JP4343449B2 - 印刷半田検査装置及び方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に印刷されている半田を検査する印刷半田検査装置に係り、特に、半田の面積及び体積を算出するための基準面の高さを算出する印刷半田検査装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図11(a)は、配線パタンPが形成されている基板W表面に、レジストRを所定の形状に露光して現像し、レジストRが取り除かれている位置の配線パタンP上に半田Hを印刷した図である。
【0003】
この基板Wを順次搬送し、不図示の画像入力装置で基板W表面に形成されているレジスト面の高さを読み取り、図11(b)に示すような距離情報を得る。図12は、その距離情報に基づき、基板W表面の高さを表したヒストグラムである。従来の印刷半田検査装置では、このヒストグラムからレジストRの平均高さDavを検出する。この平均高さDavに基づいて、半田Hの断面積や体積を算出する。
【0004】
しかし、基板W表面には、図11(a)に示すように、半田Hの他に配線パタンP,レジストR及びシルク印刷文字Lが複雑に入り組んで印刷されている。特に、半田HとレジストR間には、レジストギャップRGと呼ばれる間隙が形成され、基板W表面が露出した状態となっている。また、配線パタンPが形成されているため、基板W表面に直接塗布されたレジストRと、配線パタンP上に塗布されたレジストRとでは、レジストRの高さに高低差が生じることとなる。
【0005】
したがって、ヒストグラムから検出されたレジストRの平均高さDavが、上述したレジストギャップRG,配線パタンP,シルク印刷文字L等の影響で、正確に検出することができず、後段で算出する半田Hの断面積及び体積に誤差が生じることとなる。すなわち、レジストRの平均高さが高くなりすぎると、断面積が小さくなるため、断面積以下の体積が小さくなって、誤差が生じることとなる。一方、レジストRの平均高さが低くなりすぎると、断面積に配線パタンP等が含まれるため、半田Hの体積が大きくなり、同様に誤差が生じることとなる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記欠点を除くためになされたものであって、その目的とするところは、距離情報Dと2値化輝度情報B’とを用いることにより、検査領域Fを、半田Hを含む第1領域F1 と半田Hを除く第2領域F2 とに分離し、レジストRの平均高さDavの精度の向上を図ることにある。特に、第1領域F1 において、距離情報Dを用いることにより、第1領域F1 から半田Hのみを正確に抽出することにある。
【0007】
また他の目的は、距離情報Dと反転された2値化輝度情報B”とを用いることにより、レジストRの平均高さDavにおける半田Hの切断面の断面積Sを精度よく算出することにある。
【0008】
更に他の目的は、半田Hの距離情報DとレジストRの平均高さDavと断面積Sを用いることにより、半田Hの体積の精度の向上を図ることにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
要するに、本発明の請求項1記載の印刷半田検査装置は、
表面に塗布されたレジストRを含む反射光量が多い第2領域F 2 と、該レジストRが塗布されていない位置に印刷された半田Hを含む反射光量が少ない第1領域F 1 とを含む検査領域Fを有する基板Wの前記半田Hを読取手段2と制御手段3で検査する印刷半田検査装置において、
前記読取手段2は、前記基板W表面から距離情報Dと輝度情報Bを読み取る変位測定装 置2であり、
前記制御手段3は、
所定の輝度閾値Bt に対し前記半田Hを含む光量の少ない前記第1領域F 1 を0の値とし、前記所定の輝度閾値に対し光量の多い第2領域F 2 を1の値とするように前記輝度情報Bを1,0の値で2値化する2値化処理手段31と、
