JP4340542B2 - ガラスセラミックスの製造方法及び品質管理方法 - Google Patents
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Description
本発明は、弾性率、熱膨張係数等の所望物性値を有するガラスセラミックスの製造方法及び品質管理方法に関する。
【背景技術】
情報記憶媒体用基板材、光通信用基板材をはじめとして、ガラスセラミックスが使用されている分野は多く、これらの分野の材料では、熱膨張係数、ヤング率等の物性値を正確に管理する必要がある。
一般にガラスセラミックスの所望物性は結晶化度・結晶化温度に依存する。ガラスセラミックスの結晶化度は、熱膨張係数、弾性率等との間に相関関係が見られる。
そこで、これらの物性値を管理する手段として、ガラスセラミックス製造ラインからサンプリングして直接これらの物性値を測定し、結晶化温度にフィードバックする方法が採用されている。しかし、熱膨張係数を非破壊で測定することは困難であり、製造条件にフィードバックするまでに相当な時間を要する。
本発明は、熱膨張係数等の非破壊検査のできない所望物性を間接的に評価することによる迅速かつ簡易なガラスセラミックスの品質管理方法、及び高品質なガラスセラミックスを低コストで製造する方法を提供することを目的とする。
【発明の開示】
すなわち、本発明の第1の側面によれば、本発明のガラスセラミックスの製造方法は、所望物性値及び当該所望物性と関連し、非破壊測定が可能な物性パラメータを有するガラスセラミックスの製造方法であって、
予め当該ガラスセラミックスと同一組成のガラスセラミックスについて結晶化温度と当該物性との関係及び物性パラメータと当該物性との関係を求め、
当該ガラスセラミックス製造ラインからサンプリングしたガラスセラミックスについて当該物性パラメータを測定し、
これらの関係に基づいて当該所望物性値に対応する実際の結晶化温度を決定し、
原ガラスを当該決定された所定の温度にて熱処理することにより所定の結晶相を成長させる工程を含む。
また、本発明の第2の側面によれば、本発明のガラスセラミックスの品質管理方法は、所望物性値及び当該所望物性と関連し、非破壊測定が可能な物性パラメータを有するガラスセラミックスの品質管理方法であって、
予め当該ガラスセラミックスと同一組成のガラスセラミックスについて結晶化温度と当該物性との関係及び物性パラメータと当該物性との関係を求め、
当該ガラスセラミックス製造ラインからサンプリングしたガラスセラミックスについて当該物性パラメータを測定し、
これらの関係に基づいて、製造されるガラスセラミックスが当該所望物性値に対応するよう、実際の結晶化温度を制御することを特徴とする。
本発明のガラスセラミックスの製造方法及び品質管理方法において、好ましくは、当該物性は熱膨張係数であり、また、当該物性パラメータは密度である。当該物性が熱膨張係数であり当該物性パラメータが密度である場合、予め求められた密度と熱膨張係数との関係において、所望の熱膨張係数における密度に対する熱膨張係数の傾きの絶対値は、4.0×10-4cm3・g-1・K-1以下であることが好ましい。
そして、当該所定の結晶相にはα−クォーツを含むことが好ましく、具体的には、当該所定の結晶相はα−クォーツ及び二珪酸リチウムであることが好ましい。
また、当該物性パラメータはXRDピーク面積強度であってもよく、この場合も、当該所定の結晶相にはα−クォーツを含み、当該所定の結晶相はα−クォーツ及び二珪酸リチウムであることが好ましい。また、この場合の当該XRDピーク面積強度は、2θ=26°のα−クォーツのXRDピーク面積強度であることが好ましい。
さらに、当該物性パラメータは超音波縦波速度であってもよく、当該物性が熱膨張係数であり当該物性パラメータが超音波の縦波速度である場合、予め求められた縦波速度と熱膨張係数との関係において、所望の熱膨張係数における縦波速度に対する熱膨張係数の傾きの絶対値は、8×10-5μs・mm-1・K-1以下であることが好ましい。
本発明のガラスセラミックスの製造方法及び品質管理方法において、所望物性とは非破壊測定が困難なガラスセラミックスの物性であって、熱膨張係数等をいう。
本発明のガラスセラミックスの製造方法及び品質管理方法において、物性パラメータとは非破壊測定が可能なガラスセラミックスの物性であって、密度、XRDピーク面積強度、超音波縦波速度等をいう。
本発明のガラスセラミックスの製造方法及び品質管理方法においては、予め当該ガラスセラミックスと同一組成のガラスセラミックスについて結晶化温度と当該物性との関係及び物性パラメータと当該物性との関係を求め、当該物性パラメータをモニターすることにより、迅速かつ高品質なガラスセラミックスの製造方法及び品質管理方法が可能となる。
