JP4406408B2 - 炭化タングステン粉末の製造方法 - Google Patents
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まず、平均粒子径が55μmのAPTを大気中にて750℃で6時間加熱し、WO3粉末を作製した。次に、このWO3粉末を水素中にて750℃で4時間加熱し、W粉末を作製した。このようにして得たW粉末と、一次粒子の平均粒子径が0.02μm、二次粒子の平均粒子径が8μmのC粉末とを、C粉末の割合が6.13重量%となるように秤量し、これらを3時間混合した後、この混合粉末を水素雰囲気中にて1150℃に加熱してWC粉末を得た。
まず、平均粒子径が55μmのAPTを大気中にて750℃で6時間加熱し、WO3粉末を作製した。次に、このWO3粉末を水素中にて750℃で4時間加熱し、W粉末を作製した。このようにして得たW粉末と、一次粒子の平均粒子径が0.02μm、二次粒子の平均粒子径が7μmのC粉末とを、C粉末の割合が6.13重量%となるように秤量し、これらを5時間混合した後、この混合粉末を水素雰囲気中にて1150℃に加熱してWC粉末を得た。
まず、平均粒子径が55μmのAPTを大気中にて750℃で6時間加熱し、WO3粉末を作製した。次に、このWO3粉末を水素中にて750℃で4時間加熱し、W粉末を作製した。このようにして得たW粉末と、一次粒子の平均粒子径が0.02μm、二次粒子の平均粒子径が8μmのC粉末とを、C粉末の割合が6.13重量%となるように秤量し、これらを5時間混合した後、この混合粉末を水素雰囲気中にて1150℃に加熱してWC粉末を得た。
まず、平均粒子径が55μmのAPTを大気中にて750℃で6時間加熱し、WO3粉末を作製した。次に、このWO3粉末を水素中にて750℃で4時間加熱し、W粉末を作製した。このようにして得たW粉末と、平均粒子径が0.1μmのC粉末とを、C粉末の割合が6.13重量%となるように秤量し、これらを5時間混合した後、この混合粉末を水素雰囲気中にて1150℃で加熱してWC粉末を得た。
まず、平均粒子径が55μmのAPTを大気中にて750℃で6時間加熱し、WO3粉末を作製した。次に、このWO3粉末を水素中にて750℃で4時間加熱し、W粉末を作製した。このようにして得たW粉末と、平均粒子径が5μmのC粉末とを、C粉末の割合が6.13重量%となるように秤量し、これらを5時間混合した後、この混合粉末を水素雰囲気中にて1150℃で加熱してWC粉末を得た。
Claims (8)
- 炭化タングステン粉末の製造方法において、タングステン粉末と、一次粒子径が0.1μm以下でかつ二次粒子径が5〜10μmの範囲の二次粒子を有する炭素粉末とを混合する工程を有することを特徴とする炭化タングステン粉末の製造方法。
- 請求項1記載の炭化タングステン粉末の製造方法において、
前記タングステン粉末と前記炭素粉末との混合粉末を真空または非酸化性雰囲気中で加熱して炭化タングステン粉末を生成する工程を有することを特徴とする炭化タングステン粉末の製造方法。 - 請求項1または請求項2記載の炭化タングステン粉末の製造方法において、
前記タングステン粉末として、三酸化タングステン粉末を水素雰囲気中にて650〜800℃の範囲の温度で加熱して還元したタングステン粉末を用いることを特徴とする炭化タングステン粉末の製造方法。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載の炭化タングステン粉末の製造方法において、
前記タングステン粉末と前記炭素粉末とを、前記炭素粉末の割合が6〜8重量%の範囲となるように混合することを特徴とする炭化タングステン粉末の製造方法。 - 請求項1ないし請求項4のいずれか1項記載の炭化タングステン粉末の製造方法において、
前記タングステン粉末と前記炭素粉末との混合粉末を真空または非酸化性雰囲気中にて950〜1200℃の範囲の温度で加熱して炭化タングステン粉末を生成する工程を有することを特徴とする炭化タングステン粉末の製造方法。 - 請求項3ないし請求項5のいずれか1項記載の炭化タングステン粉末の製造方法において、
前記三酸化タングステン粉末として、パラタングステン酸アンモニウムを大気中にて600〜800℃の範囲で焼成して得た粉末を用いることを特徴とする炭化タングステン粉末の製造方法。 - 請求項1ないし請求項6のいずれか1項記載の炭化タングステン粉末の製造方法において、
前記タングステン粉末は、一次粒子径が0.1μm以下でかつ二次粒子径が10〜80μmの範囲の二次粒子を有することを特徴とする炭化タングステン粉末の製造方法。 - 請求項1ないし請求項7のいずれか1項記載の炭化タングステン粉末の製造方法において、
前記タングステン粉末と前記炭素粉末との混合を、低エネルギー型混合機を用いて実施することを特徴とする炭化タングステン粉末の製造方法。
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