JP4424720B2 - 光電変換装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の画素を有する光電変換装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、水素化アモルファスシリコン(a−Si)に代表される半導体材料を用いて、スキャナーやデジタル複写機、X線検出装置、光電変換装置等の読み取り素子や、スイッチTFTを大面積の基板に1次元もしくは2次元に形成する半導体装置が実用化されている。
【0003】
特に、a−Siは大面積基板に均一且つ低温で形成できるため安価なガラス基板を使用できる利点がある。しかも、TFTの半導体材料としてだけではなく、光電変換材料としても用いることができるため、光電変換半導体層とTFTとを同時に形成できるという利点もあり、光電変換素子としてMIS型フォトダイオードを用いたものも実用化されている。
【0004】
図14はTFT8と光電変換素子7から成る複数の画素を有する光電変換装置の基本的な等価回路図である。同図において、TFT8のゲート電極は共通のゲート配線(Vg)1に接続されており、Vg線はTFT8のオン、オフを制御するゲートドライバー2に接続されている。各TFT8のソース又はドレイン電極は共通の信号配線(Sig)3に接続され、信号配線3はアンプIC4に接続されている。また、バイアス配線(Vs)5は共通電極ドライバー6に接続されている。
【0005】
信号配線3はTFT8及びゲート配線1とのクロス部により信号配線容量C2を形成し、光電変換装置においてSig配線の出力は光電変換素子部のフォトダイオードの容量C1とSig配線容量C2により決定される。即ち、入射光より光電変換素子に発生、蓄積された電荷はTFT8により容量C1及びC2に分配され、そのSig線電位をアンプIC4により読み出すことにより画像情報が得られる。
【0006】
図15は上述の光電変換装置の1画素の模式的平面図を示す。図15では図14と同一部分は同一符号を付している。即ち、1はゲート配線、3は信号配線、5はバイアス配線、7は光電変換素子部、8はTFT部である。
【0007】
ここで、真性半導体層の膜厚は光電変換素子部では厚い方が感度が高く、TFT部では薄い方が転送能力が向上する。即ち、a−Siを用いて光電変換半導体層とTFTとを同時に形成する光電変換装置では、光電変換素子とTFTとが真性半導体層の膜厚に関してトレードオフの関係にある。
【0008】
このようにTFTと光電変換素子を同一のレイヤーで形成するタイプの層構成では、それぞれの最適膜厚を選択するため、例えば、特開2001−32040号公報に記載されているように真性半導体層成膜後にエッチング等によりTFT部の真性半導体層を、光電変換素子部の真性半導体層よりも薄くする方法が採られている(特許文献1参照)。
【0009】
図17〜図18は同公報の従来の製造方法の工程図を示す。図17、図18は1画素の断面図である。また、図16は光電変換装置の製造に用いられるフォトマスクを示す。なお、図17〜図18は図15のA、B、Cラインにおける断面図であり、A領域は光電変換素子部、B領域はTFT部、C領域は信号配線部を示す。
【0010】
(1)まず、ガラス基板(絶縁基板)上に第1の導電層101として、Al−Nd2500Å、Mo300Åをスパッターにより成膜する。
【0011】
(2)図16(a)に示すフォトマスクを用いてゲート配線及び光電変換素子の下電極を形成する。この時の模式的断面図を図17(a)に示す。100はガラス基板である。
【0012】
(3)層間絶縁層及び真性半導体層として、SiN膜102及びa−Si(i)膜103をそれぞれ2000Å/4000Å、CVDにより成膜する。
【0013】
(4)図16(b)に示すフォトマスクを用いてドライエッチングによりハーフエッチングを行い、TFT部の真性半導体層103の膜厚を2000Åとする。この時の模式的断面図を図17(b)に示す。
【0014】
(5)酸化膜除去処理を行う。
【0015】
(6)オーミックコンタクト層として、a−Si(n+)膜104、200ÅをCVDにより成膜する。
【0016】
(7)図16(c)に示すフォトマスクを用いてドライエッチングによりコンタクトホールCHを形成する。図17(c)は模式的断面図を示す。
【0017】
(8)第2の導電層105として、Mo/Al/Moをスパッターにより150Å/4000Å/500Å成膜する。