本発明のガラスセラミックスの製造方法及び品質管理方法において、予め当該ガラスセラミックスと同一組成のガラスセラミックスについて結晶化温度と当該物性との関係及び物性パラメータと当該物性との関係を求めると共に、結晶化温度と当該物性パラメータとの関係を求めることも好ましい。
本発明のガラスセラミックスの製造方法及び品質管理方法において、ガラスセラミックスの密度が結晶化度・結晶化温度に依存するとき、すなわち、結晶相の密度がガラスマトリックスの密度と大きく異なる場合には、物性パラメータは密度とすることが好ましい。具体的には、所望物性が熱膨張係数であり、所望の熱膨張係数における密度に対する熱膨張係数の傾きの絶対値が4.0×10-4cm3・g-1・K-1以下であるときには、物性パラメータは密度であることが好ましい。ガラスセラミックスの密度は簡易かつ迅速に測定することができ、物性パラメータを密度とすることにより熱膨張係数の精密な品質管理が可能となる。
一方、結晶相の密度がガラスマトリックスの密度と近似している場合には、ガラスセラミックスの密度測定から熱膨張係数の値を推定できない。所望の熱膨張係数における密度に対する熱膨張係数の傾きの絶対値が、4.0×10-4cm3・g-1・K-1より大きいときには、物性パラメータはXRDピーク面積強度又は超音波縦波速度とすることが好ましい。
本発明のガラスセラミックスの製造方法及び品質管理方法において、物性パラメータとしてXRDピーク面積強度を用いることができる。たとえば、ガラスセラミックスの主結晶相がα−クォーツである場合、X線回折法により、2θ=26°付近の特定のXRDピーク面積強度をモニターすることにより、ガラスセラミックスの品質を管理することができる。
本発明のガラスセラミックスの製造方法及び品質管理方法において、物性パラメータとして超音波縦波速度を用いることができる。ガラスセラミックス中の超音波縦波速度は、結晶析出量に大きく依存し、結晶化度、熱膨張係数等との間に強い相関関係がある。超音波縦波速度は非破壊測定が可能であり、簡便な品質検査に適している。したがって、ガラスセラミックス中を伝播する超音波の縦波速度を測定することにより、ガラスセラミックスの熱膨張係数等の所望物性を推定し、簡便なガラスセラミックスの品質管理を可能とする。
超音波縦波速度の簡便な測定方法としては、PZTにより発信される超音波を用いて直接試料に当てる方法、液体に被検体を浸積させその中で計測する水浸法などがある。
【発明を実施するための最良の形態】
本実施例において、ガラスセラミックスの熱膨張係数は、25℃〜100℃における平均線膨張係数を「ファインセラミックスの熱機械分析による熱膨張の測定方法(JIS R 1618)」に従って測定した。ガラスセラミックスの密度は、「固体比重測定方法(JISZ8807)」に従って測定した。X線回折は、フィリップス社製全自動粉末X線回折装置(XRD)を使用した。ガラスセラミックスの超音波縦波速度は日本パネメトリクス社製Model-25を用いて測定した。
(実施例1)
所望物性が熱膨張係数90×10-7K-1のガラスセラミックスの製造方法、及び密度を物性パラメータとする品質管理方法を説明する。
酸化物換算の質量%で、
SiO2 75.3%
Li2O 9.9%
K2O 2.0%
MgO 0.8%
ZnO 0.5%
P2O5 2.0%
ZrO2 2.3%
Al2O3 7.0%
Sb2O3 0.2%
となる原ガラスについて、540℃、5hで熱処理して結晶核形成させ、続いて740℃〜775℃の範囲の種々の結晶化温度で3h熱処理し結晶化させてガラスセラミックス試料を得た。この試料の密度及び熱膨張係数を測定した。主結晶相はα−クォーツであり、少量の二珪酸リチウムがあった。
図1〜図3にこの結果を示す。密度と熱膨張係数とは一次線形の関係にあり、結晶化温度と密度も所望物性付近では一次線形の関係にあるとみなせる。図1のグラフで、熱膨張係数の密度に対する傾きは1.9×10-4cm3・g・K-1であった。
次に、ガラスセラミックス製造ラインにおいて、概ね同じ組成の原ガラスを540℃、5hで熱処理して結晶核形成させ、続いて、755℃で3h熱処理し結晶化させて得られたガラスセラミックスの密度を測定したところ、2.4693であった。
図1のグラフから、密度2.4693に相当する熱膨張係数は85×10-7K-1と推定されるから、図3に示す結晶化温度と熱膨張係数との関係に基づいて、結晶化温度を+2℃の757℃に変更してガラスセラミックス製造を続けた。その結果、熱膨張係数は90×10-7K-1と所望物性を有するガラスセラミックスが得られた。
