JP4358503B2 - 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、不揮発性半導体記憶装置の製造方法に関する。更に詳しくは、本発明は、電気的に情報の書き換えが可能な不揮発性半導体記憶装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
電気的に情報の書き換えが可能な不揮発性半導体記憶装置の内、代表的なフラッシュメモリーについて説明する。フラッシュメモリーは、例えば図7に示すように、半導体基板1上に、第1の絶縁膜2、浮遊ゲートとなる第1のポリシリコン電極3、酸化膜、窒化膜及び酸化膜の積層体からなる第2の絶縁層4、制御ゲートとなる第2のポリシリコン電極5とをこの順で有する。
このフラッシュメモリーでは、第1の絶縁膜2を介してトンネル現象を利用して情報の書き換えを電子の放出・注入により行うため、第1の絶縁膜2はトンネル絶縁膜とも呼ばれる。第1の絶縁膜2は、通常、8〜20nm程度の膜厚を有する。また、ポリシリコン上に高品質で、リーク電流の少ない絶縁膜を形成することは困難である。
【0003】
そのため第2の絶縁層4は、例えば、ポリシリコン酸化膜、CVDシリコン窒化膜、CVDシリコン酸化膜の積層体とし、電界の緩和、制御ゲートと浮遊ゲート間の容量結合を確保しようとしている。上下の酸化膜は、ゲートからの電荷注入に対するバリア層の役割を果たす。中間の窒化膜は、酸化膜よりも比誘電率の高い窒化膜とすることで、物理的な膜厚を確保することができる。更に、酸化膜単層の場合と同等のキャパシタンスを確保しつつ絶縁膜中の電界を緩和することで、酸化膜単層の場合よりもリーク電流の低減を行うことができる。
【0004】
浮遊ゲートを有する不揮発性半導体記憶装置では、制御ゲートの電位を制御することにより、該浮遊ゲート電極と該制御ゲート電極間の容量結合を通じて、浮遊ゲート電極の電位を制御する。図8に浮遊ゲートを有する不揮発性半導体記憶装置の簡略化した等価回路図を示す。ここで、半導体基板1を接地した場合、浮遊ゲートaの電位Vfgは、浮遊ゲートaと制御ゲートb間の容量C1、浮遊ゲートaと半導体基板1間の容量C2、制御ゲート電圧Vcgにより、
Vfg=C1/(C1+C2)×Vcg−Qfg/(C1+C2) (1)
で表される。
【0005】
すなわち、浮遊ゲート電圧は制御ゲート電圧により制御される。浮遊ゲートa内に蓄積された電荷量に応じて、浮遊ゲートaの電位における上式の第2項が変化し、読み出し電流の差となる。この差を読み出し回路によって検出し、メモリセルの記憶状態を判別する。情報の書き換えは、制御ゲートbを介して、半導体基板1と浮遊ゲートa間に高い電圧を発生させて、電子をこの部分の絶縁膜でトンネリングさせることにより、電子の放出、注入を行う。
また、特開2001−160555号公報(特許文献1)には、第2の絶縁膜をラジカル窒化種により形成された窒化膜で使用していること以外は、上記と同様の構造の不揮発性半導体記憶装置が記載されている。
【0006】
【特許文献1】
特開2001−160555号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
式(1)において、C1/(C1+C2)は、ゲートカップリング比と呼ばれる。書き換え動作のために必要な一定の浮遊ゲート電圧を得るために必要な制御ゲート電圧は、このゲートカップリング比と逆比例の関係にある。
上記従来例における不揮発性半導体記憶装置において、書き換え電圧には高い電圧が必要である。これは、電子を第1の絶縁膜(トンネル絶縁膜)2を経由して注入する際に、この膜のバンドギャップを越えるエネルギーを電子に与えることができる十分な電圧を制御ゲートに印加することが必要であること、第1の絶縁膜にかかる電圧は、上記ゲートカップリング比に基づくため、更に大きな電圧を半導体基板と制御ゲート間に印加しなければならないことにある。
【0008】
