JP4395739B2 - Radiator, manufacturing method thereof, power module substrate and power module - Google Patents
Radiator, manufacturing method thereof, power module substrate and power module Download PDFInfo
- Publication number
- JP4395739B2 JP4395739B2 JP2004194164A JP2004194164A JP4395739B2 JP 4395739 B2 JP4395739 B2 JP 4395739B2 JP 2004194164 A JP2004194164 A JP 2004194164A JP 2004194164 A JP2004194164 A JP 2004194164A JP 4395739 B2 JP4395739 B2 JP 4395739B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiator
- thermal expansion
- heat
- hole
- low thermal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 58
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 11
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005429 filling process Methods 0.000 claims 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 17
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 7
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 4
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018594 Si-Cu Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910008465 Si—Cu Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020598 Co Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002519 Co-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017526 Cu-Cr-Zr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017810 Cu—Cr—Zr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017112 Fe—C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000677 High-carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Si 3 N 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/15—Ceramic or glass substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
この発明は、発熱体の熱を外部へ放散させる構成とされた放熱体およびその製造方法に係り、特に、大電流、大電圧を制御する半導体装置に用いられるパワーモジュールに好適な放熱体およびその製造方法並びにパワーモジュール用基板およびパワーモジュールに関するものである。 The present invention relates to a heat radiating body configured to dissipate heat of a heat generating body to the outside and a manufacturing method thereof, and more particularly to a heat radiating body suitable for a power module used in a semiconductor device that controls a large current and a large voltage, and The present invention relates to a manufacturing method, a power module substrate, and a power module.
この種の放熱体が用いられるパワーモジュールとしては、一般に、次のような構成が知られている。すなわち、絶縁基板の一方の表面側に発熱体としての半導体チップを備え、この絶縁基板の他方の表面側に放熱体を備え、半導体チップの熱を放熱体を介して外部へ放散させる構成である。このパワーモジュールの構成要素のうち、絶縁基板および半導体チップの熱膨張係数は、放熱体の熱膨張係数と比べて小さいため、発熱体によりこのパワーモジュールが温度サイクル下で使用された際に、絶縁基板の熱膨張係数と放熱体の熱膨張係数との差に起因して、これらの接合界面に剥離が発生する場合があった。 The following configuration is generally known as a power module in which this type of heat radiator is used. That is, a semiconductor chip as a heating element is provided on one surface side of the insulating substrate, a heat radiator is provided on the other surface side of the insulating substrate, and the heat of the semiconductor chip is dissipated outside through the heat radiator. . Among the components of this power module, the thermal expansion coefficient of the insulating substrate and the semiconductor chip is small compared to the thermal expansion coefficient of the heat radiating element. Therefore, when this power module is used under a temperature cycle by the heat generating element, it is insulated. Due to the difference between the thermal expansion coefficient of the substrate and the thermal expansion coefficient of the heat dissipating member, peeling may occur at these joint interfaces.
この問題を解決するための手段として、放熱体を、Cu,Cu合金,Al,Al合金等からなる高熱伝導体としての放熱体本体同士の間に、Ni−Co−Fe系合金等からなる低熱膨張体を配設した積層構造が知られている(例えば特許文献1参照)。この放熱体の製造方法としては、低熱膨張体の表面に貫通孔を穿設しておき、この低熱膨張体の表裏面に放熱体本体を載置し、この状態でこれらを加圧加熱して、放熱体本体を塑性変形させて低熱膨張体の貫通孔内に流入させ、これにより、前記積層構造とされた放熱体を製造する方法が知られている。
ところで、前記従来では、前記加圧加熱により、低熱膨張体の表裏面から放熱体本体を貫通孔内に流入させて放熱体を製造するため、製造された放熱体において、低熱膨張体の表裏面に各々配設された放熱体本体の厚さを略均一にすることが困難であるという問題があった。すなわち、低熱膨張体の表裏面にそれぞれ配設された放熱体本体の厚さをそれぞれの表面に沿った方向に対して均一にすることが困難であるとともに、それぞれの放熱体本体が前記貫通孔内へ流入する体積量を均一にすることが困難であるという問題があった。 By the way, in the prior art, in order to manufacture the radiator by flowing the radiator body into the through hole from the front and back surfaces of the low thermal expansion body by the pressure heating, in the manufactured radiator, the front and rear surfaces of the low thermal expansion body. There is a problem that it is difficult to make the thickness of the heat dissipating body main body substantially uniform. That is, it is difficult to make the thickness of the heat dissipating body main body respectively disposed on the front and back surfaces of the low thermal expansion body uniform in the direction along each surface, and each heat dissipating body main body is the through hole. There was a problem that it was difficult to make the volume flowing into the inside uniform.
