JP2002268105A - 集積光スイッチングデバイスおよび光をスイッチングする方法 - Google Patents
集積光スイッチングデバイスおよび光をスイッチングする方法Info
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
非線形光媒体を使用する改良された光デバイスを提供す
ること。 【課題】 【解決手段】 光デバイスは、光信号のスイッチングま
たはリダイレクティングのような光ルーティング機能を
提供する。この装置は、比較的小さい制御ウィンドウに
よりプレーナ構造の上表面を通して、基板中に形成され
た光チャネルの１個以上の予め選択された領域に結合す
る１つ以上の制御光ビームを使用する。制御ウィンドウ
における制御光ビームの存在は、チャネルの一部の非線
形光媒体の屈折率を増大させる。このチャネルの部分
は、前記チャネルの部分に与えられる制御光ビームの強
度に応答して、チャネル中を伝播する光信号を反射また
は透過させるためのオン／オフフィルタとして機能する
構造を含む。いくつかの実施形態において、光チャネル
は、２Ｄ ＰＢＧ構造をインターラプトし、これは、光
チャネルに対する境界として機能する。
ること。 【課題】 【解決手段】 光デバイスは、光信号のスイッチングま
たはリダイレクティングのような光ルーティング機能を
提供する。この装置は、比較的小さい制御ウィンドウに
よりプレーナ構造の上表面を通して、基板中に形成され
た光チャネルの１個以上の予め選択された領域に結合す
る１つ以上の制御光ビームを使用する。制御ウィンドウ
における制御光ビームの存在は、チャネルの一部の非線
形光媒体の屈折率を増大させる。このチャネルの部分
は、前記チャネルの部分に与えられる制御光ビームの強
度に応答して、チャネル中を伝播する光信号を反射また
は透過させるためのオン／オフフィルタとして機能する
構造を含む。いくつかの実施形態において、光チャネル
は、２Ｄ ＰＢＧ構造をインターラプトし、これは、光
チャネルに対する境界として機能する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、非線形光媒体を使
用する光デバイスに関する。
用する光デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】光データ伝送および光レーザキャビティ
において使用される光導波路において、光は、１つの空
間的方向に伝播する。これらの導波路は、光をダイレク
ト（direct）するために、比較的より高いおよびより低
い屈折率を有する２つの媒体間の界面における全内部反
射（total internal reflection）を使用する。全内部
反射は、より高い屈折率を有する媒体中に光を伝播させ
る。
において使用される光導波路において、光は、１つの空
間的方向に伝播する。これらの導波路は、光をダイレク
ト（direct）するために、比較的より高いおよびより低
い屈折率を有する２つの媒体間の界面における全内部反
射（total internal reflection）を使用する。全内部
反射は、より高い屈折率を有する媒体中に光を伝播させ
る。
【０００３】周期的誘電体構造が、光伝播をダイレクト
するために使用され得る。周期的誘電体構造において、
光伝播は、クリスタル中の電子伝播に似ている。光の波
長が、格子（lattice）の寸法のオーダーである場合、
フォトニックバンドギャップ（ＰＢＧ）ができる。ＰＢ
Ｇは、光子が、周期的誘電体構造をとって伝播すること
ができない波長範囲である。入射光の波長が、ＰＢＧ中
にある場合、入射光は、その構造を通って伝達するので
はなく、周期的誘電体構造で反射される（reflected of
f）。その格子長が、近赤外（near infrared）または可
視光の波長のオーダである周期誘電体構造は、しばしば
ＰＢＧ構造と呼ばれる。ＰＢＧにおける波長を有する光
は、ＰＢＧ構造中の狭いチャネルを伝播することができ
る。
するために使用され得る。周期的誘電体構造において、
光伝播は、クリスタル中の電子伝播に似ている。光の波
長が、格子（lattice）の寸法のオーダーである場合、
フォトニックバンドギャップ（ＰＢＧ）ができる。ＰＢ
Ｇは、光子が、周期的誘電体構造をとって伝播すること
ができない波長範囲である。入射光の波長が、ＰＢＧ中
にある場合、入射光は、その構造を通って伝達するので
はなく、周期的誘電体構造で反射される（reflected of
f）。その格子長が、近赤外（near infrared）または可
視光の波長のオーダである周期誘電体構造は、しばしば
ＰＢＧ構造と呼ばれる。ＰＢＧにおける波長を有する光
は、ＰＢＧ構造中の狭いチャネルを伝播することができ
る。
【０００４】光キャビティを形成するためにＰＢＧ構造
を使用する提案が存在する。O. Painter等による論文
“Two-Dimensional Photonic Band-Gap Defect Mode La
ser”、１９９９年６月１１日発行のサイエンス（ｐ．
１８以下）は、二次元（２Ｄ）の２Ｄ ＰＢＧ構造にお
けるレーザキャビティの形成を示す。レーザキャビティ
は、ＩＩＩ−Ｖ族結晶体半導体において製造され、レー
ザキャビティを形成するために、２Ｄ ＰＢＧ構造中の
チャネルおよび欠陥（defect）を使用する。
を使用する提案が存在する。O. Painter等による論文
“Two-Dimensional Photonic Band-Gap Defect Mode La
ser”、１９９９年６月１１日発行のサイエンス（ｐ．
１８以下）は、二次元（２Ｄ）の２Ｄ ＰＢＧ構造にお
けるレーザキャビティの形成を示す。レーザキャビティ
は、ＩＩＩ−Ｖ族結晶体半導体において製造され、レー
ザキャビティを形成するために、２Ｄ ＰＢＧ構造中の
チャネルおよび欠陥（defect）を使用する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の目
的は、非線形光媒体を使用する改良された光デバイスを
提供することである。
的は、非線形光媒体を使用する改良された光デバイスを
提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の一側面は、一次
