JP4355691B2 - 液浸リソグラフィシステム内の運動によって生じる外乱を低減させるシステムおよび方法 - Google Patents

Description

本発明はホトリソグラフィに関する。より詳細には本発明は殊に液浸ホトリソグラフィシステムにおける収差を防止するために方法およびシステムに関する。

レンズシステムおよび反射屈折システムを使用する光リソグラフィは回路パターンをプリントする目的で、半導体製造産業において広い範囲にわたって使用される。光リソグラフィの実際の限度は、それを通じて画像が生じる媒体が空気であるということである。

ここでλは入射光の波長であり、ＮＡは投影光学系の開口数であり、ｎは媒体の屈折率である（オフアクシス照明が使用されている場合には４が２の代わりに使用される）。最後のレンズエレメントと基板表面の間の気体インターフェースは、光学系の最大解像度を、１．０を下回る開口数に制限する。

従って、投影光学系の最後のレンズエレメントとイメージングされるべき基板との間に液体を導入することによって、屈折率ｎが変化する。これによってより低い効果的な光源の波長を伴った解像度が上昇する。例えば、液浸リソグラフィは効果的に１５７ｎｍ光源を、１１５ｎｍ波長に低減させる（例えばｎ＝１．３６５の場合）。これによって、産業界でよく使用されている同じホトリソグラフィツールで、クリチカルな層をプリントすることが可能になる。

同じように、液浸リソグラフィは１９３ｎｍリソグラフィを、例えば１４５ｎｍ（ｎ＝１．３３の場合）まで低減させることができる。従って、４３５ｎｍ，４０５ｎｍ，３６５ｎｍ，２４８ｎｍ，１９３ｎｍおよび１５７ｎｍツールは、効果的により良い解像度を得て、使用可能な波長を「伸ばす」のに使用可能である。結果として、大量のＣａＦ_２，硬い外皮部分，窒素パージ等に対する必要性がなくなる。また、液浸を使用することによって焦点深度も増長される。これは例えばＬＣＤパネル製造に有効である。

液浸ホトリソグラフィは有望であっても、多くの問題が残っている。これは、液浸ホトリソグラフィシステムの利点を妨害する。現在の液浸ホトリソグラフィシステムの１つの問題は、浸液中での基板の動きが、外乱、例えば気泡および空洞を生じさせてしまうということである。これは、投影光学系と基板の間の屈折率の均一性を低減させ、露光における収差の原因になる。このような収差は浸液中での基板の動きを遅くすることで低減される。しかし、これは目下の標準に対する充分に高いスループットを妨害してしまう。

従って、浸液中での基板の動きによって生じてしまう収差を低減する方法およびシステムが必要とされている。

本発明の課題は、浸液中での基板の動きによって生じる収差を低減する方法およびシステムを提供することである。

前述の課題は、少なくとも１つの光学素子と、基板と、少なくとも１つの光学素子と基板の間にある浸液量を含み、少なくとも１つの光学素子、基板および浸液量は、イメージングの間、一致して動くように構成されている、ことを特徴とする液浸ホトリソグラフィシステムによって解決される。また前述の課題は、（ａ）少なくとも１つの光学素子、浸液量および基板を単一ユニットに結合し、（ｂ）パターンを搬送する露光ビームに関連して（with respect to）前記単一ユニットを動かし、（ｃ）露光ビームによって前記単一ユニットを通じて前記基板を露光する、ことを特徴とする、基板上にパターンをプリントする方法によって解決される。

基板と浸液との間の動きによって生じる外乱は、投影光学系（"ＰＯＳ"）の出口側光学素子（exit optical element）と基板を、その間の浸液とともに単一の可動ユニットに組み合わせることによって回避される。解像度改善が望まれているのか、焦点深度改善が望まれているのか、またはその両方が望まれているのかに依存して、この出口側素子は光パワーを有する、または光パワーを有していない。

液浸リソグラフィシステム内のＰＯＳは、パターンジェネレータ、光学系群および可動基板ユニットに付加的に動的な軸方向補償群が加えられて改善される。動的な軸方向補償群は、軸方向の対称性のずれによって生じる収差を補償するためにＰＯＳ光学系列を連続的に修正する。基板と可動光学素子の間の浸液で満たされたスペースは、適切な作動距離を提供するために、動的にコントロールされる。

１つの実施形態では、可動基板ユニットはフルフィールドステップアンドスキャン露光において使用される。可動基板ユニットは、光パワーを有するフルフィールド光学素子を含む。

別の実施形態では、可動基板ユニットはフルフィールドステップ露光において使用される。可動基板ユニットは、補償を最小限にする光パワーを有するサブフィールド光学素子を含む。

さらに別の実施形態では、可動基板ユニットはフルフィールドステップアンドスキャン露光において使用される。可動基板ユニットは、光パワーを有していないフルフィールド光学素子を含む。この実施形態は、解像度は上昇しなくても、焦点深度が上昇すれば満足である場合に使用される。

本発明のさらなる実施形態、特徴および利点並びに本発明の様々な実施形態の構造および動作を以下で添付図面を参考にして詳細に説明する。

本明細書に組み込まれ、明細書の一部を成す添付図面は、本発明の様々な実施形態を図示し、説明とともに本発明の原理を説明するのに用いられ、該当分野の技術者が本発明を作成および使用することを可能にする。

本発明を添付図面を参照して説明する。相応する参照番号の最も左側の数字は、素子が最初に現れた図面を示す。

特定の構造および配置について論じるが、これは分かり易くするためだけに行われることを理解されたい。該当分野の技術者には、他の構造および配置が、本発明の概念および範囲を逸脱せずに使用可能であること分かるだろう。該当分野の技術者には、この発明が多様な他の用途においても使用可能であることが明らかである。

リソグラフィは、基板の表面にフィーチャを作成するのに使用される処理である。このような基板には、フラットパネルディスプレイ（例えば液晶ディスプレイ）、半導体ウェハ、回路基板、種々の集積回路、プリントヘッド、マクロ／ナノ流体基板等の製造に使用される基板が含まれる。リソグラフィの間、基板ステージ上に配置された基板は、リソグラフィ装置内に配置された露光光学系によって、基板の表面に投影されるイメージに曝される。

投影されたイメージにより、基板の表面上にデポジットされた層（例えばフォトレジスト）の特性に変化が生じる。このような変化は、露光中に基板上に投影されるフィーチャに対応する。露光に続いてこの層はエッチングされる、またそうでなければ、パターンニングされた層が形成される。このパターンは、露光中に基板上に投影されるフィーチャに対応する。このパターンニングされた層は次に、導体層、半導体層、または絶縁層等の基板内の下部構造層の露光された部分を除去する、またはさらに処理するために使用される。その後このプロセスは、基板上にまたは、基板の種々の層内に所望のフィーチャが形成されるまで他のステップと共に繰り返される。

ステップアンドスキャン技術は、狭い結像スロットを有する投影光学系（"ＰＯＳ"）と連携して機能する。基板全体を一度に露光するのではなく、個々のフィールドが一度に１つずつ基板上で走査される。これは、結像スロットがスキャン中にフィールドを横切るように基板とレチクルを同時に動かすことで行われる。その後、基板ステージはフィールド露光とフィールド露光の間に非同期的にステップ移動されなければならず、これによって基板表面上に露光されるべきレチクルパターンの多重複写が可能になる。このようにして、基板上に投影されるイメージの質が最高にされる。

液浸リソグラフィシステムにおいて、液体はＰＯＳ出口側ウィンドウと基板表面の間の空間に注入される。図５には、典型的な液浸リソグラフィシステム５００のブロックダイヤグラムが示されている。システム５００はパターンジェネレータ５０２，ＰＯＳ５０４および基板５０６を含む。基板５０６を完全に露光するために、基板５０６はＰＯＳ５０４に対して相対的に動く。浸液５０８は、基板５０６と出口側ＰＯＳ素子５１０の間の空間を満たす。典型的に浸液５０８は、基板５０６が動いている間はこの空間によって囲まれている。浸液５０８に関する基板５０６の動きによって生じる外乱によって、浸液５０８の屈折率は液体を通じて一定ではない。屈折率のこの乱れによって露光パターン中に収差が生じてしまう。

本発明では、リソグラフィシステムの浸液内の外乱が、少なくとも１つの光学素子と基板と、その間の浸液から成る単独の可動ユニットを形成することによって低減される。図１は、本発明の実施形態に相応する露光系１００のブロックダイヤグラムである。露光ビーム１０２は、このダイヤグラムを通って延在する線によってあらわされている。露光ビーム１０２は、例えば可視領域にはない紫外波長等の波長を有するレーザであり得る。本発明の用途例は、２４８ｎｍ，１９３ｎｍおよび１５７ｎｍを含む波長を使用するが、これに制限されない。付加的に露光ビーム１０２は、例えばパルス状レーザまたは連続波レーザによって生成される。露光系１００はパターンジェネレータ群１０４，動的軸方向補償群１０６，光学系群１０８および可動基板ユニット１１０を含む。

パターンジェネレータ群１０４はパターンジェネレータ１１２と光学系群１１４を含む。パターンジェネレータ１１２は例えば、レチクルまたは空間光変調器（"ＳＬＭ"、例えばデジタルマイクロミラーデバイス（"ＤＭＤ"），反射性液晶ディスプレイ（"ＬＣＤ"），格子光弁（"ＧＬＶ"）等）である。パターンジェネレータ１１２は露光ビーム１０２に露光パターンを付与する。光学系群１１４はＰＯＳの一部である。光学系群１１４はさらに、露光ビーム１０２内の光を調整して、システム１００を通して露光ビーム１０２を方向付けし、焦点合わせする。

光学系群１１４を離れた後、露光ビーム１０２は動的軸方向補償群１０６に入射する。従来の露光系では、ＰＯＳ内の最後の素子は動かず、露光ビームは一定の経路をたどる（"露光軸"）。図１の実施形態では、以下でさらに詳しく述べるように、基板ユニット１１０が、例えば水平および／または垂直に動く。この結果、基板ユニット１１０の光パワーが原因で幾つかの軸湾曲が生じる。動的軸方向補償群１０６は、軸対称性のこのずれによって生じる収差を補償する。動的軸方向補償群１０６内のレンズは図１ではまとめて示されている。このようにまとめて示されていても、該当分野の技術者は、これらのレンズが物理的な実装において別個にされるおよび／または光学系群１１４および１０８のうちの１つまたは両方に合併されることがわかるだろう。動的軸方向補償群１０６内のレンズは動き（例えばシフトする、回転する、傾斜する等）、あらゆる軸方向変位に対する適切な補償を実現する。この動きは、基板ユニット１１０の予測される動きに基づく、またはフィードバックシステムの結果である。

露光ビーム１０２は次に、光学系群１０８を通過する。これは、基板露光のためのビームを調整し、焦点合わせするＰＯＳの一部である。露光ビーム１０２は可動基板ユニット１１０へと続く。

可動基板ユニット１１０は、レンズアレイ１１６，浸液１１８および基板１２０を含む。これらは全て一致して（in unison）動く。レンズアレイ１１６および基板１２０は、相互に取り付けられているまたは取り付けられていない。光学系群１０８からの露光ビーム１０２はレンズアレイ１１６および浸液１１８を通過し、基板１２０上にそのパターンを露光する。典型的な液浸システムでは、ＰＯＳの出口側レンズは浸液と接触する。出口側レンズは典型的に、非常に強いレンズ、例えばボール（bowl）レンズである。図１の実施形態では、浸液１１８と接触するＰＯＳ出口側エレメントはレンズアレイ１１６である。従って、最小の補償が動的軸方向補償群１０６によって要求され、レンズアレイ１１６は低い光パワーを有する。付加的な光学系が光学系群１１４および／または１０８に加えられ、レンズアレイ１１６のあらゆる欠点をうち消す。

