JP4347819B2 - 固体撮像素子およびその駆動方法 - Google Patents
固体撮像素子およびその駆動方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4347819B2 JP4347819B2 JP2005037998A JP2005037998A JP4347819B2 JP 4347819 B2 JP4347819 B2 JP 4347819B2 JP 2005037998 A JP2005037998 A JP 2005037998A JP 2005037998 A JP2005037998 A JP 2005037998A JP 4347819 B2 JP4347819 B2 JP 4347819B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- potential
- photoelectric conversion
- unit
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 40
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 13
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 23
- 101100108853 Mus musculus Anp32e gene Proteins 0.000 description 4
- 101150082606 VSIG1 gene Proteins 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/778—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
複数並ぶ画素セルと、
上記各画素セルに対して共通に設けられ、上記各画素セルからの信号が出力される信号線と
を備え、
上記各画素セルは、
入射した光を光電変換する光電変換部と、
上記光電変換部の出力端子と制御線との間に接続された容量素子と、
上記光電変換部の出力電圧を所定の基準電圧と比較して、この比較の結果を表す出力信号を出力する比較部と、
上記比較部の入出力端子間に接続されると共に上記入出力端子間を一時的に短絡することにより上記光電変換部の電位をリセットするリセット部と、
上記比較部の出力端子と上記信号線との間に接続され、その画素セルが選択されたとき導通する選択スイッチ素子と
を含み、
また、信号蓄積期間に上記制御線に第1の制御電圧を印加して、上記光電変換部の出力端子の電位を上記比較部の遷移領域から外す一方、信号読み出し期間に上記制御線に第2の制御電圧を印加して、上記光電変換部の出力端子の電位を上記比較部の遷移領域に持ってくる制御電圧印加部と、
上記信号線と所定電位の電源との間に接続され、上記各画素セルの各比較部のための共通の負荷となる負荷素子と
を備えたことを特徴とする。
複数並ぶ画素セルと、
上記各画素セルに対して共通に設けられ、上記各画素セルからの信号が出力される信号線と
を備え、
上記各画素セルは、
入射した光を光電変換する光電変換部と、
一端が制御線に接続された容量素子と、
上記容量素子の他端と上記光電変換部の出力端子との間に接続され、上記光電変換部を選択するために導通される転送スイッチ素子と、
上記容量素子の上記他端に接続され、上記転送スイッチ素子を介して受けた上記光電変換部の出力電圧を所定の基準電圧と比較して、この比較の結果を表す出力信号を出力する比較部と、
上記比較部の入出力端子間に接続されると共に上記入出力端子間を一時的に短絡することにより上記光電変換部の電位をリセットするリセット部と、
上記比較部の出力端子と上記信号線との間に接続され、その画素セルが選択されたとき導通する選択スイッチ素子と
を含み、
また、信号蓄積期間に上記制御線に第1の制御電圧を印加して、上記光電変換部の出力端子の電位を上記比較部の遷移領域から外す一方、信号読み出し期間に上記制御線に第2の制御電圧を印加して、上記光電変換部の出力端子の電位を上記比較部の遷移領域に持ってくる制御電圧印加部を備え、
上記信号線に沿って並ぶ所定数の画素セルの間で、上記容量素子、比較部、リセット部および選択スイッチ素子がそれぞれ共通になっていることを特徴とする。
図2は、この発明の第1実施形態のパルス幅変調型固体撮像素子の概略構成を示し、図1はその固体撮像素子の1つの画素セルの構成を詳細に示している。なお、図2中には、この固体撮像素子が有する行列状に多数配列された画素セル17の内の2行2列分のみが示されている。
ここで、電圧ΔV1を十分大きな値とすることで、フォトダイオード1のノードpdの電位Vpdを、比較用トランジスタ2Aの遷移領域から十分外れたところにレベルシフトさせることができる。
次に、信号読み出し期間T(i+1)内の時刻t6では、可変電圧発生回路71は、水平制御線6の電位Φrampを、信号読み出し開始時刻t4後の時刻t5における電位から変動(低下)させて行く。そして、時刻t7に水平制御線6の電位ΦrampがV0に戻るものとする。上記時刻t6から時刻t7に亘って、可変電圧発生回路71が水平制御線6に印加する電位Φrampが第2の制御電圧となる。
図4に、この発明の第2実施形態のパルス幅変調型固体撮像素子の構成を示している。なお、図4中には、簡単のため、この固体撮像素子が有する行列状に多数配列された画素セルのうち、垂直信号線9に沿って並ぶ2個の画素セル17,18のみが示されている。
Vsig=Vrst+ΔV0’−ΔVs(ΔV0’>ΔVs)
と表せる。
(tx−t2)/(t3−t2)・ΔV0’ = ΔV0’−ΔVs
tx−t2 = (t3−t2)/ΔV0’・(ΔV0’−ΔVs)
tx=t2+(t3−t2)/ΔV0’・(ΔV0’−ΔVs)
となる。
ΔV0’=ΔV0・C0/(C0+Cpd)
と表せる。この時刻t6に、PDとFDの電位はVrst+ΔV0’に遷移する。この時のPDとFDのポテンシャルプロファイルは、図6(c)から図6(d)にシフトする。
図4に示したパルス幅変調型固体撮像素子の構成を持つ場合の駆動方法として、n行目の画素信号と(n+1)行目の画素信号とを平均化したものを得る読み出し方法が考えられる。
Vsig=(Cpd1・Vsig1+Cpd2・Vsig2)/(Cpd1+Cpd2)
と表される。2個の画素セル17,18でPDの容量Cpd1、Cpd2が等しくCpdであるとすると、
Vsig=(Vsig1+Vsig2)/2と表される。
つまり、n行目の画素信号Vsig1と(n+1)行目の画素信号Vsig2とを平均化したもの(Vsig)がノードFDに得られる。
2 比較器
2A 比較用トランジスタ
3 キャパシタ
4 リセットトランジスタ
5 選択トランジスタ
6 水平制御線
7 リセット選択線
8 行選択信号線
9 垂直信号線
10 列コンパレータ
17,18 画素セル
Claims (4)
- 複数並ぶ画素セルと、
上記各画素セルに対して共通に設けられ、上記各画素セルからの信号が出力される信号線と
を備え、
上記各画素セルは、
入射した光を光電変換する光電変換部と、
上記光電変換部の出力端子と制御線との間に接続された容量素子と、
上記光電変換部の出力電圧を所定の基準電圧と比較して、この比較の結果を表す出力信号を出力する比較部と、
上記比較部の入出力端子間に接続されると共に上記入出力端子間を一時的に短絡することにより上記光電変換部の電位をリセットするリセット部と、
上記比較部の出力端子と上記信号線との間に接続され、その画素セルが選択されたとき導通する選択スイッチ素子と
を含み、
また、信号蓄積期間に上記制御線に第1の制御電圧を印加して、上記光電変換部の出力端子の電位を上記比較部の遷移領域から外す一方、信号読み出し期間に上記制御線に第2の制御電圧を印加して、上記光電変換部の出力端子の電位を上記比較部の遷移領域に持ってくる制御電圧印加部と、
上記信号線と所定電位の電源との間に接続され、上記各画素セルの各比較部のための共通の負荷となる負荷素子と
を備えたことを特徴とする固体撮像素子。 - 複数並ぶ画素セルと、
上記各画素セルに対して共通に設けられ、上記各画素セルからの信号が出力される信号線と
を備え、
上記各画素セルは、
入射した光を光電変換する光電変換部と、
一端が制御線に接続された容量素子と、
上記容量素子の他端と上記光電変換部の出力端子との間に接続され、上記光電変換部を選択するために導通される転送スイッチ素子と、
上記容量素子の上記他端に接続され、上記転送スイッチ素子を介して受けた上記光電変換部の出力電圧を所定の基準電圧と比較して、この比較の結果を表す出力信号を出力する比較部と、
上記比較部の入出力端子間に接続されると共に上記入出力端子間を一時的に短絡することにより上記光電変換部の電位をリセットするリセット部と、
上記比較部の出力端子と上記信号線との間に接続され、その画素セルが選択されたとき導通する選択スイッチ素子と
を含み、
また、信号蓄積期間に上記制御線に第1の制御電圧を印加して、上記光電変換部の出力端子の電位を上記比較部の遷移領域から外す一方、信号読み出し期間に上記制御線に第2の制御電圧を印加して、上記光電変換部の出力端子の電位を上記比較部の遷移領域に持ってくる制御電圧印加部を備え、
上記信号線に沿って並ぶ所定数の画素セルの間で、上記容量素子、比較部、リセット部および選択スイッチ素子がそれぞれ共通になっていることを特徴とする固体撮像素子。 - 請求項2に記載されている固体撮像素子を駆動する固体撮像素子の駆動方法であって、
上記所定数の画素セルから出力信号を上記信号線上に出力させるために、上記所定数の画素セルに共通の上記選択スイッチ素子を所定期間オンし、その期間内に上記所定数の画素セルの間で上記転送スイッチ素子を同時にオンさせることを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。 - 請求項1または2に記載の固体撮像素子において、
上記各画素セルから上記信号線上に出力された上記出力信号をアナログデジタル変換してパルス幅変調信号を得るパルス幅変調部を備えたことを特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005037998A JP4347819B2 (ja) | 2005-02-15 | 2005-02-15 | 固体撮像素子およびその駆動方法 |
US11/355,588 US20060192870A1 (en) | 2005-02-15 | 2006-02-15 | Solid-state imaging device and driving method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005037998A JP4347819B2 (ja) | 2005-02-15 | 2005-02-15 | 固体撮像素子およびその駆動方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006229334A JP2006229334A (ja) | 2006-08-31 |
JP4347819B2 true JP4347819B2 (ja) | 2009-10-21 |
Family
ID=36931626
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005037998A Active JP4347819B2 (ja) | 2005-02-15 | 2005-02-15 | 固体撮像素子およびその駆動方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060192870A1 (ja) |
JP (1) | JP4347819B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4053007B2 (ja) * | 2004-01-09 | 2008-02-27 | シャープ株式会社 | 固体撮像素子およびその信号読み出し方法 |
US7652706B2 (en) * | 2006-02-15 | 2010-01-26 | Eastman Kodak Company | Pixel analog-to-digital converter using a ramped transfer gate clock |
US7692130B2 (en) * | 2006-11-01 | 2010-04-06 | International Business Machines Corporation | CMOS imaging sensor having a third FET device with a gate terminal coupled to a second diffusion region of a first FET device and a first terminal coupled to a row select signal |
WO2009063659A1 (ja) * | 2007-11-16 | 2009-05-22 | Fujitsu Microelectronics Limited | 撮像装置、撮像方法およびカメラモジュール |
JP5269456B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2013-08-21 | 株式会社東芝 | イメージセンサおよびその駆動方法 |
KR101926606B1 (ko) * | 2012-02-06 | 2019-03-07 | 삼성전자 주식회사 | 이미지 센서 및 이를 이용한 이미지 처리 장치 |
US9319612B2 (en) * | 2013-07-08 | 2016-04-19 | Semiconductor Components Industries, Llc | Imagers with improved analog-to-digital circuitry |
US10890482B2 (en) * | 2019-01-18 | 2021-01-12 | Himax Imaging Limited | Pixel circuit for generating an output signal in response to incident radiation |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9619088D0 (en) * | 1996-09-12 | 1996-10-23 | Vlsi Vision Ltd | Ofset cancellation in array image sensors |
US6734907B1 (en) * | 1998-04-30 | 2004-05-11 | Minolta Co., Ltd. | Solid-state image pickup device with integration and amplification |
US6473122B1 (en) * | 1999-12-06 | 2002-10-29 | Hemanth G. Kanekal | Method and apparatus to capture high resolution images using low resolution sensors and optical spatial image sampling |
JP4500434B2 (ja) * | 2000-11-28 | 2010-07-14 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム、並びに撮像方法 |
US7443427B2 (en) * | 2002-08-23 | 2008-10-28 | Micron Technology, Inc. | Wide dynamic range linear-and-log active pixel |
US7489352B2 (en) * | 2002-11-15 | 2009-02-10 | Micron Technology, Inc. | Wide dynamic range pinned photodiode active pixel sensor (APS) |
JP4053007B2 (ja) * | 2004-01-09 | 2008-02-27 | シャープ株式会社 | 固体撮像素子およびその信号読み出し方法 |
-
2005
- 2005-02-15 JP JP2005037998A patent/JP4347819B2/ja active Active
-
2006
- 2006-02-15 US US11/355,588 patent/US20060192870A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060192870A1 (en) | 2006-08-31 |
JP2006229334A (ja) | 2006-08-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101705491B1 (ko) | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 신호 처리 방법, 및, 전자 기기 | |
JP6226254B2 (ja) | 固体撮像装置及びスイッチング回路 | |
JP4347819B2 (ja) | 固体撮像素子およびその駆動方法 | |
US8462243B2 (en) | Solid-state image sensing device, method for reading signal of solid-state image sensing device, and image pickup apparatus | |
JP5066996B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の信号処理方法および撮像装置 | |
US10116887B2 (en) | Solid-state imaging device and camera | |
WO2013140872A1 (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
US20110001861A1 (en) | Solid-state imaging device | |
US20120127356A1 (en) | Solid-state imaging device | |
US7339672B2 (en) | Solid-state image pickup device and signal reading method therefor | |
US9123620B2 (en) | Solid-state image capture device, drive method therefor, and electronic apparatus | |
KR20080107295A (ko) | A/d 변환 회로, a/d 변환 회로의 제어 방법, 고체 촬상장치 및 촬상 장치 | |
KR20100040251A (ko) | 고체 촬상 센서 및 카메라 시스템 | |
JP2007036916A (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 | |
WO2020059580A1 (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
JP7092693B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US20240147063A1 (en) | Image sensor supporting af function and method of operating the same | |
JP5906596B2 (ja) | 撮像装置 | |
US8120688B2 (en) | Solid state imaging device | |
KR100610581B1 (ko) | 증폭 기능을 갖는 화소가 복수 배열된 증폭형 고체 촬상장치 | |
JP2013197697A (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
JP6213596B2 (ja) | 撮像装置 | |
KR20180096839A (ko) | 픽셀의 구동방법 및 이를 이용하는 cmos 이미지센서 | |
JP2013187872A (ja) | 撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060606 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090305 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090407 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090522 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090616 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090716 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120724 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120724 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130724 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |