JP4411956B2 - 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、所定サイズに切り出された一対の基板が対向して貼り合わされた電気光学パネルを備えた電気光学装置の製造方法、この方法で製造された電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器に関するものである。さらに詳しくは、電気光学パネルの状態で行う基板の割れ防止処理に関するものである。

液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置などのＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）装置、電気泳動表示装置、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた装置などといった電気光学装置は、電気光学物質を駆動する駆動用電極が双方に形成された一対のガラス基板がシール材で貼り合わされたパネル構造、あるいは、電気光学物質を駆動する駆動用電極が形成されたガラス基板に対してガラス製の保護基板がシール材で貼り合わされたパネル構造を有している。これらいずれのパネル構造の電気光学装置においても、基板は、単品サイズよりも大型の基板から所定サイズに切り出されて使用される。

例えば、液晶装置の場合、一般に、単品サイズの液晶パネルを各々多数枚取りできる大型基板に電極パターンなどの形成工程を行い、これらの大型基板を貼り合せた後、所定の大きさに切断して単品の液晶パネルが製造される。

ここで、液晶パネルでは、駆動用電極に液晶を駆動するための信号を供給する必要があるので、一対の基板のうち、一方の基板を他方の基板の縁から張り出させ、この張り出し領域に、可撓性基板が接続される基板実装端子、ＩＣチップが実装されるＩＣ実装端子、およびＩＣからの出力信号を電極パターンに供給するための配線が形成されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００２−４９０２６号公報（第５頁、図２）

液晶パネルを構成する基板は、大型基板の表面にダイヤモンドカッターなどにより切断線を引いた後、治具によって裏面側から力を加えて押し割る方法、あるいは切断線を引いた後、切断線に沿ってレーザ光を照射して大型基板を切断する方法によって、所定サイズに切り出される。これらいずれの切断方法でも、切断の際の応力によって基板の切断面や基板縁に微小な傷やクラックが入ることがあり、このような傷やクラックは、その後に加わった応力によって成長する。このため、液晶装置を携帯電話機などに用いた際、携帯電話機を落下したときの衝撃などにより液晶パネルが割れるという問題点がある。

ここに、本願発明者等は、切断した基板の基板縁および切断面にエッチングを施して、基板縁および切断面から微小な傷やクラックを消去しておくことを提案するものである。また、基板を貼り合わせた液晶パネルにＩＣチップを実装した状態、すなわち、製造工程の終段でエッチングを行うことにより、それまでに発生した全ての傷やクラックを一括して消失させることを提案するものである。

しかしながら、ガラスをエッチングするには、通常、フッ酸などの強酸が使用される一方、ガラス基板にはＩＴＯ膜あるいは金属膜からなる配線が形成され、かつ、ＩＣチップが実装されている。このため、ガラス基板の基板縁および切断面に形成された微小な傷やクラックをエッチングにより消去する際、配線およびＩＣチップもエッチング液で腐食し損傷するという問題点がある。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、基板上の配線およびＩＣチップを損傷することなく、基板縁および切断面に存在する微小な傷やクラックをエッチングにより消去可能な電気光学装置の製造方法、この方法で製造された電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器を提供することにある。

上記課題を解決するため、本発明では、第１の基板および第２の基板が対向した状態でシール材によって貼り合わされた電気光学パネルを有し、前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくとも一方には電気光学物質を駆動する駆動用電極が形成された電気光学装置の製造方法において、
少なくとも前記第２の基板にＩＣチップを実装した後、前記電気光学パネルの状態で前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも基板縁および切断面にエッチングを施して前記第１の基板および前記第２の基板から微小な傷あるいはクラックを除去するエッチング工程を行うとともに、
当該エッチング工程を行う際には、前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも基板縁および切断面を避けるように形成した保護層によって、前記ＩＣチップの表面を覆っておくことを特徴とする。

本発明では、保護層を形成した状態においても、外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）は、露出した状態にあり、エッチングが施される。従って、エッチングが施された部分では、表層が薄くエッチングされる結果、微小な傷およびクラックが消失する。それ故、電気光学パネルに応力が加わった時でもクラックが成長するということがないので、電気光学パネルが割れることがない。
しかも、エッチング工程を行う際、ＩＣチップは保護層で覆われ、エッチングされないので、腐食などの不具合が発生しない。また、基板を貼り合わせた後、ＩＣチップを実装した電気光学パネルの状態、すなわち、製造工程の終段でエッチング工程を行うので、それまでに発生した全ての傷やクラックを一括して消失することができる。

また、第１の基板および第２の基板が対向した状態でシール材によって貼り合わされた電気光学パネルを有し、前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくとも一方には電気光学物質を駆動する駆動用電極が形成された電気光学装置の製造方法において、前記電気光学パネルの状態で前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも基板縁および切断面にエッチングを施して前記第１の基板および前記第２の基板から微小な傷あるいはクラックを除去するエッチング工程とともに、前記エッチング工程を行う際には、保護層によって前記第１の基板より張り出した前記第２の基板の基板縁から内側領域の基板表面と配線表面およびＩＣチップを覆い、前記エッチング工程は、前記保護層によって覆われていない前記第１の基板および前記第２の基板の表層を薄くエッチングすることにより、前記傷あるいはクラックを除去する工程であることを特徴とする。

本発明では、エッチング工程を行う際、配線は保護層で覆われ、エッチングされないので、腐食などの不具合が発生しない。

本発明において、前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくとも一方は、ガラス製である。

本発明において、前記エッチングとしては、ドライエッチングを行ってもよいが、ウエットエッチングを採用することが好ましい。ウエットエッチングでは、エッチングが等方的に進行するため、傷やクラックを消去するのに適している、また、ウエットエッチングによれば、大量の電気光学パネルを一括して処理できるという利点がある。

本発明において、前記第２の基板は、例えば、前記第１の基板の基板縁から張り出した張り出し領域を備え、当該張り出し領域に前記ＩＣチップが実装されているとともに、前記保護層を形成する前、当該張り出し領域で前記配線が露出している。

本発明において、前記張り出し領域には、可撓性基板が接続される基板実装端子が形成されている場合があり、この場合には、前記基板実装端子に前記可撓性基板を接続する前に、当該基板実装端子の表面を前記保護層で覆った状態で前記エッチング工程を行うことが好ましい。

本発明において、前記張り出し領域には、前記基板実装端子に前記可撓性基板を実装する際のアライメントマークが形成され、前記エッチング工程を行う際には、前記アラメントマークの表面を前記保護層で覆っておくことが好ましい。

