JP4380957B2 - 集積光スイッチングデバイスおよび光をスイッチングする方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、非線形光媒体を使用する光デバイスに関する。
【0002】
【従来の技術】
光データ伝送および光レーザキャビティにおいて使用される光導波路において、光は、1つの空間的方向に伝播する。これらの導波路は、光をダイレクト(direct)するために、比較的より高いおよびより低い屈折率を有する2つの媒体間の界面における全内部反射(total internal reflection)を使用する。全内部反射は、より高い屈折率を有する媒体中に光を伝播させる。
【0003】
周期的誘電体構造が、光伝播をダイレクトするために使用され得る。周期的誘電体構造において、光伝播は、クリスタル中の電子伝播に似ている。光の波長が、格子(lattice)の寸法のオーダーである場合、フォトニックバンドギャップ(PBG)ができる。PBGは、光子が、周期的誘電体構造をとって伝播することができない波長範囲である。入射光の波長が、PBG中にある場合、入射光は、その構造を通って伝達するのではなく、周期的誘電体構造で反射される(reflected off)。その格子長が、近赤外(near infrared)または可視光の波長のオーダである周期誘電体構造は、しばしばPBG構造と呼ばれる。PBGにおける波長を有する光は、PBG構造中の狭いチャネルを伝播することができる。
【0004】
光キャビティを形成するためにPBG構造を使用する提案が存在する。O. Painter等による論文“Two-Dimensional Photonic Band-Gap Defect Mode Laser”、1999年6月11日発行のサイエンス(p.18以下)は、二次元(2D)の2D PBG構造におけるレーザキャビティの形成を示す。レーザキャビティは、III−V族結晶体半導体において製造され、レーザキャビティを形成するために、2D PBG構造中のチャネルおよび欠陥(defect)を使用する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
したがって本発明の目的は、非線形光媒体を使用する改良された光デバイスを提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明の一側面は、一次元(1D)光導波路をその中に有するプレーナ導波路(planar waveguide)を含む集積光スイッチ(integrated optical switch)に関する。1D導波路は、フィルタを形成する特定相互作用領域(specific interaction region)を有する。フィルタは、少なくとも一部において、非線形光媒体からなり、外部から導入される制御光により制御可能である。制御光の強度を変化させることで、フィルタが第1状態と第2状態との間で変化するように、非線形媒体の屈折率を変化させることにより光スイッチングを生じる。フィルタは、第1の状態において、1D導波路中を伝播する光を透過させ、第2の状態において1D導波路中を伝播する光を反射する。
【0007】
いくつかの実施形態において、1D導波路は、PBG構造およびその中のチャネルから形成される。PBG構造は、その中で選択された波長範囲の光が伝播する1D導波路としてチャネルを機能させる。チャネルは、非線形光媒体から形成され、欠陥を有する孔(holes)の周期的配列から形成された共振キャビティを含む。キャビティ中の媒体の屈折率を変化させ、そして、キャビティの共振周波数を変化させる制御光ビームを与えることから、スイッチングが生じる。
【0008】
例示的なスイッチは、III−V族半導体、例えばガリウム(Ga)、砒素(As)、インジウム(In)、およびリン(P)のグループからの元素を含む半導体におけるPBG構造およびこれらの半導体中にキャリア密度を生じる制御光の波長を使用する。キャリア密度の存在は、媒体の屈折率およびその中の光キャビティの共振周波数を大きく変化させる。これらの例示的なスイッチは、約0.9ないし1.65μmの波長の光をスイッチすることができる。
【0009】
【発明の実施の形態】
図1Aおよび1Bは、集積型1×1光スイッチを形成するプレーナ構造8のそれぞれ上面図および側面図を示す。プレーナ構造8において、伝播光は、上側および下側の外側層6での全内部反射(total internal reflection)により中心層に閉じこめられる。プレーナ構造8は、非線形光媒体、例えば、Ga,As,InおよびPからなるグループからの元素を含む半導体または別のIII−V族半導体からなる1D光チャネル12を含む。チャネル12および境界(boundaries)13は、光入力14から光出力16へ光を導く1D光導波路を形成する。
【0010】
チャネル12は、選択された波長範囲にあるチャネル光を透過させ、他の波長範囲にあるチャネル光を反射させる光フィルタ18を含む。フィルタ18の波長選択性は、制御アクセスウィンドウ19を通してフィルタ18に導入される制御光により制御可能である。制御アクセスウィンドウ19は、プレーナ構造8の上表面上にある。チャネル12は、光スイッチとしてのフィルタ18中の制御光の強度の変化に応答する。
【0011】
1D光導波路は、チャネル12中の伝播媒体、およびチャネル12の媒体中を伝播するように光を横方向に閉じこめる境界13を含む。一実施形態において、チャネル12は、III−V族半導体で形成され、横方向境界13は、1つ以上の誘電体層で形成される。誘電体層は、チャネル12の半導体よりも低い屈折率を有する。これにより、横方向層は、全内部反射により、チャネル12に沿って伝播するように光を閉じこめる。いくつかの実施形態において、チャネル12は、入力14からの距離で変化する横方向幅を有する。
【0012】
図1Cは、図1A−1Bの構造8の一実施形態を示し、チャネル12は、III−V族半導体媒体であり、横方向境界13は、同じ半導体媒体中に配置された同一散乱オブジェクト20の周期的アレイである。境界13は、チャネル12によりインターラプトされたPBG構造を形成し、即ち、チャネル12にはオブジェクト20がない。オブジェクト20は、半導体媒体と異なる屈折率を有する。例示的なオブジェクト20は、プレーナ構造8を横切る円筒孔を含み、プレーナ構造8中の含有物を含む。
【0013】
PBG構造は、オブジェクト20のアレイからのコヒーレント回折(diffraction)によりチャネル12中を伝播するように光を横方向に閉じこめる。また、PBG構造は、チャネル12中の光伝播を、選択された波長範囲に制限する。他の波長範囲中の光は、チャネル12中に入るのではなく、プレーナ構造8の側面で反射する。
【0014】
図1A−1Cにおいて、フィルタ18は、規則的に間隔をおかれた同一のオブジェクト24のアレイおよびアレイ中の欠陥26を含む。オブジェクト24は、周りの媒体の屈折率と異なる屈折率を有し、これにより、チャネル12中を伝播する光を散乱させる。例示的なオブジェクト24は、プレーナ構造8を横切る含有物または孔を含む。例示的な欠陥26は、チャネル12中の2個のシーケンシャルに隣接するオブジェクト24間の間隔が、フィルタ18の他のシーケンシャルに隣接するオブジェクト24間の間隔より大きいまたは小さいことである。別の例示的な欠陥26は、1つのオブジェクト24が、フィルタ18の他のオブジェクト24よりも大きいまたは小さいことである。
【0015】
欠陥26は、オブジェクト24のアレイを、チャネル12中でシーケンシャルに隣接する2個のより小さいアレイ22,23に分離する。アレイ22,23間の例示的な分離は、チャネル12中を伝播する光の波長の約1/4から2倍である。欠陥26およびより小さいアレイ22,23は共に、チャネル12中の光伝播のための共振光キャビティのように機能する。より小さいアレイ22,23は、共振キャビティのための分布型反射器(distributed reflectors)である。共振キャビティは、狭い範囲の光の波長が伝達することを許容し、これにより、バンドパスフィルタ18として機能する。
【0016】
図1Dは、図1A−1Cに示されたフィルタ18のスペクトル反射率(または透過率)がどのように、フィルタ18中に導入される制御光強度に依存するかを示す。反射率は、フィルタ18が、その屈折率がその中の光強度に依存する非線形光媒体中に形成されるので、制御光強度に依存する。
【0017】
図1Dは、フィルタ18のパスバンドに対して、制御光強度AおよびBは、それぞれ中心波長λおよびλ’を生成する。強度Aの制御光は、フィルタ18を、チャネル12中を伝播する波長を透過させる状態にする。強度Bの制御光は、元の波長λの光が、フィルタのパスバンドの外になるように、フィルタの中心波長をシフトする。これにより、強度Bの制御光は、フィルタ18を、チャネル12中を伝播する光を反射する状態にする。
【0018】
フィルタ18の中心波長に対するシフトのサイズ、即ち、|λ−λ’|は、非線形光媒体、制御光の波長、および制御光に対する強度変化に依存する。半導体媒体に対して、バンドギャップを超えるエネルギに対応する波長は電子および正孔キャリア密度を生じ、これにより、そのような媒体中に構成されたフィルタの屈折率および中心波長に比較的大きなシフトを生じる。
【0019】
それにも関わらず、光応答性III−V族半導体に対しても、制御光の強度の緩やかな変化は、屈折率に対して約1%のみのシフトを生じ、そのような媒体中に構成されたフィルタの中心波長に対して同等のシフトを生じる。屈折率の1%のシフトに対して、反射率は、フィルタ18のシフトされたパスバンドおよびシフトされていないパスバンドが大幅にオーバラップしない場合、約100以上のQを必要とする。ここで、Qは、反射率曲線の半値幅の逆数である。
【0020】
Ga,As,InおよびPからなる半導体媒体において1%の屈折率シフトを生じさせるために、制御光は、そのエネルギが、Ga,As,InおよびPによる半導体の電子的バンドギャップの波長に近い波長を有するように選ばれる。例えば、そのエネルギは、電子的バンドギャップのエネルギ+約0.1および0.5エレクトロンボルト(eV)に等しい。この波長の選択は、薄いチャネル12、即ちその厚さが約0.3ないし1.5ミクロンのチャネルの内部における制御光のほとんどの吸収を可能にする。そのようなチャネルは、約1.55ミクロンの波長、即ち電子的バンドギャップより僅かに低いエネルギに対応する波長をスイッチする構造8における使用に適合されている。
【0021】
光スイッチを生成するための図1A−1Cのフィルタ18に対して、制御光により生じさせられる屈折率の変化は、チャネル12中の光伝播の反射状態および透過状態間で、フィルタ18をスイッチすることになる。約1%の利用可能な中心波長シフトに対して、フィルタ18に対するそのような状態変化は、通常、フィルタ18が高いQを有することを必要とする。フィルタ18は、アレイ22,23の両方が、チャネル12に沿ってシリアルに間隔をおかれた3−5またはそれ以上のオブジェクト24を有する場合、およびアレイ22,23中のシリアルに隣接するオブジェクト間の間隔が、フィルタの中心波長の約1/4ないし2倍である場合、高いQを有し得る。
【0022】
図1Eは、図1A−1Cの集積光スイッチの動作方法30を示すフローチャートである。最初の時点において、スイッチのチャネル12を通る光透過をブロックするためのリクエストが、スイッチコントローラにより受信される(ステップ32)。このリクエストに応答して、コントローラは、フィルタ18中の制御光強度を調節し、フィルタ18にチャネル12中を伝播する光を反射させる(ステップ34)。制御光は、プレーナ構造8の透明な制御アクセスウィンドウ19を通してフィルタ18に導入される。
【0023】
制御光強度に応答して、フィルタ18が、上述した反射状態になるように、フィルタのスペクトル応答がシフトする。同じ制御光強度を維持する間に、入力光信号が、チャネル12の光入力14において受信される(ステップ36)。制御光に応答して、フィルタ18は、入力光信号を入力14に向かって反射して戻す(ステップ38)。後の時点において、チャネル12を通る光伝達を透過させるための新しいリクエストが、コントローラにより受信される(ステップ40)。
【0024】
新しいリクエストに応答して、コントローラは、チャネル12中を伝播する光をフィルタ18に透過させる新しい値に、制御光強度を再調節する(ステップ42)。制御光の強度を維持している間に、入力光信号が、チャネル12の光入力14において受信される(ステップ44)。新しい制御光強度に応答して、チャネル12は、フィルタ18を通してチャネル12の出力16へ入力光信号を伝達させる(ステップ46)。
【0025】
図1A−1Cの光的に制御可能なフィルタ18およびチャネル12は、より複雑な光スイッチを形成するために使用され得る。
【0026】
図2は、単一の入力光チャネル52および一対の出力光チャネル54,56を含む1×2光スイッチ50を示す。例示的なチャネル52,54,56は、図示しない2D PBG構造中にある。2D PBG構造は、それ自体、図1A−1Cの構造8に似たプレーナ構造58中に配置される。PBG構造は、その屈折率が、プレーナ構造の非線形光媒体の屈折率と異なる同一のオブジェクトの2D周期的アレイを含む。例えば、複数のオブジェクトは、プレーナ構造58を通しての複数の孔であり得る。
【0027】
チャネル52,54,56は、PBG構造の2Dアレイをインターラプトする。PBG構造は、入力51において受信される光をコヒーレントに回折し、これにより、入力光の波長の範囲を、チャネル52,54,56に沿って伝播させる。光は、入力チャネル52を伝播し、その後、出力チャネル54および56に沿って伝播するように振幅分割する。プレーナ構造58は、全内部反射により、構造の面に垂直な方向に光伝播を制限する。
【0028】
1×2スイッチは、出力チャネル54,56の両方の特定の領域中に、オブジェクトのアレイ64,66を含む。アレイ64,66は、図1A−1Cに示されたオブジェクトのアレイ24に似た共振光キャビティとして機能する。アレイ64,66は、チャネル54および56に関連する光伝播に対する光的に制御可能な透過性を有する光フィルタとして機能する。アレイ64,66は、プレーナ構造58の上表面中の透明な制御アクセスウィンドウ67,68によりアレイ64,66に導入される制御光ビームの強度により独立に制御される。制御光ビームの強度は、アレイ64,66を透過状態および反射状態の間でスイッチし、入力光を出力チャネル54,56に選択的にスイッチする。
【0029】
特に、媒体のバンドギャップより僅かに長い(例えば、Ga,As,InおよびPで形成されたいくつかの結晶半導体に対して1.2−1.3μm)における選択された制御光強度をウィンドウ67に導入することは、アレイ64中の屈折率を変化させる。新しい屈折率は、アレイ64を、入力チャネル52から受信された光をチャネル52,56に反射させ、チャネル54に光が伝播することを停止させる。いくつかの実施形態は、1つ以上の光散乱オブジェクト59、例えば孔を、チャネル54と56との間の交差点近くに配置し、出力チャネル56において終了する反射光のパーセンテージを増大させる。
【0030】
制御光は、ウィンドウ68に導入され、入力チャネル52から受信される光に対して、アレイ66を反射性にさせることができる。そして、光は、チャネル56中を伝播するのではなく、アレイ66によりチャネル52,54に反射される。
【0031】
図3は、1×N光スイッチとして機能するプレーナ構造70の上面図である。構造70は、1つの入力光チャネル72およびN個の出力光チャネル741−74Nを含む。各出力光チャネル741−74Nは、独立の制御光ビームにより制御可能でありかつ図1A−1Cのフィルタ18に類似するフィルタ761−76Nを含む。個々の制御光ビームの強度は、関連するフィルタ761−76Nが、関連するチャネル741−74N中の光に対して透過性または反射性であるかを決定し、これにより、スイッチを通る入力チャネル72からの光信号のルーティングを制御する。
【0032】
例示的なスイッチは、埋込型2D PBG構造を備えたプレーナ構造70である。プレーナ導波路を横切るPBG構造の光散乱オブジェクト、例えば孔は、チャネル741−74Nにはない。
【0033】
各フィルタ761−76Nは、図1A−1Cのフィルタ18において使用されるアレイに似たオブジェクトのアレイから形成され得る。したがって、個々のフィルタ761−76Nに関連する制御光ビームの存在および/または不存在は、出力チャネル741−74Nを通る入力光の伝播を制御することになる。例えば、全ての制御光ビームが「オフ」であるとき、各チャネルのフィルタ741−74Nは、本質的に同じ伝播特性を示し、入力光は、各出力チャネル741−74Nに伝播することになる。
【0034】
代替的に、N−1個の制御光ビームがアクティブ化される場合、この制御光ビームに関連づけられたN−1個の出力チャネル741−74Nは、入力光に対して反射性になる。そして、これらのチャネル741−74Nは、入力光チャネル72および残りの出力光チャネルに沿って入力光を反射して戻す。これにより、この構成に対して、1つのみの出力チャネルが、それを通って入力光信号が伝播することを許容する。
【0035】
構造70の他の実施形態において、図示しない追加的な光フィルタが、他の出力チャネル741−74N−1との交差点間の出力チャネル74N上の場所に沿って配置される。追加的なフィルタは、図1A−1Cのフィルタ18と同様のものであり、更なるルーティング制御を提供するために別個の制御光ビームにより動作される。
【0036】
上述したスイッチにおいて、スイッチングスピードは、ターンオン時間およびターンオフ時間の和である。スイッチング時間は、バルク媒体の特性、例えばIII−V族半導体の特性および制御可能な光フィルタ18,64,66,761−76Nに使用されるオブジェクトのアレイ24および欠陥26の形の両方に依存する。特に、制御光ビームにより誘導される電子および成功のキャリア密度は、制御可能な光フィルタ18,64,66,761−76Nにおける屈折率を決める。
【0037】
これにより、ターンオン時間は、必要とされるキャリア密度を生じる制御光パルスを生成するために必要とされる時間によってのみ制限される。他方において、ターンオフ時間は、同じ電子および成功キャリアを再結合するために必要とされる時間により制限される。キャリア再結合レートは、バルク媒体の固有な特性および表面処理の両方に依存する。再結合レートへの表面寄与(surface contributions)は、表面積および制御可能なフィルタ18,64,66,761−76Nを形成するオブジェクト24の表面に対する表面特性の両方に依存する。
【0038】
フィルタ18,64,66,761−76N中のオブジェクト24の数が大きくなると、再結合に対する実際の表面寄与が大きくなり、ターンオフ時間が短くなる。それにも関わらず、ターンオフ時間を短くすると、スイッチを同じ状態に維持するために光制御ビームにより供給されなければならないパワーの比例的増大を生じる。これにより、スイッチングスピードは、スイッチを特定の構成に維持するために利用可能なパワーバジェット(power budget)により制限されることになる。
【0039】
図1A−1C、2および3に示された光スイッチの様々な実施形態は、集積光増幅器を含む。この増幅器は、チャージキャリアを注入した半導体媒体を通る信号伝播により引き起こされる信号減衰を相殺する利得を提供する。例示的な増幅器は、出力チャネルの半導体媒体を跨って配置された電気コンタクトおよびこれらのコンタクトに接続された電源を含む。電源は、出力チャネル中のキャリア密度をポンプし、ポンプされたキャリア密度は、誘導放出(stimulated emission)により出力信号を増幅する。減衰を相殺するためのそのような増幅器の使用は、当業者に知られている。
【0040】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、非線形光媒体を使用する改良された光デバイスを提供することができる。
【0041】
特許請求の範囲の発明の要件の後に括弧で記載した番号がある場合は、本発明の一実施例の対応関係を示すものであって、本発明の範囲を限定するものと解釈すべきではない。
【図面の簡単な説明】
【図1】A 集積光スイッチの上面図
B 集積光スイッチの側面図
C PBG構造に基づく図1A−1Bのスイッチの一実施形態を示す図
D 図1A−1Cのスイッチにおいて使用されるフィルタの反射率はどのように制御光ビームの強度に依存するかを示す図
E 図1A−1Cの集積光スイッチの動作方法を示すフローチャート
【図2】1×2光スイッチの一実施形態の上面図
【図3】1×N光制御可能カプラの一実施形態を示す上面図
【符号の説明】
6 外側層
8 プレーナ構造
12 光チャネル
13 境界
14 光入力
16 光出力
18 光フィルタ
