JP2002268105A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 集積光スイッチングデバイスであって、
   非線形光媒体及び上表面を有するプレーナ基板、
   該基板中に配置された１次元入力導波路、
   該基板中に配置された第１の１次元出力導波路であって、第１の中心チャネル及び光が該第１の中心チャネルを伝搬させるように構成された境界を有する第１の１次元出力導波路、
   該第１のチャネル中に配置された第１の共振光キャビティであって、該上表面を介して該第１の共振光キャビティに伝達された制御光の強度に応答する光スペクトル透過率を有する第１の共振光キャビティ、
   該基板中に配置された第２の１次元出力導波路であって、第２の中心チャネル及び光が該第２の中心チャネルを伝搬させるように構成された境界を有する第２の１次元出力導波路、及び、
   該第２のチャネル中に配置された第２の共振光キャビティであって、該基板の表面を介して該第２の共振光キャビティに伝達された制御光の強度に応答するスペクトル透過性を有する第２の共振光キャビティ、からなり、
   両該出力導波路の入力端が該入力導波路の出力端に開口し、該共振光キャビティが該出力導波路の該入力端と該入力導波路の該出力端間の光終端結合を制御するデバイス。
2. 請求項１記載のデバイスであって、該第１の共振光キャビティがオブジェクトのアレイからなることを特徴とするデバイス。
3. 請求項２記載のデバイスであって、該オブジェクトが孔であることを特徴とするデバイス。
4. 請求項２記載のデバイスであって、該オブジェクトが該第１の出力導波路の非線形媒体の屈折率とは異なる屈折率を有する第２の媒体の包含物であることを特徴とするデバイス。
5. 請求項１記載のデバイスであって、該非線形媒体は第 III −Ｖ族半導体からなることを特徴とするデバイス。
6. 請求項１記載のデバイスであって、該第１及び第２の共振光キャビティが制御光の強度に応じて異なる透過率を有することを特徴とするデバイス。
7. 光スイッチングの方法であって、
   所定の強度の制御光をプレーナ導波路中の第１の１次元出力導波路の領域に導入して該第１の１次元出力導波路のチャネルの透過率を変化させるステップであって、該領域が光強度に応答するスペクトル透過率を有するステップ、
   所定の強度の制御光をプレーナ導波路中の第２の１次元出力導波路の領域に導入して該第２の１次元出力導波路のチャネルの透過率を変化させるステップであって、該領域が光強度に応答するスペクトル透過率を有するステップ、及び、
   入力光を該プレーナ導波路において１次元入力導波路に伝達するステップであって、該１次元入力導波路のチャネルが該第１及び第２の１次元出力導波路の終端に対して開放している第１の終端を有するステップ、からなる方法。
8. 請求項７記載の方法であって、該第１及び第２の導入するステップが該プレーナ導波路の側表面において異なる光窓を介して光をそれぞれ該第１及び第２の１次元出力導波路に送ることを特徴とする方法。
9. 請求項７記載の方法であって、前記導入するステップのうちの１つが、前記導波路へ光を送り、前記送られる光は、前記送られる光を受信する導波路中のチャージキャリア密度を増加するのに十分に短い波長を有することを特徴とする方法。
10. 請求項７記載の方法であって、該領域が予め選択された周波数帯において共振光キャビティを形成することを特徴とする方法。