したがって、この放熱体がパワーモジュールとして使用され温度サイクル下に置かれた際に、熱膨張により発生する変形応力が、それぞれの放熱体本体で異なることに起因して放熱体に反りが発生し易いという問題があった。この場合、放熱体と発熱体を有する絶縁基板側との接合界面に剥離が生じたり、また、放熱体の下面(絶縁基板側と反対側の表面)に冷却シンクが配設された構成では、放熱体と冷却シンクとの間に空隙が生じる場合があり、パワーモジュールに良好な放熱特性を具備させることが困難であるという問題があった。 Therefore, when this heat radiator is used as a power module and placed under a temperature cycle, the deformation stress generated by thermal expansion is different in each heat radiator body, and the heat radiator is likely to warp. There was a problem. In this case, peeling occurs at the bonding interface between the radiator and the insulating substrate having the heating element, and the cooling sink is disposed on the lower surface of the radiator (the surface opposite to the insulating substrate). There is a case where a gap is generated between the radiator and the cooling sink, and there is a problem that it is difficult to provide the power module with good heat dissipation characteristics.
この発明は、このような事情を考慮してなされたもので、温度サイクル下で使用されても反り発生を抑制することができるとともに、低熱膨張性および高熱伝導性を兼ね備えた放熱体およびその製造方法並びにパワーモジュール用基板およびパワーモジュールを提供することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of such circumstances, and is capable of suppressing the occurrence of warping even when used under a temperature cycle, and has a low thermal expansion property and high thermal conductivity, and its manufacture. It is an object to provide a method, a power module substrate, and a power module.
前記目的を達成するために、この発明は以下の手段を提案している。
請求項1に係る発明は、上下の放熱体本体の間に、該放熱体本体の熱膨張係数より低い熱膨張係数の低熱膨張体が配置された3層構造とされ、前記放熱体本体の表面側に設けられた発熱体の熱を、前記放熱体本体および低熱膨張体の積層方向に伝導させ放散させる構成とされた放熱体であって、前記低熱膨張体に穿設された貫通孔内に、前記放熱体本体より熱伝導率の高い孔埋め材が配設され、前記放熱体本体と、該放熱体本体に対向する前記低熱膨張材および前記孔埋め材とが全面にわたってろう付けされ接合されていることを特徴とし、前記放熱体本体としてはCr−Zr−Cu系合金若しくはNi−Si−Cu系合金が好ましく、前記低熱膨張体としてはFe−Ni系合金が好ましく、前記孔埋め材としては純Cuが好ましい。
In order to achieve the above object, the present invention proposes the following means.
The invention according to claim 1 is a three-layer structure in which a low thermal expansion body having a thermal expansion coefficient lower than that of the heat dissipation body is disposed between the upper and lower heat dissipation body, and the surface of the heat dissipation body. A heat dissipating body configured to conduct and dissipate heat of the heat generating element provided on the side in the stacking direction of the heat dissipating body and the low thermal expansion body, and in a through hole formed in the low thermal expansion body A hole filling material having a higher thermal conductivity than the heat dissipating body is disposed, and the heat dissipating body, and the low thermal expansion material and the hole filling material facing the heat dissipating body are brazed and joined over the entire surface. The heat radiator body is preferably a Cr-Zr-Cu alloy or Ni-Si-Cu alloy, the low thermal expansion body is preferably an Fe-Ni alloy, and the hole filling material is Is preferably pure Cu.
この発明に係る放熱体によれば、放熱体本体と、前記低熱膨張材および前記孔埋め材とがろう付けされ接合されているので、この放熱体が低熱膨張体を有する構成であるにもかかわらず、この放熱体の熱伝導率の低下を抑制することができる。したがって、低熱膨張性および高熱伝導性を兼ね備えた放熱体が得られる。
特に、放熱体本体,低熱膨張体,および孔埋め材を前述した材料により形成すると、低熱膨張性および高熱伝導性を確実に具備させることができるとともに、放熱体の高強度化を図ることができ、したがって、放熱体より熱膨張係数の小さい発熱体側と放熱体とが接合された構成において、これが温度サイクル下で使用されても、放熱体に反りが発生することを抑制することができる。
According to the heat dissipating body according to the present invention, since the heat dissipating body main body, the low thermal expansion material and the hole filling material are brazed and joined, the heat dissipating body has a low thermal expansion body. Therefore, the fall of the thermal conductivity of this heat radiator can be suppressed. Therefore, a radiator having both low thermal expansion and high thermal conductivity can be obtained.
In particular, if the heat dissipating body, the low thermal expansion body, and the hole filling material are formed of the above-described materials, it is possible to reliably provide low thermal expansion and high thermal conductivity and to increase the strength of the heat dissipating body. Therefore, in a configuration in which the heat generating body side having a smaller thermal expansion coefficient than the heat radiating body and the heat radiating body are joined, even when this is used under a temperature cycle, it is possible to prevent the heat radiating body from warping.
請求項2に係る発明は、請求項1記載の放熱体において、前記貫通孔は、前記低熱膨張体の表面のうち、前記発熱体と対応する領域における占有面積比が、該対応領域の周辺領域における占有面積比より小さくなるように形成されていることを特徴とする。 The invention according to claim 2 is the heat dissipating body according to claim 1, wherein the through-hole has an occupied area ratio in a region corresponding to the heating element on a surface of the low thermal expansion body, and a peripheral region of the corresponding region. It is characterized by being formed so as to be smaller than the occupied area ratio.