上記浮遊ゲートと制御ゲート間のキャパシタンスが小さいと、ゲートカップリング比が小さくなり、高い電圧を制御ゲートにかける必要がある。このゲートカップリング比を大きくするには、該浮遊ゲートと該制御ゲート間の容量値を上昇させることが有効である。これには、上述の浮遊ゲートと、制御ゲート間のキャパシタ部分の面積を大きく採る方法と、この容量部分の絶縁膜の厚さを薄くする方法がある。
【0009】
前者の方法は、装置の寸法を増大させることになる。そのため、後者の方法が大容量の装置を形成するのに有利である。従来技術では、上述のように、酸化膜/窒化膜/酸化膜の積層体を採用している。上下の酸化膜は、例えば、それぞれ、ポリシリコン上の熱酸化膜と、CVDにより形成された酸化膜である。通常、シリコン基板に形成されるMOSFETのゲート絶縁膜は、面方位が(100)のシリコン単結晶(第2の電極)上に形成した熱酸化膜と比較して絶縁特性が大きく劣る。更に、第1の絶縁膜中の下層の酸化膜を薄膜化すると、第1のポリシリコン電極のコーナー形状部分や、ポリシリコングレイン境界近傍での電界集中により酸化膜に電子(リーク電流)が流れる。この電子が中間層の低圧CVDによる窒化膜中にトラップされる。トラップされた電子は、下層の酸化膜中の電界を強調するので、低電界のバイアス条件下でもこの部分を経由したリーク電流が発生する。同様な現象が第2のポリシリコン電極とその上の上部酸化膜に関しても発生する。また、中間層の窒化膜を薄膜化すると、複合絶縁膜全体の電界を緩和することができなくなり、絶縁特性が単層のポリシリコン酸化膜相当の性能レベルまで劣化してしまう。
【0010】
このように、書き換え電圧の低減のために、従来の方法で第2の絶縁膜を薄膜化すると、該絶縁膜のリーク電流の阻止性能を低く抑制してしまい、フラッシュメモリーの書き換え動作や電荷保持を正しく行うことが困難となる。この結果、ゲートカップリング比を高くできないため、動作電圧の低減が困難な状況にあった。
更に、従来技術でポリシリコン電極上面に形成される酸化膜は、800℃以上で形成される熱酸化膜であった。この800℃以上の熱処理は、下地のポリシリコン電極中にグレインを成長させる。このグレイン成長がポリシリコン電極の表面の凹凸を増大させ、この結果、絶縁膜形成面の平坦性が大きく損なわれていた。そのためキャパシタの微細な凹凸による電界集中により、絶縁性能を損なう傾向があった。
【0011】
また、特開2001−160555号公報に記載されているラジカル窒化種により形成された第2の絶縁層では、ラジカル窒化種により形成された窒化膜のSi−Nの結合が緻密であるほど窒化膜自身の窒化種に対するバリア性が高くなる。そのため窒化種の拡散が阻害され、該窒化膜の成長レートが飽和する傾向があり、任意の膜厚を得ることが困難であった。
【0012】
【課題を解決するための手段】
かくして本発明によれば、シリコン基板上の絶縁膜上に設けられるシリコン原子を含有する第1の電極と、その上に絶縁膜を挟んで形成された第2の電極とを少なくとも備えた構造の不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、絶縁膜が、少なくとも一部に10 10 cm -2 以上の面密度のKrを含有する下部シリコン窒化膜と、上部シリコン窒化膜との少なくとも2層からなり、下部シリコン窒化膜が、Krガス、窒素ガス及び水素ガス、又はKrガス及びNH 3 ガスを含む雰囲気中で、マイクロ波を導入して雰囲気ガスのプラズマを生成し、第1の電極を窒化することにより形成され、上部シリコン窒化膜が化学気相成長法により形成されることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法が提供される。
【0014】
【発明の実施の形態】
本発明の不揮発性半導体記憶装置は、シリコン原子を含有する第1の電極と、その上に絶縁膜を挟んで形成された第2の電極とを少なくとも備える。第1の電極は、シリコン原子を含有していさえすれば特に限定されず、例えばポリシリコン層が挙げられる。一方、第2の電極は、例えば、アルミニウム、銅等の金属層、ポリシリコン層、高融点金属(チタン、タングステン等)のシリサイド層、これらの積層体が挙げられる。
