JP2004032019A

JP2004032019A - コンデンサマイクロホン

Info

Publication number: JP2004032019A
Application number: JP2002180880A
Authority: JP
Inventors: Motoaki Ito; 伊藤　元陽; Mikio Suzuki; 鈴木　美紀雄
Original assignee: Star Micronics Co Ltd
Current assignee: Star Micronics Co Ltd
Priority date: 2002-06-21
Filing date: 2002-06-21
Publication date: 2004-01-29

Abstract

【課題】薄型でさらに高品質化を図ることができるエレクトレット型のコンデンサマイクロホンを提供することを目的とするものである。
【解決手段】コンデンサマイクロホン１０は、コンデンサ部ＣとＪＦＥＴボード２４とを電気的に接続するための導通部を、平面部材を切り起こした複数の切り起こし板バネ２２ｃにより構成している為、バネ自体の高さを低くでき、コンデンサマイクロホン１０全体としての薄型化にも貢献が可能である。また、コンデンサ部Ｃに対して均一にかつ十分な圧接力を保つことができる。これにより、コンデンサマイクロホン１０を薄型でさらに安定した製品として製造することが可能となる。
【選択図】　　　　　図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、エレクトレット型のコンデンサマイクロホンに関するものであり、特に、超小型のエレクトレット型コンデンサマイクロホンについて、品質の向上を図るための構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、マイクロホンの一形式として、エレクトレット型のコンデンサマイクロホンが知られている。
【０００３】
このエレクトレット型のコンデンサマイクロホンは、例えば実用新案登録第２５８７６８２号公報に開示されているように、一端が音孔用開口部を有する端面壁で構成されるとともに他端が開放された筒状のケース内に、スペーサを介して対向する振動板と背極板とからなるコンデンサ部と、このコンデンサ部の静電容量の変化を電気インピーダンス変換するインピーダンス変換素子（能動素子）を実装する基板とが収容された構成となっている。
【０００４】
その際、上記公報にも開示されているように、上記コンデンサ部は、その振動板を一端側に位置させるようにして収容され、上記基板は、コンデンサ部よりも他端側において、そのインピーダンス変換素子を一端側に位置させるようにして収容されることが多い。
【０００５】
このエレクトレット型のコンデンサマイクロホンは、元々小型であるが、近年小型化に拍車がかかる携帯電話機等に搭載して使用する場合には、さらなる小型化薄型化が望まれる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のエレクトレット型のコンデンサマイクロホンをさらに小型化する場合、コンデンサ部は各種の部品により構成されるため、空間である背面空間部をより狭くしさらなる小型化を図る場合が多い。
それに伴い、背極板とインピーダンス変換素子を実装する基板やそれらの導通を行う導通部材を小型小径化しなければならない。また、導通部材をリング状の金属部材で構成した場合、組立の際のカシメ圧により、背極板上のＦＥＰが潰れてしまう問題があった。また、背極板上のＦＥＰが潰れないようにするためには、背極板を受けるスペーサの面積を大きくし、カシメ圧を分散させればよいが、スペーサの面積を大きくすると、マイクロホンとしてのコンデンサ容量が減少し感度が低下してしまう問題が生じる。
その他、導通部材として背極板との接触圧を保つためにバネ部材により構成されるものもあるが、このバネ部材も携帯電話等の薄型化に伴いあまり高さをとることができなくなっている。
このような薄型化された空間にコイルバネを介在させるには、接触圧を持たせるためにある程度の巻き数を確保せねばならず、結局薄型化できなくなってしまい、近年の小型化薄型化の要請に応えることができないという問題もあった。
【０００７】
本願発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、超小型でさらに高品質化を図ることができるエレクトレット型のコンデンサマイクロホンを提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本願発明は、導通部に複数の板バネを使用することにより、上記目的達成を図るようにしたものである。
【０００９】
すなわち、本願発明に係るコンデンサマイクロホンは、音等による振動を静電容量変化に変換するためのダイヤフラムとバックプレートを含むコンデンサ部と、上記コンデンサ部で変換した静電容量変化を電気信号に変換するためのインピーダンス変換素子を含む回路基板と、上記コンデンサ部と上記回路基板とを電気的に接続するための導通部と、を備えるコンデンサマイクロホンにおいて、
上記導通部の上記コンデンサ部との接触部は平面部材を切り起こした複数の板バネにより形成されていることを特徴とするものである。
また、音等による振動を静電容量変化に変換するためのダイヤフラムとバックプレートを含むコンデンサ部と、上記コンデンサ部で変換した静電容量変化を電気信号に変換するためのインピーダンス変換素子を含む回路基板と、上記コンデンサ部と上記回路基板とを電気的に接続するための導通部と、を備えるコンデンサマイクロホンにおいて、上記導通部の上記コンデンサ部との接触部は平面部材の外周部に形成した複数の板バネにより構成されていることを特徴とするものである。
また、上記導通部は、底部のある略円筒形のキャップ状部材で形成され、上記平面部材を上記底部により構成し、上記底部を切り起こし上記接触部である上記板バネを形成したことを特徴とするものである。
また、上記接触部である上記板バネには、上記コンデンサ部と接触するためのストレート部が設けられていることを特徴とするものである。
また、上記板バネの切り起こし元部の折り目は、上記ストレート部と平行に設けられていることを特徴とするものである。
【００１０】
上記「コンデンサマイクロホン」は、振動板にエレクトレットの機能が付与されたホイルエレクトレット型のコンデンサマイクロホンであってもよいし、背極板にエレクトレットの機能が付与されたバックエレクトレット型のコンデンサマイクロホンであってもよい。
【００１１】
上記「インピーダンス変換素子」は、コンデンサ部の静電容量の変化を電気インピーダンスに変換することが可能なものであれば、特定の素子に限定されるものではなく、例えばＪＦＥＴ（接合形ＦＥＴ）等が採用可能である。
【００１２】
【発明の作用効果】
上記構成に示すように、本願発明に係るコンデンサマイクロホンは、
コンデンサ部と回路基板とを電気的に接続するための導通部を、平面部材を切り起こした複数の板バネにより構成しており、バネ自体の高さを低くできるためマイクロホン全体としての小型化薄型化にも貢献が可能である。また、コンデンサ部に対して均一にかつ十分な圧接力を保つことができる。
【００１３】
したがって本願発明によれば、エレクトレット型のコンデンサマイクロホンにおいて、超小型でさらに安定した製品製造を行うことができる。
【００１４】
また、導通部のコンデンサ部との接触部を平面部材の外周部に形成した複数の板バネにより構成したことにより、背極板外周部でカシメ圧を受けることができるためより広い面での押圧が可能になり、カシメ圧等による背極板上のＦＥＰの破壊を防止することができる。また、板バネを３個以上配置することにより、均一な押圧力を背極板に加えることができ、製品のバラツキや不良の発生を解消することが可能となり、歩留まりが向上する。
【００１５】
また、導通部を底部のある略円筒形のキャップ状部材で形成し、平面部材を底部により構成し、さらに、底部を切り起こし、接触部である板バネを形成することにより、導通部としてリング状部材とバネ部材を一体に構成でき、部品点数の増加を防いでいる。
【００１６】
また、接触部である板バネには、コンデンサ部と接触するためのストレート部が設けられているため、背極板に対し広い接触部をもって接触させることが可能になり、安定した導通を得ることが可能となる。さらに、背極板に対し、貫通孔の径よりも長さの大きいストレート部が接触するため、背極板の貫通孔に板バネが入り込んでしまうことがなく、組み立て性が向上し、位置精度のバラツキ等も防止することができる。
【００１７】
また、平面部材を切り起こした板バネの切り起こし元部の折り目が、ストレート部と平行に設けられているため、板バネが折り起こされた際にストレート部が平面部材と平行に構成される。これにより平面部材の面と背極板の面とを平行に配置することができるため、ストレート部と背極板とが平行に配置され、背極板と導通部との導通を確実に行うことができ、導通不良の少ない安定した製品を提供することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて、本願発明の実施の形態について説明する。
【００１９】
図１は、本願発明の一実施形態に係るコンデンサマイクロホンを上向きに配置した状態で示す斜視図である。また、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ　線断面図であり、図３は、導通部の斜視図、図４は、コンデンサマイクロホンを分解して示す斜視図である。
【００２０】
これらの図に示すように、本実施形態に係るコンデンサマイクロホン１０は、外径が３．０ｍｍ程度のエレクトレット型の小型マイクロホンであって、上下方向に延びる背の低い円筒状のケース１２内に、振動板サブアッシー１４、スペーサ１６、絶縁性ブッシュ２０、バックプレートである背極板１８、コンタクトスプリング２２およびＪＦＥＴボード２４（基板）が、上からこの順序で収容されている。
【００２１】
ケース１２は、その上端（一端）が内径０．５ｍｍ程度の音孔３０を有する端面壁１２ａで構成されるとともに下端（他端）が開放された金属製（例えばアルミニウム製）の部材であって、プレス成形等により形成されている。そして、このケース１２は、該ケース１２内に上記各部品を収容した状態で、その開放端部１２ｂがＪＦＥＴボード２４の外周縁部に全周にわたってかしめ固定されている。このケース１２には、その上端にコンデンサマイクロホン１０の内外の気圧を調整するためのベント溝１２ｄが形成されている。このベント溝１２ｄの幅は０．２ｍｍ程度、深さ０．０２ｍｍ程度に設定されている。
【００２２】
振動板サブアッシー１４（ダイヤフラム）は、薄い円板状の振動膜２６と、この振動膜２６を固定支持するリング状の支持フレーム２８とからなっている。支持フレーム２８による振動膜２６の固定支持は、振動膜２６の上面を支持フレーム２８の下面に、接着剤にて接着固定することにより行われており、支持フレーム２８と振動膜２６とが部分的に密着し電気的に接続されている。
【００２３】
振動膜２６は、厚みが１．５μｍ程度のＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ　Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）フィルム２６Ａの上面に、例えばニッケル（Ｎｉ）等の金属蒸着膜２６Ｂが形成されてなり、その外径はケース１２の内径（２．８ｍｍ程度）よりもやや小さい値（２．７５ｍｍ程度）に設定されている。
【００２４】
一方、支持フレーム２８は、金属製（例えばステンレス製）であって、振動膜２６と略同じ外径を有するとともに２．０ｍｍ程度の内径を有している。なお、振動板サブアッシー１４がケース１２内に収容された状態では、振動膜２６の金属蒸着膜２６Ｂが支持フレーム２８を介してケース１２と、後述する押圧力により圧接されているため、電気的に接続されることとなる。
【００２５】
スペーサ１６は、ケース１２の内径と略同じ外径を有するフレーム状の部材であって、板厚２５μｍ程度の円形の金属板（例えばステンレス製）の中央部にエッチング等により大きな開口部１６ａが形成されてなっている。
また、スペーサ１６には、コンデンサ部Ｃとして実効容量に寄与しない浮遊容量を減少させるための開口部である、スペーサ溝孔１６ｂが設けられている。
【００２６】
背極板１８（バックプレート）は、背極板本体１８０と、この背極板本体１８０の上面に形成されたエレクトレット１８２と、この背極板本体１８０及びエレクトレット１８２に形成された複数の貫通孔１８８と、からなっている。
【００２７】
背極板本体１８０は、その外形形状が円形の板厚０．１５ｍｍ程度の金属板（例えばステンレス鋼板）からなっている。
【００２８】
一方、エレクトレット１８２は、厚みが１２μｍ程度のＦＥＰ（Ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ　Ｅｔｈｙｌｅｎｅ　Ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）フィルムからなっている。
【００２９】
貫通孔１８８は、φ０．４ｍｍ程度の丸孔であり、等間隔に４個形成されている。この貫通孔１８８により、　振動膜２６と背極板１８の背面空間とを連通することができ、振動板サブアッシー１４と背極板１８の間で形成される薄流体層の抵抗成分を減少させ、高周波域（５ＫＨｚ以上帯域）の周波数応答性の改善に役立っている。また、設計段階において、貫通孔１８８の孔径や個数を調節することにより、高周波域の周波数応答性の調整をすることも可能である。
【００３０】
そして背極板１８は、あらかじめフィルム状のエレクトレット１８２を熱融着（ラミネート）させ、背極板本体１８０を構成することとなる金属板の表面にプレスやエッチング等により、貫通孔１８８が形成されると同時に、外形が円形に形成される。
【００３１】
その後、エレクトレット１８２に成極処理を施して所定の表面電位（例えば−３００Ｖ程度）となるように設定される。この背極板１８は、ケース１２と同心で該ケース１２内の絶縁性ブッシュ２０内に収容されるようになっている。
【００３２】
ケース１２内においては、背極板１８と振動膜２６とがスペーサ１６を介してその板厚である２５μｍ程度の間隔をおいて対向し、これによりコンデンサ部Ｃを構成するようになっている。
【００３３】
絶縁性ブッシュ２０は、ケース１２の内径と略同じ外径を有するリング状部材であって、ＬＰＣ（液晶ポリマー）等の合成樹脂で構成されている。この絶縁性ブッシュ２０の肉厚は、背極板１８を内包できるような値に設定されている。
【００３４】
コンタクトスプリング２２は、ドーナツ状の平面部材で構成された底部２２ａとリング状の円筒部２２ｂとにより構成される円筒キャップ状部材であり、ＳＵＳ等の金属により形成され、ＪＦＥＴボード２４上の接続部と背極板１８とを電気的に接続する為の導通部材である。
コンタクトスプリング２２の底部２２ａには、底部２２ａを切り起こした、板バネである切り起こし板バネ２２ｃが、底部２２ａの円周上に３個均等に配置されている。この各切り起こし板バネ２２ｃの外周側には、背極板１８と接触するための直線的に切り起こされたストレート部２２ｄがそれぞれに存在する。また、このストレート部２２ｄは、底部２２ａから切り起こし板バネ２２ｃを切り起こした根本部分の折り目である切り起こし元部２２ｅと、平行になるように設けられている。
【００３５】
具体的には、ストレート部２２ｄを延長した引出線Ｘ、Ｙ、Ｚとそれに対応する切り起こし元部２２ｅを延長した引出線Ｘ’、Ｙ’、Ｚ’で示すように、それぞれＸとＸ’、ＹとＹ’、ＺとＺ’が平行になっている。
【００３６】
さらに、ストレート部２２ｄの長さは背極板１８の貫通孔１８８の孔径よりも大きく設けられており、切り起こし板バネ２２ｃが貫通孔１８８に落ち込んでしまうことを防いでいる。
また、底部２２ａの中央は、背極板１８の背面空間とコンタクトスプリング２２内の空間を連通させるために開口されている。
【００３７】
円筒部２２ｂは、ＪＦＥＴボード２４上の素子を内包するための円筒部であり、音響的な背面空間としても利用される。
また、円筒部２２ｂはその外径が絶縁性ブッシュ２０の内径より若干小さい値になるように設定されており、できるだけ広い外径をとるように設けられている。これにより、ケース１２の開放端部１２ｂをかしめた際に背極板１８に加わる負荷を、外径の大きさで拡散させ、かつ、背極板１８の外周に近いところにカシメ圧が加わるようにすることができ、背極板１８の弾性変形を防止することができる。またこれにより、背極板１８の背極板本体１８０の上面に形成されたエレクトレット１８２等が潰れてしまうのを防止している。同様に、ケース１２の開放端部１２ｂをかしめた際にＪＦＥＴボード２４に加わるカシメ圧も、外径の大きさで拡散させ、ＪＦＥＴボード２４の変形も防止している。
なお、コンタクトスプリング２２は、組み立てた際に振動板サブアッシー１４やスペーサ１６、背極板１８等をケース１２に押圧力を働かせながら固定するよう、加圧力０．４Ｎ程度（伸張時１．３５ｍｍ、圧縮時０．７５ｍｍ程度）に設定されている。
【００３８】
ＪＦＥＴボード２４は、円形のボード本体３２に、ＪＦＥＴ（Ｊｕｎｃｔｉｏｎ　Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）チップ３４と、携帯電話等の通信機器の搬送波ノイズをカットするためのチップコンデンサ等によるノイズフィルタ３８とが実装されてなっている。
ボード本体３２は、ケース１２の内径と略同じ外径を有しており、その上下両面には所定の導電パターン３６が形成されている。
【００３９】
ＪＦＥＴチップ３４は、振動膜２６と背極板１８との間の静電容量（すなわちコンデンサ部Ｃの静電容量）の変化を電気インピーダンス変換するインピーダンス変換素子であって、ボード本体３２の上面に形成された導電パターン３６上に実装されている。
【００４０】