本発明において、前記エッチング工程の後、前記保護層については除去してもよいし、前記保護層の一部は除去し、他の部分は残しておいてもよい。ここで、張り出し領域に基板実装端子が形成されている場合、前記エッチング工程の後、前記保護層のうち、少なくとも前記基板実装端子の表面に形成された保護層については除去する。

本発明において、前記保護層は、例えば、基板に貼られたテープである。

本発明において、前記保護層としては、塗布した液状物を固化してなる塗膜を用いることもある。

本発明において、前記液状物の塗布は、刷毛塗りにより行うことができる。

本発明において、前記液状物の塗布は、スクリーン印刷、インクジェット法、あるいは、オフセット印刷により行うことが好ましい。このような方法であれば、液状物の塗布工程を自動化することができる。また、上記の塗布方法のうち、インクジェット法であれば、電気光学パネルに非接触で液状物を塗布することができ、かつ、任意の領域に液状物を高い精度で選択的に塗布することができる。

本発明において、前記液状物は、例えば、レジストである。レジストであれば、フォトリソグラフィ技術を用いて、任意の位置にレジスト層（保護層）を確実に選択的に形成することができる。

本発明において、前記液状物としては、塗料を用いてもよい。

本発明において、前記保護層は、例えば、前記配線の表面を覆う部分と、前記ＩＣチップを覆う部分とが同一の材料からなる。

本発明において、前記保護層は、前記配線の表面を覆う第１の保護層と、該第１の保護層とは異なる材料からなり、前記ＩＣチップを覆う第２の保護層とからなる構成を採用してもよい。保護層を形成する際、配線とＩＣチップとは異なる高さ位置にあるので、それぞれの形態に適した材料を用いてもよい。

本発明において、前記保護層は、前記基板における前記シール材で区画される領域内に形成された有機絶縁膜と同時形成されて前記配線の表面を覆う第１の保護層と、該第１の保護層とは異なる材料からなり、前記ＩＣチップを覆う第２の保護層とからなる構成を採用できる。また、前記保護層は、前記基板における前記シール材で区画される領域内に形成された無機絶縁膜と同時形成されて前記配線の表面を覆う第１の保護層と、該第１の保護層とは異なる材料からなり、前記ＩＣチップを覆う第２の保護層とからなる構成を採用できる。このように構成すると、第１の保護層を形成するために新たな工程を追加する必要がないので、製造工程数の増加を最小限に止めることができる。

本発明においては、前記保護層として撥水化剤を用いてもよい。ウエットエッチングで用いるエッチング液は通常、水系であるため、撥水化剤による処理で配線の表面を撥水性とした場合でも、配線をエッチング液から保護することができる。また、撥水化剤による処理であれば、極めて薄い保護層が形成されるだけであるため、保護層を除去しなくても、可撓性基板の実装に支障がない。

本発明は、前記第１の基板と前記第２の基板との間に電気光学物質として液晶が保持された液晶装置、あるいは、前記第２の基板上に電気光学物質としてエレクトロルミネッセンス材料が形成されたエレクトロルミネッセンス表示装置などに適用することができる。

このような電気光学装置は、モバイルコンピュータや携帯電話機などといった電子機器の表示部などして用いられる。

以上説明したように、本発明では、保護層を形成した状態においても、外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）は、露出した状態にあり、エッチングが施される。従って、エッチングが施された部分では、表層が薄くエッチングされる結果、微小な傷およびクラックが消失する。それ故、電気光学パネルに応力が加わった時でもクラックが成長するということがないので、電気光学パネルが割れることがない。しかも、エッチング工程を行う際、配線およびＩＣチップは保護層で覆われ、エッチングされないので、腐食などの不具合が発生しない。
また、基板を貼り合わせた後、ＩＣチップを実装した電気光学パネルの状態、すなわち、製造工程の終段でエッチング工程を行うので、それまでに発生した全ての傷やクラックを一括して消失することができる。

図面を参照して、本発明の実施の形態として、本発明をパッシブマトリクス型液晶装置（電気光学装置）に適用した例を中心に説明する。なお、以下の説明では、各実施の形態で共通な液晶装置の構成、および製造方法を説明した後、各実施の形態を説明する。

［液晶装置の全体構成］
図１および図２はそれぞれ、本発明を適用した電気光学装置の斜視図、および分解斜視図である。図３は、図１のＩ−Ｉ′線で電気光学装置を切断したときのＩ′側端部の断面図である。図１および図２には、電極パターンおよび端子などを模式的に示してあるだけであり、実際の電気光学装置では、より多数の電極パターンや端子が形成されている。

図１および図２において、本形態の電気光学装置１は、パッシブマトリクス型のカラー表示用の液晶パネル１′（電気光学パネル）を備えている。この液晶パネル１′は、所定の間隙を介してシール材３０によって貼り合わされた矩形のガラスなどからなる一対の基板１０、２０を有している。基板１０、２０間には、シール材３０によって液晶封入領域３５が区画されているとともに、この液晶封入領域３５内には、電気光学物質としての液晶３６が封入されている。ここでは、前記一対の基板のうち、液晶封入領域３５内で縦方向に延びる複数列の第１の電極パターン４０が形成されている方の基板を第１の基板１０とし、液晶封入領域３５内で横方向に延びる複数列の第２の電極パターン５０が形成されている方の基板を第２の基板２０とする。

ここに示す電気光学装置１は透過型であり、照明装置９をバックライトとして所定の表示を行なう。このため、液晶パネル１′の両面のうち、第２の基板２０の外側表面には偏光板２０９が貼られ、第１の基板１０の外側表面には偏光板１０９が貼られている。また、第１の電極パターン４０および第２の電極パターン５０はいずれも、ＩＴＯ膜（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）に代表される透明導電膜によって形成されている。

なお、第２の電極パターン５０の下に絶縁膜を介してパターニングされたアルミニウムや銀合金等の膜を薄く形成すれば、半透過・半反射型の電気光学装置を構成できる。また、第２の電極パターン５０をアルミニウムや銀合金等の反射膜で形成するとともに、それに光透過孔を形成しても、半透過・半反射型の電気光学装置を構成できる。さらに、偏向板２０９に半透過反射板をラミネートすることでも半透過・半反射型の電気光学装置１を構成できる。さらにまた、第２の電極パターン５０の下に反射性の膜を配置すれば、反射型の電気光学装置を構成でき、この場合には、第２の基板２０の裏面側から照明装置９を省略すればよい。

電気光学装置１では、外部との間での信号の入出力、および基板間の導通のいずれを行うにも、第１の基板１０および第２の基板２０の同一方向に位置する各基板辺１０１、２０１付近において第１の基板１０および第２の基板２０のそれぞれに形成されている第１の端子形成領域１１および第２の端子形成領域２１が用いられる。

また、第２の基板２０として、第１の基板１０よりも大きな基板が用いられている。このため、第２の基板２０は、第１の基板１０と第２の基板２０とを貼り合わせたときに第１の基板１０の基板辺１０１から張り出す張り出し領域２５を備えており、この張り出し領域２５に形成されているＩＣ実装端子２６、２７に対して駆動用ＩＣ１３（電子部品）が異方性導電膜（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｆｉｌｍ）を介してＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）実装されているとともに、基板実装端子２８に可撓性基板２９（電子部品）が異方性導電膜を介して実装されている。

このような実装構造を構成するにあたって、第２の基板２０では、ＩＴＯ膜からなる第２の電極パターン５０の配線部分５１が張り出し領域２５まで延びており、その端部によって、第２の端子形成領域２１には、駆動用ＩＣ１３のバンプ電極が電気的に接続されるＩＣ実装端子２７が形成されている。

また、第２の端子形成領域２１には、ＩＣ実装端子２７より基板辺２０１の側に位置する部分に、可撓性基板２９を実装するための基板実装端子端子２８が形成され、これらの基板実装端子２８を構成するＩＴＯ膜からなるパターンは、駆動用ＩＣ１３の実装領域まで延びて、そのバンプ電極と電気的に接続されるＩＣ実装端子２６を構成している。

さらに、第２の基板２０の張り出し領域２５において、ＩＣ実装端子２６、２７、および基板実装端子２８が形成されている領域の両側には、そこに、可撓性基板２９を実装するときのアライメントマーク５５がＩＴＯ膜によって形成されている。

また、第２の端子形成領域２１において、駆動用ＩＣ１３より液晶封入領域３５の側に位置する部分は、第１の基板１０の側との基板間導通用に用いられるので、第１の基板１０との重なり部分に、複数の基板間導通用端子７０が形成されている。これらの基板間導通用端子７０を構成するＩＴＯ膜からなるパターンも、配線部分７１として駆動用ＩＣ１３の実装領域まで延びて、駆動用ＩＣ１３のバンプ電極と電気的に接続されるＩＣ実装端子２７を構成している。

これに対して、第１の基板１０において、第１の端子形成領域１１は、第２の基板２０の側との基板間導通に用いられるので、第２の基板２０との重なり部分には、複数の基板間導通用端子６０が形成されている。これらの基板間導通用端子６０は、いずれもＩＴＯ膜からなる第１の電極パターン４０の端部によって構成されている。

従って、第１の基板１０と第２の基板２０とを、基板間導通剤を含有するシール材３０で貼り合わせて基板間で基板間導通用端子６０、７０同士を導通させた後、第２の基板２０に駆動用ＩＣ１３および可撓性基板２９を実装し、この状態で、可撓性基板２９から駆動用ＩＣ１３に所定の信号を入力すれば、駆動用ＩＣ１３から出力された信号は、第１の電極パターン４０および第２の電極パターン５０に供給される。

なお、図３に示すように、第１の基板１０には、第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との交点に相当する領域に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂが形成され、これらのカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの表面側に、アクリル樹脂などからなる平坦化膜１３、ＩＴＯ膜からなる第１の電極パターン４０、およびポリイミド膜からなる配向膜１２がこの順に形成されている。また、カラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの下層側には、金属膜あるいは樹脂からなる遮光膜１６が形成されている。これに対して、第２の基板２０には、ＩＴＯ膜からなる第２の電極パターン５０、アクリル樹脂やシリコン酸化膜などからなるオーバーコート膜２９、およびポリイミド膜からなる配向膜２２がこの順に形成されている。従って、可撓性基板２９を介して駆動用ＩＣ１３に信号を入力すると、駆動用ＩＣ１３から第１の電極パターン４０および第２の電極パターン５０の各々に所定の信号が供給されるので、第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との交点に相当する各画素毎で液晶３６を駆動することができ、所定のカラー画像を表示することができる。

［電気光学装置１の製造方法］
図４および図５（Ａ）〜（Ｆ）はそれぞれ、電気光学装置１の製造方法を示す工程図、およびこれらの各工程への仕掛途中品の様子を示す説明図である。

図４および図５（Ａ）、（Ｂ）において、本形態の電気光学装置１を製造するにあたって、第１の基板１０および第２の基板２０はいずれも、これらの基板１０、２０を各々、多数枚取りできる大型基板１００、２００の状態で、半導体プロセスを利用して電極パターン４０、５０などの形成工程が行われる。すなわち、第１の基板１０を多数枚取りできる大型基板１００の状態で、フォトリソグラフィ技術や各種印刷技術を利用して、遮光膜１６の形成工程ＳＴ１１、カラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの形成工程ＳＴ１２、平坦化膜１３の形成工程ＳＴ１３、電極パターン４０の形成工程ＳＴ１４、配向膜１２の形成・ラビング工程ＳＴ１５、シール材３０の塗布工程ＳＴ１６が行われる。

また、第２の基板２０を多数枚取りできる大型基板２００の状態で、電極パターン５０の形成工程ＳＴ２１、オーバコート膜２９の形成工程ＳＴ２２、配向膜２２の形成・ラビング工程ＳＴ２３、ギャップ材の散布工程ＳＴ２４が行われる。

次に、貼合せ工程ＳＴ３１において、図５（Ｃ）に示すように、大型基板１００、２００同士をシール材３０によって貼り合せ、大型のパネル構造体３００を形成する。

次に、１次ブレイク工程ＳＴ３２において、大型のパネル構造体３００を、図５（Ｄ）に示す短冊状のパネル構造体４００に切断して注入口３１を開口させる。それには、まず、大型のパネル構造体３００の表面および裏面のうち、大型基板１００の表面に対してダイヤモンドカッタによって浅い溝からなる切断予定線を形成した後、裏面側の大型基板２００の側から治具によって応力を加えて大型基板１００を割断する。また、大型基板２００の表面に対してダイヤモンドカッタによって浅い溝からなる切断予定線を形成した後、表面側の大型基板１００の側から治具によって応力を加えて大型基板２００を割断する。