元（１Ｄ）光導波路をその中に有するプレーナ導波路
（planar waveguide）を含む集積光スイッチ（integrat
ed optical switch）に関する。１Ｄ導波路は、フィル
タを形成する特定相互作用領域（specific interaction
region）を有する。フィルタは、少なくとも一部にお
いて、非線形光媒体からなり、外部から導入される制御
光により制御可能である。制御光の強度を変化させるこ
とで、フィルタが第１状態と第２状態との間で変化する
ように、非線形媒体の屈折率を変化させることにより光
スイッチングを生じる。フィルタは、第１の状態におい
て、１Ｄ導波路中を伝播する光を透過させ、第２の状態
において１Ｄ導波路中を伝播する光を反射する。
元（１Ｄ）光導波路をその中に有するプレーナ導波路
（planar waveguide）を含む集積光スイッチ（integrat
ed optical switch）に関する。１Ｄ導波路は、フィル
タを形成する特定相互作用領域（specific interaction
region）を有する。フィルタは、少なくとも一部にお
いて、非線形光媒体からなり、外部から導入される制御
光により制御可能である。制御光の強度を変化させるこ
とで、フィルタが第１状態と第２状態との間で変化する
ように、非線形媒体の屈折率を変化させることにより光
スイッチングを生じる。フィルタは、第１の状態におい
て、１Ｄ導波路中を伝播する光を透過させ、第２の状態
において１Ｄ導波路中を伝播する光を反射する。
【０００７】いくつかの実施形態において、１Ｄ導波路
は、ＰＢＧ構造およびその中のチャネルから形成され
る。ＰＢＧ構造は、その中で選択された波長範囲の光が
伝播する１Ｄ導波路としてチャネルを機能させる。チャ
ネルは、非線形光媒体から形成され、欠陥を有する孔
（holes）の周期的配列から形成された共振キャビティ
を含む。キャビティ中の媒体の屈折率を変化させ、そし
て、キャビティの共振周波数を変化させる制御光ビーム
を与えることから、スイッチングが生じる。
は、ＰＢＧ構造およびその中のチャネルから形成され
る。ＰＢＧ構造は、その中で選択された波長範囲の光が
伝播する１Ｄ導波路としてチャネルを機能させる。チャ
ネルは、非線形光媒体から形成され、欠陥を有する孔
（holes）の周期的配列から形成された共振キャビティ
を含む。キャビティ中の媒体の屈折率を変化させ、そし
て、キャビティの共振周波数を変化させる制御光ビーム
を与えることから、スイッチングが生じる。
【０００８】例示的なスイッチは、ＩＩＩ−Ｖ族半導
体、例えばガリウム（Ｇａ）、砒素（Ａｓ）、インジウ
ム（Ｉｎ）、およびリン（Ｐ）のグループからの元素を
含む半導体におけるＰＢＧ構造およびこれらの半導体中
にキャリア密度を生じる制御光の波長を使用する。キャ
リア密度の存在は、媒体の屈折率およびその中の光キャ
ビティの共振周波数を大きく変化させる。これらの例示
的なスイッチは、約０．９ないし１．６５μｍの波長の
光をスイッチすることができる。
体、例えばガリウム（Ｇａ）、砒素（Ａｓ）、インジウ
ム（Ｉｎ）、およびリン（Ｐ）のグループからの元素を
含む半導体におけるＰＢＧ構造およびこれらの半導体中
にキャリア密度を生じる制御光の波長を使用する。キャ
リア密度の存在は、媒体の屈折率およびその中の光キャ
ビティの共振周波数を大きく変化させる。これらの例示
的なスイッチは、約０．９ないし１．６５μｍの波長の
光をスイッチすることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１Ａおよび１Ｂは、集積型１×
１光スイッチを形成するプレーナ構造８のそれぞれ上面
図および側面図を示す。プレーナ構造８において、伝播
光は、上側および下側の外側層６での全内部反射（tota
l internal reflection）により中心層に閉じこめられ
る。プレーナ構造８は、非線形光媒体、例えば、Ｇａ，
Ａｓ，ＩｎおよびＰからなるグループからの元素を含む
半導体または別のＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる１Ｄ光チ
ャネル１２を含む。チャネル１２および境界（boundari
es）１３は、光入力１４から光出力１６へ光を導く１Ｄ
光導波路を形成する。
１光スイッチを形成するプレーナ構造８のそれぞれ上面
図および側面図を示す。プレーナ構造８において、伝播
光は、上側および下側の外側層６での全内部反射（tota
l internal reflection）により中心層に閉じこめられ
る。プレーナ構造８は、非線形光媒体、例えば、Ｇａ，
Ａｓ，ＩｎおよびＰからなるグループからの元素を含む
半導体または別のＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる１Ｄ光チ
ャネル１２を含む。チャネル１２および境界（boundari
es）１３は、光入力１４から光出力１６へ光を導く１Ｄ
光導波路を形成する。
【００１０】チャネル１２は、選択された波長範囲にあ
るチャネル光を透過させ、他の波長範囲にあるチャネル
光を反射させる光フィルタ１８を含む。フィルタ１８の
波長選択性は、制御アクセスウィンドウ１９を通してフ
ィルタ１８に導入される制御光により制御可能である。
制御アクセスウィンドウ１９は、プレーナ構造８の上表
面上にある。チャネル１２は、光スイッチとしてのフィ
ルタ１８中の制御光の強度の変化に応答する。
るチャネル光を透過させ、他の波長範囲にあるチャネル
光を反射させる光フィルタ１８を含む。フィルタ１８の
波長選択性は、制御アクセスウィンドウ１９を通してフ
ィルタ１８に導入される制御光により制御可能である。
制御アクセスウィンドウ１９は、プレーナ構造８の上表
面上にある。チャネル１２は、光スイッチとしてのフィ
ルタ１８中の制御光の強度の変化に応答する。
【００１１】１Ｄ光導波路は、チャネル１２中の伝播媒
体、およびチャネル１２の媒体中を伝播するように光を
横方向に閉じこめる境界１３を含む。一実施形態におい
て、チャネル１２は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体で形成され、
