JP4445989B2 - 端部検出装置及び端部検出方法 - Google Patents
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Description
「閉状態」は、ガラス台14の原稿20が置かれていない位置を通過した出射光のほぼ100%が原稿カバー反射光としてCCD15に入射すると見なせる程度に、原稿カバー11が閉じた状態をいう。一方、「半閉状態」は、ガラス台14の原稿20が置かれていない位置を通過した出射光のうちの一部が原稿カバー反射光としてCCD15に入射し、「閉状態」における原稿カバー反射光の光量と区分可能な程度に、原稿カバー11が開いた状態をいう。
ここで、第1の条件は、「判定画素」と「全調査画素」の「半閉状態」の32画素分のB端側の画像情報の合計(以下、「B32O」と記す。)が第1の閾値「O1」より小さく、「閉状態」の32画素分のB端側の画像情報の合計(以下、「B32C」と記す。)が閾値「C1」より大きいことである。第1の条件を定めた理由は、「判定画素」が真の原稿端である場合、「判定画素」及び「「全調査画素」のB端側の画素の画像情報が「半閉状態」では「0」、「閉状態」では「1」となるからである。第4の実施形態では、第1の判定として、「B32O」が「O1」より小さく、「B32C」が「C1」より大きいか否か判定する。
また、第2の条件は、「全調査画素」の「半閉状態」の32画素分のA端側の画像情報の合計(以下、「A32O」と記す。)が第2の閾値「O2」より小さく、「閉状態」の32画素分のA端側の画像情報の合計(以下、「A32C」と記す。)が閾値「C2」より大きいことである。第2の条件を定めた理由は、「判定画素」が真の原稿端である場合、「判定画素」のB端側に位置する「全調査画素」においては、A端側にも原稿が存在しないので、「全調査画素」では、A端側の画素の画素情報も「半閉状態」で「0」、「閉状態」で「1」となるからである。第4の実施形態では、第2の判定として、「調査画素のA32O」が「O2」より小さく、「調査画素のA32C」が「C2」より大きいか否か判定する。
2 計測手段
3 算出手段
4 判定手段
10 画像読取装置
11 原稿カバー
12 ヒンジ
13 開閉センサ
14 ガラス台
15 CCD
16 原稿合せ用目印
17 発光体
18 装置本体
Claims (12)
- 線状の検査領域における検査対象物の端部を検出する端部検出装置であって、
前記検査領域を透過した検査光が所定の反射手段によって反射された反射光を含む、前記検査領域からの入射光を計測する手段であって、前記反射手段が前記検査領域を覆っていない第1の状態にあるときの前記入射光である第1の光量と、前記反射手段が前記検査領域を覆っている第2の状態にあるときの前記入射光である第2の光量を計測する計測手段と、
第1の所定長単位に前記第1の光量と前記第2の光量の差を算出し、前記第1の所定長よりも長い第2の所定長単位に前記差の合計を算出し、前記検査領域内の画素ごとに前記画素に隣接する2つの前記差の合計の変化量を算出する算出手段と、
前記差の合計の変化量が最も大きい前記画素を最大変化点として検出し、前記最大変化点を前記端部と判定する判定手段と、
を備えることを特徴とする端部検出装置。 - 前記第1の状態と前記第2の状態とをとることが可能な前記反射手段を備えることを特徴とする請求項1記載の端部検出装置。
- 前記反射手段の状態が前記第1の状態又は前記第2の状態であることを検出する状態検出手段を備えることを特徴とする請求項2記載の端部検出装置。
- 前記検査光を出射する照射手段を備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の端部検出装置。
- 前記検査対象物が前記検査領域の所定側の領域に位置する場合において、
前記算出手段は、前記画素の前記所定側の反対側に隣接する第3の所定長単位に前記第1の光量の合計および前記第2の光量の合計を算出し、
前記判定手段は、前記最大変化点の前記第1の光量の合計が第1の閾値以下であり、且つ、前記最大変化点の前記第2の光量の合計が第2の閾値以上である場合に、前記最大変化点を前記端部と判定することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の端部検出装置。 - 前記検査対象物が前記検査領域の所定側の領域に位置する場合において、
前記算出手段は、更に、所定数の前記第1の光量の合計の総計および所定数の前記第2の光量の合計の総計を算出し、
前記判定手段は、更に、前記第1の光量の合計の総計が第3の閾値より小さく、且つ、前記第2の光量の合計の総計が第4の閾値より大きい場合に、前記最大変化点を前記端部と判定することを特徴とする請求項5記載の端部検出装置。 - 前記判定手段は、前記画素の中から所定の間隔で抽出された前記画素の中から前記最大変化点を検出して前記端部と判定することを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の端部検出装置。
- 前記算出手段は、前記抽出された画素の前記入射光を用いて前記差の合計の変化量を算出することを特徴とする請求項7記載の端部検出装置。
- 請求項1乃至8のいずれかに記載の端部検出装置を備え、前記端部を検出して所定の処理を行う電子装置。
- 線状の検査領域における検査対象物の端部を検出する端部検出方法であって、
前記検査領域を透過した検査光を反射する所定の反射手段が前記検査領域を覆っていない第1の状態にあるときの、前記反射光を含む前記検査領域からの入射光である第1の光量を計測するステップと、
前記反射手段が前記検査領域を覆っている第2の状態にあるときの、前記入射光である第2の光量を計測するステップと、
第1の所定長単位に前記第1の光量と前記第2の光量の差を算出するステップと、
前記第1の所定長よりも長い第2の所定長単位に前記差の合計を算出するステップと、
前記検査領域内の画素ごとに前記画素に隣接する2つの前記差の合計の変化量を算出するステップと、
前記差の合計の変化量が最も大きい前記画素を最大変化点として検出し、前記最大変化点を前記端部と判定するステップと、
を備えることを特徴とする端部検出方法。 - 前記検査対象物が前記検査領域の所定側領域に位置する場合において、
前記画素の前記所定側の反対側に隣接する第3の所定長単位に前記第1の光量の合計および前記第2の光量の合計を算出するステップと、
前記第1の光量の合計が第1の閾値以下であり、且つ、前記第2の光量の合計が第2の閾値以上である場合に、前記最大変化点を前記端部と判定するステップと
を備えることを特徴とする請求項10記載の端部検出方法。 - 前記検査対象物が前記検査領域の所定側領域に位置する場合において、
更に、
所定数の前記第1の光量の合計の総計および所定数の前記第2の光量の合計の総計を算出するステップと、
前記第1の光量の合計の総計が第3の閾値より小さく、且つ、前記第2の光量の合計の総計が第4の閾値より大きい場合に、前記最大変化点を前記端部と判定するステップと、
を備えることを特徴とする請求項11記載の端部検出方法。
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