次に、液晶封入・封止工程ＳＴ３３において、短冊状のパネル構造体４００の内部に液晶３６を注入した後、注入口３１を封止材３２で封止する。

次に、２次ブレイク工程ＳＴ３４において、短冊状のパネル構造体４００を、図１および図５（Ｅ）に示すように、第２の基板２０の端部が張り出し領域２５として第１の基板１０から張り出した単品の液晶パネル１′に切断する。

次に、ＩＣ実装工程ＳＴ３５で、図１および図５（Ｆ）に示すように、単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に対して駆動用ＩＣ１３を実装する。

また、ＩＣ実装工程ＳＴ３５の後、単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に対して可撓性基板２９を実装する。

［実施の形態１］
図６（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、液晶パネル１′を構成する基板に微小な傷およびクラックが入っているいる様子を模式的に示す説明図、およびエッチング工程で微小な傷およびクラックが消失した状態を示す説明図である。図７（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、電気光学装置の製造工程途中における液晶パネルの平面図、および断面図である。図８（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行う際、保護層を形成した状態を示す平面図、および断面図である。図９（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行った後、保護層を部分的に残した様子を示す平面図、および断面図である。図１０（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ、電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行った効果を説明するためのグラフである。

電気光学装置１を製造する際、液晶パネル１′を構成する第１の基板１０、および第２の基板２０の基板縁、および切断面には、図６（Ａ）で示すような微小な傷５やクラック６が入っている。そこで、本形態では、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３（ＩＣチップ）を実装した後、可撓性基板２９を接続する前に、単品の液晶パネル１′の状態で第１の基板１０および第２の基板２０の基板縁および切断面にウエットエッチングを施してその表層を削ることにより、図６（Ｂ）に示すように、基板縁および切断面から微小な傷やクラックを消去しておく（エッチング工程ＳＴ４０）。

ここで用いるエッチング液は、例えば、フッ酸系の薬液である。例えば、フッ酸液、フッ化硫酸液、ケイフッ化水素酸、フッ化アンモニウム、フッ化水素酸などのエッチング液を用いることができる。また、それらを含む水溶液を使用することもできる。例えば、フッ化水素酸と硝酸の混合水溶液、フッ化水素酸とフッ化アンモニウムの混合水溶液、フッ化水素酸とフッ化アンモニウムと硝酸の混合水溶液、フッ化水素酸と水素二フッ化アンモニウムの水溶液、フッ化水素酸と水素二フッ化アンモニウムと硝酸の水溶液などを用いることができる。また、エッチング速度が遅いが、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの強アルカリ性の薬液を用いることができる。

ここで、単品の液晶パネル１′では、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、可撓性基板２９を実装するときのアライメントマーク５５、および駆動用ＩＣ１３（ＩＣチップ）が張り出し部２５で露出した状態にあり、このままエッチングを行うと、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、アライメントマーク５５がエッチング液によって腐食、消失してしまう。また、駆動用ＩＣ１３も、エッチング液で損傷してしまう。そこで、本形態では、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、張り出し領域２５を保護層９０（狭いピッチの斜線を付した領域）で覆い、この状態でウエットエッチングを行う（エッチング工程ＳＴ４０）。

このような保護層９０として、本形態では、第２の基板２０の張り出し領域２５のうち、第２の基板２０の基板縁からやや内側領域に対して、保護層９０としての粘着テープを貼る。このため、第１の基板１０では、粘着テープを保護層９０として貼った状態においても、外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）は、露出した状態にあり、エッチングが施される。また、第２の基板１０でも、粘着テープを保護層として貼った状態においても、外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）は、露出した状態にあり、エッチングが施される。従って、第１の基板１０および第２の基板２０では、エッチングが施された部分の表層が薄くエッチングされる結果、微小な傷およびクラックが消失する。

なお、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基板実装端子２８については、基板縁に位置する部分がわずかに保護層９０から露出しており、この露出部分では腐食、損傷が起こるが、基板実装端子２８のほとんどの部分は、保護層９０で覆われているため、可撓性基板２９の実装に支障はない。

このようにしてエッチング工程ＳＴ４０を行った後は、液晶パネル１′を水洗、乾燥した後、保護層９０を完全に除去して、図７（Ａ）、（Ｂ）に示す状態に戻し、しかる後に、単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に可撓性基板２９を実装する。

また、保護層９０については、その一部を除去し、残りの部分を基板上に残してもよい。すなわち、図９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、保護層９０については、基板実装端子２８、アライメントマーク５５の表面、およびそれらの周辺領域からは除去する一方、配線部分５１、７１および駆動用ＩＣ１３を覆う部分についてはそのまま残し、この状態で、単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に可撓性基板２９を実装してもよい。このように構成すると、配線部分５１、７１および駆動用ＩＣ１３は、それ以降も保護層９０で覆われた状態にあるので、配線部分５１、７１および駆動用ＩＣの耐候性などが向上するという利点がある。

以上説明したように、本形態では、単品パネル１′の状態でエッチングを行って、第１の基板１０の外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）から微小な傷やクラックを消去し、第２の基板２０の外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）からも微小な傷およびクラックを消去する。それ故、後述するように、液晶装置１が携帯電話機に搭載された後、衝撃や応力が加わっても、微小な傷やクラックが成長するということがないので、液晶パネル１′が割れるということがない。

また、本形態では、ウエットエッチング（エッチング工程ＳＴ４０）を行う際、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、アライメントマーク５５、および駆動用ＩＣは、保護層９０で覆われ、エッチング液に接触しないので、エッチング液によって、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５、および駆動用ＩＣ１３が腐食、損傷してしまうことがない。

しかも、一対の基板を貼り合わせた液晶パネル１′に駆動用ＩＣ１３を実装した状態、すなわち、製造工程の終段でエッチング工程ＳＴ４０を行うので、それまでに発生した全ての傷やクラックを一括して消失することができる。

なお、エッチング工程ＳＴ４０でのエッチング深さと、複数のサンプルについて強度試験結果との関係を図１０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示す。この試験に用いた液晶パネルは、第１の基板１０、および第２の基板２０の厚さがいずれも０．５ｍｍである。

試験は、エッチング工程ＳＴ４０を行わなかった液晶パネル、エッチング深さを１０μｍとした液晶パネル、エッチング深さを５０μｍとした液晶パネル、およびエッチング深さを１００μｍとした液晶パネルの各々に所定値の荷重を加えて各サンプルが破壊された時点での加重値を求め、その結果を図１０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示してある。なお、各グラフにおいて、破壊されたサンプルの個数が集中している荷重値が、各レベルのエッチング処理が行われた液晶パネルの平均強度を表している。

