JP4431559B2 - 半導体テスト装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体テスト装置に関し、特に、過電流を検出した場合に自動的にシャットダウンをする機能を備えた半導体テスト装置に関する。

電子部品等の半導体装置の初期不良を顕在化し、初期故障品の除去を行うためのスクリーニング試験の一種であるバーンイン（Burn-In）試験を行う装置として、バーンイン装置が知られている。このバーンイン装置は半導体テスト装置の一種であり、被試験デバイス（Device Under Test）である半導体装置を複数装着したバーンインボードをバーンイン装置内に収容し、被試験デバイスに、電圧を印加して電気的ストレスを与えるとともに、恒温槽内部の空気を加熱して所定の温度の熱ストレスを与えることにより、初期不良を顕在化させる。また、このバーンイン試験においては、被試験デイバスに動作用の電源を供給して、被試験デバイスの動作テストを行い、被試験デイバスが正常に動作しているかどうかを試す試験を行う。

このようなバーンイン装置では、数時間から数十時間に亘る長時間のバーンイン試験が行われることから、試験効率を向上させるために、複数の被試験デバイスを１枚のバーンインボードに挿入するとともに、このバーンインボードを複数毎、バーンイン装置に収納して、バーンイン試験を行うのが一般的である（例えば、特許文献１：特開平１１−９４９００号公報参照）。

近年は、被試験デバイスである半導体装置が小型化していることから、１枚のバーンインボード上に装着する半導体装置の数が増加する傾向にある。これは、１枚のバーンインボード上に可能な限り多くの半導体装置を装着すれば、１度に多くの半導体装置のバーンイン試験を行うことができ、バーンイン試験に要する全体的な時間やコストを低減することができるためである。

しかし、１枚のバーンインボード上に多数の半導体装置を装着すると、半導体装置の動作テストの際に、バーンイン装置からバーンインボードに供給する電源は増加することとなる。ところが、既存のバーンイン装置との互換性を確保するためには、バーンイン装置とバーンインボードとを接続するコネクタを変更することはできないことから、バーンイン装置からバーンインボードへの供給電源ラインの本数も増やすことは困難である。

また、被試験デバイスである半導体装置がＤＲＡＭである場合には、メモリセルに記憶されているデータを維持するために、リフレッシュ動作をする必要があるが、このリフレッシュ動作の際には、通常の読み込み動作や書き込み動作の１．５倍から１．７倍の電源が、ＤＲＡＭ内で消費される。

しかし、被試験デバイスである半導体装置の不良や、バーンイン装置１０内の配線不良等により、電源供給ラインに過電流が流れる可能性もある。過電流が流れると、バーンインボードが挿入されたコネクタが発熱し、コネクタが変形したり、破損したりする恐れもある。このため、コネクタの発熱を抑えるため、電源供給ラインに過電流が流れた場合に、バーンイン装置を強制的にシャットダウンさせる過電流保護回路が設けられている。

図１は、従来のバーンイン装置における過電流保護回路９００の回路構成を示す図であり、図２は、従来のバーン装置における電源供給ラインを流れる電流波形の一例を示す図である。

図１に示すように、過電流保護回路９００は、電流検出抵抗Ｒ９１０と、検出アンプＡＰ９２０と、比較アンプＡＰ９３０とを、備えて構成されている。電流検出抵抗Ｒ９１０は、電源供給ライン上に設けられている抵抗である。検出アンプＡＰ９２０は、電流検出抵抗Ｒ９１０の前後の電圧の差分を増幅して、検出電圧を出力する。比較アンプＡＰ９３０は、検出アンプＡＰ９２０から出力された検出電圧と、瞬間的過電流基準電圧とを比較して、検出電圧の方が大きい場合には、ハイレベルのシャットダウン信号を出力する。ハイレベルのシャットダウン信号が出力されると、このバーンイン装置は、シャットダウン処理を実行し、バーンイン装置を安全に停止する。

