JP4346672B2 - 半導体製造装置及びパターン形成方法 - Google Patents
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Description
トリフェニルスルフォニウムノナフレート(酸発生剤)………………………0.06g
トリエタノールアミン(クエンチャー)………………………………………0.002g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………20g
M. Switkes and M. Rothschild, "Immersion lithography at 157 nm", J. Vac. Sci. Technol., Vol.B19, P.2353 (2001)
本発明の第1の実施形態に係るパターン形成方法について図1(a)〜図1(d)を参照しながら説明する。
トリフェニルスルフォニウムノナフレート(酸発生剤)………………………0.06g
トリエタノールアミン(クエンチャー)………………………………………0.002g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………20g
以下、本発明の第2の実施形態に係る半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法について図面を参照しながら説明する。
以下、前記のように構成された露光装置を用いたパターン形成方法について図3(a)〜図3(d)を参照しながら説明する。
トリフェニルスルフォニウムノナフレート(酸発生剤)………………………0.06g
トリエタノールアミン(クエンチャー)………………………………………0.002g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………20g
以下、本発明の第3の実施形態に係る半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法について図面を参照しながら説明する。
以下、前記のように構成された露光装置を用いたパターン形成方法について図5(a)〜図5(d)を参照しながら説明する。
トリフェニルスルフォニウムノナフレート(酸発生剤)………………………0.06g
トリエタノールアミン(クエンチャー)………………………………………0.002g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………20g
10B 半導体製造装置
11 チャンバー
20 ウエハ(基板)
21 レジスト膜
21a レジストパターン
25 液体
30 露光部
31 可動ステージ
32 投影レンズ(露光レンズ)
33 液体供給部
34 液体排出部
35 露光光
36 冷却部
40 空調部
50 温度モニタ
51 第1の測定ポイント
52 第2の測定ポイント
53 第1の測定ポイント
54 第2の測定ポイント
60 温度制御部
101 ウエハ
102 レジスト膜
102a レジストパターン
103 液体(不飽和脂肪酸添加)
104 露光光
105 投影レンズ(露光レンズ)
Claims (10)
- 基板の上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜の上に液体を配した状態で、前記レジスト膜に対して露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行なう工程と、
パターン露光が行なわれた前記レジスト膜に対して現像を行なってレジストパターンを形成する工程とを備え、
前記パターン露光を行なう工程において、露光雰囲気の温度は前記液体の温度に基づいて前記液体の温度よりも低い温度に制御されることを特徴とするパターン形成方法。 - 前記露光雰囲気の温度は、0℃よりも高く且つ23℃よりも低いことを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記液体は、水又はパーフルオロポリエーテルであることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記液体は添加物を含んでいることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記添加物は、硫酸セシウム又はエチルアルコールであることを特徴とする請求項4に記載のパターン形成方法。
- 前記露光光は、KrFエキシマレーザ光、Xe2レーザ光、ArFエキシマレーザ光、F2レーザ光、KrArレーザ光又はAr2レーザ光であることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- レジスト膜と露光レンズとの間に液体を配してパターン露光を行なう露光部と、
前記レジスト膜の上に前記液体を供給する液体供給部と、
前記レジスト膜の上に配された前記液体を前記レジスト膜の上から排出する液体排出部と、
前記液体の温度と前記露光部の雰囲気温度とを測定する温度測定部と、
前記雰囲気温度を調節する空調部と、
前記温度測定部により測定された前記液体の温度及び前記雰囲気温度に基づいて、前記雰囲気温度が前記液体の温度よりも低くなるように前記空調部を制御する温度制御部とを備えていることを特徴とする半導体製造装置。 - 前記露光部と前記空調部とは、1つのチャンバーの内部に設けられていることを特徴とする請求項7に記載の半導体製造装置。
- 前記液体は、水又はパーフルオロポリエーテルであることを特徴とする請求項7に記載の半導体製造装置。
- 前記露光部の光源は、KrFエキシマレーザ光、Xe2レーザ光、ArFエキシマレーザ光、F2レーザ光、KrArレーザ光又はAr2レーザ光であることを特徴とする請求項7に記載の半導体製造装置。
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JP2004171589A Division JP2005353762A (ja) | 2004-06-09 | 2004-06-09 | 半導体製造装置及びパターン形成方法 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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