JP4423025B2 - Multilayer substrate and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、回路基板に適した多層基板の製造方法に関するものであり、特に、通信機器や電子機器等に高周波用途の部品として搭載される多層基板であり、焼成における収縮曲線(挙動)が異なる絶縁シート同士を一体して焼成することにより、互いのX−Y方向の焼成収縮を抑制した寸法精度に優れた多層基板の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for producing a multilayer board suitable for a circuit board, and in particular, is a multilayer board mounted as a component for high-frequency applications in communication equipment, electronic equipment, etc., and has different shrinkage curves (behavior) during firing. The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer substrate excellent in dimensional accuracy in which insulating sheets are integrally fired to suppress firing shrinkage in the XY directions.

従来より、セラミックスを絶縁基板とする多層基板が用いられているが、近年、多層基板に対して種々の機能の付加が求められ、異種セラミックスを組み合わせた多層基板が提案されている。例えば、低強度の絶縁層を高強度の絶縁層で補強する、または、多層基板の中に容量値の高いキャパシタを内臓するために、低誘電率の絶縁層中に高誘電率の絶縁層などを積層した多層基板が知られている。   Conventionally, a multilayer substrate using ceramics as an insulating substrate has been used, but in recent years, addition of various functions to the multilayer substrate has been demanded, and a multilayer substrate combining different ceramics has been proposed. For example, in order to reinforce a low-strength insulating layer with a high-strength insulating layer, or to incorporate a high-capacitance capacitor in a multilayer substrate, a high-permittivity insulating layer in a low-dielectric constant insulating layer, etc. A multilayer substrate in which is laminated is known.

このような多層基板では、セラミックスのクラックやデラミネーション(層間剥離)を防止するために、異種の絶縁層間で焼成収縮率及び熱膨張係数を一致させるように絶縁層材料の特性を選択、制御することが通常行われている。   In such a multilayer substrate, in order to prevent ceramic cracks and delamination (delamination), the characteristics of the insulating layer material are selected and controlled so that the firing shrinkage rate and the thermal expansion coefficient coincide between different insulating layers. It is usually done.

しかしながら、近年においては、多層基板の低コスト化や、多層基板上に形成された電極の寸法精度向上のため、焼成時のX−Y方向における多層基板の収縮率を小さくすることが要求されており、上記従来の多層基板では、この要求を達成することができなかった。   However, in recent years, in order to reduce the cost of the multilayer substrate and improve the dimensional accuracy of the electrodes formed on the multilayer substrate, it is required to reduce the shrinkage rate of the multilayer substrate in the XY direction during firing. Therefore, this requirement cannot be achieved by the conventional multilayer substrate.

このような要求を満足するため、近年では、未焼成の絶縁グリーンシートの積層成形体に対して、Al焼結板を介して加圧しながら焼成して厚み方向への焼成収縮を増大させる加圧焼成法や、積層成形体の表面に、該積層体の焼成温度では焼結しない未焼成セラミック層によって拘束し、厚み方向にのみ収縮させた後、未焼成セラミック層を取り除く方法が開発されている(例えば、特許文献1参照)。 In order to satisfy these requirements, in recent years, firing shrinkage in the thickness direction has been increased by firing a laminated molded body of unfired insulating green sheets while applying pressure through an Al 2 O 3 sintered plate. Developed a method to remove the unfired ceramic layer after it is constrained by the unfired ceramic layer that does not sinter at the firing temperature of the laminated body and shrinks only in the thickness direction on the surface of the laminated molded body (For example, refer to Patent Document 1).

しかしながら、前者の加圧焼成法では、反りのないAl焼結板が必要であるとともに特殊な加圧手段が必要であった。また、未焼成セラミック層によって拘束する方法では、焼成終了後に未焼成セラミック層を取り除く必要があるために製造工程が増える、という問題があった。 However, the former pressure firing method requires an Al 2 O 3 sintered plate without warping and a special pressure means. Further, the method of restraining by the unfired ceramic layer has a problem that the number of manufacturing steps increases because the unfired ceramic layer needs to be removed after the firing is completed.

そこで、焼成収縮開始温度の異なる2種のセラミック成形体を積層して同時焼成することによって焼成の収縮による寸法変化を抑制することが提案されている(例えば、特許文献2参照)。
特許第2554415号 特開平2002−261443号公報
Therefore, it has been proposed to suppress dimensional changes due to shrinkage of firing by laminating two types of ceramic molded bodies having different firing shrinkage start temperatures and firing them simultaneously (for example, see Patent Document 2).
Japanese Patent No. 2554415 Japanese Patent Laid-Open No. 2002-261443

しかしながら、特許文献2に記載の回路基板の製造方法は、焼成収縮開始温度の異なる2種のセラミック成形体を積層して同時焼成するにあたり、焼成収縮開始温度が高温側の絶縁層が収縮開始する時、焼成収縮開始温度が低温側の絶縁層が、すでに最終焼成体積収縮量の90%以上焼成収縮しているように設定することにより、回路基板の寸法変化を抑制することはできるものの、焼成収縮開始温度のみの制御であるため、収縮抑制の挙動にばらつきが大きく、また収縮率も十分に小さくないという問題があった。   However, in the method for manufacturing a circuit board described in Patent Document 2, when two types of ceramic molded bodies having different firing shrinkage start temperatures are stacked and fired simultaneously, the insulating layer whose firing shrinkage start temperature is high starts to shrink. At that time, the dimensional change of the circuit board can be suppressed by setting the insulating layer whose firing shrinkage starting temperature is lower than 90% of the final firing volume shrinkage, but the dimensional change of the circuit board can be suppressed. Since only the shrinkage start temperature is controlled, there is a problem in that the behavior of shrinkage suppression is large and the shrinkage rate is not sufficiently small.

従って、本発明は、寸法度に優れ、平面方向の収縮率が0に近く、その収縮率のばらつきの小さい多層基板及びその製造方法を提供することを目的とするものである。 Accordingly, the present invention is excellent in dimensional accuracy, close to the planar direction of shrinkage 0, it is an object to provide a small multi-layer substrate and a manufacturing method thereof variation in the shrinkage.

本発明は、
a)少なくとも第1絶縁性無機材料及び光硬化性樹脂を含有する第1スリップと、第2絶縁性無機材料及び光硬化性樹脂を含有する第2スリップとを作製する工程
(b)支持基板上に、前記第1スリップ及び又は前記第2スリップを塗布、乾燥し露光、硬化させた後、前記支持基板から剥離して、第絶縁シート及び又は第2絶縁シートを作製する工程
c)前記第1絶縁シート及び前記第2絶縁シートをそれぞれ複数積層して積層成形体を作製する工程
)前記積層成形体を焼成する工程
を具備する多層基板の製造方法において、
前記第1絶縁シート及び前記第2絶縁シートが異なる結晶化ガラス粉末を含み、前記第1絶縁シートに含まれる結晶化ガラス粉末の結晶化温度が、前記第2絶縁シートに含まれる結晶化ガラス粉末の軟化点よりも低いことを特徴とするものである
This onset Ming,
(A ) A step of producing a first slip containing at least a first insulating inorganic material and a photocurable resin, and a second slip containing a second insulating inorganic material and a photocurable resin (b) a supporting substrate above, the first slip and / or the second slip coating, dried, exposed, after curing, and peeling from the supporting substrate, a step of preparing a first insulating sheet and / or the second insulation sheet (c) before Symbol first insulating sheet and the process for producing a molded laminate said second insulating sheets each stacked step (d) for firing the molded laminate
In the manufacturing method of the multilayer substrate comprising:
The first insulating sheet and the second insulation sheet includes a different crystallized glass powder, the crystallization temperature of the crystallized glass powder contained in the first dielectric sheet, the crystallized glass powder contained in the second insulating sheet it is characterized in that below the softening point.

前記絶縁シートの積層成形体における前記第1絶縁シートと前記第2絶縁シートの間には、膜厚が20μm以上の内部導体パターンが形成されていることが好ましい。   It is preferable that an inner conductor pattern having a film thickness of 20 μm or more is formed between the first insulating sheet and the second insulating sheet in the laminated molded body of the insulating sheets.

前記支持基板が透明であることが好ましい。   The support substrate is preferably transparent.

前記第1絶縁シート及び前記第2絶縁シートが、それぞれ結晶化ガラス粉末を30質量%以上含むことが好ましい。 The first insulating sheet and the second insulation sheet, it is preferable that each include a crystallized glass powder 30% by weight or more.

前記第1絶縁シート及び前記第2絶縁シートに含まれる結晶化ガラス粉末が、焼成によりディオプサイド、ハーディストナイト、セルシアン、コージェライト、アノーサイト、ガーナイト、ウィレマイト、スピネル、ムライト、フォルステライト及びスーアナイトのうち少なくとも1種からなる結晶を形成するガラス粉末であることが好ましい。 The first insulating sheet and the crystallized glass powder contained in the second insulating sheet, Diopusai de by firing, Hardy strike Nai DOO, Serushia down, Kojerai DOO, Anosai DOO, Ganai DOO, Wiremai DOO, spinel Le, Murai DOO is preferably a glass powder for forming a crystal composed of at least one of false Terai preparative及 beauty Suanai bets.

本発明の多層基板は、上記の多層基板の製造方法によって得られた異なる結晶化ガラスをそれぞれ含む絶縁層の積層体からなり、前記絶縁層のうち第1絶縁層に含まれる結晶化ガラスの結晶化温度が、第2絶縁層に含まれる結晶化ガラスの軟化点よりも低いことを特徴とする。 Multilayer substrate of the present invention is preferably composed of a multilayer structure of insulating layers each containing a different crystallized glass obtained by the manufacturing method of the multilayer substrate, crystals of crystallized glass contained in the first insulating layer of said insulating layer The crystallization temperature is lower than the softening point of the crystallized glass contained in the second insulating layer.

前記第1絶縁層と前記第2絶縁層の熱膨張係数差が2×10−6/℃以下であることが好ましい。 It is preferred thermal expansion coefficient difference between the first insulating layer and the second insulating layer is 2 × 10 -6 / ° C. or less.

前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層に含まれる結晶化ガラスが、ディオプサイド、ハーディストナイト、セルシアン、コージェライト、アノーサイト、ガーナイト、ウィレマイト、スピネル、ムライト、フォルステライト、スーアナイトのうち少なくとも1種からなる結晶であることが好ましい。 Crystallized glass contained in the first insulating layer and the second insulating layer, diopside, hardystonite, celsian, cordierite, anorthite, gahnite, willemite, spinel, mullite, forsterite, scan Anai bets Of these, crystals comprising at least one kind are preferred.

本発明の多層基板の製造方法は、焼成収縮挙動の異なる第1絶縁シート及び第2絶縁シートを一体焼成することによって、一方の第1絶縁シートが収縮を開始する際に第2絶縁シートがX−Y方向における収縮を抑制し、第1絶縁シートが収縮を完了し、結晶化中に、第2絶縁シートの焼結が開始されるため、X−Y方向における第2絶縁シートの収縮が第1絶縁シートによって抑制される結果、お互いの収縮抑制効果を安定して発揮することができ、多層基板全体として焼結前後でのX−Y方向の焼成収縮を抑制することができる。よって、焼成収縮のばらつきを抑制し、かつ収縮率を0に近づけることができ、寸法度の高い多層基板を提供することができる。 The method of manufacturing a multilayer substrate of the present invention, by integrally firing a different first insulating sheet and the second insulation sheet of firing shrinkage behavior, the second insulating sheet when one of the first insulating sheet starts to shrink Since the shrinkage in the XY direction is suppressed, the first insulating sheet completes the shrinkage, and the sintering of the second insulating sheet is started during crystallization, the shrinkage of the second insulating sheet in the XY direction As a result of being suppressed by the first insulating sheet, it is possible to stably exhibit the mutual shrinkage suppression effect, and to suppress firing shrinkage in the XY directions before and after sintering as the entire multilayer substrate. Therefore, to suppress the variation of firing shrinkage and the shrinkage rate can be brought close to zero, it is possible to provide a high dimensional accuracy multilayer substrate.

特に、第1の絶縁層に含まれるガラスの結晶化温度が、第2の絶縁層に含まれるガラスの軟化点よりも低いため、寸法精度に優れ、平面方向の収縮率が0に近く、その収縮率のばらつきが小さい多層基板を作製することができる。 In particular, since the crystallization temperature of the glass contained in the first insulating layer is lower than the softening point of the glass contained in the second insulating layer, the dimensional accuracy is excellent, and the shrinkage rate in the plane direction is close to 0. A multilayer substrate with small variation in shrinkage rate can be manufactured.

前記絶縁シートの積層成形体における前記第1絶縁シートと前記第2絶縁シートの間には、膜厚が20μm以上の内部導体パターンが形成されている場合、導体抵抗がより低くなり、高機能素子を内蔵することが容易になる。   When an internal conductor pattern having a film thickness of 20 μm or more is formed between the first insulating sheet and the second insulating sheet in the laminated molded body of the insulating sheet, the conductor resistance becomes lower, and a high-performance element It becomes easy to incorporate.

前記支持基板が透明である場合、支持基板の裏面から光を照射して露光処理を行うことができ、支持基板から一定の厚みの絶縁シートを硬化させることができる。   When the support substrate is transparent, exposure processing can be performed by irradiating light from the back surface of the support substrate, and an insulating sheet having a certain thickness can be cured from the support substrate.

前記絶縁シート第1及び前記第2絶縁シートが、それぞれ結晶化ガラス粉末を30質量%以上含む場合、より安定した焼結性及び接着性を得ることができる。 The insulating sheet first and the second insulation sheet, if each containing crystallized glass powder 30% by weight or more, it is possible to obtain a more stable sinterability and adhesion.

前記第1絶縁シート及び前記第2絶縁シートに含まれる結晶化ガラス粉末が、焼成によりディオプサイド、ハーディストナイト、セルシアン、コージェライト、アノーサイト、ガーナイト、ウィレマイト、スピネル、ムライト、フォルステライト及びスーアナイトのうち少なくとも1種からなる結晶を形成するガラス粉末である場合、誘電特性または強度をさらに改善することができる。 The first insulating sheet and the crystallized glass powder contained in the second insulating sheet, Diopusai de by firing, Hardy strike Nai DOO, Serushia down, Kojerai DOO, Anosai DOO, Ganai DOO, Wiremai DOO, spinel Le, Murai DOO If a glass powder for forming a crystal composed of at least one of false Terai preparative及 beauty Suanai DOO, can further improve the dielectric properties or strength.

本発明の多層基板は、上記の製造方法によって得られた異なる結晶化ガラスをそれぞれ含む絶縁層の積層体からなり、前記絶縁層のうち第1絶縁層に含まれる結晶化ガラスの結晶化温度が、第2絶縁層に含まれるガラスの軟化点よりも低いことを特徴とするものであり、寸法度に優れ、平面方向の収縮率が0に近く、その収縮率のばらつきが小さい多層基板を提供することができる。 Multilayer substrate of the present invention is preferably composed of a multilayer structure of insulating layers each containing a different crystallized glass obtained by the above manufacturing method, the crystallization temperature of the crystallized glass contained in the first insulating layer of the insulating layer , which is characterized in that less than the softening point of the glass contained in the second insulating layer, excellent in dimensional accuracy, close to the planar direction of shrinkage 0, the multilayer substrate variations in the shrinkage rate is small Can be provided.

特に、前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層の熱膨張係数の差が、2×10−6/℃以下である場合、多層基板中にクラックやデラミネーションの発生を抑制する点で望ましい。 In particular, the difference in coefficient of thermal expansion of the first insulating layer and the second insulating layer, if it is 2 × 10 -6 / ° C. or less, preferably in terms of suppressing the occurrence of cracking and delamination in the multilayer substrate.

前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層に含まれる結晶化ガラスが、ディオプサイド、ハーディストナイト、セルシアン、コージェライト、アノーサイト、ガーナイト、ウィレマイト、スピネル、ムライト、フォルステライト、スーアナイトのうち少なくとも1種からなる結晶である場合、誘電特性または強度をさらに改善することができる。 Crystallized glass contained in the first insulating layer and the second insulating layer, diopside, hardystonite, celsian, cordierite, anorthite, gahnite, willemite, spinel, mullite, forsterite, scan Anai bets In the case of a crystal composed of at least one of them, the dielectric properties or strength can be further improved.

図1は、本発明に基づく多層基板の一実施形態の概略断面図を示すものである。   FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of an embodiment of a multilayer substrate according to the present invention.

図1によれば、多層基板1は、絶縁層2が積層されたセラミック絶縁基板と、配線導体層3、チップ部品4、ビアホール導体5を有する。   According to FIG. 1, the multilayer substrate 1 includes a ceramic insulating substrate on which an insulating layer 2 is laminated, a wiring conductor layer 3, a chip component 4, and a via hole conductor 5.

第1絶縁層及び第2絶縁層は、収縮開始温度が異なる絶縁シートによって形成されてなるものであり、絶縁シート2のうち、少なくとも1層、例えば第1絶縁シートに含まれる結晶化ガラス粉末の結晶化温度が、他の絶縁シート、例えば第2絶縁シートに含まれる結晶化ガラス粉末の軟化点よりも低いことが重要である。例えば、一層毎に交互に収縮開始温度が異なる絶縁シートを配置した構造を取ることができる。このような関係にある2種類の絶縁シートを組み合わせることによって、収縮挙動を顕著に制御することができる。   The first insulating layer and the second insulating layer are formed of insulating sheets having different shrinkage start temperatures, and at least one layer of the insulating sheet 2, for example, a crystallized glass powder contained in the first insulating sheet. It is important that the crystallization temperature is lower than the softening point of the crystallized glass powder contained in another insulating sheet, for example, the second insulating sheet. For example, it is possible to adopt a structure in which insulating sheets having different shrinkage start temperatures are alternately arranged for each layer. By combining two types of insulating sheets having such a relationship, the shrinkage behavior can be remarkably controlled.

ここで、絶縁シート2に含まれる結晶化ガラスの熱特性について説明する。低温から収縮が開始する絶縁シート1に含まれる結晶化ガラスの結晶化温度は、それより高温で収縮開始する絶縁シート2に含まれる結晶化ガラスの軟化点より低く、この特徴ゆえに絶縁シートBが収縮開始するときには、絶縁シートAの焼成収縮はほとんど終了しており(最終焼成体積収縮量の90%以上)、お互いのX−Y方向の収縮を抑制しあうことが可能である。とりわけ、より効果的にX−Y方向の収縮を抑制しあうためには、一方のガラスの軟化点と他方のガラスの結晶化温度の差は10℃以上あることが望ましい。   Here, the thermal characteristics of the crystallized glass contained in the insulating sheet 2 will be described. The crystallization temperature of the crystallized glass contained in the insulating sheet 1 that starts shrinking from a low temperature is lower than the softening point of the crystallized glass contained in the insulating sheet 2 that starts shrinking at a higher temperature. When the shrinkage starts, the firing shrinkage of the insulating sheet A is almost finished (90% or more of the final firing volume shrinkage amount), and it is possible to suppress the mutual shrinkage in the XY directions. In particular, in order to more effectively suppress shrinkage in the X-Y direction, the difference between the softening point of one glass and the crystallization temperature of the other glass is desirably 10 ° C. or more.

前記絶縁シートの積層成形体における前記第1絶縁シートと前記第2絶縁シートの間には、膜厚が20μm以上の内部導体パターンが形成されていることが好ましい。このように、内部導体パターンが形成されていると、導体の低抵抗化ができるため、例えばインサーションロスが低いバンドパスフィルター等の高機能な素子を基板に内蔵することが容易になる。   It is preferable that an inner conductor pattern having a film thickness of 20 μm or more is formed between the first insulating sheet and the second insulating sheet in the laminated molded body of the insulating sheets. As described above, when the internal conductor pattern is formed, the resistance of the conductor can be reduced, so that it becomes easy to incorporate a high-performance element such as a band-pass filter having a low insertion loss in the substrate.

また、上記絶縁シートAと絶縁シートBの焼成後の熱膨張係数差が2×10−6/℃以下であることが望ましい。これは、上記の熱膨張係数差が2×10−6/℃を超えると、最高焼成温度からの冷却時において、熱収縮の差が生じ絶縁シートと異種材料絶縁シートの界面にクラックやデラミネーションが生じるからである。とりわけ、クラックやデラミネーションの観点から、熱膨張係数の差は1×10−6/℃以下が望ましい。 Moreover, it is desirable that the difference in thermal expansion coefficient between the insulating sheet A and the insulating sheet B after firing is 2 × 10 −6 / ° C. or less. This is because when the difference in thermal expansion coefficient exceeds 2 × 10 −6 / ° C., a difference in thermal shrinkage occurs during cooling from the maximum firing temperature, and cracks and delaminations occur at the interface between the insulating sheet and the insulating sheet of the different material. This is because. In particular, the difference in thermal expansion coefficient is preferably 1 × 10 −6 / ° C. or less from the viewpoint of cracks and delamination.

本発明によれば、前記2種の絶縁シートが、いずれも結晶化ガラス粉末30〜100重量部とセラミック粉末0〜70重量部からなることが、焼結性の観点からのぞましい。   According to the present invention, it is preferable from the viewpoint of sinterability that each of the two types of insulating sheets is composed of 30 to 100 parts by weight of crystallized glass powder and 0 to 70 parts by weight of ceramic powder.

セラミック粉末としては、Al,SiO,MgTiO,CaZrO,CaTiO,MgSiO,BaTi,ZrTiO,SrTiO,BaTiO,TiO,AlN,SiNなどが挙げられる。 Examples of the ceramic powder include Al 2 O 3 , SiO 2 , MgTiO 3 , CaZrO 3 , CaTiO 3 , Mg 2 SiO 4 , BaTi 4 O 9 , ZrTiO 4 , SrTiO 3 , BaTiO 3 , TiO 2 , AlN, and SiN. It is done.

また、焼成収縮開始温度が異なる2種の未焼成の絶縁シートの焼成後に形成される結晶がディオプサイド、ハーディストナイト、セルシアン、コージェライト、アノーサイト、ガーナイト、ウィレマイト、スピネル、ムライト、フォルステライト、(スーアナイト)から選ばれる1種以上が挙げられ、残留ガラス量がいずれも10体積%以下であることが、X−Y方向の収縮抑制効果や基板の曲げ強度、誘電損失の観点から望ましい。   The crystals formed after firing two types of unfired insulating sheets with different firing shrinkage temperatures are diopside, hardistonite, celsian, cordierite, anorthite, garnite, willemite, spinel, mullite, and forsterite. From the viewpoints of the shrinkage-suppressing effect in the XY direction, the bending strength of the substrate, and the dielectric loss, it is preferable that the amount of residual glass is 10% by volume or less.

本発明の多層基板に用いられる絶縁シートは、1000℃以下での焼成が可能であり、導体層としてCu,Ag,Alなどの低抵抗導体を用いて形成することが可能となり、また、低誘電率化も可能であり、高速伝送化に適している。しかも、上記の範囲で種々組成を制御することによって、焼成収縮挙動を容易に制御、変更することができる。   The insulating sheet used in the multilayer substrate of the present invention can be fired at 1000 ° C. or lower, can be formed using a low-resistance conductor such as Cu, Ag, Al as the conductor layer, and has a low dielectric constant. The rate can be increased and is suitable for high-speed transmission. In addition, by controlling various compositions within the above range, the firing shrinkage behavior can be easily controlled and changed.

次に、本発明の多層基板の製造方法について、具体的に説明する。   Next, the manufacturing method of the multilayer board | substrate of this invention is demonstrated concretely.

まず、第1絶縁シート及び第2絶縁シートに使用する原料粉末を準備する。結晶化ガラス粉末及びセラミック粉末を準備する。結晶化ガラス粉末としては、焼成によりディオプサイド、ハーディストナイト、セルシアン、コージェライト、アノーサイト、ガーナイト、ウィレマイト、スピネル、ムライト、フォルステライト及びスーアナイトのうち少なくとも1種からなる結晶を形成するガラス粉末であることが誘電特性または強度の観点で好ましい。 First, the raw material powder used for a 1st insulating sheet and a 2nd insulating sheet is prepared. Prepare crystallized glass powder and ceramic powder. The crystallized glass powder, Diopusai de by firing, Hardy strike Nai DOO, Serushia down, Kojerai DOO, Anosai DOO, Ganai DOO, Wiremai DOO, spinel Le, mullite DOO, false Terai preparative及 beauty Suanai least one of bets glass powder der Rukoto forming a of crystalline are preferable in view of dielectric properties or strength.

また、セラミック粉末として、Al粉末、SiO粉末、MgTiO粉末、CaZrO粉末、CaTiO粉末、MgSiO粉末、BaTi粉末、ZrTiO粉末、SrTiO粉末、BaTiO粉末、TiO粉末、AlN粉末、Si粉末のうち少なくとも1種であることが、誘電特性または強度の観点で好ましい。 Also, as ceramic powder, Al 2 O 3 powder, SiO 2 powder, MgTiO 3 powder, CaZrO 3 powder, CaTiO 3 powder, Mg 2 SiO 4 powder, BaTi 4 O 9 powder, ZrTiO 4 powder, SrTiO 3 powder, BaTiO 3 From the viewpoint of dielectric properties or strength, at least one of powder, TiO 2 powder, AlN powder, and Si 3 N 4 powder is preferable.

ここで、第1絶縁シートに含まれる結晶化ガラス粉末の結晶化温度が、前記第2絶縁シートに含まれる結晶化ガラス粉末の軟化点よりも低いことが重要である。このような結晶化ガラスの組み合わせにすると、寸法度に優れ、平面方向の収縮率が0に近く、その収縮率のばらつきが小さい多層基板を提供することができる。 Here, it is important that the crystallization temperature of the crystallized glass powder contained in the first insulating sheet is lower than the softening point of the crystallized glass powder contained in the second insulating sheet. With the combination of such crystallized glass, high dimensional accuracy, close to the planar direction of shrinkage 0, it is possible to provide a multi-layer substrate variations in the shrinkage rate is small.

即ち、低温から収縮が開始する第1絶縁シートに含まれる結晶化ガラスの結晶化温度は、それより高温で収縮開始する第2絶縁シートに含まれる結晶化ガラスの軟化点より低いため、第2絶縁シートが収縮開始するときには、第絶縁シートの焼成収縮はほとんど終了しており(最終焼成体積収縮量の97%以上、特に98%以上、更には99%以上)、お互いのX−Y方向の収縮を抑制しあうことが可能である。とりわけ、より効果的にX−Y方向の収縮を抑制しあうためには、一方の結晶化ガラスの軟化点と他方の結晶化ガラスの結晶化温度の差は10℃以上あることが望ましい。 That is, since the crystallization temperature of the crystallized glass contained in the first insulating sheet that starts shrinking from a low temperature is lower than the softening point of the crystallized glass contained in the second insulating sheet that starts shrinking at a higher temperature, the second When the insulating sheet starts to shrink, the firing shrinkage of the first insulating sheet is almost finished (97% or more, particularly 98% or more, more preferably 99% or more of the final firing volume shrinkage), and the XY directions of each other It is possible to suppress the contraction of each other. Especially, in order to each other more effectively suppress the shrinkage of the X-Y direction, the difference between the crystallization temperature of the softening point and the other of the crystallized glass of one of the crystallized glass is desirably more than 10 ° C..

また、本発明によれば、以下の工程を具備することが重要である。まず、第1に、少なくとも第1絶縁性無機材料及び光硬化性樹脂を含有する第1スリップと、第2絶縁性無機材料及び光硬化性樹脂を含有する第2スリップとを作製する工程を具備する。絶縁性無機材料としては、上記のセラミックスを使用することができる。 In addition, according to the present invention, it is important to include the following steps. First, it includes a step of producing a first slip containing at least a first insulating inorganic material and a photocurable resin, and a second slip containing a second insulating inorganic material and a photocurable resin. you. As the insulating inorganic material, the above ceramics can be used.

ここで、第1スリップ及び第2スリップの結晶化ガラスとセラミックスとの組成は、第1及び第2絶縁シートが、それぞれ結晶化ガラス粉末を30質量%以上、特に40〜90質量%、更には50〜80質量%含むように設定することが、焼結性を高める点で好ましい。 Here, the composition of the crystallized glass and the ceramics of the first slip and the second slip is such that the first and second insulating sheets each have a crystallized glass powder of 30% by mass or more, particularly 40 to 90% by mass, Setting so as to include 50 to 80% by mass is preferable in terms of enhancing the sinterability.

上記の粉末を用いて、第1スリップ及び第2スリップを作製する。これらのスリップは、上記の粉末に代表される所定の結晶化ガラス粉末及びセラミック粉末からなる絶縁性無機材料と、焼成途中で容易に揮発する光硬化性樹脂と、有機溶剤及び必要に応じて可塑剤とを混合し、スリップを作成することができる。 A first slip and a second slip are produced using the above powder. These slips consist of an insulating inorganic material composed of a predetermined crystallized glass powder and ceramic powder represented by the above powder, a photocurable resin that easily volatilizes during firing, an organic solvent, and plastic as required. A slip can be created by mixing with the agent.

次に、支持基板上に、前記第1スリップ及び又は第2スリップを塗布、乾燥し、露光、硬化させた後、支持基板から剥離し第1絶縁シート及び又は第2絶縁シートを作製する工程を具備する。上記のスリップを用いて、リップコーター法やドクターブレード法などによってテープ成形を行い、透明な支持基板上に、2種のスリップを塗布、乾燥した後、所望により切断し、次いで、露光、硬化させた後、第1絶縁シート及び第2絶縁シートとして支持基板から剥離する。 Next , on the support substrate, the first slip and / or the second slip is applied, dried , exposed and cured, and then peeled off from the support substrate , and the first insulating sheet and / or the second insulating sheet is removed. It comprising the step of making. Using the above slip, perform tape formed by such a lip coater method or doctor blade method, on a transparent supporting substrate, coated with two slip, dried, and cut as desired, then an exposure, curing Then, the first insulating sheet and the second insulating sheet are peeled from the support substrate .