前記距離情報Dと、前記2値化処理手段31から得られた2値化輝度情報B’と、に基づいて、前記第1領域F 1 の部分をキャンセルして前記第2領域F 2 の部分を抽出するために、前記距離情報Dのうち該2値化輝度情報B’の前記1の値と同一箇所となる前記第2領域F 2 に相当する抽出距離情報D2 を抽出する抽出手段33と、
前記第2領域F 2 に相当する前記抽出距離情報D2 を平均化して平均化距離情報Davを算出する平均化手段34と、
前記2値化輝度情報を反転して反転2値化輝度情報B”とする反転手段31と、
前記反転2値化輝度情報と前記距離情報Dとに基づき、前記第1領域F 1 部分の距離情報D 1 を抽出し、前記平均化距離情報D av に基づき前記検査領域Fごとに決定される距離閾値D t で、前記第1領域部分F 1 の距離情報のうち前記半田と前記半田以外の部分とを判別し、前記半田の距離情報D 1 'のみを抽出するラベリング手段35と、
を具備し、
前記ラベリング手段35から得られた前記半田の距離情報D 1 'と、前記平均化距離情報D av とにより前記半田Hを検査することを特徴とする。
【0010】
また、本発明の請求項2記載の印刷半田検査装置は、請求項1記載の印刷半田検査装置において、前記ラベリング手段35から得られた前記半田の距離情報D 1 'と、前記平均化距離情報D av と、に基づき、前記平均化距離情報D av における前記半田の断面積Sを算出する断面積算出手段36aと、
前記平均化距離情報D av と前記半田の断面積Sとにより、前記平均化距離情報D av に対し上部の体積Vを算出する体積算出手段36bと、
を具備することを特徴とする
【0011】
請求項3記載の印刷半田検査装置は、請求項1又は2に記載の印刷半田検査装置において、
前記平均化距離情報D av に、前記基板Wの反り、前記変位測定装置2の振動及び前記制御手段3内で発生するノイズによる各影響を含む影響群を考慮して予め設定された補正値αを加算する補正手段37を具備し、
前記第2領域の前記平均化距離情報D av に前記補正値αを加算して得られた値を前記距離閾値D t として、前記半田Hの距離情報D 1 'を抽出して、前記半田Hを検査することを特徴とする。
【0012】
請求項4記載の印刷半田検査方法は、
表面に塗布されたレジストRを含む反射光量が多い第2領域F 2 と、該レジストRが塗布されていない位置に印刷された半田Hを含む反射光量が少ない第1領域F 1 とを含む検査領域Fを有する基板Wの前記半田Hを読取手段2と制御手段3で検査する印刷半田検査方法において、
前記読取手段2により前記基板W表面から距離情報Dと輝度情報Bを読み取り、
所定の輝度閾値Bt に対し前記半田Hを含む光量の少ない前記第1領域F 1 を0の値とし、前記所定の輝度閾値B t に対し光量の多い第2領域F 2 を1の値とするように前記輝度情報を1,0の値で2値化し、
前記距離情報Dと、2値化された2値化輝度情報B’と、に基づいて、前記第1領域F 1 の部分をキャンセルして前記第2領域F 2 の部分を抽出するために、前記距離情報Dのうち該2値化輝度情報の前記1の値と同一箇所である前記第2領域F 2 に相当する距離情報D2 を抽出し、
前記第2領域F 2 に相当する前記抽出距離情報D2 を平均化して平均化距離情報D av を算出し、
前記2値化輝度情報B’を反転して反転2値化輝度情報B”とし、
前記反転2値化輝度情報B”と前記距離情報Dとに基づき、前記第1領域F 1 部分の距離情報D 1 を抽出し、前記平均化距離情報D av に基づき前記検査領域ごとに決定される距離閾値D t で、前記第1領域F 1 部分の距離情報D 1 のうち前記半田Hと前記半田H以外の部分とを判別し、前記半田Hの距離情報D 1 'のみを抽出し、
前記半田の距離情報D 1 'と、前記平均化距離情報D av とにより前記半田Hを検査することを特徴とする。