この発明に係る放熱体によれば、放熱体の前記対応領域における曲げ剛性の低下が最小限に抑制され、発熱体からの熱により前記対応領域に反りが発生することを抑制することができる。 According to the heat dissipating body according to the present invention, a decrease in bending rigidity in the corresponding region of the heat dissipating body can be suppressed to the minimum, and the occurrence of warpage in the corresponding region due to the heat from the heating element can be suppressed.
請求項3に係る発明は、請求項1または2に記載の放熱体において、前記貫通孔の開口端部は、当該開口端から貫通方向に向うに従い漸次縮径されるとともに、径方向内方に向って凸とされた凸曲面部とされていることを特徴とする。 The invention according to claim 3 is the heat radiator according to claim 1 or 2, wherein the opening end of the through hole is gradually reduced in diameter from the opening end toward the penetration direction, and radially inward. It is characterized by being a convex curved surface portion that is convex toward the surface.
この発明に係る放熱体によれば、前記凸曲面部が応力緩和部として作用することになり、放熱体が温度サイクル下に置かれた状態において、孔埋め材の放熱体本体との接合部に応力集中が発生することを抑制することができる。したがって、前記接合部に亀裂が発生することを抑制することができるので、放熱体の高熱伝導性を長期にわたって維持することができる。 According to the heat dissipating body according to the present invention, the convex curved surface portion acts as a stress relieving portion, and in a state where the heat dissipating member is placed under a temperature cycle, the hole filling material is joined to the heat dissipating member main body. It is possible to suppress the occurrence of stress concentration. Therefore, since it can suppress that a crack generate | occur | produces in the said junction part, the high thermal conductivity of a thermal radiation body can be maintained over a long term.
請求項4に係る発明は、上下の放熱体本体の間に、該放熱体本体の熱膨張係数より低い熱膨張係数の低熱膨張体が配置された3層構造とされ、前記放熱体本体の表面側に設けられた発熱体の熱を前記放熱体本体および低熱膨張体の積層方向に伝導させ放散させる構成とされた放熱体の製造方法であって、前記低熱膨張体に穿設された貫通孔に、前記放熱体本体より熱伝導率の高い孔埋め材を配設する孔埋め工程と、該孔埋め工程の後に、前記放熱体本体と、該放熱体本体に対向する前記低熱膨張体および前記孔埋め材を全面にわたりろう付けにより接合する接合工程とを有することを特徴とする。 The invention according to claim 4 is a three-layer structure in which a low thermal expansion body having a thermal expansion coefficient lower than that of the heat dissipation body is disposed between the upper and lower heat dissipation body, and the surface of the heat dissipation body. A method of manufacturing a heat radiating body configured to conduct and dissipate heat of a heat generating body provided on the side in the stacking direction of the heat radiating body main body and the low thermal expansion body, and a through hole formed in the low thermal expansion body A hole filling step of disposing a hole filling material having a higher thermal conductivity than the heat dissipating body, and after the hole filling step, the heat dissipating body, the low thermal expansion body facing the heat dissipating body, and the A bonding step of bonding the hole filling material over the entire surface by brazing.
この発明に係る放熱体の製造方法によれば、孔埋め工程と接合工程とを各別に有するので、低熱膨張体の表裏面に各々配設された放熱体本体の厚さを略均一にすることが可能になり、放熱体の使用に際し、この放熱体に反りが発生することを抑制することができる。 According to the method of manufacturing a radiator according to the present invention, since the hole filling step and the bonding step are separately provided, the thickness of the radiator body respectively disposed on the front and back surfaces of the low thermal expansion body is made substantially uniform. It is possible to suppress the occurrence of warping of the heat dissipator when the heat dissipator is used.
請求項5に係る発明は、請求項4記載の放熱体の製造方法において、前記孔埋め工程は、予め形成された前記貫通孔の空間体積より大きい体積の孔埋め材を前記貫通孔に圧入することを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a radiator according to the fourth aspect , in the hole filling step, a filling material having a volume larger than a space volume of the through hole formed in advance is press-fitted into the through hole. It is characterized by that.
この発明に係る放熱体の製造方法によれば、圧入により孔埋め材を貫通孔の内側の全域に行き渡らせることができる。 According to the method for manufacturing a heat radiator according to the present invention, the hole filling material can be spread all over the inside of the through hole by press-fitting.
請求項6に係る発明は、放熱体本体に、該放熱体本体の熱膨張係数より低い熱膨張係数の低熱膨張体が積層された放熱体と、発熱体を備えた絶縁基板とを備え、前記放熱体の一方の表面に前記絶縁基板が配設され、前記発熱体の熱を積層方向に伝導させ放散させる構成とされたパワーモジュール用基板であって、前記放熱体が請求項1から3のいずれかに記載の放熱体であることを特徴とする。 The invention according to claim 6 includes a heat radiating body in which a low thermal expansion body having a thermal expansion coefficient lower than the thermal expansion coefficient of the heat radiating body is laminated on the heat radiating body, and an insulating substrate including a heating element, 4. The power module substrate, wherein the insulating substrate is disposed on one surface of the heat dissipating body and configured to conduct and dissipate heat of the heat generating member in the stacking direction, wherein the heat dissipating member is of claim 1 to 3 . It is a heat radiator according to any one of the above.