(実施例2)
所望物性が熱膨張係数105×10-7K-1のガラスセラミックスの製造方法、及びXRDピーク強度を物性パラメータとする品質管理方法を説明する。
酸化物換算の質量%で、
SiO2 76.1%
Li2O 10.0%
K2O 1.0%
MgO 0.8%
ZnO 0.5%
P2O5 2.0%
ZrO2 2.3%
Al2O3 7.1%
Sb2O3 0.2%
となる原ガラスについて、540℃、5hで熱処理して結晶核形成させ、続いて730℃〜745℃の範囲の種々の結晶化温度で3h熱処理し結晶化させてガラスセラミックスを得た。この試料の密度、XRDピーク面積強度及び熱膨張係数を測定した。本ガラスセラミックスの主結晶相はα−クォーツであり、少量の二珪酸リチウムがあった。XRDピーク面積強度としては、2θ=25.3°〜26.7°(α−クォーツの[101]ピーク)の面積強度を求めた。
密度と熱膨張係数の関係を図4のグラフに示す。熱膨張係数110×10-7付近における、熱膨張係数の密度に対する傾きは、2.7×10-4cm3・g・K-1であった。
XRDピーク面積強度と熱膨張係数の関係を図5のグラフに示す。熱膨張係数とXRDピーク面積強度は一次線形の関係にあり、XRDピーク面積強度と結晶化温度の関係も所望物性付近では一次線形の関係にあるとみなせる。図5のグラフで、熱膨張係数のXRDピーク面積強度に対する傾きは、7.3×10-9K-1であった。
次に、ガラスセラミックス製造ラインにおいて、概ね同じ組成の原ガラスを540℃、5hで熱処理して結晶核形成させ、続いて、733℃で3h熱処理し結晶化させて得られたガラスセラミックスのXRD面積強度を測定したところ、1000であった。
図5のグラフから、XRD面積強度1000に相当する熱膨張係数は109×10-7K-1と推定されるから、図7に示す結晶化温度と熱膨張係数との関係に基づき、結晶化温度を−2℃変更して731℃にしてガラスセラミックスの製造を続けた。その結果、熱膨張係数は105×10-7K-1と所望物性を有するガラスセラミックスが得られた。
(実施例3)
所望物性が熱膨張係数100×10-7K-1のガラスセラミックスの製造方法、及び超音波縦波速度を物性パラメータとする品質管理方法を説明する。
酸化物換算の質量%で、
SiO2 67.4%
Li2O 6.2%
K2O 2.0%
MgO 2.0%
ZnO 6.0%
SrO 1.7%
BaO 2.5%
P2O5 2.0%
ZrO2 2.4%
Al2O3 7.4%
Sb2O3 0.4%
となる原ガラスについて、540℃、5hで熱処理して結晶核形成させ、続いて680℃〜700℃の範囲の種々の結晶化温度で3h熱処理し結晶化させてガラスセラミックスを得た。この試料の密度、超音波縦波速度及び熱膨張係数を測定した。主結晶相はα−クリストバライト及びα−クリストバライト固溶体であった。結果を図8〜図11のグラフに示す。
図8において、熱膨張係数90×10-7K-1付近における、熱膨張係数の密度に対する傾きはおよそ24×10-4cm3・g・K-1である。本ガラスセラミックス組成の場合、ガラスマトリックスと析出結晶の密度が同程度の為、析出結晶の増加によって熱膨張係数が変化しても、密度はほとんど変化しない。したがって、このガラスセラミックス組成では、熱膨張係数の変動に比較して密度の変動が小さいため、密度のみによっては正確に熱膨張係数を管理することができない。
図9に超音波縦波速度と熱膨張係数との関係を示した。熱膨張係数90×10-7K-1付近における、熱膨張係数の超音波縦波速度に対する傾きの絶対値は2.5×10-5μs・mm-1・K-1である。
次に、ガラスセラミックス製造ラインにおいて、概ね同じ組成の原ガラスを540℃、5hで熱処理して結晶核形成させ、続いて、690℃で3h熱処理し結晶化させて得られたガラスセラミックスの超音波縦波速度を測定したところ5.752mm/μsecであった。
図9のグラフで、超音波縦波速度5.752mm/μsecに相当する熱膨張係数は103×10-7K-1であることから、図11に示す結晶化温度と熱膨張係数との関係に基づき、結晶化温度を−2℃変更して688℃としてガラスセラミックスの製造を続けた。その結果、熱膨張係数は100×10-7K-1と所望物性を有するガラスセラミックスが得られた。
【産業上の利用可能性】