【0015】
また、第1の電極は通常、絶縁膜を介して半導体基板上に形成されている。半導体基板としては、特に限定されないが、例えばシリコン基板、シリコンゲルマニウム基板等のシリコン系半導体基板が挙げられる。絶縁膜は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、それら膜の積層体等が挙げられる。
また、第1の電極は、半導体基板に溝を形成し、溝表面に絶縁膜を形成し、溝中に第1の電極材料を埋め込み、化学機械研磨法によって電極材料からなる層を平坦化する方法で形成してもよい。
【0016】
本発明では第1と第2の電極間の絶縁膜が、第1の電極側から、第1の電極を窒化することにより得られる下部シリコン窒化膜と、この上に化学気相成長法により形成された上部シリコン窒化膜の少なくとも2層からなる。
更に、下部シリコン窒化膜は、少なくとも一部に1010cm-2以上の面密度の希ガス元素を含有する。また、希ガス元素は、下部シリコン窒化膜の少なくとも一部に含まれていればよく、全面に含まれていてもよい。ここで、希ガス元素は、酸窒化に寄与するラジカル生成効率の観点から、Kr又はArであることが好ましい。なお、希ガス元素の面密度が1010cm-2未満である場合、シリコン窒化膜の化学量論的組成が理想から大きく外れ、シリコン窒化膜の生成レートが大幅に低下し、所望の性能を発揮できないので好ましくない。より好ましい面密度は、1010cm-2以上である。なお、面密度は、2次イオン質量分析計(SIMS)により測定し、希ガスの流量、DCバイアス、RFパワー、真空度等の製造条件を調整することにより所定の値に設定することができる。
【0017】
希ガス元素を含む下部シリコン窒化膜の形成方法は、例えば、窒素ガス又は窒素原子含有化合物ガス及び希ガスを含む雰囲気中で、第1の電極に含まれるシリコン原子を窒化する方法が挙げられる。特に、マイクロ波により雰囲気ガスのプラズマを励起しつつ窒化することが好ましい。
マイクロ波によるプラズマの励起手段としては、マイクロ波を処理室内に導入することができさえすれば特に限定されず公知の方法が使用できる。例えば、ラジアルラインスロットアンテナを用いたプラズマ装置が挙げられる。
【0018】
ここで、窒素原子含有化合物ガスとしては、NH3が挙げられる。また、雰囲気中に、H2を含ませてもよい。
例えば、希ガスがKr、窒素原子含有化合物ガスがNH3の場合、雰囲気中の各ガスの流量比が、90〜99.9%/0.1〜10%(Kr/NH3)であることが好ましい。
供給するマイクロ波の周波数は、900MHz以上、10GHz以下の範囲であることが好ましい。
【0019】
特に、基板温度550℃以下(例えば、200〜550℃)の低温でマイクロ波励起の高密度プラズマを用いて下部シリコン窒化膜を形成することが好ましい。すなわち、第1の電極上に原子状窒化水素NH*(NHラジカルともいう)、あるいは原子状窒素N*(Nラジカルともいう)又はN2 +ラジカルと原子状水素H*(Hラジカルともいう)との混合窒化種によりシリコンを直接窒化することにより、1000℃程度の高温で(100)面方位を持つ単結晶Si上に形成したシリコン酸化膜と同等もしくは優れた耐リーク電流特性と、より優れたCharge−to−Breakdown特性を有する薄いシリコン窒化膜を550℃以下(例えば、400〜500℃)という低温で形成することができる。この結果、ポリシリコンのグレイン成長を低温にて十分低く抑制した状態で、リーク電流を低く抑えたまま、ポリシリコン電極間のキャパシタンスを増加させることができる。そのため、ゲートカップリング比が向上し、ひいては、フラッシュメモリーの信頼性を損なうことなく書き換え動作時の印加電圧を大幅に削減することができる。
【0020】
なお、絶縁膜の形成中において、窒素ガスもしくは窒素原子含有化合物ガスの流量比を変えることで、絶縁膜中の窒素濃度ピークを深さ方向に変化させることも可能である。
更に、下部シリコン窒化膜は、形成後、窒素ガス又は窒素原子含有化合物ガスと希ガスを含む雰囲気中で、マイクロ波によりプラズマを励起して形成された原子状窒素水素NH*もしくは原子状窒素N*及び原子状水素H*に曝すことが好ましい。これにより、低温で高品質なシリコン窒化膜を形成することが可能になる。
【0021】
上記工程において、窒素ガス又は窒素原子含有化合物ガスと希ガスは上記下部シリコン窒化膜の形成に使用したのと同じガスを使用することができる。供給するマイクロ波の周波数は、900MHz以上、10GHz以下の範囲であることが好ましい。更に、基板温度550℃以下(例えば、200〜550℃)の低温で行うことが好ましい。
また更に、不揮発性半導体記憶装置がMOSFETを含む周辺回路を備えている場合、上記処理はより好適である。すなわち、MOSFETを構成するゲート絶縁膜を、原子状窒素水素NH*もしくは原子状窒素N*及び原子状水素H*に下部シリコン窒化膜と同時に曝すことで、下部シリコン窒化膜の暴露処理をしつつ、絶縁膜中に窒素原子密度のピークを生じさせることができる。これにより、絶縁膜の不純物に対するバリア性を向上させるとともに、電流に対するバリアハイト、耐絶縁破壊性能を向上させることができる。
【0022】
なお、MOSFETの構造は、ゲート絶縁膜を有する限り特に限定されず、公知の構造を採用することができる。
更に、MOSFETを構成するゲート絶縁膜が、シリコン窒化膜からなる場合、シリコン窒化膜を原子状窒素水素NH*もしくは原子状窒素N*及び原子状水素H*にMOSFETの活性領域を曝すことにより形成することも可能である。また、不揮発性半導体記憶装置が、最上層に最終パッシベーション層を有する場合、下部及び上部シリコン窒化膜を、最終パッシベーション層を形成する前に、500℃以下(具体的には300〜500℃)の水素ラジカル雰囲気に曝すことが好ましい。この処理により、化学気相反応により形成した上部シリコン窒化膜の組成や電気的特性を理想的なシリコン窒化膜に近づけることができる。また、この処理により、下部及び上部シリコン窒化膜や下部シリコン窒化膜/シリコン基板界面から脱離した水素を補填することで、高温処理によるシリコン窒化膜特性の劣化を防止することができる。
【0023】
このように、絶縁膜が、原子状窒素含有種(NH又はNラジカル)によるポリシリコンからなる第1の電極の直接窒化と化学気相反応によるシリコン窒化膜の2層構造であることにより、優れた界面特性と、広い適用膜厚範囲、短い成膜スループットを実現することが可能になる。
更に、Hラジカルを含んだ雰囲気にNラジカル又はN2 +ラジカルあるいは、NHラジカルを含有させ、このアニールをメモリセル上だけでなく、周辺回路MOSFET素子の活性領域に作用させることにより、既に配置されたゲート酸化膜に対しては酸化膜の窒化作用を施し、また、シリコン基板に対しては、高性能、高信頼性の極薄窒化膜をシリコンに対する直接窒化によって同時に形成することができる。
【0024】
従来技術では、シリコン酸化膜をシリコン窒化膜に対して複合させることにより、電荷注入に対する障壁高さの確保を図っていた。これに対して、本発明によれば、シリコン窒化膜よりも誘電率において1/2程度しかないために電気的容量の確保に不利なシリコン酸化膜を複合させることなく、シリコン窒化膜のみで絶縁膜を形成することが可能になる。その結果、従来技術よりも、大幅に電気的容量を向上させることができ、不揮発性半導体記憶装置の動作電圧を大きく低減することができる。
従って、上述のような不揮発性半導体記憶装置の動作電圧の低減と、周辺回路デバイスのゲート絶縁膜信頼性・性能の向上を同時に達成することができる。
【0025】
【実施例】
実施例1
まず、プラズマを用いた低温での下部シリコン窒化膜の形成について述べる。図1は、本発明の窒化方法を実現するための、ラジアルラインスロットアンテナを用いた装置の1例を示す概略断面図である。