横方向境界１３は、１つ以上の誘電体層で形成される。
誘電体層は、チャネル１２の半導体よりも低い屈折率を
有する。これにより、横方向層は、全内部反射により、
チャネル１２に沿って伝播するように光を閉じこめる。
いくつかの実施形態において、チャネル１２は、入力１
４からの距離で変化する横方向幅を有する。
体、およびチャネル１２の媒体中を伝播するように光を
横方向に閉じこめる境界１３を含む。一実施形態におい
て、チャネル１２は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体で形成され、
横方向境界１３は、１つ以上の誘電体層で形成される。
誘電体層は、チャネル１２の半導体よりも低い屈折率を
有する。これにより、横方向層は、全内部反射により、
チャネル１２に沿って伝播するように光を閉じこめる。
いくつかの実施形態において、チャネル１２は、入力１
４からの距離で変化する横方向幅を有する。
【００１２】図１Ｃは、図１Ａ−１Ｂの構造８の一実施
形態を示し、チャネル１２は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体媒体
であり、横方向境界１３は、同じ半導体媒体中に配置さ
れた同一散乱オブジェクト２０の周期的アレイである。
境界１３は、チャネル１２によりインターラプトされた
ＰＢＧ構造を形成し、即ち、チャネル１２にはオブジェ
クト２０がない。オブジェクト２０は、半導体媒体と異
なる屈折率を有する。例示的なオブジェクト２０は、プ
レーナ構造８を横切る円筒孔を含み、プレーナ構造８中
の含有物を含む。
形態を示し、チャネル１２は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体媒体
であり、横方向境界１３は、同じ半導体媒体中に配置さ
れた同一散乱オブジェクト２０の周期的アレイである。
境界１３は、チャネル１２によりインターラプトされた
ＰＢＧ構造を形成し、即ち、チャネル１２にはオブジェ
クト２０がない。オブジェクト２０は、半導体媒体と異
なる屈折率を有する。例示的なオブジェクト２０は、プ
レーナ構造８を横切る円筒孔を含み、プレーナ構造８中
の含有物を含む。
【００１３】ＰＢＧ構造は、オブジェクト２０のアレイ
からのコヒーレント回折（diffraction）によりチャネ
ル１２中を伝播するように光を横方向に閉じこめる。ま
た、ＰＢＧ構造は、チャネル１２中の光伝播を、選択さ
れた波長範囲に制限する。他の波長範囲中の光は、チャ
ネル１２中に入るのではなく、プレーナ構造８の側面で
反射する。
からのコヒーレント回折（diffraction）によりチャネ
ル１２中を伝播するように光を横方向に閉じこめる。ま
た、ＰＢＧ構造は、チャネル１２中の光伝播を、選択さ
れた波長範囲に制限する。他の波長範囲中の光は、チャ
ネル１２中に入るのではなく、プレーナ構造８の側面で
反射する。
【００１４】図１Ａ−１Ｃにおいて、フィルタ１８は、
規則的に間隔をおかれた同一のオブジェクト２４のアレ
イおよびアレイ中の欠陥２６を含む。オブジェクト２４
は、周りの媒体の屈折率と異なる屈折率を有し、これに
より、チャネル１２中を伝播する光を散乱させる。例示
的なオブジェクト２４は、プレーナ構造８を横切る含有
物または孔を含む。例示的な欠陥２６は、チャネル１２
中の２個のシーケンシャルに隣接するオブジェクト２４
間の間隔が、フィルタ１８の他のシーケンシャルに隣接
するオブジェクト２４間の間隔より大きいまたは小さい
ことである。別の例示的な欠陥２６は、１つのオブジェ
クト２４が、フィルタ１８の他のオブジェクト２４より
も大きいまたは小さいことである。
規則的に間隔をおかれた同一のオブジェクト２４のアレ
イおよびアレイ中の欠陥２６を含む。オブジェクト２４
は、周りの媒体の屈折率と異なる屈折率を有し、これに
より、チャネル１２中を伝播する光を散乱させる。例示
的なオブジェクト２４は、プレーナ構造８を横切る含有
物または孔を含む。例示的な欠陥２６は、チャネル１２
中の２個のシーケンシャルに隣接するオブジェクト２４
間の間隔が、フィルタ１８の他のシーケンシャルに隣接
するオブジェクト２４間の間隔より大きいまたは小さい
ことである。別の例示的な欠陥２６は、１つのオブジェ
クト２４が、フィルタ１８の他のオブジェクト２４より
も大きいまたは小さいことである。
【００１５】欠陥２６は、オブジェクト２４のアレイ
を、チャネル１２中でシーケンシャルに隣接する２個の
より小さいアレイ２２，２３に分離する。アレイ２２，
２３間の例示的な分離は、チャネル１２中を伝播する光
の波長の約１／４から２倍である。欠陥２６およびより
小さいアレイ２２，２３は共に、チャネル１２中の光伝
播のための共振光キャビティのように機能する。より小
さいアレイ２２，２３は、共振キャビティのための分布
型反射器（distributed reflectors）である。共振キャ
ビティは、狭い範囲の光の波長が伝達することを許容
し、これにより、バンドパスフィルタ１８として機能す
る。
を、チャネル１２中でシーケンシャルに隣接する２個の
より小さいアレイ２２，２３に分離する。アレイ２２，
２３間の例示的な分離は、チャネル１２中を伝播する光
の波長の約１／４から２倍である。欠陥２６およびより
小さいアレイ２２，２３は共に、チャネル１２中の光伝
播のための共振光キャビティのように機能する。より小
さいアレイ２２，２３は、共振キャビティのための分布
型反射器（distributed reflectors）である。共振キャ
ビティは、狭い範囲の光の波長が伝達することを許容
し、これにより、バンドパスフィルタ１８として機能す
る。
【００１６】図１Ｄは、図１Ａ−１Ｃに示されたフィル
タ１８のスペクトル反射率（または透過率）がどのよう
に、フィルタ１８中に導入される制御光強度に依存する
かを示す。反射率は、フィルタ１８が、その屈折率がそ
の中の光強度に依存する非線形光媒体中に形成されるの
で、制御光強度に依存する。
タ１８のスペクトル反射率（または透過率）がどのよう
に、フィルタ１８中に導入される制御光強度に依存する
かを示す。反射率は、フィルタ１８が、その屈折率がそ
の中の光強度に依存する非線形光媒体中に形成されるの