本発明は、非破壊で測定が容易な密度、XRDピーク強度、超音波縦波速度等の物性パラメータと、熱膨張係数等の析出結晶量に大きく依存するガラスセラミックスの所望物性との間の相関データを予め取得し、ガラスセラミックス製造ラインにおいてサンプリングしたガラスセラミックスの物性パラメータの測定値から所望物性を推定することにより、低コストで迅速なガラスセラミックスの品質管理を可能とする。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のガラスセラミックスの製造方法及び品質管理方法において求められた、密度と熱膨張係数との関係を示すグラフである。
【図2】本発明のガラスセラミックスの製造方法及び品質管理方法において求められた、結晶化温度と密度との関係を示すグラフである。
【図3】本発明のガラスセラミックスの製造方法及び品質管理方法において求められた、結晶化温度と熱膨張係数との関係を示すグラフである。
【図4】ガラスセラミックスの、密度と熱膨張係数との関係を示すグラフである。
【図5】本発明のガラスセラミックスの製造方法及び品質管理方法において求められた、XRDピーク面積強度と熱膨張係数との関係を示すグラフである。
【図6】本発明のガラスセラミックスの製造方法及び品質管理方法において求められた、結晶化温度とXRDピーク面積強度との関係を示すグラフである。
【図7】本発明のガラスセラミックスの製造方法及び品質管理方法において求められた、結晶化温度と熱膨張係数との関係を示すグラフである。
【図8】ガラスセラミックスの、密度と熱膨張係数との関係を示すグラフである。
【図9】本発明のガラスセラミックスの製造方法及び品質管理方法において求められた、密度超音波縦波速度と熱膨張係数との関係を示すグラフである。
【図10】本発明のガラスセラミックスの製造方法及び品質管理方法において求められた、結晶化温度と超音波縦波速度との関係を示すグラフである。
【図11】本発明のガラスセラミックスの製造方法及び品質管理方法において求められた、結晶化温度と熱膨張係数との関係を示すグラフである。
Claims (24)
- 所望物性値及び当該所望物性と関連し、非破壊測定が可能な物性パラメータを有するガラスセラミックスの製造方法であって、
予め当該ガラスセラミックスと同一組成のガラスセラミックスについて結晶化温度と当該物性との関係及び物性パラメータと当該物性との関係を求め、
当該ガラスセラミックス製造ラインからサンプリングしたガラスセラミックスについて当該物性パラメータを測定し、
これらの関係に基づいて当該所望物性値に対応する実際の結晶化温度を決定し、
原ガラスを当該決定された所定の温度にて熱処理することにより所定の結晶相を成長させる工程を含む、ガラスセラミックスの製造方法。 - 当該物性は熱膨張係数である、請求項1に記載のガラスセラミックスの製造方法。
- 当該物性パラメータは密度である、請求項1又は2に記載のガラスセラミックスの製造方法。
- 当該物性は熱膨張係数であり当該物性パラメータは密度であって、予め求められた密度と熱膨張係数との関係において、所望の熱膨張係数における密度に対する熱膨張係数の傾きの絶対値は、4.0×10-4cm3・g-1・K-1以下である、請求項3に記載のガラスセラミックスの製造方法。
- 当該所定の結晶相にはα−クォーツを含む、請求項1〜4のうちいずれか一項記載のガラスセラミックスの製造方法。
- 当該所定の結晶相はα−クォーツ及び二珪酸リチウムである、請求項5に記載のガラスセラミックスの製造方法。
- 当該物性パラメータはXRDピーク面積強度である、請求項1又は2に記載のガラスセラミックスの製造方法。
- 当該所定の結晶相にはα−クォーツを含む、請求項7に記載のガラスセラミックスの製造方法。
- 当該所定の結晶相はα−クォーツ及び二珪酸リチウムである、請求項8に記載のガラスセラミックスの製造方法。
- 当該XRDピーク面積強度は、2θ=26°のα−クォーツのXRDピーク面積強度である請求項8又は9に記載のガラスセラミックスの製造方法。
- 当該物性パラメータは超音波縦波速度である、請求項1又は2に記載のガラスセラミックスの製造方法。
- 当該物性は熱膨張係数であり当該物性パラメータは超音波の縦波速度であって、予め求められた縦波速度と熱膨張係数との関係において、所望の熱膨張係数における縦波速度に対する熱膨張係数の傾きの絶対値は、8×10-5μs・mm-1・K-1以下である、請求項11に記載のガラスセラミックスの製造方法。
- 所望物性値及び当該所望物性と関連し、非破壊測定が可能な物性パラメータを有するガラスセラミックスの品質管理方法であって、
予め当該ガラスセラミックスと同一組成のガラスセラミックスについて結晶化温度と当該物性との関係及び物性パラメータと当該物性との関係を求め、
当該ガラスセラミックス製造ラインからサンプリングしたガラスセラミックスについて当該物性パラメータを測定し、