システム１００は、フルフィールドステップアンドスキャンシステムである。従って基板上のフィールド全体が、１回のスキャニングプロセスにおいて露光される。フィールドのスキャンが完了すると、システム１００は次のフィールドにステップする。各フィールドは、例えば２５〜３２ｍｍである。図１に示されているように、レンズアレイ１１６内の個々のレンズ（例えばレンズ１２２）は、近似的にフィールドと同じサイズである。従って各フィールドは、レンズアレイ１１６内の１つのレンズを通じてスキャンされる。各フィールドは独自のレンズを有している。ステップアンドスキャンアプローチの他の形態は、本発明の概念および範囲を逸脱せず、本明細書の記載に基づいて該当分野の技術者には明らかであろう。

レンズアレイ１１６と基板１２０の間のギャップは約５０μｍである。しかしより大きい寸法またはより小さい寸法も使用可能である。水、例えば脱イオン水が１９３ナノメートルリソグラフィに使用される。なぜなら、これは１９３ｎｍで比較的損失が少ないからである。該当分野の技術者は、他の液体、例えばシクロオクタン，フォエムブリンオイル（Foemblin oil）および液体ペルフルオロポリエーテル液体が使用可能であることがわかるだろう。１５７ｎｍリソグラフィの場合には、液体内の損失が懸念される。これは、レンズアレイ１１６と基板１２０の間のより狭いギャップを必要とする傾向にある。１５７ｎｍリソグラフィの場合には、レンズアレイ１１６と基板の間の空間は５０μｍまたはそれを下回る。

浸液層１１８は例えば封じ込めリング（図示されていない）によって保持される。封じ込めレンズは、容器の対向面を形成するレンズアレイ１１６と基板１２０とともに容器のエッジまたは側面を形成する。択一的に、浸液量を保持するために接着が使用される。システム１００の向きに依存して（レンズアレイ１１６が基板１２０の上に配置されているか、下に配置されているか）、浸液は基板１２０またはレンズアレイ１１６のうちのどちらかの表面上にとどまる。浸液１１８は、１つの表面上に表面張力によって、浸液１１８のメニスカスを含む他の表面によってともに保持される。

浸液量１１８は、例えば焦点を変える等の種々の効果のために調整される必要がある。封じ込めリングは、浸液量１１８を調整するための入口および／または出口を有する。封じ込めリングは、加えられる液体を収容するために付加的に溜めも有することができる。例えば距離または焦点におけるあらゆるエラーを修正するためにフィードバックセンサが浸液１１８内に含まれる。典型的なリソグラフィシステム内の投影光学系と基板の間のレベルギャップを維持するのに使用される多くの測定デバイス（例えば干渉計またはキャパシタンスゲージ）は基板ユニット１１０内でも使用される。空気マイクロメータは、浸液の外でも使用可能である。

基板の露光にドライ露光が必要な場合には、液体が完全に除去されることが明らかであろう。ドライ露光の場合には、光学系群１１４および１０８のうちの１つまたは両方が相応に調整される必要がある（例えば焦点、球面収差、開口数の低減等）。

露光の間には、パターンジェネレータ１１２も可動基板ユニット１１０も、露光ビーム１０２に関連して動く。パターンジェネレータの動きと基板ユニットの動きの間の早さの比はシステムの拡大率に依存する。例えば、システム１００が４倍の倍率を有する場合には、パターンジェネレータ１１２は、可動基板ユニット１１０よりも４倍速く動く。可動基板ユニット１１０が動くと、動的軸方向補償群も、レンズアレイ１１６が動くことによって生じる軸の変化を補償するために動く。レンズアレイ１１６も、浸液１１８も、基板１２０も相互に相対的に位置を変化させない。従って基板１２０の動きをスキャニングすることによって液体内に外乱は生じない。しかも浸液によって生じる全体的な歪みが低減される。