【0013】
請求項5記載の印刷半田検査方法は、請求項4記載の印刷半田検査方法において、抽出された前記半田Hの距離情報D 1 'と、前記平均化距離情報D av と、に基づき、前記平均化距離情報D av における前記半田の断面積Sを算出し、
前記平均化距離情報D av と前記半田Hの断面積Sとにより、前記平均化距離情報D av に対し上部の体積Vを算出することを特徴とする。
【0014】
請求項6記載の印刷半田検査方法は、請求項4又は5に記載の印刷半田検査方法において、
前記平均化距離情報D av に、前記基板Wの反り、前記変位測定装置2の振動及び前記制御手段3内で発生するノイズによる各影響を含む影響群を考慮して予め設定された補正値αを加算し、前記第2領域F 2 の前記平均化距離情報D av に前記補正値αを加算して得た値を前記距離閾値D t として、前記半田Hの距離情報D 1 'を抽出して、前記半田Hを検査することを特徴とする。
【0015】
【発明の実施の形態】
まず、本発明の印刷半田検査装置の第1実施の形態について説明する。図1(a)は、配線パタンPが形成されている基板W表面に、レジストRを所定の形状に露光して現像し、レジストRが取り除かれている位置の配線パタンP上に半田Hを印刷した図である。印刷半田検査装置は、この印刷された半田Hを検査するものである。
【0016】
図2は、印刷半田検査装置1の概略ブロック構成図である。印刷半田検査装置1は、読取手段2と制御手段3と出力手段4とで大略構成されている。
【0017】
読取手段22には、図1(a)に示す基板Wの表面に印刷された半田Hの高さを読み取るため、変位測定装置2が用いられる。変位測定装置2は、Y方向への走査とX方向へのシフトを繰り返して基板W上を移動して、基板W表面を測定する。
【0018】
変位測定装置2は、図3に示すように、投光器21からの投光ビームを、振動ミラー型又はポリゴンミラー型等の偏向装置22によって一定角度内の範囲で偏向させ、レンズ23を介して基板W表面に形成される光スポットpを走査する。
【0019】
光スポットpで反射された光は、収束レンズ24,集光レンズ25を介して、受光素子26上で光スポットの像Kとなり、光電変換される。光スポットpが基板Wに印刷されている半田H上に走査されると、受光素子26上の光スポットの像kがY方向(偏差方向)に移動して、偏差を生じる。受光素子26の偏差方向の端縁には、一対の出力端子27,27が形成されており、この一対の出力端子27,27からは、光スポットの像kから偏差方向の端縁までの距離に反比例する一対の電流信号a,bが出力される。
【0020】
この一対の電流信号a,bは、信号処理部28に入力され、電流値に関係ない変位量となる。この変位量が距離情報Dである。一方、光スポットの像kの光量は、光電変換により電流量として検出される。これにより、演算処理部28からの出力信号は、光スポットの像k1点につき16bitの信号であり、そのうちの12bitが変位データ、4bitが電流量(輝度情報B)として出力される。したがって、変位測定装置2では、距離情報Dと輝度情報Bを同時に算出できる。
【0021】
変位測定装置2で得られた距離情報Dは、図1(b)に示すように、基板W及び基板W上に形成されている半田H,レジストR,配線パタンPの輪郭となる。一方、輝度情報Bについては、半田H及びレジストギャップRGとなる露出した基板W表面(第1領域F1 )からの反射光量が少なく、レジストR及び配線パタンP(第2領域F2 )からの反射光量が多くなっている。
【0022】
次に、制御手段3について説明する。制御手段3は、CPU等の演算処理部と、ROM,RAM等の記憶部と、ROM内に記憶された所定の実行プログラムからなる。なお、図2では、制御手段3内部のブロック構成を機能的の表現したものであり、例えばROM内に記憶された実行プログラムにより、制御手段3内の各手段31〜36に相当する機能がソフトウェア処理により実行される。また、記憶部には、基板W全体に対応する座標が記憶されており、更に、半田Hの印刷位置の中心座標が予め特定されて格納されている。