図２に示すように、被試験デバイスである半導体装置がＤＲＡＭの場合、動作テストの際に、リフレッシュ動作で流れる電流の方が、読み込み／書き込み動作で流れる電流よりも、著しく大きくなる。これまでのバーンイン装置では、電源供給ラインの許容電流の６０％程度で、過電流保護回路９００が動作するように、過電流保護回路９００の瞬間的過電流基準電圧を設定している。例えば、電源供給ラインの許容電流が３０Ａである場合、電源供給ラインの電流が２０Ａを超えたときに、シャットダウン信号がハイレベルとなるように、瞬間的過電流基準電圧を設定している。

しかし、許容電流の６０％程度で過電流保護回路９００が動作するように設定すると、バーンインボード上に搭載する半導体装置の数が多くなった場合、過電流保護回路９００が頻繁に作動してしまい、バーンイン試験を円滑に行うことができなくなってしまう。

一方、単純に、過電流保護回路９００が作動する電流値を、許容電流の８０％程度まで上げてしまうと、定常的な過電流により、コネクタ部分が加熱してしまい、コネクタにダメージを与えてしまう恐れもある。

また、同様の問題は、バーンイン試験を行うバーンイン装置に限らず、様々な種類の半導体テスト装置でも、生じている。
特開平１１−９４９００号公報

そこで本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、コネクタの損傷を回避しつつ、電源供給ラインを瞬間的に流れる電流で半導体テスト装置をシャットダウンさせる場合の基準値を高く設定できるようにすることを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明に係る半導体テスト装置は、
被試験デバイスである半導体装置に電源を供給する電源供給ラインを流れる電流の大きさを検出する、検出回路と、
前記検出回路で検出された前記電流の大きさが、第１シャットダウン基準値より大きい場合に、第１シャットダウン信号を出力する、第１シャットダウン信号出力回路と、
前記検出回路で検出された前記電流の大きさの平均値を算出し、前記平均値が第２シャットダウン基準値より大きい場合に、第２シャットダウン信号を出力する、第２シャットダウン信号出力回路と、
前記第１シャットダウン信号又は前記第２シャットダウン信号が出力された場合に、シャットダウン処理を行う、シャットダウン処理実行部と、
を備えることを特徴とする。

この場合、前記第１シャットダウン基準値は前記第２シャットダウン基準値よりも大きいようにしてもよい。

また、前記第２シャットダウン信号出力回路は、予め設定された期間における前記電流の大きさの平均値を算出するようにしてもよい。

この場合、前記第２シャットダウン信号出力回路は、
前記検出回路が検出した前記電流の大きさを、所定のサンプリング周期で取得し、前記予め設定された期間に相当する数のサンプリングされた前記電流の大きさを累積的に保持する、保持回路と、
前記保持回路に保持されている前記電流の大きさを取得して、前記保持回路に保持されている前記電流の大きさの平均値を算出する平均算出回路と、
を備えるようにしてもよい。

また、前記被試験デバイスである半導体装置が装着されたボードが挿入される、コネクタを、さらに備えており、前記コネクタを介して、前記電源供給ラインから前記半導体装置に電源が供給されるようにしてもよい。

この場合、前記ボードはバーンインボードであり、半導体テスト装置は前記被試験デバイスである半導体装置のバーンイン試験が行われるものでもよい。

この場合、前記被試験デバイスである半導体装置は、ＤＲＡＭであってもよい。

本発明に係る半導体テスト装置の制御方法は、
被試験デバイスである半導体装置に電源を供給する電源供給ラインを流れる電流の大きさを検出するステップと、
検出された前記電流の大きさが、第１シャットダウン基準値より大きい場合に、第１シャットダウン信号を出力するステップと、
検出された前記電流の大きさの平均値を算出し、前記平均値が第２シャットダウン基準値より大きい場合に、第２シャットダウン信号を出力するステップと、
前記第１シャットダウン信号又は前記第２シャットダウン信号が出力された場合に、シャットダウン処理を行うステップと、
を備えることを特徴とする。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本発明の技術的範囲を限定するものではない。

図３は、本発明の一実施形態に係るバーンイン装置１０の全体的な正面図であり、ドア２０を閉じた状態を示している。図４は、バーンイン装置１０の内部構成の要部を説明するための正面レイアウト図であり、バーンイン装置１０にバーンインボードＢＩＢを挿入した状態を示している。これら図３及び図４に示したバーンイン装置１０は、半導体テスト装置の一例である。

