JP2006190780A - 磁気抵抗効果素子及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の電極膜31の上に、MR膜30と、第1のキャップ膜301と、第2のキャップ膜300とを含む積層膜を形成する。第1のキャップ膜301は、第2のキャップ膜300よりも酸素との結合エネルギーの大きい材料でなる。第2のキャップ膜300は貴金属材料でなる。次に、第2のキャップ膜300の膜厚を削減し、その後、第2の電極膜33を付着させる。
【選択図】 図4
Description
この条件を満たす場合、Ruは、MR膜に含まれる主要な磁性層を構成する元素(一般には、Mn、Fe、Co、Ni、Pt等)に比べて、酸素との結合エネルギーがかなり大きいので、上述したMR比の低下阻止効果を得ることができる。
薄膜磁気ヘッドへの適用において、読取素子の製造工程と、書込み素子の製造工程とを含む。この場合、前記読取素子の製造工程は、上述した本発明に係る工程を含む。前記書込み素子の製造工程は、前記読取素子の製造工程の前、又は、後に実行される。
(a)キャップ膜による抵抗及びMR変化率の悪化を惹起しないMR素子の製造方法、及び、薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することができる。
(b)キャップ膜を、大気暴露時にMR膜を酸化から確実に保護でき、しかも、ドライエッチング等によるMR膜へのダメージを抑え得る必要最小限の膜厚にし、高トラック密度化に対応させることができる。
(c)第2のキャップ膜を、貴金属で構成した場合には、貴金属膜が最表面になるので、MR素子の酸化を阻止するために必要な膜厚を、例えば1nm程度と、極薄くすることができる。このとき、第1のキャップ膜も必要最小膜厚に設定することができるから、結局、全体としての膜厚を減少させ、トラック幅を決めるフリー層幅を画定するプロセスにおいて、同じレジスト幅に対し、フリー層幅を狭くすることができる。このため、高トラック密度化に対応させることが可能になる。
まず、書込み素子2は、例えば、誘導型磁気変換素子あり、絶縁膜27によって覆われている。絶縁膜27は、例えば、アルミナなどによって構成されている。
31 第1の電極膜
33 第2の電極膜
301 第1のキャップ膜
300 第2のキャップ膜
Claims (10)
- 磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
第1の電極膜の上に、磁気抵抗効果膜と、第1のキャップ膜と、第2のキャップ膜とをこの順序で含む積層膜を形成し、前記第1のキャップ膜は前記第2のキャップ膜よりも酸素との結合エネルギーが大きい材料からなり、前記第2のキャップ膜は貴金属材料からなり、
次に、前記第2のキャップ膜の膜厚を削減し、
その後、前記第2の電極膜を付着させる
工程を含む製造方法。 - 請求項1に記載された製造方法であって、前記磁気抵抗効果膜は、酸化物膜を含む、製造方法。
- 請求項2に記載された製造方法であって、前記第1のキャップ膜は、酸素との結合エネルギーが、Ruよりも大きく、かつ、前記酸化物膜と前記第1のキャップ膜との間の磁性層を構成する元素よりも大きい元素を含む、
製造方法。 - 請求項3に記載された製造方法であって、前記第1のキャップ膜と前記磁気抵抗効果膜との間に中間層を有する、製造方法。
- 請求項1乃至4の何れかに記載された製造方法であって、前記磁気抵抗効果膜は、強磁性トンネル接合膜を含む、製造方法。
- 請求項1乃至5の何れかに記載された製造方法であって、前記第2のキャップ膜は、Ru、Rh、Pd、Ag、Ir、Pt及びAuの群から選択された少なくとも一種を含む製造方法。
- 請求項1乃至6の何れかに記載された製造方法であって、前記第1のキャップ膜は、Si、Ti、V、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta及びWの群から選択された少なくとも一種を含む製造方法。
- 請求項1乃至7の何れかに記載された製造方法であって、前記第2のキャップ膜の膜厚を削減する工程は、前記第2のキャップ膜が残るように実行される、製造方法。
- 請求項1乃至7の何れかに記載された製造方法であって、前記第2のキャップ膜の膜厚を削減する工程は、前記第2のキャップ膜が完全に除去され、前記第1のキャップ膜が部分的に削減されるように実行される製造方法。
- 読取素子の製造工程と、書込み素子の製造工程とを含む薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記読取素子の製造工程は、請求項1乃至9の何れかに記載された工程を含み、
前記書込み素子の製造工程は、前記読取素子の製造工程の前、又は、後に実行される、
製造方法。
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