導電パターン３６には、ＪＦＥＴチップ３４のドレイン電極、ソース電極及びゲート電極に各々電気的に接続され各々に対応しているドレイン電極Ｄ、ソース電極Ｓ及びゲート電極Ｇが形成されており、導電パターン３６のドレイン電極Ｄとソース電極Ｓの間には、ノイズフィルタ３８が実装されている。また、ドレイン電極Ｄは、図示しないスルーホールによりＪＦＥＴチップ３４実装面の裏面の導電パターン３６のドレイン電極Ｄと電気的に接続している。ソース電極Ｓは、図示しないスルーホールによりＪＦＥＴチップ３４実装面の裏面の導電パターン３６のソース電極Ｓと電気的に接続しており、導電パターン３６のソース電極Ｓは、ケース１２をかしめた際に、開放端部１２ｂと確実に電気的に接続されるようにリング状に形成されている。
また、ＪＦＥＴチップ３４のゲート電極は、導電パターン３６のゲート電極Ｇよりコンタクトスプリング２２を介して背極板１８に電気的に接続されている。
【００４１】
図５は、本実施形態に係るコンデンサマイクロホン１０の組付方法を説明するための斜視図である。
【００４２】
図示のように、このコンデンサマイクロホン１０の組付けは、ケース１２を下向きに配置して（端面壁１２ａが下になるように配置して）、このケース１２内に、振動板サブアッシー１４、スペーサ１６、絶縁性ブッシュ２０、背極板１８、コンタクトスプリング２２およびＪＦＥＴボード２４を、この順序で上方から挿入した後、ケース１２の開放端部１２ｂをかしめることにより行われる。
【００４３】
すなわち、まず、振動板サブアッシー１４およびスペーサ１６を順次ケース１２内に挿入する。その際、振動板サブアッシー１４については、その支持フレーム２８の外周面がケース１２の内周面と嵌合することにより、そのケース１２に対する位置決めを行う。
【００４４】
次に、絶縁性ブッシュ２０をケース１２内に嵌合挿入する。そして次に背極板１８を絶縁性ブッシュ２０内周面に嵌合挿入する。さらに、コンタクトスプリング２２を背極板１８の下面側に配設する。
【００４５】
その後、ＪＦＥＴボード２４をケース１２内に挿入する。この際、ＪＦＥＴチップ３４のゲート電極と接続される導電パターン３６のゲート電極Ｇには、後述するようにコンタクトスプリング２２の押圧力が働くように接触される。
【００４６】
最後に、ケース１２の開放端部１２ｂを、ＪＦＥＴボード２４のボード本体３２の外周縁部に、全周にわたってかしめ固定する。このかしめ固定は、図示しないかしめ治具によりケース１２の開放端部１２ｂを上方から加圧して該開放端部１２ｂを内周側へ折り曲げることにより行われるが、その際の加圧力はボード本体３２を介して絶縁性ブッシュ２０に作用する。これにより背極板１８をケース１２と電気的に絶縁した状態でケース１２に対して位置決めする。またこれにより、絶縁性ブッシュ２０とケース１２、ＪＦＥＴボード２４との間のシール性を確保して、振動板サブアッシー１４とＪＦＥＴボード２４とで画成される空間の気密性を高める。
【００４７】
コンデンサマイクロホン１０の組付けが完了した状態において、スペーサ１６とＪＦＥＴボード２４のボード本体３２との間隔は、絶縁性ブッシュ２０の高さによって規定され、その値は０．９８ｍｍ程度となり、コンデンサマイクロホン１０の全高は１．５ｍｍ程度となる。また、コンタクトスプリング２２の弾性変形量は絶縁性ブッシュ２０の高さによって規定され、背極板１８等の押圧量も絶縁性ブッシュ２０の高さによって規定される。
【００４８】
以上詳述したように、本実施形態に係るコンデンサマイクロホン１０は、コンデンサ部ＣとＪＦＥＴボード２４とを電気的に接続するための導通部を、平面部材を切り起こした複数の切り起こし板バネ２２ｃにより構成している為、バネ自体の高さを低くでき、コンデンサマイクロホン１０全体としての薄型化にも貢献が可能である。また、コンデンサ部Ｃに対して均一にかつ十分な圧接力を保つことができる。これにより、コンデンサマイクロホン１０を薄型でさらに安定した製品として製造することが可能となる。
【００４９】
また、コンタクトスプリング２２を底部２２ａと円筒部２２ｂで形成し、さらに底部２２ａを切り起こし、接触部である切り起こし板バネ２２ｃを形成することにより、コンタクトスプリング２２としてリング状部材である円筒部２２ｂとバネ部材を一体に構成でき、部品点数の増加を防いでいる。また、リング状部材とバネ部材が一体に構成されるため、リング状部材を薄く形成しても、バネ部材が介在するためにカシメ圧等によりＪＦＥＴボード２４や背極板１８上のエレクトレット１８２の破壊を防止することができる。これにより位置精度のバラツキや不良の発生を解消することが可能となり、歩留まりが向上する。