支持基板は透明であることが好ましい。透明であることによって、支持基板の裏面から光を照射して露光処理を行うことができる
透明な支持基板上には、スリップ塗布に先立ち、あらかじめビアホール用導体、表面導体層、内部導体層、裏面導体層を導体ペーストを用いてスクリーン印刷法やオンコンタクト印刷法、インクジェット印刷法などによって被着形成することができる。
The support substrate is preferably transparent. By being transparent, it can be determined promptly by using an exposure process from the rear surface of the supporting substrate is irradiated with light.
Prior to slip coating, the via hole conductor, surface conductor layer, internal conductor layer, and back conductor layer are coated on the transparent support substrate using a conductive paste in advance by screen printing, on-contact printing, inkjet printing, or the like. It can be formed.

次に、前工程で得られた第1絶縁シート及び第2絶縁シートをそれぞれ複数積層して積層成形体を作製する工程を具備する。得られた第1絶縁シート及び第2絶縁シートを所定の積層順序に応じて積層して積層成形体を作製することができる。 Next, it includes a step of preparing a molded laminate the first insulating sheet and the second insulation sheet obtained in the preceding step respectively by stacking a plurality. The first insulation sheet and the second insulation sheet obtained it is possible to produce a laminated article by laminating in accordance with a predetermined stacking sequence.

ここで、積層成形体における第1絶縁シートと第2絶縁シートとの間には、膜厚が20μm以上の内部導体パターンが形成されていることが好ましい。このように、20μm以上の厚みの内部導体パターンが形成されていると、導体抵抗をより低くすることができる。   Here, it is preferable that an internal conductor pattern having a film thickness of 20 μm or more is formed between the first insulating sheet and the second insulating sheet in the laminated molded body. Thus, when the internal conductor pattern having a thickness of 20 μm or more is formed, the conductor resistance can be further reduced.

最後に、得られた積層成形体を焼成する工程を具備する。焼成にあたっては、低温側で収縮が開始する絶縁シートの収縮開始温度とその絶縁シートに含まれる結晶化ガラスの結晶化温度の間の温度で一旦保持する多段焼成でも可能であるが、通常の単一キープ温度においても同時焼成することでX−Y方向への焼成収縮が抑制されZ方向に焼成収縮した寸法精度の高い基板を作製することができる。 Finally, it includes a step of firing the obtained laminated molded body. Firing In is also possible in multi-stage calcination to be temporarily held at a temperature between the crystallization temperature of the crystallized glass contained in the low-temperature side at a shrinkage start temperature and its insulating sheet insulating sheet shrinkage begins, ordinary single By performing simultaneous firing even at one keep temperature, a substrate with high dimensional accuracy can be manufactured in which firing shrinkage in the XY direction is suppressed and firing shrinkage in the Z direction.

なお、焼成収縮開始温度が異なる2種のセラミックスは、例えば、焼結収縮挙動の相違のみならず、目的に応じて、比誘電率、曲げ強度、誘電損失、熱伝導率、嵩密度、温度係数などの他の特性が同じでも良いし、異なっていてもよい。   Two types of ceramics with different firing shrinkage start temperatures, for example, not only differ in sintering shrinkage behavior, but also depending on the purpose, relative permittivity, bending strength, dielectric loss, thermal conductivity, bulk density, temperature coefficient Other characteristics such as may be the same or different.

また、焼成収縮挙動が異なる2種のセラミック絶縁シートA−Bの積層形態としては、配置例として、ABBBBBA、ABABABA、AAABAAA、AABBBAA、AABABAA、AABBAAA、ABAAAAA、ABAAABA、ABBABBA、AABAAAA、ABBAAAA、ABBBAAA、ABBBBAAでもよく、また、AとBとを反対に入れ替えてもよい。   In addition, as a laminated form of two types of ceramic insulating sheets A-B having different firing shrinkage behavior, as an arrangement example, ABBBBBBA, ABABABA, AAABAAA, AABBBAA, AABABAA, AABBAAA, ABAAAAA, ABAAABA, ABBABBA, ABABAAA, ABABAAA, ABBAAA ABBBBAA may be used, and A and B may be reversed.

まず、第1絶縁シート及び第2絶縁シートを作製した。即ち、表1に示す結晶化ガラス粉末と、セラミック粉末と、光硬化可能なモノマーとして、ポリオキシエチル化トリメチロール及びプロパントリアクリレートと、有機バインダとしてアルキルメタクリレートと、有機溶剤としてエチルカルビトールアセテートと、を混合し、ボールミルで混練してそれぞれ第1及び第2スリップを作製した。 First, the 1st insulating sheet and the 2nd insulating sheet were produced. That is, crystallized glass powder shown in Table 1, ceramic powder, photocurable monomers as polyoxyethylated trimethylol and propane triacrylate, alkyl methacrylate as an organic binder, and ethyl carbitol acetate as an organic solvent. Were mixed and kneaded by a ball mill to produce first and second slips, respectively.

次に、導体パターンを作製するため、透明なキャリアシートの所定の位置にAg粉末を含む導電性ペーストをオンコンタクト印刷し、乾燥させた。なお、キャリアシートとしては、ガラス板やPETフィルム等を用い、焼成工程前には取り外した。   Next, in order to produce a conductor pattern, a conductive paste containing Ag powder was printed on a predetermined position of a transparent carrier sheet and dried. In addition, as a carrier sheet, the glass plate, PET film, etc. were used and removed before the baking process.

導体パターンが形成されたキャリアシート上に、リップコーター法によって塗布・乾燥し、さらに露光処理、現像処理、洗浄、乾燥処理を行って、電極パターンが形成された第絶縁シート及び第2絶縁シートを得た。 On the carrier sheet on which the conductor pattern is formed, coated and dried by a lip coater method, an exposure process further, development, washing, drying processes performed, the first insulating sheet and the second insulation electrode pattern is formed A sheet was obtained.