本実施例においては、窒化膜形成のためにKrを希ガスとして使用する。真空容器(処理室)11内を真空にし、シャワープレート12から、Krガス、NH3ガスを導入し処理室内の圧力を1Torr程度に設定する。シリコンウェーハ等の円形状の基板13を、加熱機構をもつ試料台14にのせ、試料の温度が400℃程度になるように設定する。
【0026】
同軸導波管15から、ラジアルラインスロットアンテナ16、誘電体板17をとおして、処理室11内に2.45GHzのマイクロ波を供給し、処理室11内に高密度のプラズマを生成する。シャワープレート12と基板13の間隔は本実施例では60mmにしてある。この間隔は狭いほうがより高速な成膜が可能になる。上記条件で形成されたシリコン窒化膜は、1010cm-2以上の面密度のKrを含んでいる。
このように、1010cm-2以上の面密度のKrを含むことがシリコン窒化膜の電気的特性、信頼性の改善に寄与している。具体的には、以下の理由により改善されると考えられる。
【0027】
まず、KrとNH3の混合ガスの高密度励起プラズマ中では、中間励起状態にあるKrラジカルにより、NHラジカルが効率よく発生する。このNHラジカルにより基板表面は窒化される。本実施例のシリコン窒化膜によれば、シリコンの面方位を選ばず、(100)面でも(111)面でも(110)面でも低温で高品質なシリコン窒化膜を形成することが可能になる。
【0028】
本発明のシリコン窒化膜においては、プラズマ中に水素ラジカルが存在することが一つの重要な要件である。プラズマ中に水素ラジカルが存在することにより、シリコン窒化膜及び界面のダングリングボンドが、Si−H、N−H結合を形成して終端され、その結果シリコン窒化膜及び界面の電子トラップがなくなる。Si−H結合、N−H結合が本発明のシリコン窒化膜に存在することは、それぞれ赤外吸収スペクトル、X線光電子分光スペクトルを測定することで確認されている。水素が存在することで、CV特性のヒステリシスもなくなる。また、シリコン・シリコン窒化膜界面密度も基板温度を500℃以上にすれば3×1010cm-1と低く抑えられる。
【0029】
なお、KrとN2/H2の混合ガスを使用してシリコン窒化膜を形成する場合には、水素ガスの分圧を0.5%以上とすることで、膜中の電子や正孔のトラップを急激に減少させることができる。この効果は、絶縁膜中にSi−H結合、N−H結合が形成されること、及びKrが含有されることにより実現できる。また、窒化膜中やシリコン/窒化膜界面でのストレスが緩和され、シリコン窒化膜中の固定電荷や界面順位密度が低減されて、電気的特性、信頼性が大幅に改善される。
【0030】
実施例2
本発明をフラッシュメモリーへ適用した構造を図2に示す。図2は、半導体基板1上に第1の絶縁膜2、浮遊ゲートとなる第1のポリシリコン電極3、2層のシリコン窒化膜からなる第2の絶縁層4、制御ゲートとなる第2のポリシリコン電極5をこの順で有する電気的に書き換え可能なフラッシュメモリーである。
【0031】
図2のフラッシュメモリーの製造工程を、図3(a)〜図4(i)の概略工程断面図を用いて示す。断面図では、フラッシュメモリーセルチャンネル領域A、周辺回路高耐圧MOSFET素子領域B、低電圧高性能MOSFET素子領域Cに分けて示している。
まず、半導体基板1上にウエルと、素子分離領域9を形成する。活性領域上の絶縁膜を除去した後、フラッシュメモリーのトンネル酸化膜となる第1の絶縁膜2を10nm程度形成する(図3(a))。
【0032】
次に、浮遊ゲートとなる第1の電極として、ポリシリコン層3aを100nm程度堆積させる(図3(b))。
リソグラフィーによって、浮遊ゲートの領域を画定し、更に、ドライエッチングによって、ポリシリコン層3aをエッチングすることにより、第1のポリシリコン電極3を形成する(図3(c))。
次に、下部シリコン窒化膜4a、上部シリコン窒化膜4bの2層からなる第2の絶縁層4のうち、第1のポリシリコン電極3上に形成される下部シリコン窒化膜4aを形成した(図3(d))。
【0033】
この下部シリコン窒化膜4aは次のようにして形成した。真空容器(処理室)内を真空にし、シャワープレートから、Krガス、N2ガス、H2ガスを導入し、処理室内の圧力を100mTorr程度、半導体基板1の温度が500℃になるように設定した。そして、同軸導波管から、ラジアルラインスロットアンテナ、誘電体板を通して、処理室内に、2.45GHzのマイクロ波を供給して処理室内に高密度のプラズマを生成することで、第1のポリシリコン電極3表面に2〜4nmの下部シリコン窒化膜4aを形成した。この下部シリコン窒化膜4aには、1010cm-2以上の面密度のKrが含まれている。
【0034】
次に、下部シリコン窒化膜4aの上に形成される上部シリコン窒化膜4bは、次のように形成した(図3(e))。処理室内を1Torr以下の低圧にし、半導体基板1を700〜800℃に加熱し、SiClH2ガスとNH3ガスを導入する。これらのガスが反応して、Si3N4からなる上部シリコン窒化膜4bが、第1層目の下部シリコン窒化膜4a上に5nm〜20nm程度堆積される。これは、第2層目の化学気相反応によるSi3N4堆積方法の一例であり、Siの還元ガスと窒素系ガスの反応によりSi3N4を堆積させる反応であれば本実施例に含まれることは言うまでもない。
【0035】
この後、リソグラフィーにより、メモリセルアレイ上にフォトレジスト層6を配し、一方、周辺回路上には、フォトレジスト層6の開口部を設け、これにより、周辺回路部分の上記窒化膜及び酸化膜の除去及び、周辺回路のMOSFET素子の閾値調整のための不純物イオン注入を行う(図4(f))。
フォトレジスト層6を除去した後、基板+全体を酸化雰囲気に曝すことにより、周辺回路MOSFETの活性領域にMOSFET素子のゲート酸化膜7を形成する。また、周辺回路高耐圧MOSFET素子領域Bには、16nm、低電圧高性能MOSFET素子領域Cには、3nmのゲート酸化膜7、8を形成する(図4(g))。
【0036】
その後、基板全体を再度、前述と同様のラジカル窒化雰囲気に曝す(図4(h))。すなわち、真空容器(処理室)内を真空にし、シャワープレートから、Krガス、N2ガス、H2ガスを導入し、処理室内の圧力を100mTorr程度、半導体基板1の温度が500℃になるように設定する。そして、同軸導波管から、ラジアルラインスロットアンテナ、誘電体板を通して、処理室内に、2.45GHzのマイクロ波を供給し、処理室内に高密度のプラズマを生成し、この雰囲気に半導体基板1を暴露する。なお、この処理を、300℃〜500℃の水素ラジカル雰囲気に半導体基板を曝す処理に変えてもよい。
この工程により、メモリセル上のシリコン窒化膜の膜質改善と、周辺回路のゲート酸化膜(7と8)の膜質改善が同時に行われる。
【0037】
その後、フラッシュメモリーの制御ゲートとなる第2の電極材料としてポリシリコン層を100nm程度堆積する。更に、リソグラフィーにより、制御ゲートの領域を画定し、ドライエッチングにより、この電極材料をパターニングして第2のポリシリコン電極5とする(図4(i))。これが、周辺回路領域では、MOSFETのゲート電極になる。
更に、メモリセルと周辺回路MOSFETのソース/ドレイン領域を形成した後、第1の層間絶縁膜を形成、フォトリソグラフィーと異方性ドライエッチングにより、コンタクト孔を形成する。この後、水素ラジカル雰囲気にて300〜500℃の雰囲気にて半導体基板1をアニールする。但し、このアニール工程は、上記のラジカル窒化膜形成後から、最終パッシベーション膜形成までのどの工程に挿入してもよい。更に、配線の形成、層間絶縁膜の形成を繰り返し、最終のパッシベーション膜を形成した後、ワイヤーボンディングパッドの開口部を形成し、工程を終了する。
【0038】
実施例3
本発明の別の実施例を図5(a)〜図6(i)に示す。
半導体基板1上にウエルと、素子分離領域9を形成する。次いで、活性領域上の絶縁膜を除去した後、不揮発性半導体記憶装置のトンネル酸化膜となる第1の絶縁膜2を10nm程度形成する(図5(a))。
次に、浮遊ゲートとなる第1の電極として、ポリシリコン層3aを100nm程度堆積させる(図5(b))。
【0039】
