JP4398665B2 - 導電性無電解めっき粉体 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は導電性無電解めっき粉体に関し、更に詳しくは電子機器類の微小部位を電気的に接続する目的で特に好適に用いられる導電性無電解めっき粉体に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
液晶ディスプレーパネルの電極を駆動用LSIチップの回路基板へ電気的に接続することに代表されるように、微小ピッチの電極端子間を電気的に接続することを目的として、金属或いは樹脂の粉体表面に金属の無電解めっきを施してなる導電性フィラーが用いられている。近年では電子部品の小型化によって電極のファインピッチ化や小面積化が図られている。これに起因して導電性フィラーを用いた電気的接続では、電極間に介在させる粒子の数が減少する傾向にあるので、電気抵抗値が上昇するといった問題が生じていた。従って、粒子1個当たりの導電性が一層高い導電性フィラーが必要となっている。
【0003】
本出願人は先に、高い導電性を有する導電性フィラーとして、ニッケル等の金属からなる芯材粒子の表面に金やパラジウムの無電解めっき層を形成した導電性無電解めっき粉体を提案した(特許文献1参照)。しかし、金属の芯材粒子は粒度分布がブロードであり、また不定形であることから、間隔が微小である電極間の導通を確実に確保する信頼性が十分に高いとは言えない。また金属の芯材粒子は弾力性がないことから、電子機器の使用中に熱履歴によって電極間の距離が変化すると、芯材粒子がその変化に追従できず導通が断たれる場合がある。
【0004】
金属の芯材粒子に代えて樹脂の芯材粒子を用いると、粒度分布がシャープとなり、また弾力性もあることから、前述した不都合は解消される。しかし、樹脂を芯材粒子とする導電性無電解めっき粉末は、金属を芯材粒子とするそれに比べて抵抗値が高いという欠点がある。従って、電極間に介在させる粒子数を数個レベルとした場合には十分な導通が得られないおそれがある。
【0005】
【特許文献1】
特開平10−101962号公報
【0006】
従って、本発明は、抵抗値が低く、粒度分布がシャープであり、電極間に介在させる粒子数が少ない場合であっても十分な導通を得ることのできる導電性無電解めっき粉体を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成すべく本発明者らは鋭意検討した結果、ニッケル無電解めっき層の厚みを大きくすることは、抵抗値の低減に寄与すると従来考えられていたのに対し、意外にも、無電解めっき層を、金の最上層及びニッケルの層を含む多層構造となし、そのうちのニッケルめっき層の厚みを従来よりも大幅に小さくすることで、得られるめっき粉体の抵抗値が大幅に低下すると共に長期間に亘り低い抵抗値が維持されることを知見した。
【0008】
本発明は前記知見に基づきなされたものであり、導電性を有しない非金属材料からなる球状の芯材粉体の表面に無電解めっき層が形成されてなり、
前記無電解めっき層は、最上層に位置する金の層と該層に隣接するニッケル−リンの層とを含む多層構造であり、ニッケル−リンの層はその厚みが0.5〜50nmの薄層であると共に金の層はその厚みが20〜90nmであり、かつニッケル−リンの層の厚みの1〜110倍であり、またニッケル−リンの層及び金の層を含む多層構造の無電解めっき層はその総厚みが45〜100nmであり、
20℃/65%RHの条件下で測定された初期の体積固有抵抗値が0.01〜10mΩ・cmであり、
平均粒径が1〜10μmである導電性無電解めっき粉体を提供することにより前記目的を達成したものである。
【0009】
また本発明は、前記導電性無電解めっき粉体及び絶縁性接着剤を含む異方性導電接着剤組成物を提供することにより前記目的を達成したものである。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下本発明を、その好ましい実施形態に基づき図面を参照しながら説明する。図1には本発明の一実施形態の導電性無電解めっき粉体(以下、単にめっき粉体ともいう)の断面の構造が示されている。本実施形態のめっき粉体1は、球状の芯材粉体2の表面に無電解めっき層が形成されているものである。無電解めっき層は、金の層(以下、Au層ともいう)3と、Au層に隣接するニッケルの層(以下、Ni層ともいう)4との2層構造となっている。Au層3は、めっき粉体1の表面をなす最上層であり、Ni層4は芯材粉体2の表面に位置する最下層である。