で、制御光強度に依存する。
【００１７】図１Ｄは、フィルタ１８のパスバンドに対
して、制御光強度ＡおよびＢは、それぞれ中心波長λお
よびλ’を生成する。強度Ａの制御光は、フィルタ１８
を、チャネル１２中を伝播する波長を透過させる状態に
する。強度Ｂの制御光は、元の波長λの光が、フィルタ
のパスバンドの外になるように、フィルタの中心波長を
シフトする。これにより、強度Ｂの制御光は、フィルタ
１８を、チャネル１２中を伝播する光を反射する状態に
する。
して、制御光強度ＡおよびＢは、それぞれ中心波長λお
よびλ’を生成する。強度Ａの制御光は、フィルタ１８
を、チャネル１２中を伝播する波長を透過させる状態に
する。強度Ｂの制御光は、元の波長λの光が、フィルタ
のパスバンドの外になるように、フィルタの中心波長を
シフトする。これにより、強度Ｂの制御光は、フィルタ
１８を、チャネル１２中を伝播する光を反射する状態に
する。
【００１８】フィルタ１８の中心波長に対するシフトの
サイズ、即ち、｜λ−λ’｜は、非線形光媒体、制御光
の波長、および制御光に対する強度変化に依存する。半
導体媒体に対して、バンドギャップを超えるエネルギに
対応する波長は電子および正孔キャリア密度を生じ、こ
れにより、そのような媒体中に構成されたフィルタの屈
折率および中心波長に比較的大きなシフトを生じる。
サイズ、即ち、｜λ−λ’｜は、非線形光媒体、制御光
の波長、および制御光に対する強度変化に依存する。半
導体媒体に対して、バンドギャップを超えるエネルギに
対応する波長は電子および正孔キャリア密度を生じ、こ
れにより、そのような媒体中に構成されたフィルタの屈
折率および中心波長に比較的大きなシフトを生じる。
【００１９】それにも関わらず、光応答性ＩＩＩ−Ｖ族
半導体に対しても、制御光の強度の緩やかな変化は、屈
折率に対して約１％のみのシフトを生じ、そのような媒
体中に構成されたフィルタの中心波長に対して同等のシ
フトを生じる。屈折率の１％のシフトに対して、反射率
は、フィルタ１８のシフトされたパスバンドおよびシフ
トされていないパスバンドが大幅にオーバラップしない
場合、約１００以上のＱを必要とする。ここで、Ｑは、
反射率曲線の半値幅の逆数である。
半導体に対しても、制御光の強度の緩やかな変化は、屈
折率に対して約１％のみのシフトを生じ、そのような媒
体中に構成されたフィルタの中心波長に対して同等のシ
フトを生じる。屈折率の１％のシフトに対して、反射率
は、フィルタ１８のシフトされたパスバンドおよびシフ
トされていないパスバンドが大幅にオーバラップしない
場合、約１００以上のＱを必要とする。ここで、Ｑは、
反射率曲線の半値幅の逆数である。
【００２０】Ｇａ，Ａｓ，ＩｎおよびＰからなる半導体
媒体において１％の屈折率シフトを生じさせるために、
制御光は、そのエネルギが、Ｇａ，Ａｓ，ＩｎおよびＰ
による半導体の電子的バンドギャップの波長に近い波長
を有するように選ばれる。例えば、そのエネルギは、電
子的バンドギャップのエネルギ＋約０．１および０．５
エレクトロンボルト（ｅＶ）に等しい。この波長の選択
は、薄いチャネル１２、即ちその厚さが約０．３ないし
１．５ミクロンのチャネルの内部における制御光のほと
んどの吸収を可能にする。そのようなチャネルは、約
１．５５ミクロンの波長、即ち電子的バンドギャップよ
り僅かに低いエネルギに対応する波長をスイッチする構
造８における使用に適合されている。
媒体において１％の屈折率シフトを生じさせるために、
制御光は、そのエネルギが、Ｇａ，Ａｓ，ＩｎおよびＰ
による半導体の電子的バンドギャップの波長に近い波長
を有するように選ばれる。例えば、そのエネルギは、電
子的バンドギャップのエネルギ＋約０．１および０．５
エレクトロンボルト（ｅＶ）に等しい。この波長の選択
は、薄いチャネル１２、即ちその厚さが約０．３ないし
１．５ミクロンのチャネルの内部における制御光のほと
んどの吸収を可能にする。そのようなチャネルは、約
１．５５ミクロンの波長、即ち電子的バンドギャップよ
り僅かに低いエネルギに対応する波長をスイッチする構
造８における使用に適合されている。
【００２１】光スイッチを生成するための図１Ａ−１Ｃ
のフィルタ１８に対して、制御光により生じさせられる
屈折率の変化は、チャネル１２中の光伝播の反射状態お
よび透過状態間で、フィルタ１８をスイッチすることに
なる。約１％の利用可能な中心波長シフトに対して、フ
ィルタ１８に対するそのような状態変化は、通常、フィ
ルタ１８が高いＱを有することを必要とする。フィルタ
１８は、アレイ２２，２３の両方が、チャネル１２に沿
ってシリアルに間隔をおかれた３−５またはそれ以上の
オブジェクト２４を有する場合、およびアレイ２２，２
３中のシリアルに隣接するオブジェクト間の間隔が、フ
ィルタの中心波長の約１／４ないし２倍である場合、高
いＱを有し得る。
のフィルタ１８に対して、制御光により生じさせられる
屈折率の変化は、チャネル１２中の光伝播の反射状態お
よび透過状態間で、フィルタ１８をスイッチすることに
なる。約１％の利用可能な中心波長シフトに対して、フ
ィルタ１８に対するそのような状態変化は、通常、フィ
ルタ１８が高いＱを有することを必要とする。フィルタ
１８は、アレイ２２，２３の両方が、チャネル１２に沿
ってシリアルに間隔をおかれた３−５またはそれ以上の
オブジェクト２４を有する場合、およびアレイ２２，２
３中のシリアルに隣接するオブジェクト間の間隔が、フ
ィルタの中心波長の約１／４ないし２倍である場合、高
いＱを有し得る。
【００２２】図１Ｅは、図１Ａ−１Ｃの集積光スイッチ
の動作方法３０を示すフローチャートである。最初の時
点において、スイッチのチャネル１２を通る光透過をブ
ロックするためのリクエストが、スイッチコントローラ
により受信される（ステップ３２）。このリクエストに
応答して、コントローラは、フィルタ１８中の制御光強
度を調節し、フィルタ１８にチャネル１２中を伝播する
光を反射させる（ステップ３４）。制御光は、プレーナ
構造８の透明な制御アクセスウィンドウ１９を通してフ
ィルタ１８に導入される。
の動作方法３０を示すフローチャートである。最初の時
点において、スイッチのチャネル１２を通る光透過をブ
ロックするためのリクエストが、スイッチコントローラ