リソグラフィーによって、浮遊ゲートの領域を画定し、更に、ポリシリコン層3aをドライエッチングすることにより、第1のポリシリコン電極3を形成する(図5(c))。
次に、メモリセル領域A上のポリシリコン層3a上の自然酸化膜と周辺回路素子領域B、Cの活性領域における酸化膜を除去した後、下部シリコン窒化膜4a、上部シリコン窒化膜4bからなる第2の絶縁層4を3nm程度形成した(図5(d)、(e))。
【0040】
この下部シリコン窒化膜4aは次のようにして形成した。真空容器(処理室)内を真空にし、シャワープレートから、Krガス、N2ガス、H2ガスを導入し、処理室内の圧力を100mTorr程度、半導体基板1の温度が500℃になるように設定する。そして、同軸導波管から、ラジアルラインスロットアンテナ、誘電体板を通して、処理室内に、2.45GHzのマイクロ波を供給し、処理室内に高密度のプラズマを生成し、ポリシリコン表面に下部シリコン窒化膜4aを形成する。この下部シリコン窒化膜4aには、1010cm-2以上の面密度のKrが含まれている。
【0041】
次に、下部シリコン窒化膜4aの上に形成される上部シリコン窒化膜4bは、次のように形成した。処理室内を1Torr以下の低圧にし、半導体基板1を700〜800℃に加熱し、SiClH2ガスとNH3ガスを導入する。これらのガスが反応して、Si3N4が第1層目の下部シリコン窒化膜4a上に5nm〜20nm程度堆積して上部シリコン窒化膜となる。これは、第2層目の化学気相反応によるSi3N4堆積方法の一例であり、Siの還元ガスと窒素系ガスの反応によりSi3N4を堆積させる反応であれば本実施例に含まれることは言うまでもない。
【0042】
この後、リソグラフィーを用いたフォトレジスト層6により、周辺回路領域の低電圧駆動MOSFETを形成する領域Cの上記シリコン窒化膜を除去する(図6(f))。更に、周辺回路のMOSFET素子領域に対して、閾値電圧調整用の不純物イオン注入を行う。フォトレジスト層6を除去した後(図6(g))、基板全体を再度、前述と同様のラジカル窒化雰囲気に曝す(図6(h))。すなわち、真空容器(処理室)内を真空にし、シャワープレートから、Krガス、N2ガス、H2ガスを導入し、処理室内の圧力を100mTorr程度、半導体基板1の温度が500℃になるように設定する。そして、同軸導波管から、ラジアルラインスロットアンテナ、誘電体板を通して、処理室内に、2.45GHzのマイクロ波を供給し、処理室内に高密度のプラズマを生成し、この雰囲気に半導体基板を暴露する。このアニール条件は、単結晶シリコン上に2〜8nm程度の直接シリコン窒化膜を形成する程度の処理条件とする。
【0043】
これにより、周辺回路領域の高耐圧MOSFET領域の活性領域には、半導体基板1上の第2の絶縁膜に更にラジカル窒化雰囲気による改善作用が加わったシリコン窒化膜が容量値の酸化膜換算の膜厚で4〜11.5nm形成される。また、低電圧駆動MOSFET領域には、ラジカル窒化雰囲気による容量値の酸化膜換算の膜厚で1〜4nmのシリコン窒化膜のみが形成される。その後に、ラジカル水素アニールを施してもよい。
その後、不揮発性記憶装置の制御ゲートとなる第2の電極材料としてポリシリコン層を100nm程度堆積し、リソグラフィーにより、制御ゲートの領域を定義し、ドライエッチングにより、この電極材料をパターニングして第2のポリシリコン電極5とする(図6(i))。これが、周辺回路領域では、MOSFETのゲート電極になる。
【0044】
更に、断面図からは省略しているが、メモリセルと周辺回路MOSFETのソース/ドレイン領域を形成した後、第1の層間絶縁膜を形成、フォトリソグラフィーと異方性ドライエッチングにより、コンタクト孔を形成する。この後、水素ラジカル雰囲気にて300〜500℃の雰囲気にて半導体基板1をアニールする。但し、このアニール工程は、上記のラジカル窒化膜形成後から、最終パッシベーション膜形成までのどの工程に挿入してもよい。更に、配線の形成、層間絶縁膜の形成を繰り返し、最終のパッシベーション膜を形成した後、ワイヤーボンディングパッドの開口部を形成し、工程を終了する。