各図を比較するとわかるように、エッチングなしの場合と比較して、エッチング処理有りの方が、パネルの強度が向上している。従って、エッチング処理によって、ガラス基板上の傷やクラックが除去され、液晶パネルを構成しているガラス基板において、割れ強度が改善されていることがわかる。但し、エッチング深さ１０μｍの場合と、エッチング深さが５０μｍの場合とは平均強度が約１５ｋｇであり、差がほとんどない。

これに対して、エッチング深さが１００μｍの場合、逆に平均強度が１３ｋｇ程度にまで低下している。これは、エッチング深さが１０μｍあるいは５０μｍの場合と比較して、エッチングによりガラス基板の傷やクラックは除去されているものの、ガラス基板自体の強度の絶対値が低下した結果である。

このようにエッチング工程ＳＴ４０を行うことにより、液晶パネル１′を構成する第１の基板１０および第２の基板２０から微小な傷やクラックを除去できるので、液晶パネル１′の割れ強度が改善されることがわかる。また、エッチング深さとしては、１０μｍ程度が必要であることがわかる。さらに、エッチング深さについてはある程度以上の深さまでエッチングしても強度が改善されず、エッチング深さが深すぎると、基板厚が薄くなって、液晶パネル１′の強度が低下する傾向にある。

［実施の形態２］
以下に説明する実施の形態２〜５は、基本的な構成が実施の形態１と同様であるため、同じく図７〜図９を参照しながら、特徴的な部分のみを説明し、共通する部分の説明を省略する。

本形態でも、実施の形態１と同様、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装した後、可撓性基板２９を接続する前、単品の液晶パネル１′の第１の基板１０および第２の基板２０の基板縁および切断面にウエットエッチングを施して、基板縁および切断面から微小な傷やクラックを消去しておく（エッチング工程ＳＴ４０）。

但し、本形態でも、単品の液晶パネル１′では、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、アライメントマーク５５、および駆動用ＩＣ１３は露出した状態にあるので、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、張り出し領域２５を保護層９０（狭いピッチの斜線を付した領域）で覆い、この状態でエッチングを行う（エッチング工程ＳＴ４０）。

このような保護層９０として、本形態では、液状のフォトレジストを第２の基板２０の張り出し領域２５のうち、第２の基板２０の基板縁からやや内側領域に対して選択的に塗布した後、露光、現像し、レジスト層からなる保護層９０を形成する。

このため、本形態でも、第１の基板１０、および第２の基板２０では、レジストを保護層９０として形成した状態においても、外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）は、露出した状態にあり、エッチングが施される。従って、第１の基板１０および第２の基板２０において、エッチングが施された部分では、表層が薄くエッチングされる結果、微小な傷およびクラックが消失する。しかも、ウエットエッチングを行う際、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、アライメントマーク５５、駆動用ＩＣ１３は、保護層９０で覆われ、エッチング液に接触しないので、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、アライメントマーク５５、および駆動用ＩＣ１３が腐食、損傷してしまうことがない。

このようにしてエッチング工程ＳＴ４０を行った後は、液晶パネル１′を水洗、乾燥した後、剥離液を用いて、レジストからなる保護層９０を完全に除去して、図７（Ａ）、（Ｂ）に示す状態に戻し、しかる後に、単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に可撓性基板２９を実装する。

この際、図９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、保護層９０については、基板実装端子２８、アライメントマーク５５の表面、およびそれらの周辺領域からは除去する一方、配線部分５１、７１および駆動用ＩＣ１３を覆う部分についてはそのまま残し、この状態で、単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に可撓性基板２９を実装してもよい。

このような製造方法を行うにあたって、レジストについては、刷毛塗り、スクリーン印刷、インクジェット法、あるいは、オフセット印刷により選択的に塗布すればよい。これらの塗布方法のうち、インクジェット法は、非接触で、かつ、高い精度で任意の領域に選択的にレジストを塗布できるという利点がある。

また、本形態では、保護層９０としてフォトレジストを用いたので、例えば、張り出し領域２５の全面にレジストを塗布した後、所定の領域のみ露光すれば、現像後、任意の領域にレジスト層（保護層９０）を選択的に形成することができる。

［実施の形態３］
本形態でも、実施の形態１と同様、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装した後、可撓性基板２９を接続する前、単品の液晶パネル１′の第１の基板１０および第２の基板２０の基板縁および切断面にウエットエッチングを施して、基板縁および切断面から微小な傷やクラックを消去しておく（エッチング工程ＳＴ４０）。

但し、本形態でも、単品の液晶パネル１′では、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、アライメントマーク５５、および駆動用ＩＣ１３は露出した状態にあるので、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、張り出し領域２５を保護層９０（狭いピッチの斜線を付した領域）で覆い、この状態でエッチングを行う（エッチング工程ＳＴ４０）。

このような保護層９０を形成するにあたって、本形態では、刷毛塗り、スクリーン印刷、インクジェット法、あるいは、オフセット印刷により、液状の塗料を第２の基板２０の張り出し領域２５のうち、第２の基板２０の基板縁からやや内側領域に対して選択的に塗布した後、固化させて、塗膜からなる保護層９０を形成する。

このため、本形態でも、第１の基板１０、および第２の基板２０では、塗膜を保護層９０として形成した状態においても、外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）は、露出した状態にあり、エッチングが施される。従って、第１の基板１０および第２の基板２０では、エッチングが施された部分では、表層が薄くエッチングされる結果、微小な傷およびクラックが消失する。

しかも、ウエットエッチングを行う際、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、アライメントマーク５５、および駆動用ＩＣ１３は、保護層９０で覆われ、エッチング液に接触しないので、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、アライメントマーク５５、および駆動用ＩＣ１３が腐食、損傷してしまうことがない。

このようにしてエッチング工程ＳＴ４０を行った後は、液晶パネル１′を水洗、乾燥した後、剥離液を用いて、塗膜からなる保護層９０を完全に除去して、図７（Ａ）、（Ｂ）に示す状態に戻し、しかる後に、単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に可撓性基板２９を実装する。

この際、図９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、保護層９０については、基板実装端子２８、アライメントマーク５５の表面、およびそれらの周辺領域からは除去する一方、配線部分５１、７１および駆動用ＩＣ１３を覆う部分についてはそのまま残し、この状態で、単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に可撓性基板２９を実装してもよい。

