JP4352906B2 - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents
電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4352906B2 JP4352906B2 JP2004010516A JP2004010516A JP4352906B2 JP 4352906 B2 JP4352906 B2 JP 4352906B2 JP 2004010516 A JP2004010516 A JP 2004010516A JP 2004010516 A JP2004010516 A JP 2004010516A JP 4352906 B2 JP4352906 B2 JP 4352906B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film
- light shielding
- shielding film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 178
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 134
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 79
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 46
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 29
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 19
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 11
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 10
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 59
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 33
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 22
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 14
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNUPENMBHHEARK-UHFFFAOYSA-N silicon tungsten Chemical compound [Si].[W] WNUPENMBHHEARK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
又、第1層の、各TFT30に対応する位置には、遮光膜120が設けられている。遮光膜120は、TFT基板10側からの戻り光等がTFT30のチャネル領域やチャネル隣接領域に入射するのを防ぐものである。
従って、TFT基板10等に密着する第1薄膜121aのSi濃度を高くすると共に、第3薄膜123aと第5薄膜125aとのSi濃度を従来とほぼ同じ濃度とし、隣接する面に対する密着性を高める。更に、第1、第3薄膜121a,123a間に挟まれた第2薄膜122a、及び第3、第5薄膜123a,125a間に挟まれた第4薄膜124aのSi濃度を低くすることで、アニール処理の際の熱歪みによって発生する応力を、この両薄膜122a,124aで吸収するようにした。
次に、図11を参照して遮光膜120の成形工程について説明する。先ず、TFT基板10を切り出す前の石英基板、ガラス基板等から成る大型基板100を用意する。ここで、好ましくはN(窒素)等の不活性ガス雰囲気で約900〜1300℃での高温でアニール処理し、後に実施される高温プロセスで大型基板100に生じる熱歪が少なくなるように前処理しておく。
Claims (4)
- 基板上に形成された遮光膜が、高融点金属と高融点金属化合物との一方を含む金属シリサイド薄膜の多層構造を有してなり、
上記遮光膜は、基板側に配設された第1薄膜と該第1薄膜上に順次積層された第2薄膜、第3薄膜、第4薄膜、第5薄膜とを備え、上記第1薄膜、第3薄膜、第5薄膜が、上記第2薄膜、第4薄膜に対して相対的にシリコン濃度が高く形成され、かつ、上記第1薄膜が、上記第3薄膜、第5薄膜に対して相対的にシリコン濃度が高く形成されてなり、
上記基板上に薄膜トランジスタが形成されており、上記遮光膜は該薄膜トランジスタの上方であって、少なくとも該薄膜トランジスタを覆うように形成され、
上記遮光膜上に絶縁膜を介して半導体層が積層されていることを特徴とする電気光学装置。 - 上記遮光膜は、各薄膜間のシリコン濃度が連続的に変化していることを特徴とする請求項1記載の電気光学装置。
- 炉本体内にセットした、薄膜トランジスタを形成してなる基板に対し、少なくともシリコンを含有する第1の反応ガスと、少なくともタングステンを含有する第2の反応ガスとを供給してCVDにより金属シリサイドからなる遮光膜を形成する電気光学装置の製造方法において、
上記炉本体内に供給する上記第1の反応ガスと上記第2のガスとの一方の流量を変化させて、上記基板上に金属シリサイドからなる第1薄膜、第2薄膜、第3薄膜、第4薄膜、第5薄膜を順次積層するとともに、上記第1薄膜、第3薄膜、第5薄膜を、上記第2薄膜、第4薄膜に対して相対的にシリコン濃度を高く形成し、かつ、上記第1薄膜を、上記第3薄膜、第5薄膜に対して相対的にシリコン濃度を高く形成する工程と、
上記第1薄膜、第2薄膜、第3薄膜、第4薄膜、第5薄膜をパターニングして、上記薄膜トランジスタを少なくとも覆う遮光膜とする工程と、
パターニング後の上記該遮光膜上に絶縁膜を形成し、その後アニール処理を施す工程と、
を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の電気光学装置が搭載されていることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004010516A JP4352906B2 (ja) | 2004-01-19 | 2004-01-19 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004010516A JP4352906B2 (ja) | 2004-01-19 | 2004-01-19 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005203684A JP2005203684A (ja) | 2005-07-28 |
JP4352906B2 true JP4352906B2 (ja) | 2009-10-28 |
Family
ID=34823222
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004010516A Expired - Fee Related JP4352906B2 (ja) | 2004-01-19 | 2004-01-19 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4352906B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4419577B2 (ja) * | 2004-01-19 | 2010-02-24 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
-
2004
- 2004-01-19 JP JP2004010516A patent/JP4352906B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005203684A (ja) | 2005-07-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9869907B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
US8017456B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP4700160B2 (ja) | 半導体装置 | |
US7538011B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
US7816191B2 (en) | Wiring material, semiconductor device provided with a wiring using the wiring material and method of manufacturing thereof | |
US9660159B2 (en) | Wiring material, semiconductor device provided with a wiring using the wiring material and method of manufacturing thereof | |
US6492681B2 (en) | Semiconductor device | |
KR100669067B1 (ko) | 전기 광학 장치, 전기 광학 장치의 제조 방법, 및 전자기기 | |
JP4370810B2 (ja) | 電気光学装置用基板及びその製造方法並びに電気光学装置 | |
JP4352906B2 (ja) | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 | |
JP2007178650A (ja) | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 | |
JPH09265114A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2004327539A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置、並びにこれを備えた電気光学装置及び電子機器 | |
JP4118705B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP4400368B2 (ja) | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
JP2005044936A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、電気光学装置、及び電子機器 | |
JP5315305B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2006039451A (ja) | 電気光学装置用基板とその製造方法、電気光学装置、及び電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060410 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070403 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090408 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090414 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090424 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090609 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090707 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090720 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4352906 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120807 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130807 Year of fee payment: 4 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |