JP4362419B2 - コンデンサマイクロホン - Google Patents
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振動膜と背面電極板とが対向配置されてなるコンデンサ構造部と、このコンデンサ構造部の静電容量の変化を電気インピーダンス変換するインピーダンス変換素子と、このインピーダンス変換素子を実装する回路基板と、これらコンデンサ構造部、インピーダンス変換素子および回路基板を収容する金属製のハウジングと、を備えてなるコンデンサマイクロホンにおいて、
上記ハウジングが、略円筒状に形成されており、
上記インピーダンス変換素子が、上記コンデンサ構造部の外周側に配置されており、
上記振動膜が、上記ハウジングの径方向よりも周方向に長い略楕円形の振動面形状を有しているとともに、上記コンデンサ構造部が、上記ハウジングの径方向よりも周方向に長い略楕円形の外形形状を有しており、
上記ハウジング内に、該ハウジングと上記背面電極板とを電気的に絶縁するための絶縁ブッシュが設けられており、
この絶縁ブッシュが、上記ハウジングの内周面に沿って略円形のリング状に延びる第1リング部と、上記コンデンサ構造部を囲むようにして略楕円形のリング状に延びる第2リング部と、この第2リング部から上記コンデンサ構造部の外周側へ向けて上記第1リング部まで延びる少なくとも1つの補強梁部とを備えてなり、
上記第2リング部が、上記ハウジングの中心を通るように形成されるとともに、上記少なくとも1つの補強梁部が、上記ハウジングの略中心において上記第2リング部から延びるように形成されている、ことを特徴とするものである。
12 ハウジング
12a 音孔
12b 周壁
12b1 下端部
12c 上面部
14 絶縁ブッシュ
14A 第1リング部
14B 第2リング部
14C 補強梁部
14b1、14b2 連通溝
14c 外周面
14d 位置決め用突起部
16 コンデンサ構造部
18 コンタクトスプリング
20 インピーダンス変換素子
20A チップ本体
20D、20G、20S 端子片
22、24 コンデンサ
26 回路基板
32 振動膜サブアッセンブリ
32A 振動膜
32B 支持リング
34 スペーサ
36 背面電極板
36A 電極板本体
36B エレクトレット層
36a 貫通孔
42 基板本体
42a 上面
42b 下面
42c、42d スルーホール
44A、44B、44C、46A、46B 導電層
48 絶縁層
A 円形領域
C1、C2、C3、C4 空間部
O 中心
Claims (4)
- 振動膜と背面電極板とが対向配置されてなるコンデンサ構造部と、このコンデンサ構造部の静電容量の変化を電気インピーダンス変換するインピーダンス変換素子と、このインピーダンス変換素子を実装する回路基板と、これらコンデンサ構造部、インピーダンス変換素子および回路基板を収容する金属製のハウジングと、を備えてなるコンデンサマイクロホンにおいて、
上記ハウジングが、略円筒状に形成されており、
上記インピーダンス変換素子が、上記コンデンサ構造部の外周側に配置されており、
上記振動膜が、上記ハウジングの径方向よりも周方向に長い略楕円形の振動面形状を有しているとともに、上記コンデンサ構造部が、上記ハウジングの径方向よりも周方向に長い略楕円形の外形形状を有しており、
上記ハウジング内に、該ハウジングと上記背面電極板とを電気的に絶縁するための絶縁ブッシュが設けられており、
この絶縁ブッシュが、上記ハウジングの内周面に沿って略円形のリング状に延びる第1リング部と、上記コンデンサ構造部を囲むようにして略楕円形のリング状に延びる第2リング部と、この第2リング部から上記コンデンサ構造部の外周側へ向けて上記第1リング部まで延びる少なくとも1つの補強梁部とを備えてなり、
上記第2リング部が、上記ハウジングの中心を通るように形成されるとともに、上記少なくとも1つの補強梁部が、上記ハウジングの略中心において上記第2リング部から延びるように形成されている、ことを特徴とするコンデンサマイクロホン。 - 上記背面電極板の外周面が、上記第2リング部の内周面と略同形状に設定されている、ことを特徴とする請求項1記載のコンデンサマイクロホン。
- 上記少なくとも1つの補強梁部が、上記第2リング部から上記コンデンサ構造部の外周側へ向けて垂直に途中まで延びた後、二股に分岐して上記第1リング部まで延びている、ことを特徴とする請求項1または2記載のコンデンサマイクロホン。
- 上記ハウジングの厚さが、1mm以下の値に設定されている、ことを特徴とする請求項1〜3いずれか記載のコンデンサマイクロホン。
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JP2004193689A JP4362419B2 (ja) | 2004-06-30 | 2004-06-30 | コンデンサマイクロホン |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2006019884A JP2006019884A (ja) | 2006-01-19 |
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CN111147997A (zh) * | 2020-02-24 | 2020-05-12 | 无锡韦尔半导体有限公司 | 电容传感器及其制造方法 |
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2004
- 2004-06-30 JP JP2004193689A patent/JP4362419B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP2006019884A (ja) | 2006-01-19 |
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