図３及び図４に示すように、本実施形態に係るバーンイン装置１０の内部には、断熱壁３０で区画された空間により、チャンバ４０が形成されている。このチャンバ４０の内部には、１又は複数のバーンインボードＢＩＢが収納される。本実施形態の例では、バーンインボードＢＩＢを支持するためのスロット５０が、１２段×４組で配置されており、合計４８枚のバーンインボードＢＩＢを、これらのスロット５０に挿入することにより、チャンバ４０内に収納することが可能である。但し、このチャンバ４０内に収納することの可能なバーンインボードＢＩＢの枚数や、チャンバ４０内におけるバーンインボードＢＩＢの配置は、任意に変更可能である。

また、このバーンイン装置１０には、２枚のドア２０が設けられており、ドア２０を開状態にすることにより、バーンインボードＢＩＢをチャンバ４０から出し入れできるようになる。また、このドア２０にも断熱材が組み込まれており、ドア２０を閉状態にすることにより、周囲から熱的に遮断された空間であるチャンバ４０が構成される。

図４に示すように、本実施形態においては、キャリアラックＣＲごと、チャンバ４０に収納される。すなわち、１２枚のバーンインボードＢＩＢを格納したキャリアラックＣＲを、チャンバ４０に収納することにより、１２枚のバーンインボードＢＩＢが各スロット５０に挿入される。したがって、本実施形態に係るバーンイン装置１０には、４台のキャリアラックＣＲを収納することができることになる。

さらに、本実施形態に係るバーンイン装置１０においては、このチャンバ４０の左側、上側、右側と延びる空気循環ダクトＤＴが設けられている。空気循環ダクトＤＴの上側には、ファン７０が設けられている。また、空気循環ダクトＤＴの左側には、空気が通過できる通風板７２が設けられており、上側には空気が通過できない仕切板７４が設けられており、右側には空気が通過できる通風板７６が設けられている。また、ファン７０の下側にも、通気が通過できる通風板７８が設けられている。

このため、ファン７０が駆動すると、空気循環ダクトＤＴの左側から、バーンインボードＢＩＢのある領域の空気が吸引され、空気循環ダクトＤＴの上側及び右側を通って、再び、バーンインボードＢＩＢのある領域に送出される。つまり、ファン７０により、チャンバ４０内の空気の循環が形成され、チャンバ４０の内部の空気が攪拌されて、チャンバ４０の内部温度が場所によらずに均一になる。これにより、バーンインボードＢＩＢに装着された半導体装置の周囲の温度を、所定の温度にすることができるようになる。

また、バーンイン装置１０の左側には、冷却ユニット１００が設けられている。この冷却ユニット１００は、２台の冷却コンプレッサ１０２と、２台の熱交換器１０４とにより、構成されている。本実施形態においては、この冷却ユニット１００は、水冷式の冷却方式を採用している。このため、冷却コンプレッサ１０２は、冷却水を循環するためのコンプレッサであり、熱交換器１０４は、冷却水の冷熱を、チャンバ４０の内部の空気と交換するための交換器である。２台の熱交換器１０４は、空気循環ダクトＤＴ内に設けられている。このため、ファン７０により空気が循環すると、循環された空気が熱交換器１０４で冷却され、チャンバ４０の内部の温度を下げることができる。

また、空気循環ダクトＤＴの上側には、ヒーター１２０が設けられている。このヒーター１２０は、例えば電熱ヒーターにより構成されており、ヒーター１２０に電源が供給されると発熱するように構成されている。ヒーター１２０が発熱している状態で、空気循環ダクトＤＴ内の空気を循環させることにより、チャンバ４０内の空気の温度を上げることができる。

一方、バーンイン装置１０の右側には、制御部ＣＬが設けられている。この制御部ＣＬは、予め定められた設定に基づいて、このバーンイン装置１０の制御を行う。本実施形態においては、特に、冷却ユニット１００やヒーター１２０を制御して、バーンインボードＢＩＢの周囲の温度が、ユーザなどにより設定された目標温度になるようにする。