19 制御アクセスウィンドウ
20,24 オブジェクト
22,23 アレイ
26 欠陥
51 入力
52 入力光チャネル
54,56 出力光チャネル
58 プレーナ構造
59 オブジェクト
64,66 アレイ
67,68 制御アクセスウィンドウ
70 プレーナ構造
72 入力光チャネル
74 出力光チャネル
76 フィルタ
Claims (7)
- 集積光スイッチングデバイスであって、
非線形光媒体及び上表面を有するプレーナ基板、
該基板中に配置された1次元入力導波路、
該基板中に配置された第1の1次元出力導波路であって、第1の中心チャネル及び光が該第1の中心チャネルを伝搬させるように構成された、該第1の中心チャネルと該非線形光媒体との境界を有する第1の1次元出力導波路、
該第1のチャネル中に配置された第1の共振光キャビティであって、該上表面を介して該第1の共振光キャビティに伝達された制御光の強度に応答する光スペクトル透過率を有し、オブジェクトのアレイからなり、2次元の周期的誘電体構造を有する第1の共振光キャビティ、
該基板中に配置された第2の1次元出力導波路であって、第2の中心チャネル及び光が該第2の中心チャネルを伝搬させるように構成された、該第1の中心チャネルと該非線形光媒体との境界を有する第2の1次元出力導波路、及び
該第2のチャネル中に配置された第2の共振光キャビティであって、該基板の表面を介して該第2の共振光キャビティに伝達された制御光の強度に応答するスペクトル透過性を有し、2次元の周期的誘電体構造を有する第2の共振光キャビティからなり、
両該出力導波路の入力端が該入力導波路の出力端に開口し、該共振光キャビティが該出力導波路の該入力端と該入力導波路の該出力端間の光終端結合を制御するデバイス。 - 請求項1記載のデバイスであって、該オブジェクトが孔であることを特徴とするデバイス。
- 請求項1記載のデバイスであって、該オブジェクトが該第1の出力導波路の非線形媒体の屈折率とは異なる屈折率を有する第2の媒体の包含物であることを特徴とするデバイス。
- 請求項1記載のデバイスであって、該非線形媒体は第III−V族半導体からなることを特徴とするデバイス。
- 請求項1記載のデバイスであって、該第1及び第2の共振光キャビティが制御光の強度に応じて異なる透過率を有することを特徴とするデバイス。
- 非線形光媒体及び上表面を有するプレーナ基板、該基板中に配置された1次元(1D)入力導波路、該基板中に配置された第1の1次元(D1)出力導波路であって第1の中心チャネル及び光が該第1の中心チャネルを伝搬させるように構成された、該第1の中心チャネルと該非線形光媒体との境界を有する第1の1次元(D1)出力導波路、及び該基板中に配置された第2の1次元(D1)出力導波路であって第2の中心チャネル及び光が該第2の中心チャネルを伝搬させるように構成された、該第1の中心チャネルと該非線形光媒体との境界を有する第2の1次元(D1)出力導波路からなり、両該出力導波路の入力端が該入力導波路の出力端に開口している集積光スイッチングデバイスにおける、光スイッチングの方法であって、
該第1の1D出力導波路のチャネルの透過率を変化させるために所定の強度の制御光を該上表面から該第1の1D出力導波路の第1の領域に導入するステップ、
該第2の1D出力導波路のチャネルの透過率を変化させるために所定の強度の制御光を該上表面から該第2の1D出力導波路の第2の領域に導入するステップであって、該第1及び第2の領域が光強度に応答するスペクトル透過率を有している、ステップ、及び、
入力光を該1D入力導波路に伝達するステップであって、該1D入力導波路のチャネルが該第1及び第2の1D出力導波路の終端に対して開口する第1の終端を有している、ステップ
からなり、
該第1及び第2の領域が予め選択された周波数帯において2次元の周期的誘電体構造を有する共振光キャビティを形成している方法。 - 請求項6記載の方法であって、該第1及び第2の導入するステップが該プレーナ基板の上表面において異なる光アクセスウィンドウを介して光をそれぞれ該第1及び第2の1次元出力導波路に送ることを特徴とする方法。
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