【0011】
めっき粉体1は、粒度分布がシャープな球状の芯材粉体上に無電解めっき層が形成されたものであり、その平均粒径は1〜10μmであり、1.5〜5μmであることが、間隔が微小である電極間の導通を確実に確保する点から好ましい。まためっき粉体1の粒径は、後述する理由によって単分散に近いものであり、粒径の度数分布における変動係数は好ましくは1〜10%、更に好ましくは2〜7%程度となる。めっき粉体1の平均粒径は、電気抵抗法によって測定される。例えば、ベックマン・コールター社製のコールターマルチサイザー(商品名)で測定される。なお、変動係数(%)は、標準偏差÷平均粒径×100で計算される。
【0012】
この2層構造からなる無電解めっき層においては、Ni層3はその厚みt2が0.5〜50nmという薄層になっており、好ましくは0.5〜30nm、更に好ましくは0.5〜25nmである。先に述べた通り、Ni層はその厚みが大きいほど、めっき粉体の抵抗値は低下すると考えられていた。特に、後述するように還元剤に次亜リン酸ナトリウムを用いた場合にはNi中にリンが共析して、Niよりも比抵抗の高いNi−P層が形成されることから、厚みを一層大きくする必要があった。しかし本発明者らの詳細な検討の結果、意外にもNi層の厚みを逆に小さくした方が、めっき粉体の抵抗値が低下することが判明した。この理由は以下の通りであると本発明者らは推測している。金属被覆粉体の抵抗値を下げるためには、確かに金属被覆層の厚みを大きくすればよい。しかし、金属被覆層を無電解めっきで形成する場合、該金属被覆層の厚みを大きくしようとすると、無電解めっき反応中における粉体の凝集が著しくなり、そのままでは実用に供し得ない。特に金属としてニッケルを用いた場合には凝集が極めて著しい。従って、実用的な金属被覆粉体とするには、凝集した粉体をボールミル等で解砕させる必要がある。この場合、金属被覆層の厚みが大きいと、解砕による金属被覆層の落剥が生じ、最終的に得られる金属被覆粉体の抵抗値が上昇してしまう。また凝集した粉体を解砕によって単分散状態にすることも容易ではない。更に、金属被覆層が厚いNi層からなる場合には、高温高湿下でめっき粉体を保存したときにNiの酸化が起こりやすく、これに起因しても電気抵抗が上昇する。これに対して、本発明においては、Ni層4の厚みt2を従来よりも大幅に小さくして、解砕時のNi層4の落剥を防止し且つNi層4の酸化を防止し、またNi層4の厚みの減少に起因する抵抗値の低下の不足分を、後述する厚みのAu層3をNi層4上に形成することで補っている。金はニッケルよりも比抵抗が低いことが知られている。無電解めっき反応中における粉体の凝集は、ニッケルの方が金よりも著しいことが本発明者らの検討によって判明しているので、Au層3の厚みを比較的大きくしても、ニッケルほどの著しい凝集は観察されない。更に、めっき粉体1におけるめっき層の総厚みを後述する範囲内とすることでも、解砕工程におけるめっき層全体の落剥を防止している。これらの結果、最終的に得られるめっき粉体1は、Ni層4の厚みが従来のめっき粉体よりも大幅に小さいにもかかわらず、その抵抗値は従来のめっき粉体よりも小さいものとなる。なお、Ni層4の厚みが0.5nm未満であると、その厚みが小さすぎて、結果的にめっき粉体1の抵抗値を小さくすることができない。
【0013】
以上の通り、めっき粉体1は、その抵抗値が従来のめっき粉体よりも小さいものであり、それに加えて、無電解めっき反応中における粉体の凝集が少ないことから、分散性に優れ、また製造が容易であるという利点もある。詳細には、粉体の凝集が少ないことから解砕が容易に進行する。その結果、分散性が高くなり、また粒度分布が単分散に近付く。更に、解砕時間が短くて済む。
【0014】
めっき粉体1におけるAu層3は、その厚みt1をNi層4の厚みt2の1〜110倍とする必要があり、好ましくは1〜50倍、一層好ましくは1〜40倍とする。先に述べた通り金の比抵抗はニッケルのそれよりも低いので、この範囲の厚みのAu層3をNi層上に形成することで、Ni層4の厚みの減少に起因する抵抗値の低下の不足分を補うことができる。特に、先に述べた通り次亜リン酸ナトリウムを還元剤として用いた場合に形成されるNi−Pの比抵抗はニッケルのそれよりも大きく、従って従来ではNi層の厚みを大きくせざるを得なかったので、前記範囲の厚みのAu層3を形成してNi層4の厚みを減少させることは一層有利である。つまり、本発明においては、導通をNi層4によらず、主としてAu層3によって十分な導通を確保している。Au層3の厚みt1がNi層4の厚みt2の1倍未満では、めっき粉体1の抵抗値を十分に低くすることができない。110倍超ではAu層3を形成する効果が飽和してしまい経済的でない。まためっき層の総厚みt(図1参照)が大きくなり、解砕時にめっき層の落剥のおそれがある。
【0015】
Ni層4の厚みt2に対するAu層3の厚みt1の比は前述の通りであるが、t1の値自体は、めっき粉体1の抵抗値を十分に低くする観点から20〜90nmとする。
【0016】
めっき粉体1においては、無電解めっき層の総厚みt(本実施形態においてはt1+t2)が、45〜100nmという薄いものである。総厚みtが45nm未満では厚みが小さすぎてめっき粉体1の抵抗値を十分に低下させることができず、100nm超では厚みが大きすぎて粉体の凝集が起こりやすくなり、解砕時にめっき層の落剥が起こりやすくなってしまう。
【0017】
めっき粉体1におけるAu層3及びNi層4それぞれの厚みは、例えばSEM観察から実測できるほか、無電解めっき工程における金イオン及びニッケルイオンそれぞれの添加量や化学分析から算出することもできる。化学分析から厚みを求める場合には、めっき粉体1を王水に浸漬してめっき層をすべて溶解させ、溶解液に含まれている金及びニッケルを定量し、以下の式(1)及び(2)から厚みを算出する。
【0018】
A=[(r+t)3−r3]d1/rd2 (1)
A=W/100−W (2)
式中、rは芯材粉体の半径(μm)、tはめっき層の厚み(μm)、d1はめっき層の比重、d2は芯材粉体の比重、Wは金属含有量(重量%)である。
【0019】
めっき粉体1の抵抗値は、20℃/65%RHの条件下で測定された初期の体積固有抵抗値で表して0.01〜10mΩ・cmという低い値となり、好ましくは0.05〜5mΩ・cmとなる。後述する実施例から明らかなように、この低抵抗値は長期間に亘って維持される。つまり、めっき粉体1は長期間の信頼性の高いものである。この理由は、各めっき層の厚みを制御し且つめっき層全体の総厚みを制御することで、安定しためっき層が形成され、その落剥が起こりにくいことによるものと考えられる。またNi層の厚みを小さくすることで、その酸化が起こりにくくなることによるものと考えられる。体積固有抵抗値はJIS K6911の体積抵抗率の測定に準じ次の方法で測定される。図2に示す測定装置10を用いる。内径dが10mmの樹脂製円筒容器11を金属製の下盤12上に載置する。下盤12の中央部上面には直径10mmの円柱部が形成されており、この円柱部に円筒容器11が嵌合されている。円筒容器11内にはめっき粉体1.0gが装填されている。次いで、直径10mmのピストン13が下面から垂下している金属製の上盤14における該ピストン13を、円筒容器11の上部から挿入する。更に上盤14の上面に重り15を載せ、めっき粉体に10kgの荷重が加わるようにする。この状態下に上盤14と下盤12との間の電気抵抗(体積抵抗RV)を測定する。更に、上盤14と下盤12との間の距離hをノギスを用いて測定する。まためっき粉体を装填する前の状態における上盤14と下盤12との間の距離h’も予め測定しておく。体積固有抵抗値ρVは次式から算出される。
ρV=πd2/4(h−h’)×RV
【0020】
めっき粉体1を構成する芯材粉体2としては導電性を有しない非金属材料が用いられる。具体的には有機物としては、天然樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリブテン、ポリアミド、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリルニトリル、ポリアセタール、アイオノマー、ポリエステルなどの熱可塑性樹脂、アルキッド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、メラミン樹脂、キシレン樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂またはジアリルフタレート樹脂などが挙げられる。無機物としては、ガラス、セラミックス、シリカ、金属酸化物(含水物も含む)、アルミノ珪酸塩を含む金属珪酸塩、金属炭化物、金属窒化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属リン酸塩、金属硫化物、金属酸塩及び金属ハロゲン化物などが挙げられる。特に、シャープな粒度分布の粉体が得られることから、各種樹脂を用いることが好ましい。また芯材粉体2として、有機物と無機物との複合材料(ハイブリッド)を用いることもできる。このような複合材料からなる粉体は、所望の硬さのものを容易に調製しやすく、また粒度分布がシャープであることから好ましく用いられる。その例としては、スチレンシリカ複合樹脂、アクリルシリカ複合樹脂などが挙げられる。芯材粉体2の粒径は、先に述べためっき粉体1の粒径や各めっき層の厚みを考慮して適切に決定される。芯材粉体2の粒径の度数分布における変動係数は1〜10%、特に2〜7%であることが好ましい。なお、芯材粉体2として導電性を有する非金属材料、例えばカーボンなどを用いることも考えられるが、そのような非金属材料は一般に粒度分布がシャープでないことから、その変動係数を小さくすることが容易でない。
【0021】
次に、本実施形態のめっき粉体1の好ましい製造方法について説明する。先ず、芯材粉体に対して表面改質処理を行う。表面改質処理では、表面処理剤を溶解した水又は有機溶媒に芯材粉体を加えて充分に攪拌して分散させた後、該粉体を分離し乾燥させる。表面処理剤の量は、芯材粉体の種類に応じ、粉体の表面積1m2当り0.3〜100mgの範囲で調整することで、均一な改質効果が得られる。
【0022】
次に、芯材粉体に対して触媒化処理を行う。先ず、芯材粉体を塩化パラジウムや硝酸銀のような貴金属塩の希薄な酸性水溶液に分散させる。これによって貴金属イオンを粉体表面に捕捉させる。貴金属塩濃度は粉体の表面積1m2当り1×10-7〜1×10-2モルの範囲で充分である。貴金属イオンが捕捉された芯材粉体は系から分離され水洗される。引き続き、芯材粉体を水に懸濁させ、これに還元剤を加えて貴金属イオンの還元処理を行う。これによって芯材粉体の表面に貴金属を坦持させる。還元剤としては、例えば次亜りん酸ナトリウム、水素化ほう素ナトリウム、水素化ほう素カリウム、ジメチルアミンボラン、ヒドラジン、ホルマリン等が用いられる。
【0023】
貴金属イオンを芯材粉体の表面に捕捉させる前に、錫イオンを粉体表面に吸着させる感受性化処理を施してもよい。錫イオンを粉体表面に吸着させるには、例えば表面改質処理された芯材粉体を塩化第一錫の水溶液に投入し所定時間撹拌すればよい。
【0024】
触媒化処理が行われた芯材粉体は、初期薄膜形成工程に付される。初期薄膜形成工程は、芯材粉体へのニッケルの均一析出及び芯材粉体の表面を平滑化する目的で行われる。初期薄膜形成工程においては、先ず、貴金属が坦持された芯材粉体を十分に水に分散させる。分散にはコロイドミルやホモジナイザーのような剪断分散装置などを用いることができる。芯材粉体を分散させるに際し、例えば界面活性剤等の分散剤を必要に応じて用いることができる。このようにして得られた水性懸濁体を、ニッケルイオン、還元剤及び有機カルボン酸又はその塩からなる錯化剤を含む初期薄膜形成液に分散混合させる。これによって、ニッケルイオンの還元反応が開始され、芯材粉体の表面にニッケルの初期薄膜が形成される。先に述べた通り、初期薄膜形成工程は均一析出及び芯材粉体の表面を平滑化する目的で行われるから、形成されるニッケルの初期薄膜は、芯材粉体の表面を平滑にし得る程度に薄いものであればよい。
【0025】
初期薄膜形成液におけるニッケルイオンの濃度は2.0×10-4〜1.0モル/リットルであることが好ましい。ニッケルイオン源としては、硫酸ニッケルや塩化ニッケルのような水溶性ニッケル塩が用いられる。還元剤の濃度は4×10-4〜2.0モル/リットルであることが好ましい。還元剤としては、先に述べた貴金属イオンの還元に用いられているものと同様のものを用いることができる。錯化剤の濃度は0.005〜6モル/リットルであることが好ましい。錯化剤としては、有機カルボン酸又はその塩、例えばクエン酸、ヒドロキシ酢酸、酒石酸、リンゴ酸、乳酸若しくはグルコン酸又はそのアルカリ金属塩やアンモニウム塩が用いられる。
【0026】
ニッケルの初期薄膜が形成された芯材粉体は、次いで無電解めっき工程に付されNi層が形成される。無電解めっき工程においては、芯材粉体の水性懸濁体に、ニッケルイオン及び錯化剤を含む水溶液(以下、A液という)と、還元剤を含む水溶液(以下、B液という)とをそれぞれ個別かつ同時に添加し、無電解めっきを行う。
【0027】
A液は、ニッケルイオン源である硫酸ニッケルや塩化ニッケルのような水溶性ニッケル塩の水溶液であり、更に錯化剤を含むものである。A液におけるニッケルイオンの濃度は、0.1〜1.2モル/リットルであることが好ましい。A液における錯化剤の濃度は0.01〜12モル/リットルであることが好ましい。錯化剤としては、先に述べた初期薄膜形成工程で用いられるものと同様のものを用いることができる。一方、B液に含まれる還元剤としては、先に述べた貴金属イオンの還元に用いられているものと同様のものを用いることができる。B液における還元剤の濃度は、0.1〜20モル/リットルの範囲に調整することが好ましい。B液には無電解めっき反応中のpHを調整する目的で、水酸化ナトリウム等のアルカリ類が添加されていてもよい。
【0028】
このようにして、芯材粉体の表面にNi層が形成されてなるめっき粉体が得られる。得られためっき粉体は、ろ過及び水洗が数度繰り返された後に分離される。次いで、Ni層上に最上層としてのAu層が形成される。Au層は、めっき粉体の水性懸濁体を、エチレンジアミン四酢酸三ナトリウム、クエン酸二ナトリウム及びシアン化金カリウムを含み、水酸化ナトリウムでpHが調整された無電解めっき液に添加することで形成される。つまりAu層は無電解めっき法のうち置換めっき法によって形成される。置換めっき法では、既に形成されているNi層の一部がAu層と置換されるので、Au層の形成後のNi層の厚みは、Au層形成前のNi層の厚みより小さくなる。先に述べた通り、本発明におけるNi層の厚みは1〜50nmとする必要があるが、この厚みはAu層形成後の厚みを意味している。従って、Au層形成前のNi層の厚みは50nmを超えていてもよい。例えば後述する実施例4においては、Au層形成前のNi層の厚みが約70nmとなるようにめっき条件を調整してNi層を形成し、次いで置換めっき法によってNi層の一部をAu層と置き換えて、Au層形成後のNi層の厚みを48nmとしている。
【0029】
めっき層の形成後、めっき粉体を解砕してその分散性を向上させると共に単分散に近い粒径分布となす。解砕には例えばボールミル、ロールミル、ビーズミル等の回転媒体を用いた解砕機、超音波を用いた解砕機、水流解砕機などが用いられる。先に述べた通り、本実施形態においては粉体の凝集の程度が低いので、解砕工程は従来よりも短時間で完了する。
【0030】
このようにして得られためっき粉体1は、例えば異方性導電接着剤(ACA)の一種である異方性導電ペースト(ACP)や異方性導電膜(ACF)の形態で、電極間の電気的な導通をとるために用いられる。ACPは、めっき粉体1及び絶縁性接着剤を含むペースト形態の接着剤組成物であり、ACFは、めっき粉体1及び絶縁性接着剤を含む所定厚みのフィルム形態の接着剤組成物である。
【0031】
本発明は前記実施形態に制限されない。例えば前記実施形態のめっき粉体1におけるめっき層はNi層及びその上に形成されたAu層の2層構造であったが、これに代えて芯材粉体とNi層との間に、他の金属からなる無電解めっき層を一層以上形成して3層以上の多層構造となしてもよい。
【0032】
【実施例】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。しかしながら、本発明の範囲はかかる実施例に制限されるものではない。なお、以下の実施例のうち、実施例3及び4は参考例であり、本発明の範囲外である。
