JP4322213B2 - 磁気抵抗効果素子及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、磁気抵抗効果素子及び薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。

磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と称する）は、磁気記憶素子、磁気センサまたは薄膜磁気ヘッドなどに用いられる。ＭＲ素子としては、強磁性トンネル接合膜（以下ＴＭＲ膜と称する）及び、スピンバルブ膜（以下ＳＶ膜と称する）などを用いた巨大磁気抵抗効果素子（以下ＧＭＲ素子と称する）が知られている。

ＭＲ素子の主要な用途は、薄膜磁気ヘッドである。薄膜磁気ヘッドにおいては、ハードディスクドライブ(ＨＤＤ)の大容量及び小型化に対応すべく、高感度、高出力の薄膜磁気ヘッドが要求されている。その要求に対して、薄膜磁気ヘッドの懸命な特性改善が進められている。

現在の薄膜磁気ヘッドは、ＳＶ膜を用いたものが主流であるが、一方で、ＴＭＲ膜を用いた薄膜磁気ヘッドは、ＳＶ膜を用いた薄膜磁気ヘッドの２倍以上の抵抗変化率が期待できることから、その開発も精力的に行われている。

ＳＶ膜とＴＭＲ膜は、センス電流を流す方向の違いからヘッド構造が異なる。一般に、膜面に対して平行にセンス電流を流すヘッド構造をＣＩＰ(Current In Plane)構造、膜面に対して垂直にセンス電流を流すヘッド構造をＣＰＰ(Current Perpendicular to Plane)構造(特許文献１参照)と呼ぶ。ＣＰＰ構造は、磁気シールドそのものを電極として用いることができるため、ＣＩＰ構造の狭リードギャップ化において深刻な問題になっている、磁気シールドと素子との間のショート(絶縁不良)が本質的に生じない。そのため、高記録密度化においてＣＰＰ構造は大変有利である。

ＴＭＲ膜は、基本的に、ＣＰＰ構造となるので、上述した利点が得られる。ＳＶ膜においても、上述したＣＰＰ構造の利点を確保すべく、従来多用されていたＣＩＰ構造から、ＣＰＰ構造への転換が図られつつある。

ＣＰＰ構造は、磁気抵抗効果膜（以下ＭＲ膜と称する）を上下電極でサンドイッチした構造になるが、主として、ＭＲ膜を保護すること、及び、上部電極とＭＲ膜との接触抵抗を低減させることなどを目的として、ＭＲ膜の表面にキャップ膜を付着させ、このキャップ膜に上部電極膜を付着させる構造を採用する。

ところが、ＭＲ膜及びキャップ膜を成膜した後、プロセスの都合でいったん大気に出され、その後、幾つかの工程を経て、上部電極を形成する工程をとるため、大気露出プロセスにおいて、キャップ膜が酸化され、キャップ膜と上部電極膜との間の接触抵抗が増大してしまう。

キャップ膜と上部電極との間の接触抵抗が増大すると、センス電流経路に直列に入る電気抵抗が増大し、ヘッド特性が劣化する。従って、ヘッド特性改善の観点から、キャップ膜と上部電極との間の接触抵抗を最小に抑えなければならない。

接触抵抗の増大する原因が、大気暴露したときに発生するキャップ膜表面の酸化膜、吸着ガス等であることに着目し、上部電極を成膜する直前に、キャップ表面酸化膜、吸着ガス等をドライエッチング等の手法で除去し、その後、同一の真空中にて上部電極を成膜することにより、接触抵抗を低減させる手法が知られている。

しかし、この場合、キャップ材料によっては、厚い酸化膜が形成されてしまうため、予め厚いキャップ膜を形成する必要があり、また、酸化膜除去の際にドライエッチングに長時間を要することとなるから、ＭＲ膜へのダメージが懸念される。そこで、キャップ材料として、一般には、酸化されにくい材料、もしくは酸化されても抵抗が大きくならない材料、つまり貴金属類が用いられている。

ところが、ＴＭＲ膜の場合、単純にキャップに貴金属を用いると、抵抗及びＭＲ変化率が悪化することが筆者らの実験から判明した。キャップ膜の最表面には貴金属を使用しつつ、抵抗及びＭＲ変化率の悪化しないＴＭＲ膜が必要とされる。

更なる要求として、キャップ膜は、大気暴露時にＭＲ膜を確実に保護でき、しかも、上部電極形成前のドライエッチング等によるＴＭＲ膜へのダメージを抑え得る必要最小限の膜厚にすることが要求される。というのは、トラック幅を決めるフリー層幅の画定プロセスにおいて、キャップ膜が厚いほどフリー層の幅が広がってしまい、高トラック密度化に不利に働いてしまうからである。

上述した問題は、薄膜磁気ヘッドに限らず、酸化物膜を含むＭＲ層を用いた他の薄膜デバイス、例えば、ＭＲＡＭなどの磁気記憶素子や、磁気センサなどにおいても、生じるところ、これらの技術分野を見ても、いまだ有効な解決手段は知られていない。
特開２００２−２０８１１９号公報

本発明の課題は、キャップ膜による抵抗及びＭＲ変化率の悪化を招くことのないＭＲ素子の製造方法、及び、薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することである。

本発明のもう一つの課題は、キャップ膜を、大気暴露時にＭＲ膜を酸化から確実に保護でき、しかも、ドライエッチング等によるＭＲ膜へのダメージを抑え得る必要最小限の膜厚にし、高トラック密度化に対応させることの可能なＭＲ素子の製造方法、及び、薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することである。

上述した課題を解決するため、本発明に係る製造方法は、第１の電極膜の上に、磁気抵抗効果膜と、第１のキャップ膜と、第２のキャップ膜とをこの順序で含む積層膜を形成する。前記第１のキャップ膜は前記第２のキャップ膜よりも酸素との結合エネルギーが大きい材料からなり、前記第２のキャップ膜は貴金属材料からなる。次に、前記第２のキャップ膜の膜厚を削減し、その後、前記第２の電極膜を付着させる。

上記製造方法によれば、下部電極膜に相当する第１の電極膜と、上部電極膜に相当する第２の電極膜とにより、ＭＲ膜をサンドイッチしたＣＰＰ構造が得られる。ＣＰＰ構造では、第１の電極膜及び第２の電極膜を、磁気シールド膜として用いることができるため、ＣＩＰ構造の狭リードギャップ化において深刻な問題になっている、磁気シールドと素子との間のショート、絶縁不良が本質的に生じない。そのため、高記録密度に適したＭＲ素子が得られる。

上述したＣＰＰ構造を得るに当たり、第１の電極膜の上に、磁気抵抗効果膜と、第１のキャップ膜と、第２のキャップ膜とをこの順序で含む積層膜を形成するので、プロセスを通して、ＭＲ膜の表面を、少なくとも第１のキャップ膜によって覆い、ＭＲ膜の酸化による抵抗値及びMR変化率の劣化を防ぐことができる。

しかも、第１のキャップ膜は、酸素との結合エネルギーが大きい材料でなるから、第１のキャップ膜により、ＭＲ膜における過剰酸素を吸収し、ＭＲ膜の酸化を低滅させ、MR比の低下を阻止し、高いＭＲ比を確保することができるものと考えられる。ＭＲ膜が酸化物膜を含む場合、特に有効である。この点に関して、本発明者等の先の出願（特願２００３−１９３２３０号）において、実際に高いＭＲ比を確保できることが確認されている。

第1のキャップ膜は、酸素との結合エネルギーが、Ｒｕよりも大きく、かつ、酸化物膜と第1のキャップ膜との間の磁性層を構成する元素よりも大きい元素を含むことが好ましい。
この条件を満たす場合、Ｒｕは、ＭＲ膜に含まれる主要な磁性層を構成する元素（一般には、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｔ等）に比べて、酸素との結合エネルギーがかなり大きいので、上述したＭＲ比の低下阻止効果を得ることができる。

さらに、第１のキャップ膜の上に積層された第２のキャップ膜に、第２の電極膜を付着させるから、第２のキャップ膜を構成する材料を、貴金属など、酸化しにくい材料で構成することにより、第２のキャップ膜に対する第２の電極膜の接触抵抗を低下させ、ＭＲ比の劣化を回避することができる。

第２のキャップ膜を貴金属で構成した場合、これをＭＲ膜に直接接触させた場合は、ＭＲ比の低下が見られるが、本発明においては、第２のキャップ膜とＭＲ膜との間に、第２のキャップ膜よりも酸素との結合エネルギーの大きい材料でなる第１のキャップ膜があるので、上述したＭＲ比の低下は見られない。

また、第１の電極膜の上に、磁気抵抗効果膜と、第１のキャップ膜と、第２のキャップ膜とをこの順序で含む積層膜を形成するので、第２のキャップ膜で保護されている第１のキャップ膜を必要最小限の薄さに設定できる。特に、第２のキャップ膜を、貴金属で構成した場合には、貴金属膜が最表面になるので、ＭＲ素子の酸化を阻止するために必要な膜厚を、例えば１ｎｍ程度と、極薄くすることが可能である。このとき、第１のキャップ膜も必要最小膜厚に設定することができるから、結局、全体としての膜厚を減少させ、トラック幅を決めるフリー層幅を画定するプロセスにおいて、同じレジスト幅に対し、フリー層幅を狭くすることができる。このため、高トラック密度化に対応させることが可能になる。

しかも、表面の酸化膜や吸着ガスなどを除去するための第２のキャップ膜の膜厚を削減するプロセスにおいて、第２のキャップ膜が極薄いので、第１のキャップ膜が部分的に削減されることもある。この場合、削減は、主に、第２のキャップ膜に対して行ない、第１のキャップ膜に対する削減量自体は、ＭＲ膜へのダメージを回避するため、少なくすることが好ましい。

第２のキャップ膜を構成する貴金属層がなくなっても、酸素との結合工ネルギーの大きい材料で形成された第１のキャップ膜が最終的に残っていれば、ＭＲ比の向上といった本発明の利点を損なうことがない。

以上の総合的な効果として、キャップ膜による抵抗及びＭＲ変化率の悪化を生じさせず、しかも、キャップ膜の膜厚について、大気暴露時にＭＲ膜を酸化から確実に保護し、かつドライエッチング等によるＭＲ膜へのダメージを抑え得る必要最小値にし、高トラック密度化に対応させることができる。

具体的態様において、第１のキャップ膜は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ及びＷの群から選択された少なくとも一種を含む。第２のキャップ膜は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｐｔ及びＡｕの群から選択された少なくとも一種を含むことができる。第１のキャップ膜及び第２のキャップ膜は、上述した材料から選択された単層膜であってもよいし、複層膜であってもよい。第２のキャップ膜の膜厚を削減する工程は、第２のキャップ膜が残るように実行してもよいし、第２のキャップ膜が完全に除去され、第１のキャップ膜が部分的に削減されるように実行してもよい。

更に、薄膜磁気ヘッドへの適用においては、積層膜をパターン化した後、積層膜の相対する両端部に、端部機能膜を付着させる工程を含んでいてもよい。端部機能膜は、一般には、磁区制御膜を含む、
薄膜磁気ヘッドへの適用において、読取素子の製造工程と、書込み素子の製造工程とを含む。この場合、前記読取素子の製造工程は、上述した本発明に係る工程を含む。前記書込み素子の製造工程は、前記読取素子の製造工程の前、又は、後に実行される。

上述したように、本発明によれば、次のような効果が得られる。
（ａ）キャップ膜による抵抗及びＭＲ変化率の悪化を惹起しないＭＲ素子の製造方法、及び、薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することができる。
（ｂ）キャップ膜を、大気暴露時にＭＲ膜を酸化から確実に保護でき、しかも、ドライエッチング等によるＭＲ膜へのダメージを抑え得る必要最小限の膜厚にし、高トラック密度化に対応させることができる。
（ｃ）第２のキャップ膜を、貴金属で構成した場合には、貴金属膜が最表面になるので、ＭＲ素子の酸化を阻止するために必要な膜厚を、例えば１ｎｍ程度と、極薄くすることができる。このとき、第１のキャップ膜も必要最小膜厚に設定することができるから、結局、全体としての膜厚を減少させ、トラック幅を決めるフリー層幅を画定するプロセスにおいて、同じレジスト幅に対し、フリー層幅を狭くすることができる。このため、高トラック密度化に対応させることが可能になる。

本発明の他の目的、構成及び利点については、添付図面を参照し、更に詳しく説明する。添付図面は単なる例示に過ぎない。

図１〜図７は本発明に係るＭＲ素子の製造方法に含まれる工程を示す図である。まず、図１に示すように、第１の電極膜３１の上に、ＭＲ膜３０と、第１のキャップ膜３０１と、第２のキャップ膜３００を、この順序で含む積層膜を形成する。成膜手段としては、周知のスパッタ法が採用される。第２のキャップ膜３００が最表面となることは必要であるが、ＭＲ膜３０、第１のキャップ膜３０１及び第２のキャップ膜３００は、必ずしも、直接に接触している必要はない。例えば、ＭＲ膜３０と第１のキャップ膜３０１との間に中間層を配置してもよい。

第１の電極膜３１は、例えば、めっき膜であり、アルミナなどの金属酸化物でなる絶縁膜１６の上に付着されている。第１の電極膜３１は、磁気シールドを兼ねるため、例えば、ＮｉＦｅなどを含む膜構造とする。

第１の電極膜３１の一面上には、下地金属膜３０６が薄く形成されており、ＭＲ膜３０はその上に形成されている。ＭＲ膜３０はＣＰＰ構造である。その典型例として、図示実施例では、ＴＭＲ膜を例にとって説明する。

ＴＭＲ膜の場合の膜構成として、図では、上側から見て、フリー層３０２と、酸化物膜３０３と、磁化方向が固定されたピンド層３０４と、反強磁性層３０５とを、順次に隣接させた構成を示している。ただし、積層順序は、上述した順序とは逆であってもよい。

上記層３０２〜３０５の膜構造及び組成材料等については、既に知られている技術を任意に適用できる。一例をあげると、フリー層３０２及びピンド層３０４は、本発明における磁性層であり、例えば、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ等で構成され、反強磁性層３０５はＦｅＭｎ、ＭｎＩｒ、ＮｉＭｎ、ＣｒＭｎＰｔ、ＰｔＭｎなどによって構成される。酸化物膜３０３は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｍｇなどの酸化物である。

第１のキャップ膜３０１は、ＭＲ膜３０の最表面に現れるフリー層３０２に付着されている。第１のキャップ膜３０１は、少なくとも、後で付着される第２のキャップ膜よりも酸素との結合エネルギーの大きい材料で構成される。具体的には、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ及びＷの群から選択された少なくとも一種を含む。これらの材料の単層膜であってもよいし、異なる材料による複層膜であってもよい。これらは、酸素との結合エネルギーがＲｕよりも大きいものである。

第２のキャップ膜３００は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｐｔ及びＡｕの群から選択された少なくとも一種を含む。これらの材料の単層膜であってもよいし、異なる材料の複層膜であってもよい。先に述べた第１のキャップ膜３０１と対比では、第１のキャップ膜３０１を構成する材料は、この第２のキャップ膜３００を構成する材料よりも酸素との結合エネルギーが大きい材料である。

第２のキャップ膜３００を、上述したような貴金属で構成した場合でも、これをＭＲ膜３０に直接接触させた場合は、ＭＲ比の低下が見られるが、本発明においては、第２のキャップ膜３００とＭＲ膜３０との間に、第２のキャップ膜３００よりも酸素との結合エネルギーの大きい材料でなる第１のキャップ膜３０１があるので、上述したＭＲ比の低下は見られない。

次に、図２に図示するように、ＭＲ膜構成層３０２〜３０５、第１のキャップ膜３０１及び第２のキャップ膜３００を積層した積層膜を、ミリング、ＲＩＥ（リアクティブ．イオン．エッチング）などのドライエッチング手段によって、ＭＲ素子として必要なパターンとなるようにパターニングする。この工程では、既に、第１の電極膜３１の上に、ＭＲ膜３０と、第１のキャップ膜３０１と、第２のキャップ膜３００とをこの順序で含む積層膜を形成してあるので、第2のキャップ膜３００で保護されている第１のキヤップ膜３０１を必要最小限の薄さに設定できる。特に、第２のキャップ膜３００を、貴金属で構成した場合には、貴金属膜が最表面になるので、ＭＲ膜３０の酸化を阻止するために必要な膜厚を、例えば１ｎｍ程度と、極薄くすることが可能である。このとき、第１のキャップ膜３０１も必要最小膜厚に設定することができるから、結局、全体としての膜厚を減少させ、トラック幅を決めるフリー層幅を画定するプロセスにおいて、同じレジスト幅に対し、フリー層幅を狭くすることができる。このため、高トラック密度化に対応させることが可能になる。

次に、上述のようにしてパターン化した後、図３に図示するように、ＭＲ膜３０と、第１のキャップ膜３０１と、第２のキャップ膜３００の積層膜の相対する両端部に、端部機能膜３５、３７を付着させる。端部機能膜３５、３７は、磁区制御膜３５を含む。構造によっては、絶縁膜３７などを付着させることもある。絶縁膜３７は、一般にはＡｌ₂Ｏ₃などによって構成される。更に、必要に応じて、保護膜３８などを付着させてもよい。

次に、図４に図示するように、第２のキャップ膜３００の膜厚を、例えば、ミリング、ＲＩＥなどのドライエッチング手段によって削減する。これにより、図５に示すように、第２のキャップ膜３００の膜厚の全体が削除される。図５とは異なって、第２のキャップ膜３００が、微小な膜厚で残るように削減してもよいし、第２のキャップ膜３００の膜厚を全て除去した上で、更に、第１のキャップ膜３０１が、部分的に削減を受けるように処理してもよい。

削減は、主に、第２のキャップ膜３００に対して行ない、第１のキャップ膜３０１に対する削減量自体は、ＭＲ膜３０へのダメージを回避するため、少なくすることが好ましい。

第２のキャップ膜３００を構成する貴金属層がなくなっても、酸素との結合工ネルギーの大きい材料で形成された第１のキャップ膜３０１が最終的に残っていれば、MR比の向上といった本発明の利点を損なうことはない。

次に、図６に図示するように、図４、図５の工程と同一の真空中で、つまり、真空を破らずに、第１のキャップ膜３０１の上に下地膜３９をスパッタなどで形成する。その後、下地膜３９の上にめっきなどの手段によって第２の電極膜３３を形成する。第２の電極膜３３は、第１の電極膜３１とともに、一対の電極膜を形成する。また、磁気シールドとして機能する。従って、第２の電極膜３３は、第１の電極膜３１と同様の材料からなるめっき膜として形成される。

この後、図７に図示するように、必要により、書込み素子部分と分離する絶縁膜３４を、スパッタなどの手段よって付着させる。なお、上述したプロセスは、全て、ウエハ上で実行される。

上記製造方法により、下部電極膜に相当する第１の電極膜３１と、上部電極膜に相当する第２の電極膜３３とにより、ＭＲ膜３０をサンドイッチしたＣＰＰ構造が得られる。このＣＰＰ構造では、第１の電極膜３１及び第２の電極膜３３を、磁気シールド膜として用いることができるため、ＣＩＰ構造の狭リードギャップ化において深刻な問題になっている、磁気シールドと素子との間のショート、絶縁不良が本質的に生じない。そのため、高記録密度に適したＭＲ素子が得られる。

以上の総合的な効果として、キャップ膜による抵抗及びＭＲ変化率の悪化を招くことがなく、しかも、キャップ膜の膜厚について、大気暴露時にＭＲ膜３０を酸化から確実に保護し、かつ、ドライエッチング等によるＭＲ膜３０へのダメージを抑え得る必要最小値にし、高トラック密度化に対応させることができる。

第１のキャップ膜３０１の上に第２のキャップ膜３００が残るように処理した場合には、第２のキャップ膜３００に第２の電極膜３３を付着させる構造であるから、第２のキャップ膜３００を構成する材料を、貴金属など、酸化しにくい材料で構成することにより、第２のキャップ膜３００に対する第２の電極膜３３の接触抵抗を低下させ、ＭＲ比の劣化を回避することができる。

薄膜磁気ヘッドへの適用において、読取素子の製造工程と、書込み素子の製造工程とを含む。この場合、読取素子の製造工程は、上述した本発明に係る工程を含む。書込み素子の製造工程は、読取素子の製造工程の前、又は、後に実行される。

図８は図１〜図７に示した工程を経て読取素子３を形成した後、更に周知の書込み素子製造工程を実行して得られた薄膜磁気ヘッドの断面図、図９は図８の９−９線に沿った拡大断面図である。読取素子３は、スライダ基体１の上に設けた絶縁層１６の上に形成されている。書込み素子２は、読取素子３の上に形成されている。図示とは異なって、先に書込み素子２を形成し、その後に読取素子３の製造工程（図１〜図７）を実行してもよい。
まず、書込み素子２は、例えば、誘導型磁気変換素子あり、絶縁膜２７によって覆われている。絶縁膜２７は、例えば、アルミナなどによって構成されている。

書込み素子２は、下部磁性膜２１と、上部磁性膜２２と、記録ギャップ膜２４と、コイル膜２３とを含む。下部磁性膜２１は、その大部分を構成するヨーク部２１０の先端に、下部磁極部分２１１を有する。上部磁性膜２２は、ヨーク部２１１の先端部に上部磁極２２２が設けられている。下部磁極部分２１１及び上部磁極部分２２２は、幅が極めて狭く絞り込まれており、それによって、書込み磁界を集中させる構造になっている。下部磁性膜２１及び上部磁性膜２２は、それぞれのヨーク部２１０、２２１が後方側において、結合部２５により、磁気的に連結されている。

記録ギャップ膜２４は、下部磁極部分２１１と、上部磁極２２２との間に設けられている。コイル膜２３は、下部磁性膜２１を構成するヨーク部２１０、及び、上部磁性膜２２のヨーク部２２１の間に生じるインナーギャップ内の絶縁膜２６内に、絶縁された状態で配設されている。書込み素子２としては、上記の形態に限定されず、これまで提案され、又はこれから提案されることのある書込み素子を広く適用できる。

以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を採り得ることは自明である。

本発明に係るＭＲ素子の製造方法に含まれる工程を説明する図である。 図１に示した工程の後の工程を示す図である。 図２に示した工程の後の工程を示す図である。 図３に示した工程の後の工程を示す図である。 図４に示した工程の後の工程を示す図である。 図５に示した工程の後の工程を示す図である。 図６に示した工程の後の工程を示す図である。 図１〜図７に示した工程を経て読取素子を形成した後、更に周知の書込み素子製造工程を実行して得られた薄膜磁気ヘッドの断面図である。 図８の９−９線に沿った拡大断面図である。

符号の説明

３０ ＭＲ素子
３１ 第１の電極膜
３３ 第２の電極膜
３０１ 第１のキャップ膜
３００ 第２のキャップ膜

Claims (8)

1. 磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
   第１の電極膜の上に、磁気抵抗効果膜と、第１のキャップ膜と、第２のキャップ膜とをこの順序で含む積層膜を形成し、前記第１のキャップ膜は前記第２のキャップ膜よりも酸素との結合エネルギーが大きい材料からなり、前記第２のキャップ膜は貴金属材料からなり、
   次に、前記第２のキャップ膜を完全に除去し、
   その後、前記第２の電極膜を付着させる
   工程を含む製造方法。
2. 請求項１に記載された製造方法であって、前記磁気抵抗効果膜は、酸化物膜を含む、製造方法。
3. 請求項２に記載された製造方法であって、前記第1のキャップ膜は、酸素との結合エネルギーが、Ｒｕよりも大きく、かつ、前記酸化物膜と前記第1のキャップ膜との間の磁性層を構成する元素よりも大きい元素を含む、
   製造方法。
4. 請求項３に記載された製造方法であって、前記第1のキャップ膜と前記磁気抵抗効果膜との間に中間層を有する、製造方法。
5. 請求項1乃至４の何れかに記載された製造方法であって、前記磁気抵抗効果膜は、強磁性トンネル接合膜を含む、製造方法。
6. 請求項１乃至５の何れかに記載された製造方法であって、前記第２のキャップ膜は、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｉｒ，Ｐｔ及びＡｕの群から選択された少なくとも一種を含む製造方法。
7. 請求項１乃至６の何れかに記載された製造方法であって、前記第１のキャップ膜は、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ及びＷの群から選択された少なくとも一種を含む製造方法。
8. 読取素子の製造工程と、書込み素子の製造工程とを含む薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
   前記読取素子の製造工程は、請求項１乃至７の何れかに記載された工程を含み、
   前記書込み素子の製造工程は、前記読取素子の製造工程の前、又は、後に実行される、
   製造方法。

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