請求項7に係る発明は、放熱体本体に、該放熱体本体の熱膨張係数より低い熱膨張係数の低熱膨張体が積層された放熱体と、発熱体を備えた絶縁基板と、内部に冷媒が循環する構成とされた冷却シンク部とを備え、前記放熱体の一方の表面に前記絶縁基板が配設されるとともに、他方の表面に前記冷却シンク部が配設され、前記発熱体の熱を前記放熱体の一方の表面から他方の表面に伝導させ放散させる構成とされたパワーモジュールであって、前記放熱体が請求項1から3のいずれかに記載の放熱体であることを特徴とする。 According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a heat radiating body in which a low thermal expansion coefficient having a thermal expansion coefficient lower than the thermal expansion coefficient of the heat radiating body is laminated on the heat radiating body, an insulating substrate including the heating element, and a refrigerant inside A cooling sink portion configured to circulate, and the insulating substrate is disposed on one surface of the heat dissipating body, and the cooling sink portion is disposed on the other surface of the heat dissipating body. A power module configured to conduct and dissipate from one surface of the radiator to the other surface, wherein the radiator is the radiator according to any one of claims 1 to 3. To do.
この発明に係る放熱体によれば、この放熱体が低熱膨張体を有する構成であるにもかかわらず、この放熱体の熱伝導率の低下を抑制することができ、低熱膨張性および高熱伝導性を兼ね備えた放熱体が得られる。
また、この発明に係る放熱体の製造方法によれば、孔埋め工程と接合工程とを各別に有するので、低熱膨張体の表裏面に各々配設された放熱体本体の厚さを略均一にすることが可能になり、放熱体の使用に際し、この放熱体に反りが発生することを抑制することができる。
According to the heat dissipating body according to the present invention, although the heat dissipating body has a configuration having a low thermal expansion body, it is possible to suppress a decrease in the thermal conductivity of the heat dissipating body, and to achieve low thermal expansion and high thermal conductivity. A heat radiator having both of the above is obtained.
In addition, according to the method for manufacturing a radiator according to the present invention, since the hole filling step and the joining step are separately provided, the thickness of the radiator body respectively disposed on the front and back surfaces of the low thermal expansion body is made substantially uniform. It is possible to suppress the occurrence of warpage of the heat radiating body when the heat radiating body is used.
以下、図面を参照し、この発明の実施の形態について説明する。図1はこの発明の一実施形態に係る放熱体を適用したパワーモジュールを示す全体図である。
このパワーモジュールは、大別すると図1に示すように、パワーモジュール用基板10と、冷却シンク部31とを備えている。
パワーモジュール用基板10は、例えばAlN,Al2O3,Si3N4,SiC等により形成された絶縁基板11と、この絶縁基板11の上面に配設された回路層12と、絶縁基板11の下面に配設された金属層13と、回路層12の上面に配設された半導体チップ(発熱体)30と、金属層13の下面に配設された放熱体16とを備えている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is an overall view showing a power module to which a radiator according to an embodiment of the present invention is applied.
This power module roughly includes a
The
回路層12および金属層13は、純Al,Al合金,純Cu,Cu合金等により形成され、はんだ付けまたはろう付け等により絶縁基板11の上下面に積層接合され、半導体チップ30は、はんだ14を介して回路層12の上面に接合されている。
そして、金属層13の下面にはんだ15により、あるいはろう付けや拡散接合等により放熱体16が接合され、さらに、この放熱体16に、取り付けねじ33により冷却シンク部31が取り付けられてパワーモジュールが構成されている。
The
And the
なお、冷却シンク部31の内部には、冷却液や冷却空気などの冷媒32を供給および回収する図示しない冷媒循環手段と連結された流通孔31aが形成されており、この流通孔31a内に供給された冷媒32により、半導体チップ30から放熱体16に伝導された熱を回収し、この熱を回収した冷媒32を前記冷媒循環手段が回収するとともに、新たな冷媒32を供給し、以上を繰返すことにより、半導体チップ30からの熱をパワーモジュールから放散させるようになっている。
In addition, a
放熱体16は、熱伝導率が150W/m・K以上、引張強度が500MPa以上とされた放熱体本体17と、この放熱体本体17の熱膨張係数より低い熱膨張係数の材質からなる低熱膨張体18とを備え、放熱体本体17同士の間に低熱膨張体18が配設され、これらはろう付けにより接合されている。
The