図２は、本発明の第２の実施形態に相応する露光系２００のブロックダイヤグラムである。パターンジェネレータ群２０４内の素子，動的軸方向補償群２０６，光学系群２０８はそれぞれ、システム１００内のパターンジェネレータ群１０４，動的軸方向補償群１０６，光学系群１０８に相当する。同じように、可動基板ユニット２１０は、光パワーレンズアレイ２１２，浸液２１６，および基板２１８を含む。

ステップアンドスキャンシステムの代わりに、システム２００はステップシステムである。従って、ステップ移動 前の完全なフィールドを通じたライン毎のスキャニングの代わりに、システム２００は各フィールドをサブフィールドに分ける。システム２００は各サブフィールドに移動し、スキャニングなしで、全サブフィードを露光する。パターンジェネレータ２２０も動かされる必要がある。なぜならフルフィールドは１回の露光ではイメージングされないからである。

より小さいサブフィールドを収容するために、レンズアレイ２１２はレンズセット、例えばレンズ２１４を含む。レンズ２１４は、近似的にサブフィールドのサイズである。レンズアレイ２１２内のレンズはフィールドサイズよりも小さいので、それほど軸方向変位は生じない。従って軸方向変位補償群２０６はシステム１００において必要とされるほど動く必要はない。フィールドサイズのために、軸方向補償がより少なくなるので、各サブフィールドレンズの光パワーは、システム１００内のそれより高い。レンズアレイ２１２の光パワーは、主にサブフィールドのステッチングの所望されているクオリティによって制限される。その他の点では、システム２００の実現は、システム１００に関連して説明されたものと同じである。

図３は、本発明の第３の実施形態に相応した露光系３００のブロックダイヤグラムである。システム３００は、フルフィールドステップアンドスキャンシステムである。パターンジェネレータ３０４内の素子、動的軸方向補償群３０６および光学系群３０８はそれぞれ、システム１００内のパターンジェネレータ群１０４，動的軸方向補償群１０６，光学系群１０８に相当する。浸液３１８と接触するレンズアレイを含む代わりに、基板ユニット３１０は、光パワーを有していないフラットパネル３１６を含む。レンズアレイに加えられるあらゆる光パワーはその代わりに、光学系群３０８内に含まれる。

レンズアレイの代わりにフラットパネル３１６を使用することによって、この実施形態を事前に存在するシステムに加えることが容易になる。露光に対する全ての光学系の必要性は光学系群３１４および３０８内に組み込まれる。しかも光学系を可動基板ユニット３１０に分けることはない。さらに、フラットパネル３１６内に光パワーはないので、光軸は変位しない。従って、図３の実施形態では、軸方向変位補償群３０６を使用することはオプションである。事前に存在するシステム内で使用する場合には、主な変更はＰＯＳの倍率である。なぜなら、基板はＰＯＳ内の出口側レンズから異なる距離に配置されているからである。その他の点では、システム３００の実現は、システム１００に関連して記載されたものと同じである。

浸液と接触する光パワー素子を有する液浸システム（例えばシステム１００および２００）によって解像度は改善される。なぜなら、このシステムの開口数が格段に増大されるからである。液浸システム内で得られる解像度Δは、以下の式によって表される。

ここでλ_ｗｅｔは、浸液の存在による、露光光の有効波長であり、ＮＡ_ｄｒｙは空気中のＰＯＳの開口数である。λ_ｗｅｔは以下の式を用いて定められる。

ここでλ_ｄｒｙは露光光の実際の波長であり、ｎ_ｉｍｍは浸液の屈折率である。

液浸システムは焦点深度も改善する。液浸リソグラフィシステム内で得られる焦点深度は以下の式によって得られる。

焦点深度は液浸システム内で本発明に相応して、光パワーを有している基板を使用しているか否かに関わりなく改善される。例えばシステム３００は浸液と接触する光パワー素子を含まないので、おそらく解像度の改善は得られない。しかし、露光の焦点深度は改善される。改善された焦点深度は、ＰＯＳ内の他の光学系、例えば光学系群３１４および３０８の許容公差を改善する。

図１，２および３で示した実施形態に類似したシステムは、例えばデュアルスキャンシステムで実現される。このような実現形態では、可動基板ユニット１１０は第１のステージ内で組み立てられる。また露光は第２のステージで行われる。しかし、該当分野の技術者は、本発明があらゆるシングルステージリソグラフィシステムまたはマルチプルステージリソグラフィシステム内に実現可能であることを理解するだろう。

図４は、本発明の実施例に相応する、リソグラフィ方法の例のフローチャート４００である。ステップ４０２では、少なくとも１つの光学素子、浸液量（volume of immersion liquid）および基板が１つの可動ユニットに結合される。この光学素子は光パワーを有しており、システム１００および２００のように、ＰＯＳの出口側素子であり得る。択一的に、この光学素子は光パワーを有していなくてもよい。光学素子、浸液および基板は光学的コンタクト、接着または、当業者に公知であるあらゆる他の結合方法によって結合される。

ステップ４０４では、このシングルユニットはパターニングをもたらす露光ビームに関連して動く。この単一ユニットが動かされる比率は、所望されているパターンの倍率に依存する。動きは、このリソグラフィシステムがステップシステムであるのか、またはステップアンドスキャンシステムであるのかにも依存する。これがステップシステムである場合、動きは１つの場所から別の場所へのステップ移動を含む。これには露光が行われている間の短い停止が続く。このシステムがステップアンドスキャンシステムである場合、動きは１つの場所から新たな場所へのステップ移動を含む。これにはこの新たな場所内での連続的なスキャニング運動が続く。

ステップ４０６では、少なくとも１つの光学的補償素子が動かされて、このシングルユニットの動きが補償される。補償素子の動きはあらゆる移動（shifting）、回転および傾斜のあらゆる組み合わせを含むが、これに限定されない。フルフィールド露光は、サブフィールド露光よりも多くの補償を必要とする。単一ユニットが光パワーを有していない場合には、補償はおそらく必要なく、ステップ４０６は省略され得る。

ステップ４０８では、基板がパターンを搬送する露光ビームによって露光される。基板は単一ユニットの一部であるので、露光ビームは基板表面に達する前に光学素子および浸液を通過する。

結び
本発明の様々な実施形態が上述されているが、これらの実施形態は、限定ではなく例としてのみ示されていることが理解されるべきである。本発明の思想および範囲から逸脱することなく形式および細部における様々な変更を行い得ることが当業者に対し明らかであろう。すなわち、本発明の広さおよび範囲は、上述の実施例のいずれによっても制限されるべきではなく、以降の請求項および請求項と同等のものに基づいてのみ定義されるべきである。

本発明の実施形態に相応する露光系のブロックダイヤグラム。 本発明の別の実施形態に相応する露光系のブロックダイヤグラム。 本発明のさらに別の実施形態に相応する露光系のブロックダイヤグラム。 本発明の実施形態に相応する方法のフローチャート。 典型的な液浸リソグラフィシステムのブロックダイヤグラム。

符号の説明

１００，２００，３００ 露光系、 １０２，２０２ 露光ビーム、 １０４，２０４ パターンジェネレータ群、 １０６，２０６，３０６ 動的軸方向補償群、 １０８，２０８，３０８ 光学系群、 １１０，２１０，３１０ 可動基板ユニット、 １１６，２１２ レンズアレイ、 ２１４ レンズ、 １１８，２１６，３１８ 浸液、 １２０，２１８ 基板、 ３０４ パターンジェネレータ、 ３１６ フラットパネル

Claims (17)

1. 液浸ホトリソグラフィシステムであって、
   少なくとも１つの光学素子と、
   基板と、
   前記少なくとも１つの光学素子と基板の間にある浸液量を含み、
   前記少なくとも１つの光学素子、基板および浸液量は、イメージングの間、一致して動くように構成されており、
   前記浸液量は焦点を調整するために変化することを特徴とする液浸ホトリソグラフィシステム。
2. 前記浸液量は、前記少なくとも１つの光学素子と基板の間に、浸液の表面張力及びメニスカスによって保持されている、請求項１記載のホトリソグラフィシステム。
3. さらに、軸方向変位を補償するために補償光学系を含む、請求項１記載のホトリソグラフィシステム。
4. 前記補償光学系は少なくとも１つのレンズを含み、
   当該レンズは移動、回転または傾斜のうちの少なくとも１つを行うことができる、請求項３記載のホトリソグラフィシステム。
5. 前記補償光学系は投影光学系の一部である、請求項４記載のホトリソグラフィシステム。
6. 前記少なくとも１つの光学素子は光パワーを有するフルフィールドレンズアレイである、請求項１記載のホトリソグラフィシステム。
7. 前記少なくとも１つの光学素子は光パワーを有するサブフィールドレンズアレイである、請求項１記載のホトリソグラフィシステム。
8. 前記少なくとも１つの光学素子は光パワーを有していない、請求項１記載のホトリソグラフィシステム。
9. 前記少なくとも１つの光学素子は、投影光学系の出口側レンズである、請求項１記載のホトリソグラフィシステム。
10. 前記浸液量は、表面張力によって前記基板の表面上にとどまる、請求項１記載のホトリソグラフィシステム。
11. 前記少なくとも１つの光学素子の表面は、浸液のメニスカスと接触している、請求項１０記載のホトリソグラフィシステム。
12. 前記浸液量は、表面張力によって前記少なくとも１つの光学素子の表面上にとどまる、請求項１記載のホトリソグラフィシステム。
13. 前記基板の表面は浸液のメニスカスと接触している、請求項１２記載のホトリソグラフィシステム。
14. 基板上にパターンをプリントする方法であって、
    （ａ）少なくとも１つの光学素子、浸液量および基板を単一ユニットに結合し、
    （ｂ）パターンを搬送する露光ビームに関連して前記単一ユニットを動かし、
    （ｃ）露光ビームによって前記単一ユニットを通じて前記基板を露光し、
    前記ステップ（ａ）は、光パワーを有する少なくとも１つの素子と浸液量と基板を単一ユニットに結合することを含み、
    （ｄ）解像度と露光ビームの焦点深度のうちの少なくとも１つを修正するために、前記浸液量を調整する、ことをさらに含む
    ことを特徴とする、基板上にパターンをプリントする方法。
15. （ｅ）露光ビームに関した前記単一ユニットの動きを補償するために、少なくとも１つの光学補償素子を動かす、ことをさらに含む、請求項１４記載の方法。
16. 前記ステップ（ｅ）における動きは、移動、傾斜または回転の少なくとも１つを含む、請求項１５記載の方法。
17. 基板上にパターンをプリントする方法であって、
    （ａ）少なくとも１つの光学素子、浸液量および基板を単一ユニットに結合し、
    （ｂ）パターンを搬送する露光ビームに関連して前記単一ユニットを動かし、
    （ｃ）露光ビームによって前記単一ユニットを通じて前記基板を露光し、
    前記ステップ（ａ）は、光パワーを有していない少なくとも１つの素子と浸液量と基板を単一ユニットに結合することを含み、
    （ｄ）露光ビームの焦点深度を修正するために、前記浸液量を調整する、ことをさらに含む
    ことを特徴とする、基板上にパターンをプリントする方法。