【0045】
【発明の効果】
本発明によれば、第1の電極(浮遊ゲート)と第2の電極(制御ゲート)間の絶縁膜が、第1の電極側から、第1の電極を窒化することにより得られる下部シリコン窒化膜と、この上に化学気相成長法により形成された上部シリコン窒化膜の少なくとも2層からなり、下部シリコン窒化膜が、少なくとも一部に1010cm-2以上の面密度の希ガス原子を含有することで、低電圧で書き換え可能な電荷保持特性の優れた高品質で、高性能な不揮発性半導体記憶装置を得ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】ラジアルスロットアンテナを用いたプラズマ装置の概略概念図である。
【図2】本発明の第1の実施例によるフラッシュメモリーセル概略断面図である。
【図3】本発明の第1の実施例における製造工程の概略断面図である。
【図4】本発明の第1の実施例における製造工程の概略断面図である。
【図5】本発明の第2の実施例における製造工程の概略断面図である。
【図6】本発明の第2の実施例における製造工程の概略断面図である。
【図7】従来例におけるフラッシュメモリーの概略断面図である。
【図8】浮遊ゲートを有する不揮発性メモリーの簡略化した等価回路図である。
【符号の説明】
1 半導体基板
2 第1の絶縁膜
3 第1のポリシリコン電極
3a ポリシリコン層
4a 下部シリコン窒化膜
4b 上部シリコン窒化膜
4 第2の絶縁層
5 第2のポリシリコン電極
6 フォトレジスト層
7、8 ゲート酸化膜
9 素子分離領域
11 真空容器(処理室)
12 シャワープレート
13 基板
14 試料台
15 同軸導波管
16 ラジアルラインスロットアンテナ
17 誘電体板
A フラッシュメモリーセルチャンネル領域
B 周辺回路高耐圧MOSFET素子領域
C 低電圧高性能MOSFET素子領域
a 浮遊ゲート
b 制御ゲート
Claims (5)
- シリコン基板上の絶縁膜上に設けられるシリコン原子を含有する第1の電極と、その上に絶縁膜を挟んで形成された第2の電極とを少なくとも備えた構造の不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、絶縁膜が、少なくとも一部に1010cm-2以上の面密度のKrを含有する下部シリコン窒化膜と、上部シリコン窒化膜との少なくとも2層からなり、下部シリコン窒化膜が、Krガス、窒素ガス及び水素ガス、又はKrガス及びNH 3 ガスを含む雰囲気中で、マイクロ波を導入して雰囲気ガスのプラズマを生成し、第1の電極を窒化することにより形成され、上部シリコン窒化膜が化学気相成長法により形成されることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
- 絶縁膜が、窒素ガスと水素ガスとKrガス、又はNH3ガスとKrガスを含む雰囲気中で、マイクロ波によりプラズマを励起して形成された原子状窒素水素NH*もしくは原子状窒素N*及び原子状水素H*に曝される請求項1に記載の製造方法。
- 不揮発性半導体記憶装置が、最上層に最終パッシベーション層を有し、最終パッシベーション層を形成する前の不揮発性半導体記憶装置が、500℃以下の原子状水素H*雰囲気に曝される請求項1に記載の製造方法。
- 不揮発性半導体記憶装置がMOSFETを含む周辺回路を備え、MOSFETを構成するゲート絶縁膜を、原子状窒素水素NH*もしくは原子状窒素N*及び原子状水素H*に絶縁膜と同時に曝すことで、ゲート絶縁膜中に窒素原子密度のピークを生じさせる請求項1に記載の製造方法。
- 不揮発性半導体記憶装置がMOSFETを含む周辺回路を備え、MOSFETを構成するゲート絶縁膜が、シリコン窒化膜からなり、シリコン窒化膜が、原子状窒素水素NH*もしくは原子状窒素N*及び原子状水素H*にMOSFETの活性領域を曝すことにより形成される請求項1に記載の製造方法。
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