【0018】
(9)図16(d)に示すフォトマスクを用いてウエットエッチングによりVs配線を形成する。この時の模式的断面図を図17(d)に示す。
【0019】
(10)オーミックコンタクト層(a−Si(n+))上に導電層としてITO膜106を400Åスパッターにより成膜する。
【0020】
(11)図16(e)に示すフォトマスクを用いてウエットエッチングにより光電変換素子部の上電極を形成する。図18(a)はこの時の模式的断面図を示す。
【0021】
(12)図16(f)に示すフォトマスクを用いてウエットエッチングによりTFT部のソースドレイン(SD)電極及びSig配線を形成する。引き続いて、同レジストパターンを用いてドライエッチングによりTFTチャネル部のa−Si(n+)層104を除去する。この時の模式的断面図を図18(b)に示す。
【0022】
(13)図16(g)に示すフォトマスクを用いてドライエッチングにより素子間分離を行う。この時の模式的断面図を図18(c)に示す。その後、不図示の保護膜を積層する。
【0023】
なお、X線検出装置として構成する場合には、光電変換装置のX線を受ける側にX線を可視光に変換する蛍光体を設けるのが一般的である。
【0024】
【特許文献1】
特開2001−32040号公報
【0025】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近年においては光電変換装置の基板サイズはコストとタクトの観点から大型化が進んでいる。しかしながら、基板サイズが大型化すると、真性半導体層の応力による基板のそりが原因で不良品が発生するという問題があった。特に、感度向上のため真性半導体層を厚くした場合には、そりの発生が顕著になる問題があった。
【0026】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたもので、その目的は、基板上に大面積で成膜された真性半導体層の応力を分断し、基板のそりを解消することが可能な光電変換装置の製造方法を提供することにある。
【0027】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の光電変換装置の製造方法は、基板上に、第1の導電層、絶縁層、真性半導体層、第2の導電層を順に含む複数の層を積層することによって構成された光電変換素子部と、前記基板上に、前記第1の導電層、前記絶縁層、前記真性半導体層、前記第2の導電層を順に含む複数の層を積層することによって前記光電変換素子部とは別に構成されたTFT部とを含む画素が二次元に複数配列され、前記第1の導電層からなるゲート配線により前記TFT部の前記第1の導電層からなるゲート端子を駆動するためのゲート配線部と、前記真性半導体層上に積層された前記第2の導電層からなる信号配線により前記TFT部の前記第2の導電層からの信号を読み出す信号配線部とを備えた光電変換装置の製造方法において、前記光電変換素子部と、前記信号配線部と前記ゲート配線部との交差部とをマスクするフォトマスクを使用して前記真性半導体層をエッチングする工程を有し、前記TFT部の前記真性半導体層と、前記信号配線部と前記ゲート配線部との交差部を除く前記信号配線部の前記真性半導体層とをエッチングすることにより、前記TFT部の前記真性半導体層の膜厚と、前記信号配線部と前記ゲート配線部との交差部を除く前記信号配線部の前記真性半導体層の膜厚とを、前記光電変換素子部の前記真性半導体層の膜厚より薄くすることを特徴とする。
【0028】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【0029】
(第1の実施形態)
第1の実施形態では、MIS型+TFT光電変換装置において、TFT部及び信号配線部の真性半導体層をハーフエッチングすることによって、TFT部及び信号配線部の真性半導体層の膜厚を、光電変換素子部の真性半導体層の膜厚より薄くするものである。なお、本実施形態の光電変換装置は上述の膜厚の違い以外は図14と同様である。
【0030】
図1、図2は本実施形態の光電変換装置の製造方法を示す断面図、図3はその製造に用いるフォトマスクを示す平面図である。図1〜図3はいずれも1画素分を示す。始めに、本実施形態による光電変換装置の製造方法について説明する。なお、図1、図2は図4に示す1画素の模式的平面図のA、B、Cラインにおける断面図であり、A領域は光電変換素子部、B領域はTFT部、C領域は信号配線部を示す。
【0031】
