JP4339170B2 - 集積回路の入/出力インターフェース - Google Patents
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Description
を備え、前記インターフェース回路は、前記メモリー装置の3個の各信号ラインから3個の二進数レベル出力信号を受信し、前記3個の二進数レベル出力によって表現される各8個の値を2個の三進数レベル出力信号によって表現される三進数値で符号化し、前記2個の三進数レベル出力信号を2個の前記複数のピン端子にそれぞれ出力する第1変換機と、前記2個のピン端子から2個の三進数レベル入力信号をそれぞれ受信し、前記2個の三進数レベル入力信号によって表現される各三進数値を3個の二進数レベル入力信号によって表現される8個の値の一つとして復号化し、前記3個の二進数レベル入力信号によって表現される8個の値の一つを前記メモリー装置の前記3個の信号ラインにそれぞれ出力する第2変換機と、を備えることを特徴とする。
20:命令語デコーダー
30:ローデコーダー
40:コラムデコーダー
50:メモリーセルアレイ
60、600:バッファー回路
61、63:出力バッファー
62、64:入力バッファー
70、700:エンコーダー及びデコーダー
71:エンコーダー
72:デコーダー
200:I/Oインターフェース回路
210、220:変換機
Claims (30)
- M個の第1端子及びN個の第2端子(ただし、M>N>1、M及びNは正の整数)と、 前記M個の第1端子からA個のレベルを有するM個の出力信号をそれぞれ受信し、A個のレベルを有するM個の出力信号をA個のレベルを有するM+1個の符号化信号に符号化し、前記A個のレベルを有するM+1個の符号化信号に応じてK個のレベルを有するN個の出力信号を生成し、前記K個のレベルを有するN個の出力信号を、前記N個の第2端子のそれぞれに出力する第1変換機(ただし、K>A>1、A及びKは正の整数)と、
を備え、
前記N個の第1端子は、ピン端子であることを特徴とする集積回路。 - 前記集積回路は、
メモリーセルアレイをさらに備え、
前記M個の第1端子は、前記メモリーセルアレイに接続され、前記N個の第2端子は、データピン端子であることを特徴とする請求項1記載の集積回路。 - 前記集積回路は、
メモリーセルアレイ及び前記メモリーセルアレイに接続されるアドレスデコーダーをさらに備え、
前記M個の第1端子は、前記アドレスデコーダーに結合され、前記N個の第2端子は、アドレスピン端子であることを特徴とする請求項1記載の集積回路。 - 前記集積回路は、
メモリーセルアレイ及び前記メモリーセルアレイに接続される命令語デコーダーを備え、
前記M個の第1端子は、前記命令語デコーダーに結合され、前記N個の第2端子は、命令ピン端子であることを特徴とする請求項1記載の集積回路。 - 前記集積回路は、
メモリーセルアレイ及び前記メモリーセルアレイに結合される命令語デコーダー及びアドレスバッファーを備え、
前記M個の第1端子は、前記メモリーセルアレイ、前記命令語デコーダー及び前記アドレスバッファーの少なくとも一つに結合され、前記N個の第2端子はデータピン端子、命令ピン端子及びアドレスピン端子の少なくとも一つであることを特徴とする請求項1記載の集積回路。 - 前記Aは、2であることを特徴とする請求項1記載の集積回路。
- 前記Mは3、前記Nは2、前記Kは3であることを特徴とする請求項6記載の集積回路。
- 前記第1変換機は、
前記A個のレベルを有するM個の出力信号の各々を、前記A個のレベルを有するM+1個の符号化信号に変換する符号機と、
前記A個のレベルを有するM+1個の符号化信号を受信し、K個のレベルを有するN個の出力信号を出力する出力バッファーと、
を備えることを特徴とする請求項1記載の集積回路。 - 前記Aは2で、前記Mは3で、前記Nは2で、前記Kは3であり、
前記符号機は、
前記A個のレベルを有するM個の出力信号の第1及び第2の信号が「0」であるとき、「1」となる、A個のレベルを有するM+1個の符号化信号の第1の信号を発生する第1の論理回路と、
前記A個のレベルを有するM個の出力信号の第1及び第2の信号が「00」、「01」、「10」であり、かつ、前記A個のレベルを有するM個の出力信号の第1、第2、及び第3の信号が「101」でないとき、「1」となる、A個のレベルを有するM+1個の符号化信号の第2の信号を発生する第2の論理回路と、