により受信される（ステップ３２）。このリクエストに
応答して、コントローラは、フィルタ１８中の制御光強
度を調節し、フィルタ１８にチャネル１２中を伝播する
光を反射させる（ステップ３４）。制御光は、プレーナ
構造８の透明な制御アクセスウィンドウ１９を通してフ
ィルタ１８に導入される。
【００２３】制御光強度に応答して、フィルタ１８が、
上述した反射状態になるように、フィルタのスペクトル
応答がシフトする。同じ制御光強度を維持する間に、入
力光信号が、チャネル１２の光入力１４において受信さ
れる（ステップ３６）。制御光に応答して、フィルタ１
８は、入力光信号を入力１４に向かって反射して戻す
（ステップ３８）。後の時点において、チャネル１２を
通る光伝達を透過させるための新しいリクエストが、コ
ントローラにより受信される（ステップ４０）。
上述した反射状態になるように、フィルタのスペクトル
応答がシフトする。同じ制御光強度を維持する間に、入
力光信号が、チャネル１２の光入力１４において受信さ
れる（ステップ３６）。制御光に応答して、フィルタ１
８は、入力光信号を入力１４に向かって反射して戻す
（ステップ３８）。後の時点において、チャネル１２を
通る光伝達を透過させるための新しいリクエストが、コ
ントローラにより受信される（ステップ４０）。
【００２４】新しいリクエストに応答して、コントロー
ラは、チャネル１２中を伝播する光をフィルタ１８に透
過させる新しい値に、制御光強度を再調節する（ステッ
プ４２）。制御光の強度を維持している間に、入力光信
号が、チャネル１２の光入力１４において受信される
（ステップ４４）。新しい制御光強度に応答して、チャ
ネル１２は、フィルタ１８を通してチャネル１２の出力
１６へ入力光信号を伝達させる（ステップ４６）。
ラは、チャネル１２中を伝播する光をフィルタ１８に透
過させる新しい値に、制御光強度を再調節する（ステッ
プ４２）。制御光の強度を維持している間に、入力光信
号が、チャネル１２の光入力１４において受信される
（ステップ４４）。新しい制御光強度に応答して、チャ
ネル１２は、フィルタ１８を通してチャネル１２の出力
１６へ入力光信号を伝達させる（ステップ４６）。
【００２５】図１Ａ−１Ｃの光的に制御可能なフィルタ
１８およびチャネル１２は、より複雑な光スイッチを形
成するために使用され得る。
１８およびチャネル１２は、より複雑な光スイッチを形
成するために使用され得る。
【００２６】図２は、単一の入力光チャネル５２および
一対の出力光チャネル５４，５６を含む１×２光スイッ
チ５０を示す。例示的なチャネル５２，５４，５６は、
図示しない２Ｄ ＰＢＧ構造中にある。２Ｄ ＰＢＧ構
造は、それ自体、図１Ａ−１Ｃの構造８に似たプレーナ
構造５８中に配置される。ＰＢＧ構造は、その屈折率
が、プレーナ構造の非線形光媒体の屈折率と異なる同一
のオブジェクトの２Ｄ周期的アレイを含む。例えば、複
数のオブジェクトは、プレーナ構造５８を通しての複数
の孔であり得る。
一対の出力光チャネル５４，５６を含む１×２光スイッ
チ５０を示す。例示的なチャネル５２，５４，５６は、
図示しない２Ｄ ＰＢＧ構造中にある。２Ｄ ＰＢＧ構
造は、それ自体、図１Ａ−１Ｃの構造８に似たプレーナ
構造５８中に配置される。ＰＢＧ構造は、その屈折率
が、プレーナ構造の非線形光媒体の屈折率と異なる同一
のオブジェクトの２Ｄ周期的アレイを含む。例えば、複
数のオブジェクトは、プレーナ構造５８を通しての複数
の孔であり得る。
【００２７】チャネル５２，５４，５６は、ＰＢＧ構造
の２Ｄアレイをインターラプトする。ＰＢＧ構造は、入
力５１において受信される光をコヒーレントに回折し、
これにより、入力光の波長の範囲を、チャネル５２，５
４，５６に沿って伝播させる。光は、入力チャネル５２
を伝播し、その後、出力チャネル５４および５６に沿っ
て伝播するように振幅分割する。プレーナ構造５８は、
全内部反射により、構造の面に垂直な方向に光伝播を制
限する。
の２Ｄアレイをインターラプトする。ＰＢＧ構造は、入
力５１において受信される光をコヒーレントに回折し、
これにより、入力光の波長の範囲を、チャネル５２，５
４，５６に沿って伝播させる。光は、入力チャネル５２
を伝播し、その後、出力チャネル５４および５６に沿っ
て伝播するように振幅分割する。プレーナ構造５８は、
全内部反射により、構造の面に垂直な方向に光伝播を制
限する。
【００２８】１×２スイッチは、出力チャネル５４，５
６の両方の特定の領域中に、オブジェクトのアレイ６
４，６６を含む。アレイ６４，６６は、図１Ａ−１Ｃに
示されたオブジェクトのアレイ２４に似た共振光キャビ
ティとして機能する。アレイ６４，６６は、チャネル５
４および５６に関連する光伝播に対する光的に制御可能
な透過性を有する光フィルタとして機能する。アレイ６
４，６６は、プレーナ構造５８の上表面中の透明な制御
アクセスウィンドウ６７，６８によりアレイ６４，６６
に導入される制御光ビームの強度により独立に制御され
る。制御光ビームの強度は、アレイ６４，６６を透過状
態および反射状態の間でスイッチし、入力光を出力チャ
ネル５４，５６に選択的にスイッチする。
６の両方の特定の領域中に、オブジェクトのアレイ６
４，６６を含む。アレイ６４，６６は、図１Ａ−１Ｃに
示されたオブジェクトのアレイ２４に似た共振光キャビ
ティとして機能する。アレイ６４，６６は、チャネル５
４および５６に関連する光伝播に対する光的に制御可能
な透過性を有する光フィルタとして機能する。アレイ６
４，６６は、プレーナ構造５８の上表面中の透明な制御
アクセスウィンドウ６７，６８によりアレイ６４，６６
に導入される制御光ビームの強度により独立に制御され
る。制御光ビームの強度は、アレイ６４，６６を透過状
態および反射状態の間でスイッチし、入力光を出力チャ
ネル５４，５６に選択的にスイッチする。
【００２９】特に、媒体のバンドギャップより僅かに長
い（例えば、Ｇａ，Ａｓ，ＩｎおよびＰで形成されたい
くつかの結晶半導体に対して１．２−１．３μｍ）にお
ける選択された制御光強度をウィンドウ６７に導入する
ことは、アレイ６４中の屈折率を変化させる。新しい屈
折率は、アレイ６４を、入力チャネル５２から受信され
た光をチャネル５２，５６に反射させ、チャネル５４に