【００５０】
また、切り起こし板バネ２２ｃには、コンデンサ部Ｃと接触するためのストレート部２２ｄが設けられているため、背極板１８に対し広い接触部をもって接触させることが可能になり、安定した導通を得ることが可能となる。さらに、背極板１８に対し、貫通孔１８８の径よりも長さの大きいストレート部２２ｄが接触するため、背極板１８の貫通孔１８８に切り起こし板バネ２２ｃ自体が入り込んでしまうことがないため組み立て性が向上し、位置精度のバラツキ等も防止することができる。
【００５１】
また、切り起こし元部２２ｅの折り目がストレート部２２ｄと平行に設けられているため、切り起こし板バネ２２ｃが切り起こされた際にストレート部２２ｄが底部２２ａと平行に構成される。これにより、底部２２ａの面と背極板１８の面とを平行に配置することができるため、ストレート部２２ｄと背極板１８が平行に配置され、背極板１８とコンタクトスプリング２２との導通を確実に行うことができ、導通不良の少ない安定した製品を提供することができる。
【００５２】
なお、本実施形態に係るコンデンサマイクロホン１０は、コンタクトスプリング２２により円筒部２２ｂと切り起こし板バネ２２ｃとを一体に構成したが、これに限定されるものではなく、円筒部２２ｂと底部２２ａ及び切り起こし板バネ２２ｃを別体に構成することも可能である。この場合も、切り起こし板バネ２２ｃやストレート部２２ｄ及び切り起こし元部２２ｅ等による効果は得られるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明の一実施形態に係るコンデンサマイクロホンを上向きに配置した状態で示す斜視図
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ　線断面図
【図３】上記コンデンサマイクロホンのコンタクトスプリングを示す斜視図
【図４】上記コンデンサマイクロホンを分解して示す斜視図
【図５】上記コンデンサマイクロホンの組付方法を説明するための斜視図
【符号の説明】
１０　コンデンサマイクロホン
１２　ケース
１２ａ　端面壁
１２ｂ　開放端部
１２ｃ　内周面
１２ｄ　ベント溝
１４　振動板サブアッシー
１６　スペーサ
１６ａ　開口部
１６ｂ　スペーサ溝孔
１８　背極板
１８０　背極板本体
１８２　エレクトレット
１８８　貫通孔
２０　絶縁性ブッシュ
２２　　コンタクトスプリング
２２ａ　底部
２２ｂ　円筒部
２２ｃ　切り起こし板バネ
２２ｄ　ストレート部
２２ｅ　切り起こし元部
２４　ＪＦＥＴボード（基板）
２６　振動膜
２６Ａ　ＰＥＴフィルム
２６Ｂ　金属蒸着膜
２８　支持フレーム
３０　音孔
３２　ボード本体
３４　ＪＦＥＴチップ
３６　　導電パターン
３８　　ノイズフィルタ
Ｃ　コンデンサ部
Ｄ　ドレイン電極
Ｇ　ゲート電極
Ｓ　ソース電極

Claims

音等による振動を静電容量変化に変換するためのダイヤフラムとバックプレートを含むコンデンサ部と、
上記コンデンサ部で変換した静電容量変化を電気信号に変換するためのインピーダンス変換素子を含む回路基板と、
上記コンデンサ部と上記回路基板とを電気的に接続するための導通部と、
を備えるコンデンサマイクロホンにおいて、
上記導通部の上記コンデンサ部との接触部は平面部材を切り起こした複数の板バネにより形成されていることを特徴とするコンデンサマイクロホン。
音等による振動を静電容量変化に変換するためのダイヤフラムとバックプレートを含むコンデンサ部と、
上記コンデンサ部で変換した静電容量変化を電気信号に変換するためのインピーダンス変換素子を含む回路基板と、
上記コンデンサ部と上記回路基板とを電気的に接続するための導通部と、
を備えるコンデンサマイクロホンにおいて、
上記導通部の上記コンデンサ部との接触部は平面部材の外周部に形成した複数の板バネにより構成されていることを特徴とするコンデンサマイクロホン。
上記導通部は、底部のある略円筒形のキャップ状部材で形成され、上記平面部材を上記底部により構成したことを特徴とする請求項１または請求項２記載のコンデンサマイクロホン。
上記接触部である上記板バネには、上記コンデンサ部と接触するためのストレート部が設けられていることを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載のコンデンサマイクロホン。
上記板バネの切り起こし元部の折り目は、上記ストレート部と平行に設けられていることを特徴とする請求項４記載のコンデンサマイクロホン。