なお、露光処理は、支持基板裏側より、超高圧水銀灯(10mW/cm)を光源として用いて露光を行った。これにより、配線パターンが形成された領域は遮光され、光硬化可能なモノマーの光重合反応は起こらず、それ以外の領域で光重合反応が起こった。ここで光重合反応が起こった部位を不溶化部といい、光重合反応が起こらない部位を溶化部という。 In addition, the exposure process exposed using the ultrahigh pressure mercury lamp (10 mW / cm < 2 >) as a light source from the back side of a support substrate. As a result, the region where the wiring pattern was formed was shielded from light, the photopolymerization reaction of the photocurable monomer did not occur, and the photopolymerization reaction occurred in other regions. Here, a site where the photopolymerization reaction has occurred is referred to as an insolubilized portion, and a site where no photopolymerization reaction has occurred is referred to as a solubilized portion.

現像処理は、第1絶縁シート及び第2絶縁シートの溶化部を現像液で除去するもので、トリエタノールアミン水溶液を現像液として用いてスプレー現像を行い、その後、現像により生じる不要なカスなどを洗浄、乾燥工程により完全に除去した。 In the development process, the solubilized portions of the first insulating sheet and the second insulating sheet are removed with a developer, spray development is performed using a triethanolamine aqueous solution as a developer, and then unnecessary waste generated by the development is removed. It was completely removed by washing and drying processes.

なお、各絶縁シートの焼成収縮開始温度及び収縮終了温度を表1に示した。これらの測定は、表1に示した各絶縁シートの組成物についてワックスを添加して、100MPaでプレスすることにより圧粉体を別途形成し、この圧粉体に対して空気中でTMA(熱機械分析)による室温〜1000℃の温度範囲により各セラミックスの収縮開始温度S、収縮終了温度E、室温〜900℃における熱膨張係数を評価した。   The firing shrinkage start temperature and shrinkage end temperature of each insulating sheet are shown in Table 1. In these measurements, a green compact is separately formed by adding wax to the composition of each insulating sheet shown in Table 1 and pressing it at 100 MPa. The shrinkage start temperature S, shrinkage end temperature E, and thermal expansion coefficient at room temperature to 900 ° C. of each ceramic were evaluated in the temperature range of room temperature to 1000 ° C. by mechanical analysis.

第1及び第2絶縁シートをキャリアシートから剥離した後、それぞれ5枚の第1及び第2絶縁シートを位置あわせしながら、交互に重ね合わせ一括して圧着することによって積層成形体を形成した。なお、圧着時には、絶縁シート中の有機バインダのガラス転移点以上の温度をかけながら行った。なお、最下面と最上面のみは、キャリアフィルムから剥がすことなく、積層、圧着した後に、キャリアフィルムを剥がすことによって、積層成形体を形成した。   After the first and second insulating sheets were peeled from the carrier sheet, a laminated molded body was formed by alternately stacking and pressing together while aligning the five first and second insulating sheets. In addition, the pressure bonding was performed while applying a temperature higher than the glass transition point of the organic binder in the insulating sheet. Note that only the lowermost surface and the uppermost surface were laminated and pressure-bonded without being peeled off from the carrier film, and then the carrier film was peeled off to form a laminated molded body.

得られた積層成形体を、大気中400℃で脱バインダ処理し、さらに910℃で焼成し、図1に示すような多層基板を作製した。なお、各絶縁シートの厚みは0.02mmであり、多層基板の大きさは、縦10mm、横10mm、厚み0.6mmであった。   The obtained laminated molded body was subjected to a binder removal treatment at 400 ° C. in the atmosphere, and further fired at 910 ° C. to produce a multilayer substrate as shown in FIG. Each insulating sheet had a thickness of 0.02 mm, and the multilayer substrate had a length of 10 mm, a width of 10 mm, and a thickness of 0.6 mm.

次に、焼成前の積層成形体と焼成後の多層基板に対して、所定のポイント間の長さを測定することにより、X−Y方向の多層基板の収縮率を測定した。なお、収縮率は、各試料番号について10個の試料を作製してそれぞれ収縮率測定し、平均値を収縮率とするとともに、10個の試料のうち、最大収縮率と最小収縮率との差を収縮バラツキとして評価した。   Next, the shrinkage ratio of the multilayer substrate in the XY direction was measured by measuring the length between predetermined points on the multilayer molded body before firing and the multilayer substrate after firing. The shrinkage rate is 10 samples for each sample number, each shrinkage rate is measured, and the average value is taken as the shrinkage rate, and the difference between the maximum shrinkage rate and the minimum shrinkage rate among the 10 samples. Was evaluated as shrinkage variation.

また、多層基板の表面を研磨して光学顕微鏡で表面観察することにより、多層基板におけるクラック、デラミネーションの有無を調べ、これを欠陥として評価した。   Further, the surface of the multilayer substrate was polished and observed with an optical microscope to examine the presence or absence of cracks and delamination in the multilayer substrate, and this was evaluated as a defect.

なお、第1絶縁層に含まれる結晶化ガラスの結晶化温度Tと、第2絶縁層に含まれる結晶化ガラスの軟化点Tは、DTA(示唆熱分析)により、10℃/分で昇温して得られた曲線から決定した。結果を表1、2に示した。

Figure 0004423025
The crystallization temperature T c of the crystallized glass contained in the first insulating layer and the softening point T g of the crystallized glass contained in the second insulating layer are 10 ° C./min by DTA (suggested thermal analysis). It was determined from the curve obtained by raising the temperature. The results are shown in Tables 1 and 2.
Figure 0004423025

Figure 0004423025
Figure 0004423025

本発明の試料No.1〜4、7〜10の多層基板は、収縮率が4%以下と小さく、また、収縮バラツキが0.3%以下であり、多層基板にクラックやデラミネーションなどの欠陥は観察されなかった。このように、本発明の多層基板は、寸法度に優れ、平面方向の収縮率が0に近く、収縮率のばらつきが小さいものであった。 Sample No. of the present invention. The multilayer substrates 1 to 4 and 7 to 10 have a shrinkage rate as small as 4% or less, and the shrinkage variation is 0.3% or less, and defects such as cracks and delamination were not observed in the multilayer substrate. Thus, the multilayer substrate of the present invention is excellent in dimensional accuracy, the planar direction of shrinkage is close to 0, were those variations in shrinkage rate is small.