光が伝播することを停止させる。いくつかの実施形態
は、１つ以上の光散乱オブジェクト５９、例えば孔を、
チャネル５４と５６との間の交差点近くに配置し、出力
チャネル５６において終了する反射光のパーセンテージ
を増大させる。
い（例えば、Ｇａ，Ａｓ，ＩｎおよびＰで形成されたい
くつかの結晶半導体に対して１．２−１．３μｍ）にお
ける選択された制御光強度をウィンドウ６７に導入する
ことは、アレイ６４中の屈折率を変化させる。新しい屈
折率は、アレイ６４を、入力チャネル５２から受信され
た光をチャネル５２，５６に反射させ、チャネル５４に
光が伝播することを停止させる。いくつかの実施形態
は、１つ以上の光散乱オブジェクト５９、例えば孔を、
チャネル５４と５６との間の交差点近くに配置し、出力
チャネル５６において終了する反射光のパーセンテージ
を増大させる。
【００３０】制御光は、ウィンドウ６８に導入され、入
力チャネル５２から受信される光に対して、アレイ６６
を反射性にさせることができる。そして、光は、チャネ
ル５６中を伝播するのではなく、アレイ６６によりチャ
ネル５２，５４に反射される。
力チャネル５２から受信される光に対して、アレイ６６
を反射性にさせることができる。そして、光は、チャネ
ル５６中を伝播するのではなく、アレイ６６によりチャ
ネル５２，５４に反射される。
【００３１】図３は、１×Ｎ光スイッチとして機能する
プレーナ構造７０の上面図である。構造７０は、１つの
入力光チャネル７２およびＮ個の出力光チャネル７４１
−７４Ｎを含む。各出力光チャネル７４１−７４Ｎは、
独立の制御光ビームにより制御可能でありかつ図１Ａ−
１Ｃのフィルタ１８に類似するフィルタ７６１−７６ Ｎ
を含む。個々の制御光ビームの強度は、関連するフィル
タ７６１−７６Ｎが、関連するチャネル７４１−７４Ｎ
中の光に対して透過性または反射性であるかを決定し、
これにより、スイッチを通る入力チャネル７２からの光
信号のルーティングを制御する。
プレーナ構造７０の上面図である。構造７０は、１つの
入力光チャネル７２およびＮ個の出力光チャネル７４１
−７４Ｎを含む。各出力光チャネル７４１−７４Ｎは、
独立の制御光ビームにより制御可能でありかつ図１Ａ−
１Ｃのフィルタ１８に類似するフィルタ７６１−７６ Ｎ
を含む。個々の制御光ビームの強度は、関連するフィル
タ７６１−７６Ｎが、関連するチャネル７４１−７４Ｎ
中の光に対して透過性または反射性であるかを決定し、
これにより、スイッチを通る入力チャネル７２からの光
信号のルーティングを制御する。
【００３２】例示的なスイッチは、埋込型２Ｄ ＰＢＧ
構造を備えたプレーナ構造７０である。プレーナ導波路
を横切るＰＢＧ構造の光散乱オブジェクト、例えば孔
は、チャネル７４１−７４Ｎにはない。
構造を備えたプレーナ構造７０である。プレーナ導波路
を横切るＰＢＧ構造の光散乱オブジェクト、例えば孔
は、チャネル７４１−７４Ｎにはない。
【００３３】各フィルタ７６１−７６Ｎは、図１Ａ−１
Ｃのフィルタ１８において使用されるアレイに似たオブ
ジェクトのアレイから形成され得る。したがって、個々
のフィルタ７６１−７６Ｎに関連する制御光ビームの存
在および／または不存在は、出力チャネル７４１−７４
Ｎを通る入力光の伝播を制御することになる。例えば、
全ての制御光ビームが「オフ」であるとき、各チャネル
のフィルタ７４１−７４Ｎは、本質的に同じ伝播特性を
示し、入力光は、各出力チャネル７４１−７４ Ｎに伝播
することになる。
Ｃのフィルタ１８において使用されるアレイに似たオブ
ジェクトのアレイから形成され得る。したがって、個々
のフィルタ７６１−７６Ｎに関連する制御光ビームの存
在および／または不存在は、出力チャネル７４１−７４
Ｎを通る入力光の伝播を制御することになる。例えば、
全ての制御光ビームが「オフ」であるとき、各チャネル
のフィルタ７４１−７４Ｎは、本質的に同じ伝播特性を
示し、入力光は、各出力チャネル７４１−７４ Ｎに伝播
することになる。
【００３４】代替的に、Ｎ−１個の制御光ビームがアク
ティブ化される場合、この制御光ビームに関連づけられ
たＮ−１個の出力チャネル７４１−７４Ｎは、入力光に
対して反射性になる。そして、これらのチャネル７４１
−７４Ｎは、入力光チャネル７２および残りの出力光チ
ャネルに沿って入力光を反射して戻す。これにより、こ
の構成に対して、１つのみの出力チャネルが、それを通
って入力光信号が伝播することを許容する。
ティブ化される場合、この制御光ビームに関連づけられ
たＮ−１個の出力チャネル７４１−７４Ｎは、入力光に
対して反射性になる。そして、これらのチャネル７４１
−７４Ｎは、入力光チャネル７２および残りの出力光チ
ャネルに沿って入力光を反射して戻す。これにより、こ
の構成に対して、１つのみの出力チャネルが、それを通
って入力光信号が伝播することを許容する。
【００３５】構造７０の他の実施形態において、図示し
ない追加的な光フィルタが、他の出力チャネル７４１−
７４Ｎ−１との交差点間の出力チャネル７４Ｎ上の場所
に沿って配置される。追加的なフィルタは、図１Ａ−１
Ｃのフィルタ１８と同様のものであり、更なるルーティ
ング制御を提供するために別個の制御光ビームにより動
作される。
ない追加的な光フィルタが、他の出力チャネル７４１−
７４Ｎ−１との交差点間の出力チャネル７４Ｎ上の場所
に沿って配置される。追加的なフィルタは、図１Ａ−１
Ｃのフィルタ１８と同様のものであり、更なるルーティ
ング制御を提供するために別個の制御光ビームにより動
作される。
【００３６】上述したスイッチにおいて、スイッチング
スピードは、ターンオン時間およびターンオフ時間の和
である。スイッチング時間は、バルク媒体の特性、例え
ばＩＩＩ−Ｖ族半導体の特性および制御可能な光フィル
タ１８，６４，６６，７６１−７６Ｎに使用されるオブ
ジェクトのアレイ２４および欠陥２６の形の両方に依存
する。特に、制御光ビームにより誘導される電子および
成功のキャリア密度は、制御可能な光フィルタ１８，６
４，６６，７６１−７６Ｎにおける屈折率を決める。
スピードは、ターンオン時間およびターンオフ時間の和
である。スイッチング時間は、バルク媒体の特性、例え
ばＩＩＩ−Ｖ族半導体の特性および制御可能な光フィル