【0023】
2値化処理手段31は、変位測定装置2から出力された輝度情報Bのみを受ける。半田H及びレジストギャップRGとなる露出した基板W表面は反射光量が少ない。一方、レジストR及び配線パタンPは、半田H及びレジストギャップRGに対して反射光量が多い。したがって、図1(c)に示すように、所定の輝度閾値Bt により、輝度情報Bを「0」の値と「1」の値の2値化輝度情報B’にする。これにより、半田H及びレジストギャップRGとなる露出した基板W表面の2値化輝度情報B’が「0」の値となり、レジストR及び配線パタンPの2値化輝度情報B’が「1」の値となる。
【0024】
反転手段32は、図1(c)に示す2値化輝度情報B’の「1」の値を「0」の値に、「0」の値を「1」の値に反転させる。すなわち、図1(d)に示すように、半田H及びレジストギャップRGとなる露出した基板W表面の2値化輝度情報B’が「0」の値から「1」の値となり、レジストR及び配線パタンPの2値化輝度情報B’が「1」の値から「0」の値となる。
【0025】
抽出手段33は、変位測定装置2から得られた距離情報Dと、2値化処理手段31から得られた2値化輝度情報B’と、に基づいて、2値化輝度情報B’の「1」の値と同一箇所の距離情報Dを抽出する。すなわち、図1(e)に示すように、図1(b)に示す距離情報Dと図1(c)に示す2値化輝度情報B’を乗算する。これにより、距離情報Dのうち、半田H及びレジストギャップRGの部分がキャンセルされ、「1」の値の2値化輝度情報B’と同一箇所であるレジスト面及び配線パタンPの部分が抽出される。すなわち、図1(e)に示す距離情報D2 が抽出される。
【0026】
平均化手段34は、図1(e)に示す抽出されたレジストR及び配線パタンP(第2領域F2 )の距離情報Dを平均化して、平均化距離情報Dav(レジストRの平均高さ)を算出する。平均化の手法としては、図4(a)に示すように、距離(変位)iと画素数(面積)のヒストグラムを作成し、重心位置を算出する。ヒストグラムの距離軸は、例えば256階調/4μmオーダーで表される。
【0027】
ここで、重心の算出方法を説明する。抽出された距離情報Dの距離をi、そのときの画素数をhist〔i〕とすると、各距離iごとの重み付けの総和Uは、以下の式で表される。
【0028】
【数1】
Figure 0004343449
【0029】
また、各距離iごとの画素の総数Tは、以下の式で表される。
【0030】
【数2】
Figure 0004343449
【0031】
したがって、重心位置となるレジストRの平均高さDav(平均化距離情報)は、Dav=U/Tで算出される。
【0032】
なお、平均化する手法としては、このようにヒストグラムから重心を算出して平均化する場合の他、算術平均を用いて平均化してもよい。
【0033】
ラベリング手段35は、図1(f)に示すように、図1(b)に示す距離情報Dと、図1(d)に示す反転2値化輝度情報B”と、を乗算する。これにより、距離情報Dのうち、レジストR及び配線パタンPの部分D2 (第2領域F2 に相当)がキャンセルされる。また、距離情報Dのうち、「1」の値の反転された2値化輝度情報B”と同一箇所である半田H及びレジストギャップRGの部分D1 (第1領域F1 に相当)が抽出される。
【0034】
また、ラベリング手段35は、抽出手段33で抽出された半田H及びレジストギャップRGとなる部分D1 (第1領域F1 )から、レジストギャップRGを取り除いて、半田Hの距離情報D1'のみを抽出する。ラベリング処理では、距離閾値Dt を用いてレジストギャップRGを消去する。距離閾値Dt は、レジストRの平均高さDavに基づいて検査領域Fごとに決定される。距離閾値Dt は、レジストRの平均高さDavをそのまま用いてもよく、レジストRの平均高さDavに所定量の補正値を加算した値を用いてもよい。半田HとレジストギャップRGは、輝度情報Bとしてはともに反射光量が少ないので区別がつかないが、距離情報DではレジストギャップRGが非常に低い。したがって、距離閾値Dt を用いてレジストギャップRGを消去する(図1(g)参照)。
