JP4434460B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、画像表示装置や照明に使用される有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、特に正孔が電子輸送層を通過して金属電極に達し、金属電極から注入された電子と再結合した後、非発光過程により失活して発光効率が低下するのを防ぎ、かつ耐熱性を向上させた有機エレクトロルミネッセンス素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
次世代の自発光型薄膜ディスプレイを実現する手段の一つとして、有機エレクトロルミネッセンス素子が関心を集めている。
【0003】
有機エレクトロルミネッセンス素子の構成としては、透明導電性酸化物からなる陽極、有機化合物からなる正孔輸送層、有機化合物からなる発光層、有機化合物からなる電子輸送層、金属からなる陰極を積層した構成が提案されている。
【0004】
このような有機エレクトロルミネッセンス素子では、陽極から注入された正孔が正孔輸送層を通って発光層に達し、一方、陰極から注入された電子が電子輸送層を通って発光層に達し、発光層にて正孔と電子とが再結合して励起子を生じ、励起子が緩和して発光するというものである。
【0005】
電荷注入により生成する励起子には、一重項励起子と三重項励起子があり、約1:3の割合で、三重項励起子の方にて多く生成される。
【0006】
しかしながら、上記構成の有機エレクトロルミネッセンス素子によれば、生成の割合が高い三重項励起子からの発光は、スピン禁制であり、遷移確率が低いため、非発光過程を通じて熱的に失活する場合が多く、これにより、発光効率を高くすることが困難となり、利用しにくいものであった。
【0007】
これに対し、一重項励起子からの発光はスピン許容であり、遷移確率が高いため、一重項励起子の生成の割合が低いにもかかわらず、従来はこちらが利用されることが多かった。したがって、輝度が低く、そのために有機エレクトロルミネッセンス素子の利用の拡大に際し、制限となっている。
【0008】
そこで、発光材料に希土類錯体や5d遷移金属錯体を用いることで、三重項励起子のエネルギーを希土類元素や5d遷移元素に移動させ、内殻遷移からの発光を促し、これにより、生成の割合が高い三重項励起子からの発光の遷移確率を高め、発光効率を高くする技術が提案され、近年、多くの研究開発がおこなわれている。
【0009】
例えば、緑色発光材料として、fac−トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(以下、これをIr(ppy)3と略記する)を用いる技術が提案されている(M.A.Baldo,S.Lamansky,P.E.Burrows,M.E.Thompson, and S.R.Forrest,Appl.Phys.Lett.,75,No.1,p.4,1999参照)。
【0010】
この技術によれば、100cd/m2において外部量子効率が7.5%になることが確認されている。また、発光層と電子輸送層との間に正孔ブロッキング層として、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(以下、BCPと略す)を挿入したことで、正孔が発光層中に効果的に閉じ込められ、発光効率が高められている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
以上に述べたように、発光材料にIr(ppy)3を用い、正孔ブロッキング層にBCPを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子においては、高い発光効率が得られているものの、BCPのガラス転移点が62℃と低く、そのために、耐熱性が十分でないという課題があった。
【0012】
本発明は叙上に鑑みて案出されたものであり、その目的は発光効率が高く、かつ耐熱性が向上した有機エレクトロルミネセンス素子を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、透明電極上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層および金属電極とを順次積層してなり、そして、前記発光層と電子輸送層との間に一般式[化1]で表される化合物であるヘキサアザトリフェニレン誘導体からなる正孔ブロッキング層を5nm〜15nmの厚みでもって介在せしめたことを特徴とする。
【0014】
【化1】
【0015】
【作用】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子によれば、上記構成のように発光層と電子輸送層との間に一般式[化1]で表される化合物であるヘキサアザトリフェニレン誘導体からなる正孔ブロッキング層を介在せしめたことで、正孔が電子輸送層を通過して金属電極に達し、金属電極から注入された電子と再結合した後、非発光過程により失活して発光効率が低下するのを防ぐことに加え、さらに従来、正孔ブロッキング層に用いられていたBCPよりもガラス転移点の高い材料を用いるため、耐熱性に優れたものとなる。
【0016】
また、本発明によれば、前記正孔ブロッキング層の厚みを5nm〜15nmの範囲内に設定したことで、かかる効果がもっとも優位に達成される。
【0017】
以上のような本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子を、例えば画像表示装置や照明に使用することで、発光効率および耐熱性に優れた製品仕様になる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明する。
図1は本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の例を示す断面図である。
【0019】
同図において、1はガラス基板であり、このガラス基板1の上に透明電極2を形成し、透明電極2の上に正孔輸送層3、発光層4、正孔ブロッキング層5、電子輸送層6および金属電極7とを順次積層する。
【0020】
ガラス基板1は、素子を外気から遮断するため、ならびに発光層4から発光された可視光線を透過させるために配置される。
【0021】
この基板1には可視光線に対する透過性の高いものであれば、材質、製法は特に制限されず、そして、酸素や水分に対する透過性を抑えることができれば、ガラス材に代えて透明な樹脂材からなる基板を用いてもよい。
【0022】
透明電極2は、正孔輸送層3に正孔を注入するため、さらには発光層4から発光された可視光線を透過するために配置される。
【0023】
この透明電極2は酸化錫インジウム(ITO)、酸化錫アンチモン(NESA)などで構成され、ガラス基板1上にCVD法やスパッタリング法等により形成される。
【0024】
正孔輸送層3は正孔を輸送して、発光層4に到達させるため、また、陰極から注入され、電子輸送層6、正孔ブロッキング層5、発光層4の中を再結合せずに通過してきた電子をブロックするため、さらには発光層4からの発光を透過するために配置される。
【0025】
正孔輸送層3には、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルーアミノ]ビフェニル(以下、α−NPDと略す)などが用いられ、透明電極2上に蒸着法で形成される。
【0026】
発光層4は、正孔と電子とを再結合させて励起子を生成し、励起子のエネルギーを発光物質にトラップして発光させるために配置される。
【0027】
発光層4には、4,4’−N,N’−ジカルバゾール−ビフェニル(以下、CBPと略す)中に5%程度Ir(ppy)3を分散させたものが用いられ、正孔輸送層3上に、蒸着法で形成される。
【0028】
正孔ブロッキング層5は、正孔が電子輸送層を通過して金属電極に達し、金属電極から注入された電子と再結合した後、非発光過程により失活して発光効率が低下するのを防ぐために用いられる。
【0029】
正孔ブロッキング層5には、一般式(化2)(前記化1に相当する)で表されるヘキサアザトリフェニレン誘導体が用いられる。ヘキサアザトリフェニレン誘導体は、従来用いられていたBCPよりも共役構造が発達しており、その分、耐熱性に優れたものとなっている。
【0030】
【化2】
【0031】
また、正孔ブロッキング層5の厚さは5nm〜15nmとするとよい。
【0032】
5nm未満の厚みではピンホール無しに成膜することが難しくなる場合があり、15nmを超える厚みになると、電子伝導に対する抵抗が大きくなり、そのために素子の駆動電圧を高くしないと、発光が起こらなくなる場合がある。
【0033】
電子輸送層6は、電荷生成層6から生成した電荷のうち、電子だけを輸送し、金属電極9に到達させるために配置される。
【0034】
電子輸送層6には、トリス−(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム(以下、Alq3と略す)などが用いられ、正孔ブロッキング層5上に、蒸着法で形成される。
【0035】
金属電極7は、電子輸送層6に電子を注入するために配置される。
【0036】
この金属電極7はMgAg合金(モル比Mg/Ag=25/1)などで構成し、電子輸送層6上に蒸着法により形成される。
【0037】
なお、MgAg合金の酸化を防ぐために、MgAg合金の上にAg100%の層を設けることが好ましい。
【0038】
以上のような各層、すなわち、正孔輸送層3、発光層4、正孔ブロッキング層5、電子輸送層6、金属電極7については、いずれも1×10-5Torr以下の真空中で連続して蒸着するとよく、これにより、大気中の酸素や水分により、有機化合物や金属の酸化反応を抑えることができ、その結果、素子の特性を向上させることができる。
【0039】
かくして本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子によれば、ガラス基板1の上に透明電極2、正孔輸送層3、発光層4、ヘキサアザトリフェニレン誘導体からなる正孔ブロッキング層5、電子輸送層6、金属電極7の順に配置された素子からなることで、正孔ブロッキング層を挿入することでもって、正孔が電子輸送層を通過して金属電極に達し、金属電極から注入された電子と再結合した後、非発光過程により失活して発光効率が低下するのを防いで、発光効率を高くすることができるだけでなく、従来、正孔ブロッキング層に用いられていたBCPよりもガラス転移点の高い材料を用いるため、耐熱性に優れたものとすることができる。
【0040】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、以上のような構成を備えることで、例えば、画像表示装置や照明に使用される有機エレクトロルミネッセンス素子を、発光効率および耐熱性に優れたものとすることができる。
【0041】
【実施例】
次に本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子について具体例を説明する。
【0042】
〔実施例1〕
まず、ガラス基板1上に透明電極2であるITO膜(厚さ150nm、抵抗7Ω/cm2)を成膜したものに、蒸着でもって正孔輸送層3を被覆した。
【0043】
すなわち、8×10-6Torrの真空中において1nm/sの成膜速度でα−NPDを40nmの厚さに蒸着した。
【0044】
続いて、8×10-6Torrの真空中において1nm/sの成膜速度でCBPおよびIr(ppy)3(モル比95:5)を20nmの厚さでもって、ともに蒸着し、発光層4を形成した。
【0045】
次いで、8×10-6Torrの真空中において1nm/sの成膜速度で化1(化2)で表されるヘキサアザトリフェニレン誘導体(X=CN)からなる正孔ブロッキング層5を5nmの厚さに蒸着した。
