JP4349489B2 - 半導体フォトニック結晶導波路構造及びそれを使用した半導体フォトニック結晶デバイス - Google Patents
半導体フォトニック結晶導波路構造及びそれを使用した半導体フォトニック結晶デバイス Download PDFInfo
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Description
J.K.Hwang, H.Y.Ryu, D.S.Song, I.Y.Han, H.K.Park, D.H.Jang, and Y.H.Lee, ''Continuous Room-Temperature Operation of Optically Pumped Two-Dimensional Photonic Crystal Lasers at 1.6um'', IEEE Photonics Technology Letters, Vol.12, No.10, October 2000, p.1295-1297 David Scrymgeour, Natalia Malkovia, Sungwon Kim and Venkatraman Gopalan, ''Electro-optic control of superprism effect in photonic crystals'', Applied Physics Letters, Vol.82, No.19, 12 May 2003, P.3176-3178
2 n−InP下部クラッド層
3 活性導波路層
4 p−InP上部クラッド層
5 p−GaInAsコンタクト層
6 空気孔
7 フォトニック結晶領域
8 メサ
9 上部電極
10 下部電極
11 ノンドープInP被覆層又はSiNx被覆層
12 ウエハ
13 SiNx膜
14 Ti薄膜
15 電子ビームレジスト
16 フォトレジスト
17 フォトレジスト
20 半導体フォトニック結晶デバイス
Claims (3)
- 半導体基板上に活性導波路層と該活性導波路層を挟むクラッド層を有し、前記半導体基板に平行な面内に二次元的な屈折率の周期構造が形成されてなる半導体フォトニック結晶導波路構造において、
前記屈折率の周期構造は少なくとも前記活性導波路層を貫通する空気孔を含み、前記空気孔の表面のうち、少なくとも前記活性導波路層の部分は、前記活性導波路層よりも大きなバンドギャップエネルギーを持つ半導体によって被覆されていることを特徴とする半導体フォトニック結晶導波路構造。 - 前記大きなバンドギャップエネルギーを持つ半導体は、少なくともIn又はGaのいずれか一方を含むIII族元素と、少なくともP、Asのいずれか一方を含むV族元素からなる化合物半導体であることを特徴とする請求項1に記載の半導体フォトニック結晶導波路構造。
- 請求項1または2に記載の半導体フォトニック結晶導波路構造と、該半導体フォトニック結晶導波路構造に電流又は電圧を印加する手段を含むことを特徴とする半導体フォトニック結晶デバイス。
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