【0035】
データ算出手段36は、面積算出手段36aと、体積算出手段36bとで構成されている。面積算出手段36aは、レジストRの平均高さDavにおける、ラベリング処理された半田H(図1(f)参照)の断面積Sを算出する。ラベリング処理された半田Hの断面積Sの算出方法は、まず、図4(b)に示す半田Hのヒストグラムから、レジストRの平均高さDav(重心)におけるhist'[Dav] の値を検出する。このときのhist'[Dav] から、変位iの最高値(ここでは256階調であるので、256)におけるhist'[256]までの和となる画素数が、ラベリング処理された半田Hの断面積Sとなる。
【0036】
【数3】
Figure 0004343449
【0037】
そして、体積算出手段36bは、レジストRの平均高さDavを境界とし、すなわち、Dav以上の変位iからDavを減算して半田Hの高さとする。そして、断面積Sと乗算して、半田Hの体積Vを算出する。
【0038】
【数4】
Figure 0004343449
【0039】
出力手段4は、例えば、プリンタ,液晶ディスプレイ等、ユーザが視認可能な形態で表示されるもので構成される。出力手段4は、制御手段3を構成する各手段において演算処理等された出力情報、例えば、データ算出手段36において算出された面積値S及び体積値V等を表示する。
【0040】
次に本実施の形態の作用について図5のフローチャートを用いて説明する。本作用は、ROMなどに格納されている実行プログラムにしたがって実行される。まず、レジストRの平均高さDavの算出方法について説明する。
【0041】
図1(a)に示す基板Wの上方に変位測定装置を到来させる。そして、変位測定装置でX方向に光を走査しつつY方向に移動させ、基板WのZ方向の変位となる距離情報D(図1(b)参照)と輝度情報B(図1(c)参照)を読み取る(ST1)。これらの情報は、予め設定された基板Wの座標ごとに制御手段3内の記憶部に格納される。そして、半田Hの座標位置に基づいて、図6に示す任意の半田Hを囲む矩形領域(検査領域F)を指定し、記憶部からその検査領域F内の距離情報Dと輝度情報Bを読み出す(ST2)。
【0042】
次に、所定の輝度閾値Bt により、輝度情報Bを「0」の値と「1」の値の2値化輝度情報B’にする。すなわち、図1(c)に示すように、半田H及びレジストギャップRGとなる露出した基板W表面(第1領域F1 )の輝度情報Bを「0」の値にし、レジスト面及び配線パタンP(第2領域F2 )の輝度情報Bを「1」の値にする(ST3)。
【0043】
次に、変位測定装置2から得られた距離情報Dと、2値化処理手段31から得られた2値化輝度情報B’と、乗算する。これにより、図1(e)に示すように、2値化輝度情報B’の「1」の値と同一箇所の距離情報Dが抽出される。すなわち、半田H及びレジストギャップRGの部分(第1領域F1 )はキャンセルされ、図1(e)及び図6に示すように、「1」の値の2値化輝度情報B’と同一箇所であるレジストR及び配線パタンPの部分(第2領域F2 )が抽出される(ST4)。
【0044】
次に、平均化手段34により、抽出された距離情報D、即ちレジストR及び配線パタンPの変位量(図1(e)の実線部分)を平均化して、平均化距離情報Davを算出する。この平均化距離情報Davは、レジストRの平均高さとなる(ST5)。
【0045】
次に、レジストRの平均高さDavで切断される切断面の断面積算出方法について説明する。
【0046】
