低抵抗ダイヤモンド膜とメサ構造上のn型ダイヤモンド表面上に接触抵抗の低い電極を形成し、pn接合半導体素子を形成した。その断面構造の模式図を図6に示す。
上記、pn接合界面に不純物の少ない高品質なi層を設けたpin接合半導体素子も作製できる。その断面構造の模式図を図7に示す。
上記半導体素子において、金属-n型ダイヤモンド膜界面に接触抵抗を下げるためn+層(膜中リン濃度1019〜1022 atoms/cm3)を設ける場合もある。
Claims (5)
- 段差をつけた結晶構造(110)又は(111)のダイヤモンド表面上にCVD(化学気相成長法)を用いてダイヤモンドのステップフロー成長が行われる成長条件でダイヤモンドを成長させて該段差のメサ表面上にダイヤモンドの原子的平坦面を選択的に形成する方法。
- 前記段差をつけたダイヤモンド表面は、結晶構造(110)又は(111)のダイヤモンド基板またはCVDでホモエピタキシャル成長したダイヤモンド膜の表面に金属等のマスクを設けそのマスクを目的の形状に加工し、前記ダイヤモンドをエッチングしメサ表面を有する段差を形成し、さらに前記マスクを除去することにより得られることを特徴とする請求項1に記載したダイヤモンドの原子的平坦面を選択的に形成する方法。
- CVDが、マイクロ波プラズマCVDである請求項1に記載したダイヤモンドの原子的平坦面を選択的に形成する方法。
- ステップフロー成長において、炭素源ガスの供給量を0.001%〜0.2%とする請求項1ないし請求項3のいずれかひとつに記載したダイヤモンドの原子的平坦面を選択的に形成する方法。
- 段差を有するダイヤモンド基板であって、(110)又は(111)結晶面に対して所定のオフ角を有する前記段差のメサ表面上にダイヤモンドを選択成長してなる原子的平坦面を備えるダイヤモンド基板。
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