JP4436249B2 - タイルt/rモジュール用の電磁遮蔽および水素吸収体を含む誘電体相互接続フレーム - Google Patents
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Description
本発明によれば、相互接続フレームは、合成樹脂誘電体材料により単一部材(例えばモールド物体)として形成された少なくとも1つのフレーム部品を備えている。そのフレーム部品は複数の電気コネクタを支持するように構成され、フレーム構造が送信/受信モジュール中に設置されたとき接地接続およびEMI電磁遮蔽を行うように構成され薄膜被覆を備えている。誘電体材料の選択は、誘電定数と誘電体損失角度を選択することにより種々の高周波(RF)応用に対して調整されることができる。
(i)接地接続およびEMI遮蔽を行うための金属(例えば、アルミニウム)層と、
(ii)金属層とフレーム部品との間の薄い材料(例えばチタニウム)接着層と、
(iii) 送信/受信モジュールの高性能GaAs装置を汚染する水素を吸収するためのゲッター層(例えば、予め定められた厚さのチタニウム層)と、および
(iv)ゲッター層の酸化を阻止しながら、水素がゲッター層に通過することができるようにゲッター層の上部に設けられたパラジウム層とを含んでいる。
本発明のその他の特徴は添付図面を参照にした以下の詳細な説明により明らかにされるであろう。
(i)接地接続およびEMI遮蔽を行うための金属層116 (例えば、アルミニウムまたは銅で形成される)と、
(ii)金属層116 をフレーム部品108, 110に結合するための薄い接続(接着)材料層118 (例えば20nmの厚さのチタニウム層)と、
(iii) 送信/受信モジュールの高性能のGaAs装置を汚染する可能性のある材料(例えば水素)を吸収するためのゲッター層120 (例えば、約40乃至80マイクロインチの厚さのチタニウムゲッター層)と、および
(iv)ゲッター層120 の上に設けられたパラジウム層122 (約8マイクロインチの厚さ)とを含んでいる。パラジウム層はゲッター層120 の酸化を阻止しながら、水素がゲッター層に通過することを可能にしている。
(i)ポンプによる高い水素排気速度(23度Cで0.15cc/cm2 )、
(ii)1トルの水素圧力が毎秒2×10-4標準ccであるときの薄膜ゲッターの水素除去速度、それは密封されたパッケージ中の最悪の場合の水素放出速度の1000倍である。 (iii) 水素容量はチタニウムのミリグラム当たり135トルccであり、それは送信/受信モジュールの寿命期間にわたってH2 の約75トルccを吸収することだけが必要であるために高い値である。
(iv)水素のポンプ排気速度は0度Cに低下した温度に対して比較的高い値にとどまっている(0度Cにおけるポンプ排気速度は室温における値の約30%である)。
(v)送信/受信モジュールに対して接地接続を与え、同時に誘電体パッケージ材料で使用するためのEMI遮蔽を行うための高い導電度のサブ層薄膜または金属付着により5乃至6スキン深さが容易に得られて低抵抗の電磁波の伝搬が可能にされる。
Claims (10)
- 送信/受信モジュール(100) 内に配置され、電磁スペクトルの予め定められた部分の電磁放射を送信および受信するように構成された2個の送信/受信回路部品(102, 104) を接続するように構成されたフレーム構造(106) において、
合成樹脂誘電体材料によって単一部材として形成された少なくとも1つのフレーム部品(108, 110)と、
前記フレーム部品(108, 110)の選択された部分上に設けられた薄膜被覆(114) とを具備し、
前記フレーム部品(108, 110)は前記2個の送信/受信回路部品(102, 104) 間の電気接続を行う複数の電気コネクタ(112) を支持し、前記2個の送信/受信回路部品(102, 104)間の間隔を維持するように構成され、
前記薄膜被覆(114) は前記2個の送信/受信回路部品(102, 104) 間に配置され、フレーム構造(106) が送信/受信モジュール(100) 中に設置されるとき接地平面を構成して電磁遮蔽を行うように構成され、
前記薄膜被覆(114) はさらに前記送信/受信回路部品(102, 104)を汚染する可能性のある材料に対するゲッター(120) を備えているフレーム構造(106) 。 - 前記薄膜被覆(114) は接地平面を構成し、電磁遮蔽を行う金属層(116) を有している請求項1記載のフレーム構造(106) 。
- 前記金属層(116) は接続材料の薄層(118) により前記フレーム部品(108, 109)に結合されている請求項2記載のフレーム構造(106) 。
- 前記金属層(116) はアルミニウム層から構成され、前記接続材料の薄層はチタニウムの層から構成されている請求項3記載のフレーム構造(106) 。
- 前記フレーム部品(108, 109)は送信/受信モジュール(100) 中に設置されるように構成され、その送信/受信モジュール(100) はGaAs半導体材料によって構成され、前記薄膜被覆(114) は水素に対するゲッター層(120) を備えている請求項5記載のフレーム構造(106) 。
- 前記薄膜被覆(114) は、前記金属層(116) 上に設けられたチタニウムゲッター層(120) を備えている請求項6記載のフレーム構造(106) 。
- 前記薄膜被覆(114) は、前記ゲッター層(120) 上に設けられたパラジュウム層(122) を備えている請求項7記載のフレーム構造(106) 。
- 前記フレーム部品(108, 109)が送信/受信モジュール(100) 中に設置されるとき、前記フレーム部品(108, 109)の一部は送信/受信モジュール(100) の一部と境界を接するように構成され、前記送信/受信モジュール(100) の一部と境界を接しているフレーム部品の部分に圧縮性を与えて、フレーム部品(108, 109)の合成樹脂誘電体材料の圧縮性により前記フレーム部品(108, 109)と送信/受信モジュール(100) との有効な接地接続が行われるように構成されている請求項1記載のフレーム構造(106) 。
- 1対の前記フレーム部品(108, 110)を具備し、それらフレーム部品のそれぞれは複数の電気コネクタ(112) のそれぞれの部分を支持するように構成されている請求項8記載のフレーム構造(106) 。
- 1対の送信/受信回路部品(102, 104)と、それらの送信/受信回路部品(102, 104)の間に配置された請求項1乃至9のいずれか1項記載のフレーム構造(106) とを具備している請求項9記載のタイル送信/受信モジュール。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/210,240 US6825817B2 (en) | 2002-08-01 | 2002-08-01 | Dielectric interconnect frame incorporating EMI shield and hydrogen absorber for tile T/R modules |
PCT/US2003/023810 WO2004013934A1 (en) | 2002-08-01 | 2003-07-29 | Dielectric interconnect frame incorporating emi shield and hydrogen absorber for tile t/r modules |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005535127A JP2005535127A (ja) | 2005-11-17 |
JP2005535127A5 JP2005535127A5 (ja) | 2006-07-20 |
JP4436249B2 true JP4436249B2 (ja) | 2010-03-24 |
Family
ID=31187256
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004526229A Expired - Fee Related JP4436249B2 (ja) | 2002-08-01 | 2003-07-29 | タイルt/rモジュール用の電磁遮蔽および水素吸収体を含む誘電体相互接続フレーム |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6825817B2 (ja) |
EP (1) | EP1540769B1 (ja) |
JP (1) | JP4436249B2 (ja) |
KR (1) | KR100668014B1 (ja) |
DE (1) | DE60325977D1 (ja) |
IL (1) | IL166111A (ja) |
TW (1) | TWI244170B (ja) |
WO (1) | WO2004013934A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6853062B1 (en) * | 2003-12-02 | 2005-02-08 | Northrop Grumman Corporation | Single substrate hydrogen and microwave absorber for integrated microwave assembly and method of manufacturing same |
FR2877537B1 (fr) * | 2004-10-29 | 2007-05-18 | Thales Sa | Boitier microelectronique multiplans |
US7315069B2 (en) | 2004-11-24 | 2008-01-01 | Northrop Grumman Corporation | Integrated multi-purpose getter for radio-frequency (RF) circuit modules |
US7777318B2 (en) | 2007-07-24 | 2010-08-17 | Northrop Grumman Systems Corporation | Wafer level packaging integrated hydrogen getter |
US20090133921A1 (en) * | 2007-11-28 | 2009-05-28 | Ult Technology Co., Ltd. | Flexible pc board made through a water cleaning process |
FR2975537B1 (fr) * | 2011-05-17 | 2013-07-05 | Thales Sa | Element rayonnant pour antenne reseau active constituee de tuiles elementaires |
US9812804B2 (en) * | 2014-03-27 | 2017-11-07 | Intel Corporation | Pogo-pins for high speed signaling |
FR3023974B1 (fr) * | 2014-07-18 | 2016-07-22 | Ulis | Procede de fabrication d'un dispositif comprenant un boitier hermetique sous vide et un getter |
CN111157980A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-15 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 收发组件 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4396936A (en) * | 1980-12-29 | 1983-08-02 | Honeywell Information Systems, Inc. | Integrated circuit chip package with improved cooling means |
DE3738506A1 (de) | 1987-11-13 | 1989-06-01 | Dornier System Gmbh | Antennenstruktur |
FR2672438B1 (fr) | 1991-02-01 | 1993-09-17 | Alcatel Espace | Antenne reseau notamment pour application spatiale. |
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JP4055871B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2008-03-05 | 三洋電機株式会社 | 混成集積回路装置 |
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US6369924B1 (en) * | 1998-04-20 | 2002-04-09 | Stratos Lightwave, Inc. | Optical transceiver with enhanced shielding and related methods |
US6213651B1 (en) * | 1999-05-26 | 2001-04-10 | E20 Communications, Inc. | Method and apparatus for vertical board construction of fiber optic transmitters, receivers and transceivers |
JP2001007628A (ja) | 1999-06-25 | 2001-01-12 | Nec Corp | フェーズドアレイアンテナ |
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US6421011B1 (en) * | 1999-10-22 | 2002-07-16 | Lucent Technologies Inc. | Patch antenna using non-conductive frame |
JP4467154B2 (ja) * | 2000-07-31 | 2010-05-26 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置 |
US6469671B1 (en) * | 2001-07-13 | 2002-10-22 | Lockheed Martin Corporation | Low-temperature-difference TR module mounting, and antenna array using such mounting |
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JP3862559B2 (ja) * | 2001-11-30 | 2006-12-27 | シャープ株式会社 | 光送受信モジュールおよび電子機器 |
DE10200561B4 (de) * | 2002-01-09 | 2006-11-23 | Eads Deutschland Gmbh | Radarsystem mit einem phasengesteuerten Antennen-Array |
-
2002
- 2002-08-01 US US10/210,240 patent/US6825817B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-07-29 DE DE60325977T patent/DE60325977D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-29 WO PCT/US2003/023810 patent/WO2004013934A1/en active Application Filing
- 2003-07-29 JP JP2004526229A patent/JP4436249B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-07-29 KR KR1020057001757A patent/KR100668014B1/ko active IP Right Grant
- 2003-07-29 EP EP20030766984 patent/EP1540769B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-31 TW TW92121225A patent/TWI244170B/zh not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-01-03 IL IL166111A patent/IL166111A/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE60325977D1 (de) | 2009-03-12 |
TW200414457A (en) | 2004-08-01 |
US20040023058A1 (en) | 2004-02-05 |
EP1540769A1 (en) | 2005-06-15 |
US6825817B2 (en) | 2004-11-30 |
IL166111A0 (en) | 2006-01-15 |
KR100668014B1 (ko) | 2007-01-16 |
TWI244170B (en) | 2005-11-21 |
EP1540769B1 (en) | 2009-01-21 |
KR20050026974A (ko) | 2005-03-16 |
IL166111A (en) | 2010-02-17 |
WO2004013934A1 (en) | 2004-02-12 |
JP2005535127A (ja) | 2005-11-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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