図1(c)に示すように輝度情報Bを2値化(ST3)した後、図1(d)に示すように、2値化輝度情報B’の「1」の値を「0」の値に、「0」の値を「1」の値に反転させ、反転2値化輝度情報B”を得る。すなわち、半田H及びレジストギャップRGとなる露出した基板W表面の輝度情報B’が「0」の値から「1」の値となり、レジストR及び配線パタンPの輝度情報B’が「1」の値から「0」の値となる(ST6)。
【0047】
次に、図1(b)に示す距離情報Dと図1(d)に示す反転2値化輝度情報B”を乗算する。図1(f)に示すように、この距離情報Dのうち、レジストR及び配線パタンPの部分がキャンセルされ、「1」の値の反転された2値化輝度情報B”と同一箇所である半田H及びレジストギャップRGの距離情報D1 (第1領域F1 )が抽出される(ST7)。
【0048】
そして、ラベリング処理により、図1(g)に示すように、距離閾値Dt により、距離情報D1 のレジストギャップRG部分が消去され、半田Hの距離情報D1'のみが抽出される(ST8)。そして、図1(g)に示すように、最終的に抽出された半田Hの距離情報D1'と、レジストRの平均高さDavと、を比較する。このレジストRの平均高さDav以上となる半田Hの距離情報D1'を持つ画素数を算出する。すなわち、この画素数が、(3)式に示すレジストRの平均高さDav(切断面)における半田Hの断面積Sとなる。この断面積Sを記憶部に格納保持する(ST9)。
【0049】
最後に半田Hの体積を算出する。まず、半田Hの断面積Sを構成する各画素の距離情報D1'を読み出す。各画素の距離情報D1'からレジストRの平均高さDavを減算する。そして、減算された各画素の距離情報D1'に、1画素当たりの面積(単位面積)を乗算して、レジストRの平均高さDavから上部に形成されている半田Hの各画素ごとの体積を算出する。(4)式に示すように、これらの体積を合計すると、半田Hの体積Vとなる(ST10)。
【0050】
本実施の形態によれば、距離情報Dだけでなく、輝度情報Bを用いるので、第1領域F1 となる半田H及びレジストギャップRGの距離情報D1 を容易に抽出することができ、レジストRの平均高さDavを精度よく算出することができる。また、輝度情報Bを反転させることにより、容易に第1領域F1 となる半田H及びレジストギャップRGを抽出でき、半田Hの断面積Sを精度よく算出することができる。更に、これらにより半田Hの体積Vを精度よく算出することができる。
【0051】
次に第2実施の形態について説明する。第2実施の形態は、図7に示すように、第1実施の形態の印刷半田検査装置1に、補正手段37を付加した構成である。なお、第1実施の形態と同一箇所の説明は省略する。補正手段37には、基盤の反り、変位測定装置2の振動、制御手段3内で発生するノイズ等の影響を考慮して、予め補正値αが設定されている。図8に示すように、レジストRの平均高さDavを算出(ST5)した後、記憶部から補正値αを読み出して、レジストRの平均高さDavに加算する(ST5A)。加算されたレジストRの平均高さDavにより、データ算出手段36において、断面積Sαを算出する(ST9)。断面積Sαは、図9の斜線部分の面積であり、下記の(5)式で算出される。この断面積Sαを記憶部に格納保持する(ST9)。
【0052】
【数5】
Figure 0004343449
【0053】
最後に半田Hの体積Vαを算出する。まず、半田Hの断面積Sαを構成する各画素の距離情報DH を読み出す。各画素の距離情報DH から、補正されたレジストRの平均高さDav+αを減算する。そして、減算された各画素の距離情報DH に、1画素当たりの面積(単位面積)を乗算して、レジストRの平均高さDavから上部に形成されている半田Hの各画素ごとの体積を算出する。また、半田Hの断面積Sαと補正値αを乗算した体積を算出する。(6)式に示すように、これらの体積を合計すると、半田Hの体積Vαとなる(ST10A)。体積Vαは、図10の斜線部分の体積である。
【0054】
【数6】
Figure 0004343449
【0055】
【発明の効果】
距離情報と2値化輝度情報とを用いることにより、半田を含む第1領域と半田を除く第2領域とに分離し、レジストの平均高さの精度の向上を図ることができる。特に、第1領域において、距離情報を用いることにより、第1領域から半田のみを正確に抽出することができる。
【0056】
また、距離情報と反転された2値化輝度情報とを用いることにより、レジストの平均高さにおける半田の切断面の断面積を精度よく算出することができる。
【0057】
更に、半田の距離情報とレジストの平均高さと断面積を用いることにより、半田Hの体積の精度の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】検査された基板Wの距離情報D及び輝度情報Bを示す図である。
【図2】印刷半田検査装置1の第1実施の形態を示す機能ブロック図である。
【図3】読取手段2の一例である変位測定装置の概略斜視図である。
【図4】(a)半田H及びレジストギャップRG(第1領域F1 )の距離情報Dを除いたレジスト面及び配線パタンP(第2領域F2 )のヒストグラムである。
(b)半田Hのみのヒストグラムである。
【図5】第1実施の形態のフローチャートである。
【図6】検査領域Fとレジスト面及び配線パタンP(第2領域F2 )を示す基板Wの上面図である。
【図7】印刷半田検査装置1の第2実施の形態を示す機能ブロック図である。
【図8】第2実施の形態のフローチャートである。
【図9】第2実施の形態における半田Hのみのヒストグラムである。
【図10】第2実施の形態における半田の側断面図である。
【図11】従来における検査された基板W及びその距離情報を示す図である。
【図12】従来における検査された基板Wのヒストグラムである。
【符号の説明】
1…印刷半田検査装置,2…読取手段,31…2値化処理手段,32…反転手段,33…抽出手段,34…平均化手段,35…ラベリング手段,36a…断面積算出手段,36b…体積算出手段,B…輝度情報,B’…2値化輝度情報,B”…反転2値化輝度情報,Bt …輝度閾値,D…距離情報,Dav…平均化距離情報,Dt …距離閾値,D1 …第1領域F1 部分の距離情報,D2 …抽出距離情報,D1'…半田の距離情報,F1 …第1領域,F2 …第2領域,H…半田
S,Sα…半田の断面積, V,Vα…半田の体積,W…基板

Claims (6)

  1. 表面に塗布されたレジスト(R)を含む反射光量が多い第2領域(F 2 )と、該レジストが塗布されていない位置に印刷された半田(H)を含む反射光量が少ない第1領域(F 1 )とを含む検査領域(F)を有する基板(W)を読み取る読取手段(2)と制御手段(3)で検査する印刷半田検査装置において、
    前記読取手段は、前記基板表面から距離情報(D)と輝度情報(B)を読み取る変位測定装置(2)であり、
    前記制御手段は、
    所定の輝度閾値(Bt に対し前記半田を含む光量の少ない前記第1領域を0の値とし、前記所定の輝度閾値に対し光量の多い第2領域を1の値とするように前記輝度情報を1,0の値で2値化する2値化処理手段(31)と、
    前記距離情報と、前記2値化処理手段から得られた2値化輝度情報(B’)と、に基づいて、前記第1領域の部分をキャンセルして前記第2領域の部分を抽出するために、前記距離情報のうち該2値化輝度情報の前記1の値と同一箇所となる前記第2領域に相当する抽出距離情報(D2 )を抽出する抽出手段(33)と、
    前記第2領域に相当する前記抽出距離情報を平均化して平均化距離情報(Dav)を算出する平均化手段(34)と、
    前記2値化輝度情報を反転して反転2値化輝度情報(B”)とする反転手段(31)と、
    前記反転2値化輝度情報と前記距離情報とに基づき、前記第1領域部分の距離情報(D 1 )を抽出し、前記平均化距離情報に基づき前記検査領域ごとに決定される距離閾値(D t )で、前記第1領域部分の距離情報のうち前記半田と前記半田以外の部分とを判別し、前記半田の距離情報(D 1 ')のみを抽出するラベリング手段(35)と、
    を具備し、
    前記ラベリング手段から得られた前記半田の距離情報と、前記平均化距離情報とにより前記半田を検査することを特徴とする印刷半田検査装置。
  2. 前記ラベリング手段から得られた前記半田の距離情報と、前記平均化距離情報と、に基づき、前記平均化距離情報における前記半田の断面積(S)を算出する断面積算出手段(36a)と、
    前記平均化距離情報と前記半田の断面積とにより、前記平均化距離情報に対し上部の体積(V)を算出する体積算出手段(36b)と、
    を具備することを特徴とする請求項1記載の印刷半田検査装置。
  3. 前記平均化距離情報に、前記基板の反り、前記変位測定装置の振動及び前記制御手段内で発生するノイズによる各影響を含む影響群を考慮して予め設定された補正値αを加算する補正手段(37)を具備し、
    前記第2領域の前記平均化距離情報に前記補正値αを加算して得られた値を前記距離閾値(D t )として、前記半田の距離情報を抽出して、前記半田を検査することを特徴とする請求項1又は2に記載の印刷半田検査装置。
  4. 表面に塗布されたレジスト(R)を含む反射光量が多い第2領域(F 2 )と、該レジストが塗布されていない位置に印刷された半田(H)を含む反射光量が少ない第1領域(F 1 )とを含む検査領域(F)を有する基板(W)の前記半田(H)を読取手段(2)と制御手段(3)で検査する印刷半田検査方法において、
    前記読取手段により前記基板表面から距離情報(D)と輝度情報(B)を読み取り、
    所定の輝度閾値(Bt に対し前記半田を含む光量の少ない前記第1領域を0の値とし、前記所定の輝度閾値に対し光量の多い第2領域を1の値とするように前記輝度情報を1,0の値で2値化し、
    前記距離情報(D)と、2値化された2値化輝度情報(B’)と、に基づいて、前記第1領域の部分をキャンセルして前記第2領域の部分を抽出するために、前記距離情報のうち該2値化輝度情報の前記1の値と同一箇所である前記第2領域に相当する距離情報(D2 )を抽出し、
    前記第2領域に相当する前記抽出距離情報を平均化して平均化距離情報(D av )を算出し、
    前記2値化輝度情報を反転して反転2値化輝度情報(B”)とし、
    前記反転2値化輝度情報と前記距離情報とに基づき、前記第1領域部分の距離情報(D 1 )を抽出し、前記平均化距離情報に基づき前記検査領域ごとに決定される距離閾値(D t )で、前記第1領域部分の距離情報のうち前記半田と前記半田以外の部分とを判別し、前記半田の距離情報(D 1 ')のみを抽出し、
    前記半田の距離情報と、前記平均化距離情報とにより前記半田を検査することを特徴とする印刷半田検査方法。
  5. 抽出された前記半田の距離情報と、前記平均化距離情報と、に基づき、前記平均化距離情報における前記半田の断面積(S)を算出し、
    前記平均化距離情報と前記半田の断面積(S)とにより、前記平均化距離情報に対し上部の体積(V)を算出することを特徴とする請求項4記載の印刷半田検査方法。
  6. 前記平均化距離情報に、前記基板の反り、前記変位測定装置の振動及び前記制御手段内で発生するノイズによる各影響を含む影響群を考慮して予め設定された補正値αを加算し、前記第2領域の前記平均化距離情報に前記補正値αを加算して得た値を前記距離閾値(D t )として、前記半田の距離情報を抽出して、前記半田を検査することを特徴とする請求項4又は5に記載の印刷半田検査方法。
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