これらの関係に基づいて、製造されるガラスセラミックスが当該所望物性値に対応するよう、実際の結晶化温度を制御することを特徴とするガラスセラミックスの品質管理方法。 - 当該物性は熱膨張係数である、請求項13に記載のガラスセラミックスの品質管理方法。
- 当該物性パラメータは密度である、請求項13又は14に記載のガラスセラミックスの品質管理方法。
- 当該物性は熱膨張係数であり当該物性パラメータは密度であって、予め求められた密度と熱膨張係数との関係において、所望の熱膨張係数における密度に対する熱膨張係数の傾きの絶対値は、4.0×10-4cm・g-1・K-1以下である、請求項15に記載のガラスセラミックスの品質管理方法。
- 当該所定の結晶相にはα−クォーツを含む、請求項13〜16のうちいずれか一項記載のガラスセラミックスの品質管理方法。
- 当該所定の結晶相はα−クォーツ及び二珪酸リチウムである、請求項17に記載のガラスセラミックスの品質管理方法。
- 当該物性パラメータはXRDピーク面積強度である、請求項13又は14に記載のガラスセラミックスの品質管理方法。
- 当該所定の結晶相にはα−クォーツを含む、請求項19に記載のガラスセラミックスの品質管理方法。
- 当該所定の結晶相はα−クォーツ及び二珪酸リチウムである、請求項20に記載のガラスセラミックスの品質管理方法。
- 当該XRDピーク面積強度は、2θ=26°のα−クォーツのXRDピーク面積強度である請求項20又は21に記載のガラスセラミックスの品質管理方法。
- 当該物性パラメータは超音波縦波速度である、請求項13又は14に記載のガラスセラミックスの品質管理方法。
- 当該物性は熱膨張係数であり当該物性パラメータは超音波の縦波速度であって、予め求められた縦波速度と熱膨張係数との関係において、所望の熱膨張係数における縦波速度に対する熱膨張係数の傾きの絶対値は、8×10-5μs・mm-1・K-1以下である、請求項23に記載のガラスセラミックスの品質管理方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002051790 | 2002-02-27 | ||
JP2002051790 | 2002-02-27 | ||
PCT/JP2003/001861 WO2003072520A1 (fr) | 2002-02-27 | 2003-02-20 | Procede de production de vitroceramique et methode de controle de la qualite de celle-ci |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2003072520A1 JPWO2003072520A1 (ja) | 2005-06-16 |
JP4340542B2 true JP4340542B2 (ja) | 2009-10-07 |
Family
ID=27764321
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003571229A Expired - Fee Related JP4340542B2 (ja) | 2002-02-27 | 2003-02-20 | ガラスセラミックスの製造方法及び品質管理方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050155386A1 (ja) |
EP (1) | EP1486467A1 (ja) |
JP (1) | JP4340542B2 (ja) |
CN (1) | CN1293010C (ja) |
AU (1) | AU2003211580A1 (ja) |
HK (1) | HK1078844A1 (ja) |
TW (1) | TWI270539B (ja) |
WO (1) | WO2003072520A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4825972B2 (ja) * | 2005-09-12 | 2011-11-30 | 国立大学法人東北大学 | 脈理を有する材料の漏洩弾性表面波速度と化学組成比および線膨張係数との関係を求める方法、およびその関係を使ったTiO2−SiO2ガラスのTiO2濃度測定方法および線膨張係数測定方法 |
CN102175684B (zh) * | 2011-01-07 | 2012-10-10 | 华东师范大学 | 氧化铝瓷玻璃相成分的测定方法 |
WO2015140007A1 (en) * | 2014-03-20 | 2015-09-24 | Alstom Technology Ltd | An insulation material and a method to produce |
JP7004234B2 (ja) * | 2017-05-30 | 2022-01-21 | 日本電気硝子株式会社 | 支持結晶化ガラス基板の製造方法 |
CN113692395B (zh) | 2019-01-28 | 2023-10-31 | 康宁股份有限公司 | 玻璃陶瓷制品、组合物及其制造方法 |
CN112279507B (zh) * | 2020-10-23 | 2021-09-17 | 南京玻璃纤维研究设计院有限公司 | 温度控制方法、装置、电子设备及系统 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE638175A (ja) * | 1962-10-03 | |||
JP3093975B2 (ja) * | 1996-07-02 | 2000-10-03 | 株式会社平間理化研究所 | レジスト剥離液管理装置 |
US6506699B1 (en) * | 1998-10-23 | 2003-01-14 | Kabushiki Kaisha Ohara | Negative thermal expansion glass ceramic and method for producing the same |
JP2001097739A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-10 | Ngk Insulators Ltd | 結晶化ガラスの製造方法 |
JP2001184624A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-07-06 | Ohara Inc | 情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板 |
-
2003
- 2003-02-20 JP JP2003571229A patent/JP4340542B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-02-20 AU AU2003211580A patent/AU2003211580A1/en not_active Abandoned
- 2003-02-20 US US10/505,762 patent/US20050155386A1/en not_active Abandoned
- 2003-02-20 EP EP20030705352 patent/EP1486467A1/en not_active Withdrawn
- 2003-02-20 WO PCT/JP2003/001861 patent/WO2003072520A1/ja active Application Filing
- 2003-02-20 CN CNB03804787XA patent/CN1293010C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-02-21 TW TW092103625A patent/TWI270539B/zh not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-11-23 HK HK05110616A patent/HK1078844A1/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2003072520A1 (ja) | 2005-06-16 |
EP1486467A1 (en) | 2004-12-15 |
TW200400926A (en) | 2004-01-16 |
AU2003211580A1 (en) | 2003-09-09 |
US20050155386A1 (en) | 2005-07-21 |
CN1293010C (zh) | 2007-01-03 |
CN1639080A (zh) | 2005-07-13 |
HK1078844A1 (en) | 2006-03-24 |
TWI270539B (en) | 2007-01-11 |
WO2003072520A1 (fr) | 2003-09-04 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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