【0033】
〔実施例1〜6及び比較例1〜4〕
平均粒径4.6μm、真比重1.4、変動係数3.5%の球状ベンゾグアナミン−メラミン−ホルムアルデヒド樹脂〔(株)日本触媒製、商品名“エポスター”〕を芯材粉体として用いた。これを400ミリリットルの脱塩水に20g加えて撹拌し、更に0.11モル/リットルの塩化パラジウム水溶液2ミリリットルを添加した。5分間撹拌して芯材粉体にパラジウムイオンを捕捉させた。水溶液をろ過し、1回リパルプ水洗した芯材粉体を、9.5ミリモル/リットルの次亜燐酸ナトリウム水溶液400ミリリットルに常温下で撹拌しながら投入し、3分間還元処理を施して芯材粉体表面にパラジウムを担持させた。
【0034】
次いで、65℃に昇温した初期薄膜形成液4リットルに、パラジウムイオンが坦持された芯材粉体のスラリーを投入して撹拌分散させ、初期薄膜形成工程を開始した。初期薄膜形成液の組成は、硫酸ニッケル六水和物5.14ミリモル/リットル、次亜燐酸ナトリウム一水和物12.74ミリモル/リットル、酒石酸ナトリウム二水和物86.93ミリモル/リットルであった。1分間撹拌した後、次亜燐酸ナトリウム一水和物5.4gを投入し、さらに撹拌を1分間継続した。
【0035】
引き続きこのスラリーに、0.85モル/リットルの硫酸ニッケル六水和物及び0.26モル/リットルの酒石酸ナトリウム二水和物を含む混合水溶液(A液)と、2.55モル/リットルの次亜燐酸ナトリウム一水和物及び2.5モル/リットルの水酸化ナトリウムを含む混合水溶液(B液)とを、表1に示す添加量で、それぞれ3ミリリットル/分の添加速度で定量ポンプを通して個別且つ同時に添加し、無電解めっき工程を開始した。A液及びB液の全量を添加後、5分間撹拌を継続した。次いでスラリーをろ過し、ろ過物を3回リパルプ洗浄したのち、100℃の真空乾燥機で乾燥して、ニッケル−リン合金皮膜を有する粉体を得た。めっき反応後のろ液はいずれも無色透明であり、供しためっき液は完全にめっき反応に消費されたことが認められた。得られた無電解ニッケルめっき粉体を電子顕微鏡により観察したところ、濃密で実質的に連続皮膜が形成されていることを確認した。
【0036】
得られたニッケル−リン合金皮膜を有する無電解ニッケルめっき粉体10gを脱塩水200ミリリットルに投入し、超音波を照射しながら撹拌分散させてスラリーを得た。このスラリーを70℃に昇温した無電解金めっき液に投入し無電解金めっき工程を開始した。無電解金めっき液の組成は、26.86ミリモル/リットルのエチレンジアミン四酢酸二水素二ナトリウム二水和物、38.00ミリモル/リットルのクエン酸水素二ナトリウム1.5水和物、10.15ミリモル/リットルのシアン化金カリウムであり、水酸化ナトリウムによりpH6に調整されていた。無電解金めっき液は、表1に示す液量を用いた。30分間撹拌した後、ろ過し、ろ過物を3回リパルプ洗浄した。直径5mmのプラスチックボールが50vol%入っている1リットル容積のポリ容器に、前記ろ過で得られためっき粉体を投入し、100rpmで30分間解砕処理した。めっき粉体とプラスチックボールとを分別した後、めっき粉体を真空乾燥器にて100℃の温度で乾燥させて、ニッケル−金の二層皮膜を有するめっき粉体を得た。得られたニッケル−金の二層皮膜を有するめっき粉体を電子顕微鏡により観察したところ、実質的に連続皮膜が形成されていることを確認した。得られためっき粉体におけるニッケルめっき層及び金めっき層それぞれの厚み並びにめっき粉体の平均粒径及び変動係数を表2に示す。
【0037】
〔実施例7〕
芯材粉体として、平均粒径3.8μm、真比重1.4、変動係数4.2%のベンゾグアナミン−メラミン−ホルムアルデヒド樹脂〔(株)日本触媒製、商品名“エポスター”〕20gを用いた。また無電解めっきの条件として表1に示す条件を用いた。これら以外は実施例1と同様にしてニッケル−金の二層皮膜を有するめっき粉体を得た。得られためっき粉体におけるニッケルめっき層及び金めっき層それぞれの厚み並びにめっき粉体の平均粒径及び変動係数を表2に示す。
【0038】
〔実施例8〕
芯材粉体として、平均粒径3.8μm、真比重1.1、変動係数3.3%のスチレンシリカ複合体樹脂〔(株)日本触媒製、商品名“ソリオスター”〕20gを用いた。また無電解めっきの条件として表1に示す条件を用いた。これら以外は実施例1と同様にしてニッケル−金の二層皮膜を有するめっき粉体を得た。得られためっき粉体におけるニッケルめっき層及び金めっき層それぞれの厚み並びにめっき粉体の平均粒径及び変動係数を表2に示す。
【0039】
〔性能評価〕
実施例及び比較例で得られためっき粉体を恒温恒湿槽に入れ、60℃/95%RHの条件下での体積固有抵抗値を測定した。測定は、初期(開始前、条件:20℃/65%RH)、250時間経過後及び500時間経過後に行った。結果を表2に示す。
【0040】
【表1】
【0041】
【表2】
【0042】
〔実施例9〜13及び比較例5〜8〕
エポキシ樹脂100重量部、硬化剤150重量部、トルエン70重量部を混合して絶縁性接着剤を調製した。実施例1〜4及び7並びに比較例1〜4で得られためっき粉体15重量部をこの接着剤に配合し、均一分散させた。分散物を離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し乾燥させて、厚さ15μmの異方性導電フィルムを得た。得られた異方性導電フィルムを用いて、全面にITOを蒸着したガラスと100μmピッチに銅パターンを形成したポリイミド基板との間の電気接続を行い、導通抵抗を測定した。異方性導電フィルムを恒温恒湿槽に入れ60℃/95%RHの条件で500時間保存した。その後、同様にして導通抵抗を測定した。これらの結果を表3に示す。
【0043】
【表3】
【0044】
表2及び表3に示す結果から明らかなように、各実施例のめっき粉体及び異方性導電フィルム(本発明品)は、初期の体積固有抵抗値が低いことが判る。またその低い抵抗値が長期間に亘り維持されることも判る。更に各実施例のめっき粉体は、粒径の変動係数が小さく、単分散に近いシャープな粒径分布を有していることが判る。これに対して、比較例1のめっき粉体は、粒径の変動係数は小さいものの、初期の体積固有抵抗値が高く、そのうえ長期保存後の体積固有抵抗値が極めて高くなってしまうことが判る。比較例2及び4のめっき粉体は、初期及び長期保存後の体積固有抵抗値は低いものの、粒径の変動係数が大きくなってしまうことが判る。比較例3のめっき粉体は、粒径の変動係数が大きく、しかも初期の体積固有抵抗値が高く、そのうえ長期保存後の体積固有抵抗値が極めて高くなってしまうことが判る。
【0045】
【発明の効果】
本発明の導電性無電解めっき粉体は、抵抗値が低く、その低い抵抗値が長時間に亘り維持される。また本発明の導電性無電解めっき粉体は、単分散に近いシャープな粒径分布を有する。従って、本発明の導電性無電解めっき粉体によれば、間隔が微小である電極間の導通を確実に確保することができ、その信頼性も高くなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態の導電性無電解めっき粉体の断面の構造を示す模式図である。
【図2】体積固有抵抗値の測定装置を示す模式図である。
【符号の説明】
1 導電性無電解めっき粉体
2 芯材粉体
3 金の層
4 ニッケルの層
Claims (3)
- 導電性を有しない非金属材料からなる球状の芯材粉体の表面に無電解めっき層が形成されてなり、
前記無電解めっき層は、最上層に位置する金の層と該層に隣接するニッケル−リンの層とを含む多層構造であり、ニッケル−リンの層はその厚みが0.5〜50nmの薄層であると共に金の層はその厚みが20〜90nmであり、かつニッケル−リンの層の厚みの1〜110倍であり、またニッケル−リンの層及び金の層を含む多層構造の無電解めっき層はその総厚みが45〜100nmであり、
20℃/65%RHの条件下で測定された初期の体積固有抵抗値が0.01〜10mΩ・cmであり、
平均粒径が1〜10μmである導電性無電解めっき粉体。 - 前記導電性無電解めっき粉体の粒径の度数分布における変動係数が1〜10%である請求項1記載の導電性無電解めっき粉体。
- 請求項1記載の導電性無電解めっき粉体及び絶縁性接着剤を含む異方性導電接着剤組成物。
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