(1)まず、第1の導電層101として、ガラス基板(絶縁基板)上にAl−Nd2500Å、Mo300Åをスパッターにより成膜する。
【0032】
(2)図3(a)に示すフォトマスクを用いてゲート配線及び光電変換素子の下電極を形成する。この時の模式的断面図を図1(a)に示す。100はガラス基板である。
【0033】
(3)層間絶縁層及び真性半導体層として、SiN膜102/a−Si(i)膜103をそれぞれ2000Å/4000Å、CVDにより成膜する。
【0034】
(4)図3(b)に示すフォトマスクを用いてドライエッチングによりハーフエッチングを行い、TFT部及び配線部分の真性半導体層の膜厚を2000Åとする。この時の模式的断面図を図1(b)に示す。
【0035】
(5)酸化膜除去処理を行う。
【0036】
(6)オーミックコンタクト層として、a−Si(n+)膜104、200ÅをCVDにより成膜する。
【0037】
(7)図3(c)に示すフォトマスクを用いてドライエッチングによりコンタクトホールCHを形成する。模式的断面図を図1(c)に示す。
【0038】
(8)第2の導電層として、Mo/Al/Mo105をスパッターにより150/4000/500Å成膜する。
【0039】
(9)図3(d)に示すフォトマスクを用いてウエットエッチングによりVs配線(バイアス配線)を形成する。この時の模式的断面図を図1(d)に示す。
【0040】
(10)オーミックコンタクト層(a−Si(n+))104上に導電層として、ITO膜106、400Åをスパッターにより成膜する。
【0041】
(11)図3(e)に示すフォトマスクを用いてウエットエッチングにより光電変換素子部の上電極を形成する。この時の模式的断面図を図2(a)に示す。
【0042】
(12)図3(f)に示すフォトマスクを用いてウエットエッチングによりTFT部のソースドレイン(SD)電極及びSig配線(信号配線)を形成する。引き続いて、同レジストパターンを用いてドライエッチングによりTFTチャネル部のa−Si(n+)層104を除去する。この時の模式的断面図を図2(b)に示す。
【0043】
(13)図3(g)に示すフォトマスクを用いてドライエッチングにより素子間分離パターンを形成する。この時の模式的断面図を図2(c)に示す。その後、不図示の保護膜を積層する。
【0044】
図4は1画素の模式的平面図を示す。1はゲート配線、3は信号配線、5はバイアス配線、7は光電変換素子部、8はTFT部である。なお、2ndマスク(図3(b)のハーフエッチパターン)はTFTチャネル配線よりも幅が大きい領域で、真性半導体層の段差(図中a部分)を形成する。これは、TFT部のSD配線の断線防止を考慮したものである。
【0045】
本実施形態では、大型基板上に大面積で成膜された真性半導体層103をTFT部の最適膜厚を選択するためにハーフエッチングを行う工程で、信号配線部もエッチングすることにより、真性半導体層103をスリット状に薄く加工している。即ち、真性半導体層103のスリット状に薄くした部分で応力が分断されるため、真性半導体層103の膜厚によって生じる応力を緩和することが出来る。
【0046】
従って、工程の初期段階(2ndマスク)で応力を分断できるので、後工程でのガラス基板のそりによる不良品の発生を抑制でき、高性能な光電変換装置の安定生産が可能となる。
【0047】
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2の実施形態では、MIS型+TFT光電変換装置において、TFT部及び信号配線部、ゲート配線部の真性半導体層をハーフエッチングすることによって、TFT部及び信号配線部、ゲート配線部の真性半導体層の膜厚を、光電変換素子部の真性半導体層の膜厚より薄くするものである。他は第1の実施形態と同様である。
【0048】
第1の実施形態との製造方法の違いは、2ndマスク(第1の実施形態の図3(b)のフォトマスク)のパターン形状が異なっているだけで、その他は第1の実施形態と同様である。図5は第2の実施形態で用いる2ndフォトマスクの平面図を示す。図3(b)との違いは信号配線部だけでなくゲート配線部の真性半導体層もハーフエッチングする点である。
【0049】