タ１８，６４，６６，７６１−７６Ｎに使用されるオブ
ジェクトのアレイ２４および欠陥２６の形の両方に依存
する。特に、制御光ビームにより誘導される電子および
成功のキャリア密度は、制御可能な光フィルタ１８，６
４，６６，７６１−７６Ｎにおける屈折率を決める。
【００３７】これにより、ターンオン時間は、必要とさ
れるキャリア密度を生じる制御光パルスを生成するため
に必要とされる時間によってのみ制限される。他方にお
いて、ターンオフ時間は、同じ電子および成功キャリア
を再結合するために必要とされる時間により制限され
る。キャリア再結合レートは、バルク媒体の固有な特性
および表面処理の両方に依存する。再結合レートへの表
面寄与（surface contributions）は、表面積および制
御可能なフィルタ１８，６４，６６，７６１−７６Ｎを
形成するオブジェクト２４の表面に対する表面特性の両
方に依存する。
れるキャリア密度を生じる制御光パルスを生成するため
に必要とされる時間によってのみ制限される。他方にお
いて、ターンオフ時間は、同じ電子および成功キャリア
を再結合するために必要とされる時間により制限され
る。キャリア再結合レートは、バルク媒体の固有な特性
および表面処理の両方に依存する。再結合レートへの表
面寄与（surface contributions）は、表面積および制
御可能なフィルタ１８，６４，６６，７６１−７６Ｎを
形成するオブジェクト２４の表面に対する表面特性の両
方に依存する。
【００３８】フィルタ１８，６４，６６，７６１−７６
Ｎ中のオブジェクト２４の数が大きくなると、再結合に
対する実際の表面寄与が大きくなり、ターンオフ時間が
短くなる。それにも関わらず、ターンオフ時間を短くす
ると、スイッチを同じ状態に維持するために光制御ビー
ムにより供給されなければならないパワーの比例的増大
を生じる。これにより、スイッチングスピードは、スイ
ッチを特定の構成に維持するために利用可能なパワーバ
ジェット（power budget）により制限されることにな
る。
Ｎ中のオブジェクト２４の数が大きくなると、再結合に
対する実際の表面寄与が大きくなり、ターンオフ時間が
短くなる。それにも関わらず、ターンオフ時間を短くす
ると、スイッチを同じ状態に維持するために光制御ビー
ムにより供給されなければならないパワーの比例的増大
を生じる。これにより、スイッチングスピードは、スイ
ッチを特定の構成に維持するために利用可能なパワーバ
ジェット（power budget）により制限されることにな
る。
【００３９】図１Ａ−１Ｃ、２および３に示された光ス
イッチの様々な実施形態は、集積光増幅器を含む。この
増幅器は、チャージキャリアを注入した半導体媒体を通
る信号伝播により引き起こされる信号減衰を相殺する利
得を提供する。例示的な増幅器は、出力チャネルの半導
体媒体を跨って配置された電気コンタクトおよびこれら
のコンタクトに接続された電源を含む。電源は、出力チ
ャネル中のキャリア密度をポンプし、ポンプされたキャ
リア密度は、誘導放出（stimulated emission）により
出力信号を増幅する。減衰を相殺するためのそのような
増幅器の使用は、当業者に知られている。
イッチの様々な実施形態は、集積光増幅器を含む。この
増幅器は、チャージキャリアを注入した半導体媒体を通
る信号伝播により引き起こされる信号減衰を相殺する利
得を提供する。例示的な増幅器は、出力チャネルの半導
体媒体を跨って配置された電気コンタクトおよびこれら
のコンタクトに接続された電源を含む。電源は、出力チ
ャネル中のキャリア密度をポンプし、ポンプされたキャ
リア密度は、誘導放出（stimulated emission）により
出力信号を増幅する。減衰を相殺するためのそのような
増幅器の使用は、当業者に知られている。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
非線形光媒体を使用する改良された光デバイスを提供す
ることができる。
非線形光媒体を使用する改良された光デバイスを提供す
ることができる。
【００４１】特許請求の範囲の発明の要件の後に括弧で
記載した番号がある場合は、本発明の一実施例の対応関
係を示すものであって、本発明の範囲を限定するものと
解釈すべきではない。
記載した番号がある場合は、本発明の一実施例の対応関
係を示すものであって、本発明の範囲を限定するものと
解釈すべきではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ａ 集積光スイッチの上面図 Ｂ 集積光スイッチの側面図 Ｃ ＰＢＧ構造に基づく図１Ａ−１Ｂのスイッチの一実
施形態を示す図 Ｄ 図１Ａ−１Ｃのスイッチにおいて使用されるフィル
タの反射率はどのように制御光ビームの強度に依存する
かを示す図 Ｅ 図１Ａ−１Ｃの集積光スイッチの動作方法を示すフ
ローチャート
施形態を示す図 Ｄ 図１Ａ−１Ｃのスイッチにおいて使用されるフィル
タの反射率はどのように制御光ビームの強度に依存する
かを示す図 Ｅ 図１Ａ−１Ｃの集積光スイッチの動作方法を示すフ
ローチャート
【図２】１×２光スイッチの一実施形態の上面図
【図３】１×Ｎ光制御可能カプラの一実施形態を示す上
面図
面図
６ 外側層 ８ プレーナ構造 １２ 光チャネル １３ 境界 １４ 光入力 １６ 光出力 １８ 光フィルタ １９ 制御アクセスウィンドウ ２０，２４ オブジェクト ２２，２３ アレイ ２６ 欠陥 ５１ 入力 ５２ 入力光チャネル ５４，５６ 出力光チャネル ５８ プレーナ構造 ５９ オブジェクト ６４，６６ アレイ ６７，６８ 制御アクセスウィンドウ ７０ プレーナ構造 ７２ 入力光チャネル ７４ 出力光チャネル ７６ フィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊｅ ｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 フィリップ モス プラッツマン アメリカ合衆国、07078 ニュージャージ ー州、ショート ヒルズ、アディソン ド ライブ 80 (72)発明者 ロバート ウェイバリー ゼウナー アメリカ合衆国、02139 マサチューセッ ツ州、ケンブリッジ、パイン ストリート １、61 Ｆターム(参考） 2H047 KA03 LA12 QA02 RA08 2H079 AA08 AA12 AA14 BA01 CA05 CA07 DA16 EA05 EA07 KA08 2K002 AB04 AB05 AB34 BA01 CA13 DA08 EA07 EA16 HA16