【0046】
しかる後、8×10-6Torrの真空中において1nm/sの成膜速度でAlq3を20nmの厚さに蒸着し、電子輸送層6を形成した。
【0047】
最後に、1×10-5Torrの真空中において0.1nm/sの成膜速度でMgおよびAg(モル比25/1)を100nmの厚さに、ともに蒸着し、その上に、Agを50nmの厚さに蒸着して金属電極7を設けた。
【0048】
かくして有効面積0.1cm2の有機エレクトロルミネッセンス素子Aを得た。
【0049】
なお、いずれの有機化合物も、99.9%以上の純度の試薬を、使用直前に真空蒸着により精製したものを用いた。また、上記の各膜厚は水晶発振式の成膜コントローラーでモニターした。
【0050】
〔実施例2〕
本例においては、前記有機エレクトロルミネッセンス素子Aを作製するに当り、正孔ブロッキング層5の厚さを10nmとし、その他の構成を同一にして、有機エレクトロルミネッセンス素子Bを得た。
【0051】
〔実施例3〕
本例においては、前記有機エレクトロルミネッセンス素子Aを作製するに当り、正孔ブロッキング層5の厚さを15nmとし、その他の構成を同一にして、有機エレクトロルミネッセンス素子Cを得た。
【0052】
〔比較例1〕
本例においては、前記有機エレクトロルミネッセンス素子Aを作製するに当り、正孔ブロッキング層5にBCPを用い、その厚さを5nmとし、その他の構成を同一にして、有機エレクトロルミネッセンス素子Dを得た。
【0053】
〔比較例2〕
本例においては、前記有機エレクトロルミネッセンス素子Aを作製するに当り、正孔ブロッキング層5の厚さを20nmとし、その他の構成を同一にして、有機エレクトロルミネッセンス素子Eを得た。
【0054】
これらの有機エレクトロルミネッセンス素子の発光特性の評価を行った結果を表1に示す。
【0055】
なお、表1には、初期評価の結果と共に、耐熱性を調べるために、素子を85℃のホットプレート上に1時間放置した後、再度、発光特性の評価を行った結果も示す。
【0056】
測定は、アルゴンガス雰囲気下にて行った。
【0057】
同表中の試料A、B、C、D、Eはそれぞれ有機エレクトロルミネッセンス素子A、B、C、D、Eである。
【0058】
【表1】
【0059】
この表から明らかなとおり、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子Aは、従来の構成である有機エレクトロルミネッセンス素子Dと同等の外部量子効率(ηext)で発光するだけでなく、有機エレクトロルミネッセンス素子Dが、85℃で1時間放置した後にはηextが大幅に低下しているのに対し、有機エレクトロルミネッセンス素子Aは、85℃で1時間放置した後でもηextが低下していない。
【0060】
本発明者は、この点について、有機エレクトロルミネッセンス素子Aの正孔ブロッキング層が、耐熱性に優れたヘキサアザトリフェニレン誘導体で構成されていることによるものと考えられる。
【0061】
ヘキサアザトリフェニレン誘導体からなる正孔ブロッキング層の厚さを増した有機エレクトロルミネッセンス素子B、および、Cは、厚さが増した分、抵抗が高くなって駆動のための印加電圧が高くなり、ηextも低くなっているが、耐熱性は従来の有機エレクトロルミネッセンス素子よりも向上している。
【0062】
しかるに、ヘキサアザトリフェニレン誘導体からなる正孔ブロッキング層の厚さが、本発明の範囲から外れた有機エレクトロルミネッセンス素子Eにおいては、駆動のための印加電圧も極端に高くなっており、ηextも極端に低下している。
【0063】
【発明の効果】
以上の通り、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子によれば、透明電極上に正孔輸送層、発光層、ヘキサアザトリフェニレン誘導体からなる正孔ブロッキング層、電子輸送層および金属電極の順に配置された素子からなり、正孔ブロッキング層を挿入したことで、正孔が電子輸送層を通過して金属電極に達し、金属電極から注入された電子と再結合した後、非発光過程により失活して発光効率が低下するのを防ぐだけでなく、従来、正孔ブロッキング層に用いられていたBCPよりもガラス転移点の高い材料を用いるため、耐熱性に優れたものとすることができた。
【0064】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、以上のような各構成を備えることで、例えば、画像表示装置や照明に使用される有機エレクトロルミネッセンス素子を、発光効率および耐熱性に優れたものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の概略断面図である。
【符号の説明】
1:ガラス基板
2:透明電極
3:正孔輸送層
4:発光層
5:正孔ブロッキング層
6:電子輸送層
7:金属電極
Claims (1)
- 透明電極上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層および金属電極とを順次積層してなる有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記発光層と電子輸送層との間にヘキサアザトリフェニレン誘導体からなる正孔ブロッキング層を5nm〜15nmの厚みにて介在せしめたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
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JP2000285456A JP4434460B2 (ja) | 2000-09-20 | 2000-09-20 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
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