前記A個のレベルを有するM個の出力信号の第1及び第2の信号が「10」であるか、あるいは、前記A個のレベルを有するM個の出力信号の第1、第2、及び第3の信号が「000」であるとき、「1」となる、前記A個のレベルを有するM+1個の符号化信号の第3の信号を発生する第3の論理回路と、
前記A個のレベルを有するM個の出力信号の第1及び第2の信号が「00」であるか、前記A個のレベルを有するM個の出力信号の第1及び第2の信号が「10」であるか、あるいは、前記A個のレベルを有するM個の出力信号の第2及び第3の信号が「10」でないとき、「1」となる、前記A個のレベルを有するM+1個の符号化信号の第4の信号を発生する第4の論理回路と、
を備え、
前記出力バッファーは、
電源と第1のノードとの間に接続され、前記A個のレベルを有するM+1個の符号化信号の第1の信号に応じてオンとなる第1のPMOSトランジスタと、前記第1のノードと接地電位との間に接続され、前記A個のレベルを有するM+1個の符号化信号の第2の信号に応じてオンとなる第1のNMOSトランジスタと、
前記電源と第2のノードとの間に接続され、前記A個のレベルを有するM+1個の符号化信号の第3の信号に応じてオンとなる第2のPMOSトランジスタと、前記第2のノードと前記接地電位との間に接続され、前記A個のレベルを有するM+1個の符号化信号の第4の信号に応じてオンとなる第2のNMOSトランジスタと、
を備える第1のバッファーを備えることを特徴とする請求項8記載の集積回路。 - 前記集積回路は、
N個の第1端子からK個のレベルを有するN個の入力信号をそれぞれ受信し、前記A個のレベルを有するM+1個の入力信号を生成するために、前記K個のレベルを有するN個の入力信号の各々に応じて、前記A個のレベルを有する2個の入力信号を生成し、前記K個のレベルを有するN個の入力信号を前記A個のレベルを有するM個の入力信号に復号し、前記A個のレベルを有するM個の入力信号を前記M個の第2端子にそれぞれ出力する第2変換機をさらに備えることを特徴とする請求項1記載の集積回路。 - 前記集積回路は、
メモリーセルアレイをさらに備え、
前記M個の第2端子は、前記メモリーセルアレイに結合され、前記N個の第1端子は、データピン端子であることを特徴とする請求項10記載の集積回路。 - 前記集積回路は、
メモリーセルアレイ及び前記メモリーセルアレイに結合されるアドレスデコーダーをさらに備え、
前記M個の第2端子は、前記アドレスデコーダーに結合され、前記N個の第1端子は、アドレスピン端子であることを特徴とする請求項10記載の集積回路。 - 前記集積回路は、
メモリーセルアレイ及び前記メモリーセルアレイに結合される命令語デコーダーをさらに備え、
前記M個の第2端子は、前記命令語デコーダーに結合され、前記N個の第1端子は、命令ピン端子であることを特徴とする請求項10記載の集積回路。 - 前記Aは、2であることを特徴とする請求項10記載の集積回路。
- 前記Mは3、前記Nは2、前記Kは3であることを特徴とする請求項14記載の集積回
路。 - 前記第2変換機は、
前記K個のレベルを有するN個の入力信号を受信し、前記A個のレベルを有するM+1個の入力信号を出力する入力バッファーと、
前記A個のレベルを有するM+1個の入力信号を復号し、前記A個のレベルを有する前記M個の出力信号を出力するデコーダーと、
を備えることを特徴とする請求項10記載の集積回路。 - 前記Aは2で、前記Mは3で、前記Nは2で、前記Kは3であることを特徴とする請求項16記載の集積回路。
- 前記入力バッファーは、
A個のレベルを有するM+1個の入力信号の第1の信号を生成するために、K個のレベルを有するN個の入力信号の第1の信号と第1の参照電圧とを比較する第1の比較器と、A個のレベルを有するM+1個の入力信号の第2の信号を生成するために、K個のレベルを有するN個の入力信号の第1の信号と第2の参照電圧とを比較する第2の比較器とを備える第1の入力バッファーと、
A個のレベルを有するM+1個の入力信号の第3の信号を生成するために、K個のレベルを有するN個の入力信号の第2の信号と第1の参照電圧とを比較する第3の比較器と、A個のレベルを有するM+1個の入力信号の第4の信号を生成するために、K個のレベルを有するN個の入力信号の第2の信号と第2の参照電圧とを比較する第4の比較器とを備える第2の入力バッファーとを備え、
前記デコーダーは、