Claims (10)
- 【請求項１】 非線形光媒体および上表面を有するプレ
ーナ基板と、 前記基板中に配置され、中心領域および前記中心領域へ
光を伝播させるように構成された１つ以上の境界を有す
る導波路と、 前記導波路中に配置され、前記上表面を通して前記フィ
ルタへ伝達される制御光の強度に応答する光に対するス
ペクトル透過性を有する光フィルタとを有することを特
徴とする集積光スイッチングデバイス。 - 【請求項２】 前記基板中に配置され、その中に前記上
表面が制御光を導入することができ、前記第１の導波路
に光的に接続された第２の導波路と、 前記第２の導波路中に配置され、別の導波路中の制御光
の強度に応答する媒体中を伝播する光に対するスペクト
ル透過性を有する第２のフィルタとをさらに有すること
を特徴とする請求項１記載のデバイス。 - 【請求項３】 前記第１および第２のフィルタは、前記
制御光の強度に異なるように応答する透過性を有するこ
とを特徴とする請求項２記載のデバイス。 - 【請求項４】 光を導波路を通して伝達させるコマンド
に応答して、導波路の領域中に第１の強度の制御光を導
入するステップと、 入力光を前記導波路を通して伝達させないコマンドに応
答して、前記領域中に第２の強度の制御光を導入するス
テップと、 第１および第２の強度の制御光を伝達させる動作を実行
する一方で、入力光を伝達させるステップとを有し、 前記領域は、その中の光強度に応答するスペクトル透過
性を有することを特徴とする光をスイッチングする方
法。 - 【請求項５】 前記導入するステップおよび光を伝達さ
せるステップは、異なる波長の光を前記導波路に送るこ
とを特徴とする請求項４記載の方法。 - 【請求項６】 前記導入するステップおよび前記伝達さ
せるステップは、光を異なる光ウィンドウを通して前記
導波路に送ることを特徴とする請求項４記載の方法。 - 【請求項７】 前記導入するステップのうちの１つが、
前記導波路へ光を送り、前記送られる光は、前記送られ
る光を受信する導波路中のチャージキャリア密度を増大
させるのに十分に短い波長を有することを特徴とする請
求項４記載の方法。 - 【請求項８】 基板と、 前記基板中に配置され、非線形媒体、入力、第１および
第２の出力、前記入力から前記第１または第２の出力に
光を伝達させ、媒体に与えられるある強度の光制御信号
に応答して、第１の出力から第２の出力へのある波長の
光のルーティングを変化させる光カプラと、 前記基板中に配置され、かつ前記入力に結合された第１
の光導管と、 前記基板中に配置され、かつ前記第１の出力に結合され
た第２の光導管と、 前記基板中に配置され、かつ前記第２の出力に結合され
た第３の光導管とを有することを特徴とする集積光デバ
イス。 - 【請求項９】 前記カプラは、前記入力から前記第１の
出力へ光を伝達することにより、制御光の１つの空間的
分配に応答し、かつ前記入力から前記第２の出力へ光を
伝達することにより、制御光の第２の空間的分配に応答
することを特徴とする請求項８記載のデバイス。 - 【請求項１０】 前記カプラは、非線形媒体の電子的バ
ンドギャップより大きいエネルギに対応する波長を有す
る制御光信号に応答して、前記第１の出力から前記第２
の出力への光のルーティングを変化させることを特徴と
する請求項９記載のデバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/752,634 US6697542B2 (en) | 2000-12-29 | 2000-12-29 | Integrated optical switches using nonlinear optical media |
| US09/752634 | 2000-12-29 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002268105A true JP2002268105A (ja) | 2002-09-18 |
| JP2002268105A5 JP2002268105A5 (ja) | 2005-06-23 |
| JP4380957B2 JP4380957B2 (ja) | 2009-12-09 |
Family
ID=25027132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001400438A Expired - Fee Related JP4380957B2 (ja) | 2000-12-29 | 2001-12-28 | 集積光スイッチングデバイスおよび光をスイッチングする方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6697542B2 (ja) |
| JP (1) | JP4380957B2 (ja) |
| CA (1) | CA2363630C (ja) |
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| WO2005093481A1 (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Kyoto University | ヘテロ構造を有するフォトニック結晶及びそれを用いた光デバイス |
| KR101841131B1 (ko) | 2016-08-22 | 2018-03-22 | 삼성전자주식회사 | 광학필터 및 이를 이용한 광학 디바이스 |
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| JP2003228088A (ja) * | 2002-02-01 | 2003-08-15 | Hitachi Ltd | 光スイッチ |
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