［実施の形態４］
図１１（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図１に示す電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行う際、異なる形態で保護層を形成した状態を示す平面図、および断面図である。

本形態でも、実施の形態１と同様、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装した後、可撓性基板２９を接続する前、単品の液晶パネル１′の第１の基板１０および第２の基板２０の基板縁および切断面にウエットエッチングを施して、基板縁および切断面から微小な傷やクラックを消去しておく（エッチング工程ＳＴ４０）。

但し、本形態でも、単品の液晶パネル１′では、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、アライメントマーク５５、および駆動用ＩＣ１３は露出した状態にあるので、図１１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、張り出し領域２５を保護層９０（狭いピッチの斜線を付した領域）で覆い、この状態でエッチングを行う（エッチング工程ＳＴ４０）。

このような保護層９０を形成するにあたって、本形態では、図４に示す配向膜形成・ラビング工程ＳＴ２３を利用する。すなわち、第２の基板２０の全面にスピンコート法や各種印刷法にてポリイミドを塗布、硬化させた後、酸素プラズマ処理でシール材３０で区画された領域内にポリイミドを配向膜２２として選択的に残す際、第２の基板２０の張り出し領域２５のうち、第２の基板２０の基板縁からやや内側領域に対してもポリイミド膜を選択的に残して、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５を覆う第１の保護層９１とする。但し、ＩＣ実装領域には第１の保護膜９１を形成しない。

一方、駆動用ＩＣ１３については、実装後、表面側全体を粘着テープからなる第２の保護層９２で覆う。

このため、本形態でも、第１の基板１０、および第２の基板２０では、ポリイミド（配向膜２２）からなる第１の保護層９２、および粘着テープからなる第２の保護層９２を形成した状態においても、外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）は、露出した状態にあり、エッチングが施される。従って、第１の基板１０および第２の基板２０では、エッチングが施された部分では、表層が薄くエッチングされる結果、微小な傷およびクラックが消失する。しかも、ウエットエッチングを行う際、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、アライメントマーク５５、および駆動用ＩＣ１３は、保護層９０（第１の保護層９１、第２の保護層９２）で覆われ、エッチング液に接触しないので、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、アライメントマーク５５、および駆動用ＩＣ１３が腐食、損傷してしまうことがない。

このようにしてエッチング工程ＳＴ４０を行った後は、液晶パネル１′を水洗、乾燥した後、酸素プラズマ処理によってポリイミドからなる第１の保護層９１を完全に除去する一方、粘着テープからなる第２の保護層９２を除去して、図７（Ａ）、（Ｂ）に示す状態に戻し、しかる後に、単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に可撓性基板２９を実装する。

この際、図９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、保護層９０については、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５の表面、およびそれらの周辺領域からは除去する一方、配線部分５１、７１および駆動用ＩＣ１３を覆う部分についてはそのまま残し、この状態で、単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に可撓性基板２９を実装してもよい。

また、本形態では、第１の保護層９１は、シール材３０で区画される領域内に配向膜２２として形成されるポリイミド（有機絶縁膜）と同時形成されたポリイミドを利用している。このため、第１の保護層９１を形成するために新たな工程を追加する必要がないので、製造工程数の増加を最小限に止めることができる。

なお、第２の基板２０の側にオーバーコート層２９を有機絶縁膜で形成する際（オーバーコート膜形成工程ＳＴ２２）、このオーバーコート層２９を構成する樹脂を張り出し領域２５に第１の保護層９１として形成してもよい。また、カラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂについては、第２の基板２０の側に形成される場合があるので、このカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂを構成する樹脂を張り出し領域２５に第１の保護層９１として形成してもよい。

なお、基板におけるシール材３０で区画される領域内に無機絶縁膜が選択的に形成される場合、例えば、オーバーコート層２９をシリコン酸化膜などの無機絶縁膜で形成する際には、この無機絶縁膜と同時形成されるシリコン酸化膜などの無機絶縁膜を第１の保護層９１として用いてもよい。この場合には、無機絶縁膜を後でエッチング除去する際、この無機絶縁膜と配線部分５１、７１を構成する材料とのエッチング選択性が高いエッチング液を用いることが好ましい。

［実施の形態５］
本形態でも、実施の形態１と同様、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装した後、可撓性基板２９を接続する前、単品の液晶パネル１′の第１の基板１０および第２の基板２０の基板縁および切断面にウエットエッチングを施して、基板縁および切断面から微小な傷やクラックを消去しておく（エッチング工程ＳＴ４０）。

但し、本形態でも、単品の液晶パネル１′では、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、アライメントマーク５５、および駆動用ＩＣ１３は露出した状態にあるので、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、張り出し領域２５を保護層９０（狭いピッチの斜線を付した領域）で覆い、この状態でエッチングを行う（エッチング工程ＳＴ４０）。

このような保護層９０として、本形態では、撥水剤を溶剤に溶かした液状物を第２の基板２０の張り出し領域２５のうち、第２の基板２０の基板縁からやや内側領域に対して選択的に塗布した後、溶剤を蒸発、除去して、撥水剤からなる保護層９０を形成する。

このため、本形態でも、第１の基板１０、および第２の基板２０では、撥水剤を保護層９０として形成した状態においても、外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）は、親水性のままであり、エッチングが施される。従って、第１の基板１０および第２の基板２０では、エッチングが施された部分では、表層が薄くエッチングされる結果、微小な傷およびクラックが消失する。しかも、ウエットエッチングを行う際、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、アライメントマーク５５、および駆動用ＩＣ１３は、保護層９０で覆われ、エッチング液に接触しないので、配線部分５１、７１、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５が腐食、損傷してしまうことがない。

ここで、撥水剤の塗布については、刷毛塗り、スクリーン印刷、インクジェット法、あるいは、オフセット印刷により選択的に行えばよい。これらの塗布方法のうち、インクジェット法は、非接触で、かつ、高い精度で任意の領域に選択的に塗料を塗布できる。

このようにしてエッチング工程ＳＴ４０を行った後は、液晶パネル１′を水洗、乾燥した後、撥水剤の全体、あるいはその一部を除去してもよいが、撥水剤は、極めて薄い層から形成されているので、このような保護層９０であれば、そのまま残しても、単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３および可撓性基板２９を実装するのに支障がない。

［その他の実施の形態］
図８（Ａ）、（Ｂ）に示す例において、基板実装端子２８は、基板縁に位置する部分がわずかに保護層９０から露出しており、この露出部分では腐食、損傷が起こる。そこで、図１２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基板実装端子２８については、基板縁を避けて、やや内側に入った部分に形成してもよい。

また上記形態では、エッチング工程ＳＴ４０にウエットエッチングを採用したが、ドライエッチングを採用してもよい。

上記形態では、第１の基板１０及び第２の基板２０において露出している配線部分５１、７１、基板実装端子２８、アライメントマーク５５を保護層９０で覆っているが、微小な傷やクラックを消去するためのエッチングを施した後でも、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、アライメントマーク５５の機能に支障をきたさないのであれば、保護層９０で覆わなくても良い。例えば、配線部分５１、７１、基板実装端子２８、アライメントマーク５５が、エッチングを施されて厚みが薄くなった後でも機能するだけの厚みを予め備えているような場合である。

［本発明を適用可能な電気光学装置の構成］
上記形態はいずれも、パッシブマトリクス型の液晶装置からなる電気光学装置に本発明を適用したが、図１３ないし図１５を参照して以下に説明するいずれの電気光学装置においても、電気光学物質を保持する剛性基板に可撓性基板を接続して信号の入力が行われるので、本発明を適用することができる。

図１３は、画素スイッチング素子として非線形素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。
図１４は、画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。 図１５は、電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置のブロック図である。

図１３に示すように、画素スイッチング素子として非線形素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置１ａでは、複数の配線としての走査線５１ａが行方向に形成され、複数のデータ線５２ａが列方向に形成されている。走査線５１ａとデータ線５２ａとの各交差点に対応する位置には画素５３ａが形成され、この画素５３ａでは、液晶層５４ａと、画素スイッチング用のＴＦＤ素子５６ａ（非線形素子）とが直列に接続されている。各走査線５１ａは走査線駆動回路５７ａによって駆動され、各データ線５２ａはデータ線駆動回路５８ａによって駆動される。

このように構成した電気光学装置１ａでも、一対のガラス基板などを対向した状態でシール材で貼り合わせ、かつ、少なくとも一方の基板に駆動用ＩＣをＣＯＧ実装した構造が採用されるので、本発明を適用することが好ましい。

図１４に示すように、画素スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置１ｂでは、マトリクス状に形成された複数の画素の各々に、画素電極９ａを制御するための画素スイッチング用のＴＦＴ３０ｂが形成されており、画素信号を供給するデータ線６ｂが当該ＴＦＴ３０ｂのソースに電気的に接続されている。データ線６ｂに書き込む画素信号は、データ線駆動回路２ｂから供給される。また、ＴＦＴ３０ｂのゲートには走査線３１ｂが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３１ｂにパルス的に走査信号が走査線駆動回路３ｂから供給される。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０ｂのドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０ｂを一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線６ｂから供給される画素信号を各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号は、対向基板（図省略）に形成された対向電極との間で一定期間保持される。

ここで、保持された画素信号がリークするのを防ぐことを目的に、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０ｂ（キャパシタ）を付加することがある。この蓄積容量７０ｂによって、画素電極９ａの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。
これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる電気光学装置が実現できる。なお、蓄積容量７０ｂを形成する方法としては、容量を形成するための配線である容量線３２ｂとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線３１ｂとの間に形成する場合もいずれであってもよい。

このように構成した電気光学装置１ｂでも、一対のガラス基板などを対向した状態でシール材で貼り合わせ、かつ、一方のガラス基板に駆動用ＩＣが実装される場合があるので、その場合には、本発明を適用することが好ましい。

図１５に示すように、電荷注入型有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置は、有機半導体膜に駆動電流が流れることによって発光するＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、またはＬＥＤ（発光ダイオード）素子などの発光素子をＴＦＴで駆動制御するアクティブマトリクス型の表示装置であり、このタイプの表示装置に用いられる発光素子はいずれも自己発光するため、バックライトを必要とせず、また、視野角依存性が少ないなどの利点がある。

ここに示す電気光学装置１００ｐでは、複数の走査線３ｐと、この走査線３ｐの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線６ｐと、これらのデータ線６ｐに並列する複数の共通給電線２３ｐと、データ線６ｐと走査線３ｐとの交差点に対応する画素１５ｐとが構成されている。データ線６ｐに対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１０１ｐが構成されている。走査線３ｐに対しては、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査線駆動回路１０４ｐが構成されている。

また、画素１５ｐの各々には、走査線３ｐを介して走査信号がゲート電極に供給される第１のＴＦＴ３１ｐと、この第１のＴＦＴ３１ｐを介してデータ線６ｐから供給される画像信号を保持する保持容量３３ｐと、この保持容量３３ｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第２のＴＦＴ３２ｐと、第２のＴＦＴ３２ｐを介して共通給電線２３ｐに電気的に接続したときに共通給電線２３ｐから駆動電流が流れ込む発光素子４０ｐとが構成されている。

ここで、発光素子４０ｐは、画素電極の上層側には、正孔注入層、有機エレクトロルミネッセンス材料層としての有機半導体膜、リチウム含有アルミニウム、カルシウムなどの金属膜からなる対向電極が積層された構成になっており、対向電極２０ｐは、データ線６ｐなどを跨いで複数の画素１５ｐにわたって形成されている。

このように構成した電気光学装置１ｐにおいては、発光素子を形成したガラス基板からなる素子基板にガラス製の保護基板がシール材を介して貼り合わされ、かつ、素子基板に駆動用ＩＣが実装される場合があるので、その場合には本発明を適用することが好ましい。

また、上述した実施形態以外にも、電気光学装置として、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管、液晶シャッター等を用いた小型テレビ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。

［電子機器への適用］
図１６は、本発明に係る電気光学装置を各種の電子機器の表示装置として用いる場合の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、表示情報出力源１７０、表示情報処理回路１７１、電源回路１７２、タイミングジェネレータ１７３、そして電気光学装置１７４を有する。また、電気光学装置１７４は、表示パネル１７５及び駆動回路１７６を有する。電気光学装置１７４としては、前述した電気光学装置を用いることができる。

表示情報出力源１７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１７１に供給する。

表示情報処理回路１７１は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１７６へ供給する。駆動回路１７６は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１７２は、各構成要素に所定の電圧を供給する。

図１７（Ａ）は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示している。ここに示すパーソナルコンピュータは、キーボード１８１を備えた本体部１８２と、液晶表示ユニット１８３とを有する。液晶表示ユニット１８３は、前述した電気光学装置１および液晶パネル１′などを含んで構成される。

図１７（Ｂ）は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１９０は、複数の操作ボタン１９１と、前述した電気光学装置１などを有している。

本発明を適用した電気光学装置の斜視図である。 図１に示す電気光学装置の分解斜視図である。 図１のＩ−Ｉ′線で電気光学装置を切断したときのＩ′側端部の断面図である。 図１に示す電気光学装置の製造方法を示す工程図である。 （Ａ）〜（Ｆ）はそれぞれ、図１に示す電気光学装置の製造工程での仕掛途中品の様子を示す説明図である。 （Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図１に示す電気光学装置の製造工程の途中において液晶パネルを構成する基板に微小な傷およびクラックが入っている様子を模式的に示す説明図、およびエッチング工程で微小な傷およびクラックが消失した状態を示す説明図である。 （Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図１に示す電気光学装置の製造工程途中における液晶パネルの平面図、および断面図である。 （Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図１に示す電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行う際、保護層を形成した状態を示す平面図、および断面図である。 （Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図１に示す電気光学装置の製造工程中において、液晶パネルにエッチングを行った後、保護層を部分的に残した様子を示す平面図、および断面図である。 （Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ、電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行った効果を説明するためのグラフである。 （Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図１に示す電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行う際、異なる形態で保護層を形成した状態を示す平面図、および断面図である。 （Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図１に示す電気光学装置の製造工程途中におけるさらに別の液晶パネルの平面図、および断面図である。 画素スイッチング素子として非線形素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。 画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。 電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型表示装置のブロック図である。 本発明に係る電気光学装置を用いた各種電子機器の構成を示すブロック図である。 （Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュータを示す説明図、および携帯電話機の説明図である。

符号の説明

１ 電気光学装置、１′ 液晶パネル、１０ 第１の基板、１１ 第１の端子形成領域、１３ 駆動用ＩＣ（電子部品）、２０ 第２の基板、２１ 第２の端子形成領域、２５ 第２の基板の張り出し領域、２６、２７ ＩＣ実装端子、２８ 基板実装端子、２９ 可撓性基板（電子部品）、３０ シール材、３５ 液晶封入領域、４０ 第１の電極パターン、５０ 第２の電極パターン、５１、７１ 配線部分、５５ アライメントマーク、６０、７０ 基板間導通用端子、９０ 保護層、９１ 第１の保護層、９２ 第２の保護層、１００、２００ 大型基板。

Claims (18)

1. 第１の基板および第２の基板が対向した状態でシール材によって貼り合わされた電気光学パネルを有し、前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくとも一方には電気光学物質を駆動する駆動用電極が形成された電気光学装置の製造方法において、少なくとも前記第２の基板にＩＣチップを実装した後、前記電気光学パネルの状態で前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも基板縁および切断面にエッチングを施して前記第１の基板および前記第２の基板から微小な傷あるいはクラックを除去するエッチング工程を行うとともに、
   当該エッチング工程を行う際には、前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも基板縁および切断面を避けるように形成した保護層によって、前記ＩＣチップの表面を覆っておくことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 第１の基板および第２の基板が対向した状態でシール材によって貼り合わされた電気光学パネルを有し、前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくとも一方には電気光学物質を駆動する駆動用電極が形成された電気光学装置の製造方法において、前記電気光学パネルの状態で前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも基板縁および切断面にエッチングを施して前記第１の基板および前記第２の基板から微小な傷あるいはクラックを除去するエッチング工程とともに、前記エッチング工程を行う際には、保護層によって前記第１の基板より張り出した前記第２の基板の基板縁から内側領域の基板表面と配線表面およびＩＣチップを覆い、
   前記エッチング工程は、前記保護層によって覆われていない前記第１の基板および前記第２の基板の表層を薄くエッチングすることにより、前記傷あるいはクラックを除去する工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
3. 請求項１または２において、前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくとも一方は、ガラス製であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
4. 請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記エッチングとしてウエットエッチングを行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
5. 請求項２ないし４のいずれかにおいて、前記第２の基板は、前記第１の基板の基板縁から張り出した張り出し領域を備え、当該張り出し領域に前記ＩＣチップが実装されているとともに、前記保護層を形成する前、当該張り出し領域で前記配線が露出していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
6. 請求項５において、前記張り出し領域には、可撓性基板が接続される基板実装端子が形成されており、前記基板実装端子に前記可撓性基板を接続する前に、当該基板実装端子の表面を前記保護層で覆った状態で前記エッチング工程を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
7. 請求項６において、前記張り出し領域には、前記基板実装端子に前記可撓性基板を実装する際のアライメントマークが形成され、前記エッチング工程を行う際には、前記アラメントマークの表面を前記保護層で覆っておくことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
8. 請求項１ないし７のいずれかにおいて、前記エッチング工程の後、前記保護層については除去することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
9. 請求項１ないし７のいずれかにおいて、前記エッチング工程の後、前記保護層の一部は除去し、他の部分は残しておくことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
10. 請求項６または７において、前記エッチング工程の後、前記保護層のうち、少なくとも前記基板実装端子の表面に形成された保護層については除去することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
11. 請求項２ないし１０のいずれかにおいて、前記保護層は、前記配線の表面を覆う部分と、前記ＩＣチップを覆う部分とが同一の材料から構成されていることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
12. 請求項２ないし１０のいずれかにおいて、前記保護層は、前記配線の表面を覆う第１の保護層と、該第１の保護層とは異なる材料からなり、前記ＩＣチップを覆う第２の保護層とからなることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
13. 請求項２ないし１０のいずれかにおいて、前記保護層は、前記基板における前記シール材で区画される領域内に形成された有機絶縁膜と同時形成されて前記配線の表面を覆う第１の保護層と、該第１の保護層とは異なる材料からなり、前記ＩＣチップを覆う第２の保護層とからなることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
14. 請求項２ないし１０のいずれかにおいて、前記保護層は、前記基板における前記シール材で区画される領域内に形成された無機絶縁膜と同時形成されて前記配線の表面を覆う第１の保護層と、該第１の保護層とは異なる材料からなり、前記ＩＣチップを覆う第２の保護層とからなることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
15. 請求項１ないし１４のいずれかにおいて、前記電気光学物質は、前記第１の基板と前記第２の基板との間に保持された液晶であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
16. 請求項１ないし１４のいずれかにおいて、前記電気光学物質は、前記第２の基板上に形成されたエレクトロルミネッセンス材料であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
17. 請求項１ないし１６のいずれかに規定される製造方法で製造されたことを特徴とする電気光学装置。
18. 請求項１７に規定された電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。

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