図５は、制御回路２００とバーンインボードＢＩＢとの間の接続関係と、電源供給ユニット３００とバーンインボードＢＩＢとの間の接続関係を、説明するための図である。この図５に示すように、制御回路２００と電源供給ユニット３００とは、各スロット５０に設けられているドライバボードＤＲＢを介して、バーンインボードＢＩＢに電気的に接続される。具体的には、図６にも示すように、ドライバボードＤＲＢに設けられているコネクタ２１０に、バーンインボードＢＩＢの挿入方向先端部を挿入することにより、バーンインボードＢＩＢはドライバボードＤＲＢに電気的に接続される。詳しくは、後述するが、ドライバボードＤＲＢには、過電流を検出して、コネクタ２１０が加熱により損傷するのを回避するための過電流保護回路３１０が設けられている。

図５に示されている制御回路２００は、上述した制御部ＣＬ内に設けられている回路である。この制御回路２００は、バーンイン装置１０の各種の制御を行う回路であり、本実施形態では特に、各種の制御信号をドライバボードＤＲＢ及びバーンインボードＢＩＢに供給したり、バーンイン装置１０のシャットダウン処理を実行したりする。電源供給ユニット３００は、バーンイン装置１０内の各所に電源を供給するための装置であり、本実施形態では特に、ドライバボードＤＲＢ及びバーンインボードＢＩＢに電源を供給する。

図７は、各ドライバボードＤＲＢに設けられている過電流保護回路３１０の内部構成を説明するための図である。この図７に示すように、本実施形態に係る過電流保護回路３１０は、電流検出抵抗Ｒ３２０と、検出アンプＡＰ３３０と、比較アンプＡＰ３４０と、アナログデジタルコンバータ３５０と、デジタル制御回路３６０とを、備えて構成されている。

電流検出抵抗Ｒ３２０は、ドライバボードＤＲＢ上に設けられた電源供給ラインに挿入されている抵抗である。この電源供給ラインは、電源供給ユニット３００から供給された電源を、バーンインボードＢＩＢ及びこのバーンインボードＢＩＢに装着された半導体装置に供給するための電源ラインである。

検出アンプＡＰ３３０は、この電流検出抵抗Ｒ３２０の前の電圧と後の電圧の差分を検出して、増幅した上で、検出電圧として、比較アンプＡＰ３４０に出力する。すなわち、電流検出抵抗Ｒ３２０の前後の電位差を増幅して、検出電圧として出力する。

比較アンプＡＰ３４０には、この検出電圧に加えて、第１シャットダウン基準値として、瞬間的過電流基準電圧が入力されている。比較アンプＡＰ３４０は、検出電圧と瞬間的過電流基準電圧とを比較して、検出電圧が瞬間的過電流基準電圧よりも高い場合は、ハイレベルの第１シャットダウン信号を出力し、検出電圧が瞬間的過電流基準電圧以下である場合は、ローレベルの第１シャットダウン信号を出力する。

このことから分かるように、過電流保護回路３１０は、電流検出抵抗Ｒ３２０における電圧降下が所定の値を超えた場合に、ハイレベルの第１シャットダウン信号を出力するように設定されている。ここでは、瞬間的過電流基準電圧も検出電圧も、ともに電圧値であるが、本実施形態では、例えば、電流値に換算したときに検出抵抗Ｒ３２０を流れる電流が２５Ａの値になったときに、ハイレベルの第１シャットダウン信号が出力されるように、瞬間的過電流基準電圧が設定されている。この換算は、２５Ａ×電流検出抵抗Ｒ３２０の抵抗値が電流検出抵抗Ｒ３２０で降下する電圧となるので、電流検出抵抗Ｒ３２０の抵抗値に応じて、適宜設定すればよい。

本実施形態では、電源供給ラインの許容電流が３０Ａであるので、電源供給ラインを流れる電流が瞬間的に２５Ａを超えた場合に、ハイレベルの第１シャットダウン信号を出力するように設定している。この２５Ａという値は、許容電流３０Ａの約８３％に相当する。このため、本実施形態では、電源供給ラインを流れる電流が、２５Ａを超えた場合には、その時点で、ハイレベルの第１シャットダウン信号が出力され、バーンイン装置１０が安全にシャットダウンされる。バーンイン装置１０をシャットダウンさせるための具体的な処理は、制御回路２００が行う。すなわち、第１シャットダウン信号は制御回路２００に入力されて、制御回路２００でシャットダウン処理が行われる。

さらに、図７に示されているように、検出アンプＡＰ３３０から出力された検出電圧は、アナログデジタルコンバータ３５０に入力される。このアナログデジタルコンバータ３５０では、アナログ信号として入力された検出電圧をデジタル信号に変換して、デジタル制御回路３６０に出力する。

デジタル制御回路３６０は、メモリ３７０と、累積バッファ３８０と、演算回路３９０とを備えて構成されている。メモリ３７０とアナログデジタルコンバータ３５０には、サンプリング基準信号が入力されている。本実施形態では、このサンプリング基準信号は、２ｍ秒周期でハイレベルになるインパルス状の基準信号である。このサンプリング基準信号がハイレベルになると、アナログデジタルコンバータ３５０からデジタル信号の検出電圧が出力され、メモリ３７０に格納される。すなわち、アナログデジタルコンバータ３５０から出力された検出電圧の値がデジタル値として、２ｍ秒間隔で、メモリ３７０に格納される。

メモリ３７０に格納された検出電圧の値は、順次、累積バッファ３８０に累積的に格納される。累積バッファに格納される検出電圧の個数は、予め設定される設定周期に基づいて決まる。例えば、設定周期が２００ｍ秒である場合には、１００個の検出電圧の値が、この累積バッファ３８０に格納されることとなる。検出電圧の個数が１００個を超えた場合は、最も古い検出電圧の値を消去して、新しい検出電圧の値を格納する。したがって、この累積バッファ３８０には、現時点から、設定周期である２００ｍ秒前までの間にサンプリングされた検出電圧の値が保持されていることとなる。換言すれば、累積バッファ３８０には、設定周期である２００ｍ秒に相当する個数の検出電圧が保持されていることとなる。

累積バッファ３８０に対する設定周期の設定は、制御回路２００から行われる。すなわち、制御回路２００が、各ドライバボードＤＲＢにある過電流保護回路３１０の累積バッファ３８０に、設定周期をデジタル信号として出力することにより、累積バッファ３８０の設定周期が一括して設定される。また、本実施形態では、この設定周期は、４ｍ秒から１０２４ｍ秒の間で、任意に設定されることを想定している。但し、本実施形態では、この設定周期が被試験デバイスであるＤＲＡＭのリフレッシュ周期と同一になるようにして、検出電圧の平均値のばらつきを抑制している。

累積バッファに蓄積されている検出電圧は、演算回路３９０に出力される。演算回路３９０では、入力された検出電圧の平均値を演算して算出する。例えば、設定周期が２００ｍ秒である場合には、１００個の検出電圧が入力されるので、この１００個の検出電圧の平均を算出する。

演算回路３９０には、第２シャットダウン基準値として、平均的過電流基準電圧も予め設定されている。このため、演算回路３９０は、予め設定されている平均的過電流基準電圧と算出された平均検出電圧とを比較して、平均検出電圧の方が平均的過電流基準電圧よりも大きければ、ハイレベルの第２シャットダウン信号を出力し、平均検出電圧が平均的過電流基準電圧以下であれば、ローレベルの第２シャットダウン信号を出力する。

演算回路３９０に対する平均的過電流基準電圧の設定は、制御回路２００から行われる。すなわち、制御回路２００が、各ドライバボードＤＲＢにある過電流保護回路３１０の演算回路３９０に、平均的過電流基準電圧をデジタル信号として出力することにより、演算回路３９０の平均的過電流基準電圧が一括して設定される。

本実施形態では、この平均的過電流基準電圧は、例えば、電源供給ラインを流れる電流が２０Ａ相当になるように設定されている。すなわち、電源供給ラインを流れる電流が２０Ａの場合の電流値を、電圧値に換算して、平均的過電流基準電圧を算出している。このため、演算回路３９０は、算出した平均検出電圧が、２０Ａ相当の電圧値である平均的過電流基準電圧を超えた場合に、第２シャットダウンをハイレベルにすれば、電源供給ラインを流れる電流が２０Ａを超えた時点で、ハイレベルの第２シャットダウン信号を出力したことになる。ハイレベルの第２シャットダウンが出力されると、このバーンイン装置１０は、安全にシャットダウンされる。

バーンイン装置１０をシャットダウンさせるための具体的な処理は、制御回路２００が行う。すなわち、第２シャットダウン信号は制御回路２００に入力されて、制御回路２００でシャットダウン処理が行われる。換言すれば、制御回路２００は、第１シャットダウン信号がハイレベルになった場合、又は、第２シャットダウン信号がハイレベルになった場合に、シャットダウンを実行する。

図８は、電源供給ラインを流れる電流の波形と平均電流の波形との一例を示す図である。この図８から分かるように、電源供給ラインを流れる電流は、被試験デバイスであるＤＲＡＭが読み出し動作や書き込み動作である間は、比較的低い値で推移しているが、リフレッシュ動作になると非常に大きな値になる。このため、瞬間的に２０Ａを超えてしまうこともある。しかし、本実施形態では、瞬間的過電流基準電圧を２５Ａ相当に設定しているので、バーンイン装置１０がシャットダウンしてしまうことはない。

また、電源供給ラインを流れる設定周期の間の平均電流は、２０Ａを超えていない。本実施形態では、平均的過電流基準電圧は２０Ａ相当に設定しているので、バーンイン装置１０がシャットダウンしてしまうことはない。このため、電源供給ラインの電流が図８のような波形である場合には、過電流保護回路３１０は、第１シャットダウン信号や第２シャットダウン信号をアサートすることはなく、バーンイン装置１０は正常にバーンイン試験を行うことができる。

以上のように、本実施形態に係るバーンイン装置１０によれば、第１シャットダウン基準値と第２シャットダウン基準値の双方を設け、電源供給ラインを流れる電流が瞬間的にでも第１シャットダウン基準値を超えた場合に、バーンイン装置１０をシャットダウンさせるとともに、電源供給ラインを流れる設定周期の間の平均的な電流が第２シャットダウン基準値を超えた場合にも、バーンイン装置１０をシャットダウンさせることとした。このため、瞬間的な第１シャットダウン基準値を従来よりも高く設定することができるようになる。すなわち、電源供給ラインを流れる電流が瞬間的に多くなっても、バーンインボードＢＩＢが挿入されるコネクタ２１０の発熱はさほど大きくならない。このため、瞬間的な第１シャットダウン基準値を高くしても、コネクタ２１０にダメージを与えることはない。

一方、電源供給ラインを流れる電流の平均値が高くなると、コネクタ２１０の発熱は定常的に大きくなり、コネクタ２１０にダメージが生じる可能性がある。このため、本実施形態では、平均的な第２シャットダウン基準値を、瞬間的な第１シャットダウン基準値よりも低く設定し、コネクタ２１０にダメージが生じるのを回避しているのである。

なお、本発明は上記実施形態に限定されず種々に変形可能である。例えば、上述した実施形態では、第１シャットダウン信号がハイレベルでアサートされ、第２シャットダウン信号もハイレベルでアサートされることとしたが、ハイレベルでアサートされるのか、ローレベルでアサートされるのかは、任意に設定可能である。

また、デジタル制御回路３６０が検出電圧を取得するサンプリング周期や、検出電圧の平均値を算出する設定周期は、被試験デバイスである半導体装置の仕様やバーンイン装置１０の仕様により、任意に変更可能である。

また、上述した実施形態の過電流保護回路３１０では、電源供給ラインから検出した電圧値に基づいて、第１シャットダウン基準値である瞬間的過電流基準電圧を設定し、第２シャットダウン基準値である平均的過電流基準電圧を設定することとしたが、第１シャットダウン基準値や第２シャットダウン基準値は電流値に基づいて設定するように過電流保護回路を構成してもよい。

また、上述した実施形態では、被試験デバイスである半導体装置がＤＲＡＭである場合を例に、本発明を説明したが、他の種類の半導体装置が被試験デバイスであっても、本発明を適用することができる。

また、上述した実施形態では、半導体テスト装置の一例として、バーンイン装置１０を用いて、本発明を説明したが、本発明はバーンイン装置１０に限らず、様々な種類の半導体テスト装置に適用することができる。すなわち、電源供給ラインに過電流を検出した場合に自動的にシャットダウンをする機能を有する半導体テスト装置であれば、本発明を適用することができる。

従来のバーンイン装置における過電流保護回路の回路構成を説明するための図。 従来のバーンイン装置における電源供給ラインの電流波形の一例を示す図。 本実施形態に係るバーンイン装置の正面図。 図３のバーンイン装置の内部構成を説明するための正面レイアウト図。 図３のバーンイン装置における、制御回路、電源供給ユニット、ドライバボード、及び、バーンインボードの接続関係を説明するための図。 ドライバボードに設けられたコネクタと、このコネクタに挿入されるバーンインボードの断面図。 本実施形態に係るドライバボードに設けられている過電流保護回路の回路構成を説明するための図。 本実施形態に係るバーンイン装置における電源供給ラインの電流波形の一例を示す図。

符号の説明

１０ バーンイン装置
２０ ドア
３０ 断熱壁
４０ チャンバー
５０ スロット
７０ ファン
１００ 冷却ユニット
１２０ ヒーター
ＢＩＢ バーンインボード
ＣＬ 制御部
ＣＲ キャリアラック
ＤＴ 空気循環ダクト

Claims (8)

1. 被試験デバイスである半導体装置に電源を供給する電源供給ラインを流れる電流の大きさを検出する、検出回路と、
   前記検出回路で検出された前記電流の大きさが、第１シャットダウン基準値より大きい場合に、第１シャットダウン信号を出力する、第１シャットダウン信号出力回路と、
   前記検出回路で検出された前記電流の大きさの平均値を算出し、前記平均値が第２シャットダウン基準値より大きい場合に、第２シャットダウン信号を出力する、第２シャットダウン信号出力回路であって、前記被試験デバイスである半導体装置のリフレッシュ周期と同一の設定周期における、前記電流の大きさの平均値を算出する、第２シャットダウン信号出力回路と、
   前記第１シャットダウン信号又は前記第２シャットダウン信号が出力された場合に、シャットダウン処理を行う、シャットダウン処理実行部と、
   を備えることを特徴とする半導体テスト装置。
2. 前記第１シャットダウン基準値は前記第２シャットダウン基準値よりも大きい、ことを特徴とする請求項１に記載の半導体テスト装置。
3. 前記設定周期は、前記被試験デバイスである半導体装置のリフレッシュ周期と同一となるように、当該半導体テスト装置に設けられた制御回路から任意に設定される、ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体テスト装置。
4. 前記第２シャットダウン信号出力回路は、
   前記検出回路が検出した前記電流の大きさを、所定のサンプリング周期で取得し、前記予め設定された期間に相当する数のサンプリングされた前記電流の大きさを累積的に保持する、保持回路と、
   前記保持回路に保持されている前記電流の大きさを取得して、前記保持回路に保持されている前記電流の大きさの平均値を算出する平均算出回路と、
   を備えることを特徴とする請求項３に記載の半導体テスト装置。
5. 前記被試験デバイスである半導体装置が装着されたボードが挿入される、コネクタを、さらに備えており、前記コネクタを介して、前記電源供給ラインから前記半導体装置に電源が供給される、ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の半導体テスト装置。
6. 前記ボードはバーンインボードであり、前記被試験デバイスである半導体装置のバーンイン試験が行われる、ことを特徴とする請求項５に記載の半導体テスト装置。
7. 前記被試験デバイスである半導体装置は、ＤＲＡＭである、ことを特徴とする請求項６に記載の半導体テスト装置。
8. 被試験デバイスである半導体装置に電源を供給する電源供給ラインを流れる電流の大きさを検出するステップと、
   検出された前記電流の大きさが、第１シャットダウン基準値より大きい場合に、第１シャットダウン信号を出力するステップと、
   前記被試験デバイスである半導体装置のリフレッシュ周期と同一の設定周期における、前記電流の大きさの平均値を算出し、前記平均値が第２シャットダウン基準値より大きい場合に、第２シャットダウン信号を出力するステップと、
   前記第１シャットダウン信号又は前記第２シャットダウン信号が出力された場合に、シャットダウン処理を行うステップと、
   を備えることを特徴とする半導体テスト装置の制御方法。

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