JP2005203684A - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】CVDにより基板100上に遮光膜120を成膜するに際し、供給するガスの流量を変化させることで、Si濃度を変化させる。遮光膜120中のSi濃度を変化させたので、アニール処理の際に熱歪みによる応力が、Si濃度の低い部位で吸収されるため、発生し難くなり、遮光膜120を起点とする絶縁膜や半導体層に対するクラックの発生を防止することができる。
【選択図】図7
Description
又、第1層の、各TFT30に対応する位置には、遮光膜120が設けられている。遮光膜120は、TFT基板10側からの戻り光等がTFT30のチャネル領域やチャネル隣接領域に入射するのを防ぐものである。
従って、TFT基板10等に密着する第1薄膜121aのSi濃度を高くすると共に、第3薄膜123aと第5薄膜125aとのSi濃度を従来とほぼ同じ濃度とし、隣接する面に対する密着性を高める。更に、第1、第3薄膜121a,123a間に挟まれた第2薄膜122a、及び第3、第5薄膜123a,125a間に挟まれた第4薄膜124aのSi濃度を低くすることで、アニール処理の際の熱歪みによって発生する応力を、この両薄膜122a,124aで吸収するようにした。
次に、図11を参照して遮光膜120の成形工程について説明する。先ず、TFT基板10を切り出す前の石英基板、ガラス基板等から成る大型基板100を用意する。ここで、好ましくはN(窒素)等の不活性ガス雰囲気で約900〜1300℃での高温でアニール処理し、後に実施される高温プロセスで大型基板100に生じる熱歪が少なくなるように前処理しておく。
Claims (14)
- 基板上に形成される遮光膜が、シリコン濃度を変化させた多層構造を有していることを特徴とする電気光学装置。
- 基板上に形成される遮光膜が、シリコン濃度の異なる複数のシリサイド薄膜を配設した多層構造を有することを特徴とする電気光学装置。
- 基板上に形成される遮光膜が、シリコン濃度の異なる2種類のシリサイド薄膜を交互に配設した多層構造を有することを特徴とする電気光学装置。
- 基板上に形成される遮光膜が、シリコン濃度を連続的に変化させたシリサイド薄膜で形成されていることを特徴とする電気光学装置。
- 上記遮光膜の最下層の上記シリコン濃度が高く設定されていることを特徴とする請求項1〜4項の何れか1項に記載の電気光学装置。
- 上記遮光膜の最上層の上記シリコン濃度が低く設定されていることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の電気光学装置。
- 上記遮光膜が高融点金属と高融点金属化合物との一方を含む金属シリサイド薄膜で形成されていることを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の電気光学装置。
- 上記遮光膜上に絶縁膜を介して半導体層が積層されていることを特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載の電気光学装置。
- 上記基板上に薄膜トランジスタが形成されており、上記遮光膜は該薄膜トランジスタの上方であって、少なくとも該薄膜トランジスタを覆うように形成されていることを特徴とする請求項1〜8の何れか1項の記載の電気光学装置。
- 炉本体内にセットした基板に対し、少なくともシリコンを含有する第1の反応ガスと、少なくともタングステンを含有する第2の反応ガスとを供給してCVDにより遮光膜を成膜する電気光学装置の製造方法において、
上記炉本体内に供給する上記第1の反応ガスと上記第2のガスとの一方の流量を変化させて上記遮光膜内のシリコン濃度を変化させる工程を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 炉本体内にセットした基板に対し、少なくともシリコンを含有する第1の反応ガスと、少なくともタングステンを含有する第2の反応ガスとを供給してCVDにより遮光膜を成膜する電気光学装置の製造方法において、
上記炉本体内に供給する上記第1の反応ガスと上記第2のガスとの一方の流量を段階的に変化させて多層構造の上記遮光膜を成膜する工程を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 炉本体内にセットした基板に対し、少なくともシリコンを含有する第1の反応ガスと、少なくともタングステンを含有する第2の反応ガスとを供給してCVDにより遮光膜を成膜する電気光学装置の製造方法において、
上記炉本体内に供給する上記第1の反応ガスと上記第2のガスとの一方の流量を連続的に減少させて、最下層のシリコン濃度が高く、最上層の該シリコン濃度が低い上記遮光膜を成膜する工程を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項10〜12の何れか1項に記載の電気光学装置の製造方法にて成膜された上記遮光膜をパターニングした後、該遮光膜上に絶縁膜を形成し、その後アニール処理を施すことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
- 請求項1〜9の何れか1項に記載の電気光学装置が搭載されていることを特徴とする電子機器。
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