JP4363438B2 - マイクロマシンスイッチを含む集積回路、集積回路の製造方法、及び集積回路を含む電子回路 - Google Patents
マイクロマシンスイッチを含む集積回路、集積回路の製造方法、及び集積回路を含む電子回路 Download PDFInfo
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Description
基板上に、誘電材料によって実質的にそれぞれ分離された複数の導電層を順次塗布する工程であって、前記複数の導電層のうち第一の導電層が前記少なくとも一つのアクチュエーター電極を構成し、前記複数の導電層のうち第二の導電層が前記少なくとも一つのコンタクト電極を構成し、前記複数の導電層のうち第三の導電層が前記可動導電素子を構成するように、当該複数の導電層を塗布する工程と、
少なくとも三層の導電層を含み、少なくともこの導電層の一部が誘電材料によって分離されているような積層構造を形成するように、前記複数の導電層の一部を選択的に取り除く工程と、
前記可動導電素子が、少なくとも前記少なくとも一つのコンタクト電極に対して可動となるように前記誘電材料の一部を取り除く工程であって、前記アクチュエーター電極が前記少なくとも一つのコンタクト電極に接触していないオープン状態と、前記アクチュエーター電極が前記少なくとも一つのコンタクト電極に実質的に接触しており前記スイッチが閉じているクローズ状態との間で、前記可動導電素子が選択的に移動可能となるように形成する工程と、を有する。
21、22・・・コンタクト電極
31・・・可動導電素子
311・・・中央部
312・・・梁部
100、101・・・シリコン基板
301・・・MOSFETトランジスタ
302・・・コンデンサー
303・・・抵抗
201・・・第一の誘電層間絶縁層
2‐5・・・金属層
206・・・保護膜
101・・・Pウェル
102・・・二酸化シリコン層
201‐205・・・誘電層
410・・・スイッチマトリクス
409・・・スイッチ
420・・・フィルターバンク
401‐404・・・フィルター
408・・・アンテナ
405・・・低雑音増幅器(LNA)
407・・・局部発信器
406・・・ミキサー
Claims (5)
- 回路部品とマイクロマシンスイッチを含む集積回路であって、
前記回路部品は、シリコン基板の上に形成された二酸化シリコン層の上に配置されており、
前記マイクロマシンスイッチは、アクチュエーター電極と、コンタクト電極と、可動導電素子とを含み、
前記可動導電素子は、前記アクチュエーター電極の状態に応じて、前記可動導電素子が前記コンタクト電極に接触していないオープン状態と、前記可動導電素子が前記コンタクト電極に接触しているクローズ状態との間で、選択的に移動可能に配置されており、
前記アクチュエーター電極は、前記回路部品の一部を構成するポリシリコン層により形成されており、
前記コンタクト電極は、前記ポリシリコン層の上に形成された第一金属層によって形成されており、
前記可動導電素子は、前記第一金属層の上に形成された第二金属層によって形成されており、
前記ポリシリコン層と前記第一金属層との間、及び前記第一金属層と前記第二金属層との間は二酸化シリコン層によって分離されており、
前記回路部品と前記マイクロマシンスイッチを含む当該集積回路は、二酸化シリコン層によってそれぞれ分離された導電層を順次堆積して、前記アクチュエーター電極、前記コンタクト電極及び前記可動導電素子を形成するCMOSプロセスによって形成されていることを特徴とする集積回路。 - 前記コンタクト電極は、互いに離間した二つのコンタクト電極を含み、前記二つのコンタクト電極は、前記可動導電素子が前記クローズ状態に位置しているときに、前記可動導電素子と接触するように配置され、前記二つのコンタクト電極間が前記可動導電素子によって電気的に接続されることを特徴とする請求項1に記載の集積回路。
- 請求項1または2に記載の集積回路を有することを特徴とする電子回路。
- 前記電子回路は、複数のフィルターを有し、
前記集積回路は、信号をフィルターする前記複数のフィルターのうちの一つを選択するためのスイッチマトリクスを構成するように配列された複数の前記マイクロマシンスイッチを有することを特徴とする請求項3に記載の電子回路。 - 回路部品とマイクロマシンスイッチを含み、
前記マイクロマシンスイッチは、アクチュエーター電極と、コンタクト電極と、可動導電素子とを含み、
前記可動導電素子は、前記アクチュエーター電極の状態に応じて、前記可動導電素子が前記コンタクト電極に接触していないオープン状態と、前記可動導電素子が前記コンタクト電極に接触しているクローズ状態との間で、選択的に移動可能に配置されている集積回路を製造する方法であって、
シリコン基板の上に二酸化シリコン層を形成する工程と、
前記二酸化シリコン層の上にポリシリコン層を形成し、該ポリシリコン層の一部を選択的にエッチングによって取り除くことで前記回路部品と前記アクチュエーター電極を形成する工程と、
前記回路部品と前記アクチュエーター電極を埋め込むように二酸化シリコン層を塗布する工程と、
該二酸化シリコン層の上に第一金属層を塗布し、該第一金属層の一部を選択的にエッチングによって取り除くことで前記コンタクト電極を形成する工程と、
前記コンタクト電極を埋め込むように二酸化シリコン層を塗布する工程と、
該二酸化シリコン層の上に第二金属層を塗布し、該第二金属層の一部を選択的にエッチングによって取り除くことで前記可動導電素子を形成する工程と、
前記可動導電素子が、前記コンタクト電極に対して可動となるように前記二酸化シリコン層の一部をエッチングにより取り除く工程であって、前記可動導電素子が前記コンタクト電極に接触していないオープン状態と、前記可動導電素子が前記コンタクト電極に接触しているクローズ状態との間で、前記可動導電素子が選択的に移動可能となるように形成する工程と、を有し、
前記回路部品と前記アクチュエーター電極を形成する工程と、前記コンタクト電極と前記可動導電素子とを形成するように複数の導電層を堆積する工程とをCMOSプロセスによって行うことを特徴とする集積回路の製造方法。
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