図6は本実施形態で作製した1画素の模式的平面図、図7(a)〜(c)は1画素の模式的断面図を示す。図6、図7では第1の実施形態の図1、図2、図4と同一部分は同一符号を付している。また、図7(a)は図6のA、B、Cラインにおける断面図、図7(b)はDラインにおける断面図、図7(c)はEラインにおける断面図である。図7のA領域は光電変換素子部、B領域はTFT部、C領域は信号配線部、D領域は信号配線部とゲート配線部との交差部、E領域はゲート配線部を示す。
【0050】
本実施形態では、基板上に成膜された真性半導体層103を、TFT部の最適膜厚を選択するためのハーフエッチング工程で、信号配線部とゲート線部もエッチングする。この結果、図7(b)、(c)に示すようにゲート配線部の真性半導体層103の膜厚が、図7(a)の光電変換素素子の真性半導体層103の膜厚より薄く形成される。
【0051】
このように本実施形態では、TFT部及び信号配線部だけでなく、ゲート配線部の真性半導体層103の膜厚を光電変換素子部の真性半導体層103の膜厚よりも薄くすることによって、真性半導体層103を格子状に薄く加工している。即ち、真性半導体層104の応力を信号配線部とゲート配線部で分断できるので、第1の実施形態に比べて更に応力を緩和することが出来る。従って、同様に工程の初期段階(2ndマスク)で応力を分断できるので、後工程でのガラス基板のそりによる不良品の発生を抑制でき、高性能な光電変換装置の安定生産が可能となる。
【0052】
(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。第3の実施形態では、MIS型+TFT光電変換装置において、光電変換素子部、信号配線部とゲート配線部との交差部を除くTFT部、信号配線部、ゲート配線部の真性半導体層をハーフエッチングすることで、信号配線部とゲート配線部との交差部を除く信号配線部、ゲート配線部、TFT部の真性半導体層の膜厚を、光電変換素子部の真性半導体層の膜厚より薄くするものである。それ以外は第1の実施形態と同様である。
【0053】
第1の実施形態との製造方法の違いは、2ndフォトマスク(第1の実施形態の図3(b)のフォトマスク)のパターン形状が異なるだけで、その他は第1の実施形態と同様である。図8は本実施形態で用いる2ndフォトマスクの平面図を示す。
【0054】
また、図9は1画素の模式的平面図、図10(a)〜(c)は1画素の模式的断面図を示す。図10(a)は図9のA、B、Cラインにおける断面図、図10(b)はDラインにおける断面図、図10(c)はEラインにおける断面図を示す。図9、図10では第1の実施形態の図1、図2、図4と同一部分は同一符号を付している。A領域は光電変換素子部、B領域はTFT部、C領域は信号配線部、D領域は信号配線部とゲート配線部との交差部、E領域はゲート配線部を示す。
【0055】
本実施形態では、大基板上に大面積で成膜された真性半導体層を、TFT部の最適膜厚を選択するためのハーフエッチング工程で、光電変換素子部、信号配線部とゲート配線部との交差部を除く、TFT部、信号配線部、ゲート配線部をエッチングする。
【0056】
従って、図10(b)に示すように信号配線部とゲート配線部との交差部における真性半導体層103の膜厚は光電変換素子部の真性半導体層103の膜厚と同じある。また、その交差部を除く信号配線部、ゲート配線部、TFT部の真性半導体層103の膜厚は、光電変換素子部の真性半導体層103の膜厚より薄く形成される。
【0057】
本実施形態では、第2の実施形態と同様に応力の大きい真性半導体層を格子状に薄く形成することで、真性半導体層の応力を緩和でき、後工程のガラス基板のそりによる不良品の発生を抑制できる。また、信号配線部とゲート配線部との交差部の真性半導体層の膜厚を元のまま残すことで、信号配線部とゲート配線部との配線間リークを防止することが出来る。
【0058】
(参考実施形態)
次に、本発明の第4の実施形態について説明する。第4の実施形態では、MIS型+TFT光電変換装置において、TFT部の真性半導体層をハーフエッチングした後に、次のフォトマスク(コンタクトホール形成用フォトマスク)を用い光電変換素子部、TFT部、信号配線部とゲート配線部との交差部を除く信号配線部、ゲート配線部のエッチングを行う。それ以外は第1の実施形態と同様である。
【0059】
ここで、本実施形態では、ゲート配線上のSi膜(層間絶縁層、真性半導体層、オーミックコンタクト層)をエッチングすることから、第1〜第3の実施のように第1の導電層101と第2の導電層105が同じ材料で、エッチング選択比がとれないような層構成では実施できない。本実施形態では、第1の導電層101としてCr、3000Åとする。
【0060】
第1の実施形態との製造方法の違いは、2ndフォトマスク(第1の実施形態の図3(b))と3ndフォトマスク(第1の実施形態の図3(c))のパターン形状が異なるだけで、その他は第1の実施形態と同様である。図11(a)は本実施形態で用いる2ndフォトマスク、図11(b)は3ndフォトマスクを示す平面図である。
【0061】
図12は作製した1画素の模式的平面図、図13(a)〜(c)は1画素の模式的断面図を示す。図13(a)は図12のA、B、Cラインにおける断面図、図13(b)はDラインにおける断面図、図13(c)はEラインにおける断面図を示す。図12、図13では第1の実施形態の図1、図2、図4と同一部分は同一符号を付している。A領域は光電変換素子部、B領域はTFT部、C領域は信号配線部、D領域は信号配線部とゲート配線部との交差部、E領域はゲート配線部を示す。
【0062】
本実施形態では、図11(a)のフォトマスクを用いてTFT部の真性半導体層をエッチングした後、図11(b)のフォトマスクを用いてコンタクトホールを形成する工程で、信号配線部とゲート配線部との交差部を除く信号配線部、ゲート配線部をエッチングする。
【0063】
従って、図13(a)に示すように信号配線部の真性半導体層103、層間絶縁層102、オーミックコンタクト層104はない。また、図13(c)に示すようにゲート配線部における真性半導体層103、層間絶縁層102、オーミックコンタクト層104もエッチングされ、これらの層は残っていない。なお、図13(b)に示すように信号配線部とゲート配線部との交差部には、これらの層は残っている。
【0064】
このように本実施形態では、ガラス基板上に成膜された応力の大きい真性半導体層103及び層間絶縁層102を、光電変換素子部、TFT部、信号配線部とゲート配線部の交差部を除く信号配線部とゲート配線部でエッチングすることにより、真性半導体層の応力をゲート配線部と信号配線部で確実に分断することができる。
【0065】
従って、第1〜第3の実施形態に比べて、真性半導体層103とさらに層間絶縁層102による応力も分断できるので、後工程でのガラス基板100のそりによる不良品の発生を防止でき、高性能な光電変換装置の安定生産が可能となる。
【0066】
なお、以上の実施形態では、光電変換装置の構成や製造方法について説明したが、これらの第1〜第4の実施形態の光電変換装置を用いて放射線検出装置を構成する場合には、それらの光電変換装置の放射線入射側に放射線を可視光に変換する蛍光体を設ければ良い。放射線としては、X線の他にα線、β線、γ線等を用いることができる。
【0067】
次に、本発明の実施態様を以下に列挙する。
【0068】
(実施態様1) 基板上に、光電変換素子部とTFT部が絶縁層、真性半導体層を含む複数の層を積層することによって構成され、且つ、前記基板上に前記光電変換素子部とTFT部を含む複数の画素が二次元に配列された光電変換装置において、前記TFT部と、前記TFT部の信号を読み出す信号配線部との真性半導体層の膜厚が、前記光電変換素子部の真性半導体層の膜厚より薄いことを特徴とする光電変換装置。
【0069】
(実施態様2) 基板上に、光電変換素子部とTFT部が絶縁層、真性半導体層を含む複数の層を積層することによって構成され、且つ、前記基板上に前記光電変換素子部とTFT部を含む複数の画素が二次元に配列された光電変換装置において、前記TFT部と、前記TFT部の信号を読み出す信号配線部と、前記TFTのゲート端子を駆動するためのゲート配線部との真性半導体層の膜厚が、前記光電変換素子部の真性半導体層の膜厚より薄いことを特徴とする光電変換装置。
【0070】
(実施態様3) 前記信号配線部とゲート配線部との交差部の真性半導体層の膜厚は、前記光電変換素子部の真性半導体層の膜厚と等しいことを特徴とする実施態様2に記載の光電変換装置。
【0071】
(実施態様4) 前記信号配線部とゲート配線部との交差部を除いて、前記信号配線部とゲート配線部の真性半導体層及び絶縁層がないことを特徴とする実施態様2に記載の光電変換装置。
【0072】
(実施態様5) 実施態様1〜4のいずれか1項に記載の光電変換装置と、前記光電変換素子部の放射線入射側に設けられ、放射線を可視光に変換する蛍光体とを有することを特徴とする放射線検出装置。
【0073】
(実施態様6) 基板上に、光電変換素子部とTFT部が絶縁層、真性半導体層を含む複数の層を積層することによって構成され、且つ、前記基板上に前記光電変換素子部とTFT部を含む複数の画素が二次元に配列された光電変換装置の製造方法において、前記TFT部の真性半導体層を所定の膜厚にエッチングする際に、前記TFT部の信号を読み出す信号配線部の真性半導体層の膜厚を同時に所定の膜厚にエッチングすることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【0074】
(実施態様7) 基板上に、光電変換素子部とTFT部が絶縁層、真性半導体層を含む複数の層を積層することによって構成され、且つ、前記基板上に前記光電変換素子部とTFT部を含む複数の画素が二次元に配列された光電変換装置の製造方法において、前記TFT部の真性半導体層の膜厚を所定の膜厚にエッチングする際に、前記TFT部の信号を読み出す信号配線部の真性半導体層及び前記TFTのゲート端子を駆動するためのゲート配線部の真性半導体層の膜厚を同時に所定の膜厚にエッチングすることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【0075】
(実施態様8) 前記信号配線部とゲート配線部との交差部の真性半導体層の膜厚は、前記光電変換素子部の真性半導体層と等しいことを特徴とする実施態様7に記載の光電変換装置の製造方法。
【0076】
(実施態様9) 基板上に、光電変換素子部とTFT部が絶縁層、真性半導体層を含む複数の層を積層することによって構成され、且つ、前記基板上に前記光電変換素子部とTFT部を含む複数の画素が二次元に配列された光電変換装置の製造方法において、前記TFT部の真性半導体層の膜厚を所定膜厚にエッチングした後、前記信号配線部とゲート配線部との真性半導体層及び絶縁層を除去することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【0077】
(実施態様10) 前記信号配線部とゲート配線部との交差部の前記真性半導体層と絶縁層は、除去しないことを特徴とする実施態様9に記載の光電変換装置の製造方法。
【0078】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、TFT部だけでなく配線部分の真性半導体層の膜厚を光電変換素子部の真性半導体層の膜厚よりも薄くすることにより、基板上に成膜された真性半導体層の応力を分断できるので、基板のそりの発生を抑制でき、高性能な光電変換装置の安定した生産を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による第1の実施形態の光電変換装置の製造方法を説明するための図である。
【図2】本発明による第1の実施形態の光電変換装置の製造方法を説明するための図である。
【図3】本発明の第1の実施形態に用いる1画素のフォトマスクを示す図である。
【図4】本発明の光電変換装置の1画素を示す平面図である。
【図5】本発明の第2の実施形態に用いる1画素のフォトマスクを示す図である。
【図6】本発明の第2の実施形態の1画素を示す平面図である。
【図7】図6のA〜Eラインにおける断面図である。
【図8】本発明の第3の実施形態に用いる1画素のフォトマスクを示す図である。
【図9】本発明の第3の実施形態の1画素を示す平面図である。
【図10】図9のA〜Eラインにおける断面図である。
【図11】本発明の第4の実施形態に用いる1画素のフォトマスクを示す図である。
【図12】本発明の第4の実施形態の1画素を示す平面図である。
【図13】本発明の第4の実施形態の1画素を示す断面図である。
【図14】従来例の代表的な光電変換装置を示す等価回路図である。
【図15】従来例の光電変換装置の1画素を示す平面図である。
【図16】従来の光電変換装置の製造に用いられる1画素のフォトマスクを示す図である。
【図17】従来の光電変換装置の製造方法を説明するための1画素分の断面図である。
【図18】従来の光電変換装置の製造方法を説明するための1画素分の断面図である。
【符号の説明】
1 ゲート配線
2 ゲートドライバー
3 信号配線
4 アンプIC
5 バイアス配線
6 共通電極ドライバー
7 光電変換素子
8 TFT
100 ガラス基板
101 第1の導電層
102 層間絶縁層
103 真性半導体層
104 オーミックコンタクト層
105 第2の導電層
106 ITO膜
Claims (3)
- 基板上に、第1の導電層、絶縁層、真性半導体層、第2の導電層を順に含む複数の層を積層することによって構成された光電変換素子部と、前記基板上に、前記第1の導電層、前記絶縁層、前記真性半導体層、前記第2の導電層を順に含む複数の層を積層することによって前記光電変換素子部とは別に構成されたTFT部とを含む画素が二次元に複数配列され、前記第1の導電層からなるゲート配線により前記TFT部の前記第1の導電層からなるゲート端子を駆動するためのゲート配線部と、前記真性半導体層上に積層された前記第2の導電層からなる信号配線により前記TFT部の前記第2の導電層からの信号を読み出す信号配線部とを備えた光電変換装置の製造方法において、
前記光電変換素子部と、前記信号配線部と前記ゲート配線部との交差部とをマスクするフォトマスクを使用して前記真性半導体層をエッチングする工程を有し、
前記TFT部の前記真性半導体層と、前記信号配線部と前記ゲート配線部との交差部を除く前記信号配線部の前記真性半導体層とをエッチングすることにより、前記TFT部の前記真性半導体層の膜厚と、前記信号配線部と前記ゲート配線部との交差部を除く前記信号配線部の前記真性半導体層の膜厚とを、前記光電変換素子部の前記真性半導体層の膜厚より薄くすることを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 前記ゲート配線部は前記ゲート配線上に積層された真性半導体層を有し、
前記真性半導体層をエッチングする工程で前記ゲート配線部の前記真性半導体層をエッチングすることにより、前記ゲート配線部の前記真性半導体層の膜厚を、前記光電変換素子部の前記真性半導体層の膜厚より薄くすることを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記交差部の前記真性半導体層の膜厚は、前記光電変換素子部の前記真性半導体層の膜厚と等しいことを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003121615A JP4424720B2 (ja) | 2003-04-25 | 2003-04-25 | 光電変換装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003121615A JP4424720B2 (ja) | 2003-04-25 | 2003-04-25 | 光電変換装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004327794A JP2004327794A (ja) | 2004-11-18 |
JP2004327794A5 JP2004327794A5 (ja) | 2006-06-01 |
JP4424720B2 true JP4424720B2 (ja) | 2010-03-03 |
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ID=33500121
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003121615A Expired - Fee Related JP4424720B2 (ja) | 2003-04-25 | 2003-04-25 | 光電変換装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4424720B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006201217A (ja) | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Seiko Epson Corp | 配線基板、電気光学装置及び電子機器 |
JP5388488B2 (ja) * | 2008-06-19 | 2014-01-15 | 富士フイルム株式会社 | 電磁波検出素子 |
JP5726931B2 (ja) * | 2013-02-18 | 2015-06-03 | 富士フイルム株式会社 | 電磁波検出素子 |
-
2003
- 2003-04-25 JP JP2003121615A patent/JP4424720B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004327794A (ja) | 2004-11-18 |
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