低熱膨張体18には、図2に示すように、平面視6角形状とされた貫通孔19が複数穿設され、これらの貫通孔19内に、放熱体本体17より熱伝導率の高い(200W/m・K以上)孔埋め材21が配設されている。そして、これらの孔埋め材21と放熱体本体17とは、ろう付けにより互いが接合した状態となっており、熱伝導率の比較的高い放熱体本体17および孔埋め材21が積層方向に連続した構成となっている。これにより、放熱体16が低熱膨張体18を有すると、それだけ放熱体16の熱伝導率が低下することになるが、この熱伝導率の低下を極力抑えることができるようになっている。
As shown in FIG. 2, a plurality of through
また、貫通孔19は、図2に示すように、低熱膨張体18の表面のうち、絶縁基板11と対応する領域Xにおける占有面積比が、この対応領域Xの周辺領域Yにおける占有面積比より小さくされている。具体的には、絶縁基板11,放熱体本体17などの材質や大きさなどにより決定されるが、本実施形態においては、前記対応領域Xには、低熱膨張体18の表面積の約30%以上50%以下を占有して貫通孔19が形成され、前記周辺領域Yには、低熱膨張体18の表面積の約40%以上70%以下を占有して貫通孔19が形成されている。
In addition, as shown in FIG. 2, the through
このように、低熱膨張体18の表面のうち、対応領域Xと周辺領域Yとで貫通孔19の占有面積比を異ならせることにより、対応領域Xにおける曲げ剛性の低下を抑制できるとともに、放熱体16全体の熱伝導率の低下を抑制することができるようになっている。
なお、貫通孔19を平面視6角形状とすることにより、低熱膨張体18の表面上で、各貫通孔19同士の間隔を略一定とすることを容易に実現することができ、前記各領域X,Yごとで、低熱膨張体18の表面に沿った方向において、熱伝導率の均一化を実現できるようになっている。
また、貫通孔19の開口端部は、図3に示すように、この開口端から貫通方向に向うに従い漸次縮径されるとともに、径方向内方に向って凸とされた凸曲面部19aとされ、この凹曲面部19aの表面を含めた貫通孔19の内側の略全域にわたって孔埋め材19が配設された構成となっている。
As described above, by changing the occupation area ratio of the through-
In addition, by making the through-
Further, as shown in FIG. 3, the opening end portion of the through
なお、本実施形態においては、放熱体本体17はCr−Zr−Cu系合金若しくはNi−Si−Cu系合金により形成されている。放熱体本体17をこれらの合金材料により形成することによって、純Al等の純金属を採用した場合と比べて、高強度化を図ることが可能になり、放熱体16使用時における温度サイクルによってクリープ変形することを抑制することができる。
また、低熱膨張体18はFe−Ni系合金により形成され、孔埋め材21は純Cuにより形成されている。低熱膨張体18のFe−Ni系合金としては特にインバー合金(熱膨張係数が約2.0×10−6/℃以下)が好ましい。このインバー合金は、室温付近でほとんど熱膨張が生じない合金であって、Feが64.6mol%で、Niが35.4mol%の組成率となっている。ただし、Fe中には、それ以外の不可避不純物が含まれたものもインバー合金と呼ばれている。
さらに、放熱体本体17と、低熱膨張体18および孔埋め材21とを接合するろう材として、本実施形態では、JIS Z 3261に規定されるAg−Cu系のろう材を採用した。
In the present embodiment, the
The low
Furthermore, as the brazing material for joining the
このように、放熱体16が低熱膨張体18を有することにより、放熱体16全体の熱膨張係数は放熱体本体17の熱膨張係数より低くなり、放熱体16の熱膨張係数と絶縁基板11の熱膨張係数との差が可及的に近づくことになる。
As described above, since the
低熱膨張体18の厚さAは、放熱体本体17の厚さBの0.3倍以上1.3倍以下とされている。これは、放熱体16自体に低熱膨張体18を設けると、それだけ熱伝導率が低下するため、この熱伝導率の低下を極力抑えるためであるとともに、この熱伝導率の低下を抑えるために、いたずらに低熱膨張体18の厚さAを薄くすると、放熱体16自体の熱膨張係数に寄与する低熱膨張体18の影響が小さくなり、放熱体16の熱膨張係数が放熱体本体17の熱膨張係数と略同一となることを回避するためである。
すなわち、低熱膨張体18の厚さAを放熱体本体の厚さBの0.3倍以上1.3倍以下とすることにより、放熱体16の熱膨張係数の低下,すなわち放熱体16の反り発生抑制と、放熱体16の熱伝導率の低下抑制との双方を図ることができる。
The thickness A of the low
That is, by making the thickness A of the low
次に、以上のように構成された放熱体16の製造方法について説明する。
まず、低熱膨張体18のうち、対応領域Xと周辺領域Yとで占有面積比を異ならせて貫通孔19を複数穿設するとともに、これらの各貫通孔19の空間体積より大きい体積の孔埋め材19を純Cuにより形成する。この孔埋め材21としては、例えば図4に示すようないわゆるリベット形状がある。
Next, the manufacturing method of the
First, in the low
この孔埋め材21を貫通孔19に嵌合した状態で、低熱膨張体18の厚さ方向に加圧することにより、孔埋め材21を貫通孔19内に圧入し、これにより、貫通孔19の内部に孔埋め材21が配設される。この際、孔埋め材21は、貫通孔19の空間体積より大きい体積で形成されているので、この孔埋め材21の過大体積分は、貫通孔19の径方向外方へ流動し、貫通孔19の内周面と密に接するとともに、貫通孔19の凸曲面部19aの表面上にも流動し、これにより、凹曲面部19aの表面を含めた貫通孔19の内側の全域にわたって孔埋め材21が行き渡ることになる。
In a state where the
その後、この低熱膨張体18の表裏面の略全面に図示しないろう材または箔を載置し、さらに、このろう材または箔の表面に放熱体本体17を載置した後に、加熱状態でこれらを積層方向に加圧することにより、ろう付けにより放熱体本体17と、低熱膨張体18および孔埋め材21とを接合し、放熱体16を形成する。
Thereafter, a brazing material or foil (not shown) is placed on substantially the entire front and back surfaces of the low
以上の製造方法における具体的な実施例を説明する。
72Ag−28Cuからなる厚さ約50μmのろう材と、Cu−Cr−Zr系合金からなる厚さ約1.0mm,幅約80mm,長さ約200mmの放熱体本体17と、Fe−36Ni系合金からなる厚さ約1.0mm,幅約80mm,長さ約200mmの低熱膨張体18とを採用した。そして、低熱膨張体18の表面に最外径約5.8mmの貫通孔19を、互いが約5.8mmのピッチ間隔を有するように複数形成し、この貫通孔19内に前述のように孔埋め材21を配設する。
Specific examples of the above manufacturing method will be described.