A個のレベルを有するM+1個の入力信号の第1の信号が「1」であるか、あるいは、A個のレベルを有するM+1個の入力信号の第1、第2、第3、及び第4の信号が「0100」となるとき、「1」となる、A個のレベルを有するM個の入力信号の第1の信号を生成する第1の論理回路と、
A個のレベルを有するM+1個の入力信号の第2及び第4の信号の双方が「1」であるとき、「1」となる、A個のレベルを有するM個の入力信号の第2の信号を生成する第2の論理回路と、
A個のレベルを有するM+1個の入力信号の第3の信号が「1」で、かつ、A個のレベルを有するM+1個の入力信号の第2及び第4の信号が「01」で、あるいは、A個のレベルを有するM+1個の入力信号の第1及び第4の信号が「10」であるとき、「1」となる、A個のレベルを有するM個の入力信号の第3の信号を生成する第3の論理回路と、
を備えることを特徴とする請求項17記載の集積回路。 - 前記集積回路は、
メモリーセルアレイをさらに備え、
前記M個の第2端子は、前記メモリーセルアレイに結合され、前記N個の第1端子は、データピン端子であることを特徴とする請求項18記載の集積回路。 - 前記集積回路は、
メモリーセルアレイ及び前記メモリーセルアレイに結合されるアドレスデコーダーをさらに備え、
前記M個の第2端子は、前記アドレスデコーダーに結合され、前記N個の第1端子は、アドレスピン端子であることを特徴とする請求項18記載の集積回路。 - 前記集積回路は、
メモリーセルアレイ及び前記メモリーセルアレイに結合される命令語デコーダーをさらに備え、
前記M個の第2端子は、前記命令語デコーダーに結合され、前記N個の第1端子は、命令ピン端子であることを特徴とする請求項18記載の集積回路。 - 前記第1変換機は、
前記A個のレベルを有するM個の出力信号の各々を前記A個のレベルを有するM+1個の符号化信号に変換する符号機と、
前記A個のレベルを有するM+1個の符号化信号を受信し、K個のレベルを有するN個の出力信号を出力する出力バッファーと、
を備え、
前記第2変換機は、
前記K個のレベルを有するN個の入力信号を受信し、前記A個のレベルを有するM+1個の入力信号を出力する入力バッファーと、
前記A個のレベルを有するM+1個の入力信号を復号し、前記A個のレベルを有するM個の入力信号を出力するデコーダーと、
を備えることを特徴とする請求項10記載の集積回路。 - 前記Aは2で、前記Mは3で、前記Nは2で、前記Kは3であることを特徴とする請求項22記載の集積回路。
- 集積回路装置の内部回路と前記集積回路装置の出力端子との間のインターフェース方法であって、
前記内部回路のM個の端子からA個のレベルを有するM個の出力信号をそれぞれ受信する段階と、
前記A個のレベルを有するM個の出力信号を、A個のレベルを有するM+1個の出力信号に符号化する段階と、
前記K個のレベルを有するM+1個の出力信号に応じて、K個のレベルを有するN個の信号を出力する段階と、
前記K個のレベルを有するN個の出力信号を、前記集積回路装置のN個の出力端子のそれぞれに出力する段階と、
を備え、
前記M、前記N、前記A及び前記Kは、正の整数であり、M>N>1及びK>A>1を満たし、前記N個の出力端子は、集積回路装置のピン端子であることを特徴とするインターフェース方法。 - 前記集積回路の内部回路は、
メモリーセルアレイであり、前記N個の出力端子はデータピン端子であることを特徴とする請求項24記載のインターフェース方法。 - 前記集積回路は、
メモリーセルアレイ及び前記メモリーセルアレイに結合される命令語デコーダー及びアドレスバッファーを備え、前記内部回路は、前記メモリーセルアレイ、前記命令語デコーダー及び前記アドレスバッファーの少なくとも一つであり、前記N個の出力端子は、データピン端子、命令ピン端子及びアドレスピン端子の少なくとも一つであることを特徴とする請求項24記載のインターフェース方法。 - 前記集積回路装置のN個の入力端子からK個のレベルを有するN個の入力信号をそれぞれ受信する段階と、
A個のレベルを有するM+1個の入力信号を生成するために、前記K個のレベルを有するN個の入力信号の各々に応じてA個のレベルを有する2個の入力信号を生成する段階と、
前記K個のレベルを有するN個の入力信号をA個のレベルを有するM個の入力信号に復号化する段階と、
前記A個のレベルを有するM個の入力信号を前記内部回路のM個の端子のそれぞれに出力する段階と、
をさらに備え、
前記M、前記N、前記A及び前記Kは、正の整数であり、M>N>1及びK>A>1を満たし、前記N個の入力端子は、前記集積回路装置のピン端子であることを特徴とする請求項24記載のインターフェース方法。 - 前記Aは2で、前記Mは3で、前記Nは2で、前記Kは3であり、
前記A個のレベルを有するM個の出力信号を符号化する段階は、
前記A個のレベルを有するM個の出力信号が「000」のとき「1111」となり、前記A個のレベルを有するM個の出力信号が「001」のとき「1101」となり、前記A個のレベルを有するM個の出力信号が「010」のとき「0101」となり、前記A個のレベルを有するM個の出力信号が「011」のとき「0100」となり、前記A個のレベルを有するM個の出力信号が「100」のとき「0111」となり、前記A個のレベルを有するM個の出力信号が「101」のとき「0011」となり、前記A個のレベルを有するM個の出力信号が「110」のとき「0001」となり、前記A個のレベルを有するM個の出力信号が「111」のとき「0000」となる、前記A個のレベルを有するM+1個の符号化信号を生成する段階を備え、
K個のレベルを有するN個の信号を出力する段階は、
前記A個のレベルを有するM+1個の符号化信号が「1111」のとき「00」となり、前記A個のレベルを有するM+1個の符号化信号が「0101」のとき「MM」(「M」は、信号「1」と信号「0」の間の信号のレベルを表す)となり、前記A個のレベルを有するM+1個の符号化信号が「0100」のとき「M1」となり、前記A個のレベルを有するM+1個の符号化信号が「0111」のとき「M0」となり、前記A個のレベルを有するM+1個の符号化信号が「0011」のとき「10」となり、前記A個のレベルを有するM+1個の符号化信号が「0001」のとき「1M」となり、前記A個のレベルを有するM+1個の符号化信号が「0000」のとき「11」となる、前記K個のレベルを有するN個の入力信号を生成する段階を備えることを特徴とする請求項24記載のインターフェース方法。 - 前記集積回路装置は、
メモリーセルアレイ及び前記メモリーセルアレイに結合される命令語デコーダー及びアドレスデコーダーを含み、
前記内部回路は、前記メモリーセルアレイ、前記命令語デコーダー及び前記アドレスデコーダーの少なくとも一つであり、前記N個の入力端子は、データピン端子、命令ピン端子及びアドレスピン端子の少なくとも一つであることを特徴とする請求項27記載のインターフェース方法。 - 前記Aは2で、前記Mは3で、前記Nは2で、前記Kは3であり、
前記A個のレベルを有するM+1個の入力信号を生成する段階は、
前記K個のレベルを有するN個の入力信号が「00」のとき「0000」となり、前記K個のレベルを有するN個の出力信号が「0M」(「M」は、信号「1」と信号「0」の間の信号のレベルを表す)のとき「0001」となり、前記K個のレベルを有するN個の入力信号が「MM」のとき「0101」となり、前記K個のレベルを有するN個の入力信号が「M1」のとき「0111」となり、前記K個のレベルを有するN個の入力信号が「10」のとき「1100」となり、前記K個のレベルを有するN個の入力信号が「1M」のとき「1101」となり、前記K個のレベルを有するN個の入力信号が「11」のとき「1111」となる、前記A個のレベルを有するM+1個の入力信号を生成する段階を備え、
前記K個のレベルを有するN個の入力信号を符号化する段階は、
前記A個のレベルを有するM+1個の入力信号が「0000」のとき「000」となり、前記A個のレベルを有するM+1個の入力信号が「0001」のとき「001」となり、前記A個のレベルを有するM+1個の入力信号が「0101」のとき「010」となり、前記A個のレベルを有するM+1個の入力信号が「0111」のとき「011」となり、前記A個のレベルを有するM+1個の入力信号が「0100」のとき「100」となり、前記A個のレベルを有するM+1個の入力信号が「1100」のとき「101」となり、前記A個のレベルを有するM+1個の入力信号が「1101」のとき「110」となり、前記A個のレベルを有するM+1個の入力信号が「1111」のとき「111」となる、前記A個のレベルを有するM個の入力信号を生成する段階を備えることを特徴とする請求項27記載のインターフェース方法。
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