一方、第1絶縁層に含まれる結晶化ガラスの結晶化温度が、第2絶縁層に含まれる結晶化ガラスの軟化点よりも高い本発明の範囲外の試料No.5及び6は、収縮率が8.5%以上、収縮バラツキが0.7%以上であった。   On the other hand, the crystallization temperature of the crystallized glass contained in the first insulating layer is higher than the softening point of the crystallized glass contained in the second insulating layer. 5 and 6 had a shrinkage ratio of 8.5% or more and a shrinkage variation of 0.7% or more.

本発明のセラミック多層基板の一例を示す概略断面図を示す。The schematic sectional drawing which shows an example of the ceramic multilayer substrate of this invention is shown.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・・多層基板
2・・・・絶縁シート1又は2
3・・・・配線導体層
4・・・・チップ部品
5・・・・ビアホール導体
1 ... multilayer substrate 2 ... insulating sheet 1 or 2
3... Wiring conductor layer 4... Chip component 5... Via hole conductor

Claims (8)

a)少なくとも第1絶縁性無機材料及び光硬化性樹脂を含有する第1スリップと、第2絶縁性無機材料及び光硬化性樹脂を含有する第2スリップとを作製する工程
(b)支持基板上に、前記第1スリップ及び又は前記第2スリップを塗布、乾燥し露光、硬化させた後、前記支持基板から剥離して、第絶縁シート及び又は第2絶縁シートを作製する工程
c)前記第1絶縁シート及び前記第2絶縁シートをそれぞれ複数積層して積層成形体を作製する工程
)前記積層成形体を焼成する工程
を具備する多層基板の製造方法において、
前記第1絶縁シート及び前記第2絶縁シートが異なる結晶化ガラス粉末を含み、前記第1絶縁シートに含まれる結晶化ガラス粉末の結晶化温度が、前記第2絶縁シートに含まれる結晶化ガラス粉末の軟化点よりも低いことを特徴とする多層基板の製造方法。
(A ) A step of producing a first slip containing at least a first insulating inorganic material and a photocurable resin, and a second slip containing a second insulating inorganic material and a photocurable resin (b) a supporting substrate above, the first slip and / or the second slip coating, dried, exposed, after curing, and peeling from the supporting substrate, a step of preparing a first insulating sheet and / or the second insulation sheet (c) before Symbol first insulating sheet and the process for producing a molded laminate said second insulating sheets each stacked step (d) for firing the molded laminate
In the manufacturing method of the multilayer substrate comprising:
The first insulating sheet and the second insulation sheet includes a different crystallized glass powder, the crystallization temperature of the crystallized glass powder contained in the first dielectric sheet, the crystallized glass powder contained in the second insulating sheet A method for producing a multilayer substrate, characterized by being lower than the softening point of the substrate.
前記積層成形体における前記第1絶縁シートと前記第2絶縁シートとの間には、膜厚が20μm以上の内部導体パターンが形成されていることを特徴とする請求項1記載の多層基板の製造方法。 2. The multilayer substrate according to claim 1 , wherein an inner conductor pattern having a thickness of 20 μm or more is formed between the first insulating sheet and the second insulating sheet in the multilayer molded body. Production method. 前記支持基板が透明であることを特徴とする請求項1又は2記載の多層基板の製造方法。 Method of manufacturing a multilayer substrate according to claim 1 or 2, wherein the supporting substrate is transparent. 前記第1絶縁シート及び前記第2絶縁シートが、それぞれ前記結晶化ガラス粉末を30質量%以上含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の多層基板の製造方法。 The first insulating sheet and the second insulation sheet, a method for manufacturing a multilayer substrate according to claim 1, characterized in that each include the crystallized glass powder more than 30 mass%. 前記第1絶縁シート及び前記第2絶縁シートに含まれる前記結晶化ガラス粉末が、焼成によりディオプサイド、ハーディストナイト、セルシアン、コージェライト、アノーサイト、ガーナイト、ウィレマイト、スピネル、ムライト、フォルステライト及びスーアナイトのうち少なくとも1種からなる結晶を形成するガラス粉末であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の多層基板の製造方法。 The first said crystallized glass powder contained in the insulating sheet and the second insulation sheet, Diopusai de by firing, Hardy strike Nai DOO, Serushia down, Kojerai DOO, Anosai DOO, Ganai DOO, Wiremai DOO, spinel Le, Murai preparative method of manufacturing a multilayer substrate according to claim 1, characterized in that the glass powder for forming a crystal composed of at least one of false Terai preparative及 beauty Suanai bets. 請求項1〜のいずれかに記載の多層基板の製造方法によって得られた異なる結晶化ガラスをそれぞれ含む絶縁層の積層体からなり、前記絶縁層のうち第1絶縁層に含まれる結晶化ガラスの結晶化温度が、第2絶縁層に含まれる結晶化ガラスの軟化点よりも低いことを特徴とする多層基板。 A crystallized glass comprising a laminate of insulating layers each including different crystallized glasses obtained by the method for producing a multilayer substrate according to any one of claims 1 to 5 , wherein the crystallized glass is included in the first insulating layer among the insulating layers. A multilayer substrate characterized in that the crystallization temperature is lower than the softening point of the crystallized glass contained in the second insulating layer. 前記第1絶縁層と前記第2絶縁層の熱膨張係数差が2×10−6/℃以下であることを特徴とする請求項6記載の多層基板。 The multi-layer substrate of claim 6, wherein the thermal expansion coefficient difference between the first insulating layer and the second insulating layer is 2 × 10 -6 / ° C. or less. 前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層に含まれる前記結晶化ガラスが、ディオプサイド、ハーディストナイト、セルシアン、コージェライト、アノーサイト、ガーナイト、ウィレマイト、スピネル、ムライト、フォルステライト、スーアナイトのうち少なくとも1種からなる結晶であることを特徴とする請求項6〜7のいずれかに記載の多層基板。 The first said crystallized glass contained in the dielectric layer and the second insulating layer, diopside, hardystonite, celsian, cordierite, anorthite, gahnite, willemite, spinel, mullite, forsterite, scan Anai DOO The multilayer substrate according to any one of claims 6 to 7, wherein the multilayer substrate is a crystal composed of at least one of them.
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