A brazing material made of 72Ag-28Cu with a thickness of about 50 μm, a
その後、この低熱膨張体18と、ろう材と、放熱体本体17とを前述のように積層した状態で、0.1MPa以上の圧力で積層方向に加圧し、この状態で、これらを減圧還元性雰囲気(H2、0.2〜0.4Torr)とされた接合炉内に置く。そして、接合炉内の温度を20℃/分で約760℃まで昇温させた後に、この温度を約60分間保持し、これにより、ろう材,放熱体本体17,低熱膨張体18,および孔埋め材21の温度を均一にする。その後、さらに、20℃/分で約830℃まで昇温させ、この温度を約20分間保持し、これにより、ろう材を溶融させる。
Thereafter, the low
そして、接合炉内から減圧還元性雰囲気を排出するとともに、真空雰囲気を吸入し、炉内温度を約200℃まで除冷した後に、さらに、真空雰囲気を排出するとともに、N2ガスを吸入し、室温まで急冷する。
以上により、放熱体本体17と、低熱膨張体18および孔埋め材21とが接合され、放熱体16が得られる。
Then, the vacuum reducing atmosphere is discharged from the inside of the joining furnace, the vacuum atmosphere is sucked, the furnace temperature is cooled to about 200 ° C., the vacuum atmosphere is further discharged, and N 2 gas is sucked. Quench rapidly to room temperature.
As described above, the
以上説明したように、本実施形態による放熱体16によれば、放熱体本体17と、低熱膨張材18および孔埋め材21とがろう付けされ接合されているので、この放熱体16が低熱膨張体18を有する構成であるにもかかわらず、この放熱体16の熱伝導率の低下を抑制することができる。したがって、低熱膨張性および高熱伝導性を兼ね備えた放熱体16が得られる。
As described above, according to the
特に、放熱体本体17がCr−Zr−Cu系合金若しくはNi−Si−Cu系合金により形成され、低熱膨張体18がFe−Ni系合金により形成され、孔埋め材21が純Cuにより形成されているので、放熱体16に低熱膨張性および高熱伝導性を確実に具備させることができるとともに、高強度化を図ることができ、したがって、放熱体16より熱膨張係数の小さい絶縁基板11側と放熱体16とが接合された構成において、これが温度サイクル下で使用されても、放熱体16に反りが発生することを抑制することができる。
In particular, the
また、貫通孔19は、低熱膨張体18の表面のうち、前記対応領域Xにおける占有面積比より前記周辺領域Yにおける占有面積比の方が大きくされているので、放熱体16の前記対応領域Xにおける曲げ剛性の低下が最小限に抑制され、半導体チップ30からの熱により前記対応領域Xに反りが発生することを抑制することができる。
Further, since the through-
さらに、貫通孔19の開口部が凸曲面部19aとされているので、放熱体16が温度サイクル下に置かれた際に、孔埋め材21の放熱体本体17との接合部に発生する応力集中が緩和されることになる。したがって、前記接合部に亀裂が発生することを抑制することができるので、放熱体16の高熱伝導性を長期にわたって維持することができる。
Furthermore, since the opening portion of the through
また、本実施形態による放熱体16の製造方法によれば、前述した孔埋め工程と接合工程とを各別に有するので、低熱膨張体18の表裏面に各々配設された放熱体本体17の厚さAを略均一にすることが可能になり、放熱体16の使用に際し、この放熱体16に反りが発生することを抑制することができる。さらに、前記孔埋め工程は、予め形成された貫通孔19の空間体積より大きい体積の孔埋め材21を貫通孔19に圧入するので、圧入により孔埋め材21を貫通孔19の内部の略全域に行き渡らせることができる。
Moreover, according to the manufacturing method of the
なお、前述の実施形態では、放熱体本体17に積層された低熱膨張体18として、Fe―Ni系合金を用いた例を示したが、他の低熱膨張体、例えば高炭素鋼(Fe−C)、42合金、モリブデン(Mo)、タングステン(W)等で構成しても、同様の作用効果が得られる。
In the above-described embodiment, an example in which an Fe—Ni-based alloy is used as the low
さらに、放熱体16に冷却シンク部31を配設した構成を示したが、この構成に限らず、コルゲートフィンを設けた構成としてもよい。すなわち、放熱体16表面にろう材を介して接合された接合部と、接合部の一端に設けられ接合部と直交して立上がる立上がり部と、立上がり部の上端に設けられ接合部に平行且つ離間する方向に延びる平坦部と、平坦部の一端に設けられ平坦部に直交且つ放熱体16に向かって折返る折返し部とを備えた突出部を、放熱体16の沿面方向に沿って繰返し連続して設けた構成としてもよい。なお、この構成においては、立上がり部と平坦部と折返し部と放熱体16表面とが空間を形成することになる。
Furthermore, although the structure which has arrange | positioned the
また、前記実施形態においては、放熱体16を半導体装置のパワーモジュールに適用したが、これに限定することなく、それ以外の発熱体や熱源に取り付けて使用しても良い。さらに、リベット形状の孔埋め材21を圧入により貫通孔19内に配設したが、粉末材料を貫通孔19内に充填し、その後、この粉末材料を加圧加熱して焼結させるようにしてもよい。また、低熱膨張体18の貫通孔19の形状は、図2に示す6角形状に限らず、例えば円形状であってもよい。
Moreover, in the said embodiment, although the
低熱膨張性および高熱伝導性を兼ね備えた放熱体を提供し、放熱体が温度サイクル下で使用されてもこの放熱体に反りが発生することを抑制する。 A heat radiator having both low thermal expansibility and high thermal conductivity is provided, and even when the heat radiator is used under a temperature cycle, warpage of the heat radiator is suppressed.
10 パワーモジュール用基板
11 絶縁基板
16 放熱体
17 放熱体本体
18 低熱膨張体
19 貫通孔
19a 凸曲面部
21 孔埋め材
30 半導体チップ(発熱体)
X 対応領域
Y 周辺領域
DESCRIPTION OF
X corresponding area Y peripheral area
Claims (7)
前記低熱膨張体に穿設された貫通孔内に、前記放熱体本体より熱伝導率の高い孔埋め材が配設され、
前記放熱体本体と、該放熱体本体に対向する前記低熱膨張材および前記孔埋め材とが全面にわたってろう付けされ接合されていることを特徴とする放熱体。 A three-layer structure in which a low thermal expansion coefficient having a thermal expansion coefficient lower than the thermal expansion coefficient of the radiator body is arranged between the upper and lower radiator bodies, and the heating element provided on the surface side of the radiator body A heat radiator configured to conduct and dissipate heat in the stacking direction of the heat radiator body and the low thermal expansion body ,
In the through-hole drilled in the low thermal expansion body, a hole filling material having a higher thermal conductivity than the radiator body is disposed,
A heat radiator, wherein the heat radiator body, the low thermal expansion material and the hole filling material facing the heat radiator body are brazed and joined over the entire surface .
前記貫通孔は、前記低熱膨張体の表面のうち、前記発熱体と対応する領域における占有面積比が、該対応領域の周辺領域における占有面積比より小さくなるように形成されていることを特徴とする放熱体。 The heat radiator according to claim 1,
The through hole is formed such that, in the surface of the low thermal expansion body, an occupied area ratio in a region corresponding to the heating element is smaller than an occupied area ratio in a peripheral region of the corresponding region. Heatsink.
前記貫通孔の開口端部は、当該開口端から貫通方向に向うに従い漸次縮径されるとともに、径方向内方に向って凸とされた凸曲面部とされていることを特徴とする放熱体。 In the heat radiator according to claim 1 or 2,
The opening end portion of the through hole is a convex curved surface portion that is gradually reduced in diameter as it goes from the opening end toward the penetrating direction and that protrudes radially inward. .
前記低熱膨張体に穿設された貫通孔に、前記放熱体本体より熱伝導率の高い孔埋め材を配設する孔埋め工程と、
該孔埋め工程の後に、前記放熱体本体と、該放熱体本体に対向する前記低熱膨張体および前記孔埋め材を全面にわたりろう付けにより接合する接合工程とを有することを特徴とする放熱体の製造方法。 A three-layer structure in which a low thermal expansion coefficient having a thermal expansion coefficient lower than the thermal expansion coefficient of the radiator body is arranged between the upper and lower radiator bodies, and the heating element provided on the surface side of the radiator body A method of manufacturing a radiator that is configured to conduct and dissipate heat in the stacking direction of the radiator body and the low thermal expansion body ,
A hole filling step of disposing a hole filling material having a higher thermal conductivity than the heat dissipating body in the through hole formed in the low thermal expansion body;
After the hole-filling step, the heat-radiating member main body, and a joining step of joining the low thermal expansion body and the hole-filling material facing the heat-dissipating body main body by brazing over the entire surface . Production method.
前記孔埋め工程は、予め形成された前記貫通孔の空間体積より大きい体積の孔埋め材を前記貫通孔に圧入することを特徴とする放熱体の製造方法。 In the manufacturing method of the heat radiator of Claim 4,
The said hole-filling process press-fits the hole-filling material of the volume larger than the space volume of the said through-hole previously formed in the said through-hole, The manufacturing method of the heat radiator characterized by the above-mentioned.
前記放熱体の一方の表面に前記絶縁基板が配設され、前記発熱体の熱を積層方向に伝導させ放散させる構成とされたパワーモジュール用基板であって、
前記放熱体が請求項1から3のいずれかに記載の放熱体であることを特徴とするパワーモジュール用基板。 The radiator body includes a radiator in which a low thermal expansion coefficient having a thermal expansion coefficient lower than the thermal expansion coefficient of the radiator body is laminated, and an insulating substrate including the heating element.
The insulating substrate is disposed on one surface of the heat dissipating body, and the power module substrate is configured to conduct and dissipate heat of the heating element in the stacking direction,
A power module substrate, wherein the heat dissipating member is a heat radiator according to any one of claims 1 to 3.
前記放熱体の一方の表面に前記絶縁基板が配設されるとともに、他方の表面に前記冷却シンク部が配設され、
前記発熱体の熱を前記放熱体の一方の表面から他方の表面に伝導させ放散させる構成とされたパワーモジュールであって、
前記放熱体が請求項1から3のいずれかに記載の放熱体であることを特徴とするパワーモジュール。 Cooling structure in which a heat radiating body is laminated with a low thermal expansion body having a thermal expansion coefficient lower than that of the heat radiating body, an insulating substrate provided with the heat generating body, and a cooling medium configured to circulate inside. With a sink part,
The insulating substrate is disposed on one surface of the radiator, and the cooling sink portion is disposed on the other surface.
A power module configured to conduct and dissipate heat of the heat generating body from one surface of the heat radiating body to the other surface,
A power module, wherein the radiator is the radiator according to any one of claims 1 to 3 .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004194164A JP4395739B2 (en) | 2004-06-30 | 2004-06-30 | Radiator, manufacturing method thereof, power module substrate and power module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004194164A JP4395739B2 (en) | 2004-06-30 | 2004-06-30 | Radiator, manufacturing method thereof, power module substrate and power module |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006019410A JP2006019410A (en) | 2006-01-19 |
JP4395739B2 true JP4395739B2 (en) | 2010-01-13 |
Family
ID=35793413
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004194164A Expired - Lifetime JP4395739B2 (en) | 2004-06-30 | 2004-06-30 | Radiator, manufacturing method thereof, power module substrate and power module |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4395739B2 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5962147B2 (en) * | 2012-03-30 | 2016-08-03 | 三菱マテリアル株式会社 | Power module substrate with heat sink, power module substrate with cooler, and power module |
JP6044097B2 (en) * | 2012-03-30 | 2016-12-14 | 三菱マテリアル株式会社 | Power module substrate with heat sink, power module substrate with cooler, and power module |
CN117545321A (en) * | 2023-11-28 | 2024-02-09 | 惠科股份有限公司 | Display panel and display device |
-
2004
- 2004-06-30 JP JP2004194164A patent/JP4395739B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006019410A (en) | 2006-01-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3862737B1 (en) | Cladding material and manufacturing method thereof, cladding material molding method, and heat dissipation substrate using cladding material | |
JP6199397B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP5125241B2 (en) | Power module substrate manufacturing method | |
JP5829403B2 (en) | Insulating substrate for heat dissipation and manufacturing method thereof | |
JP5151080B2 (en) | Insulating substrate, method for manufacturing insulating substrate, power module substrate and power module | |
JP2004241765A (en) | Composite material and manufacturing method therefor | |
JP2008235852A (en) | Ceramic substrate and semiconductor module using the same | |
JP5520815B2 (en) | Insulating substrate and base for power module | |
JP2004153075A (en) | Substrate for power module and power module | |
JP2002064169A (en) | Heat radiating structure | |
JP4395739B2 (en) | Radiator, manufacturing method thereof, power module substrate and power module | |
JP4605009B2 (en) | Power module manufacturing method | |
JP2008124187A6 (en) | Power module base | |
JP2008124187A (en) | Base for power module | |
JP4457905B2 (en) | Insulated circuit board for power module and power module | |
JP3938079B2 (en) | Power module substrate manufacturing method | |
JP4345686B2 (en) | Insulated circuit board and power module | |
JP2009158715A (en) | Heat dissipator and power module | |
JP2005328087A (en) | Power module substrate | |
JP3912255B2 (en) | Power module substrate and power module | |
JP3960192B2 (en) | Radiator | |
JP2004296493A (en) | Heat sink, method of manufacturing the same, power module, and method of manufacturing the same | |
JP4457921B2 (en) | Insulated circuit board for power module and power module | |
JP3933031B2 (en) | Radiator | |
JP3975910B2 (en) | Radiator |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070330 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090624 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090630 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090831 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090924 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091007 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121030 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4395739 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131030 Year of fee payment: 4 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |