JP4320569B2 - 光受信装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、光通信システムに適用される光受信装置に関し、特にアバランシェフォトダイオード(APD)を用いた光受信装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
親局と複数の子局との間を、光データ通信ネットワークを使って双方向通信するシステムにおいて、親局と複数の子局とが、光ファイバおよび受動型光分岐器によって結ばれたPON(Passive Optical Network)システムが知られている。
このPONシステムにおいて、親局は、各子局の光信号の送信時間を予め指定しており、これらの送信時間の時間割データを各子局に配布する。各子局は、これらのデータに基づいて、光信号を順次親局に送信する。
【0003】
親局の光受信装置には、光増倍作用を持つアバランシェフォトダイオード(APD;Avalanche Photo Diode)が用いられている。このAPDは、逆バイアスされたPN接合部の増倍作用により、弱い光信号でも高感度で受信できるが、強い光信号が入力されると容易に飽和してしまい、正確な光信号の受信を行えない。このため、光受信装置では、APDの増倍率を、弱い入力光信号に対しては大きく、強い入力光信号に対しては小さく設定するために、APDのバイアス電圧の調整が行われている。
【0004】
たとえば、APDに対して固定抵抗が直列に接続されており、APDに大きな電流が流れると、抵抗に大きな電圧降下が発生することを利用して、APDにかかるバイアス電圧を小さくすることのできる自己バイアス方式の光受信装置が知られている。
また、特許文献1には、各子局から送信される上り光信号の強度および上り光信号のビットエラーを測定して、それらの測定値に応じてAPDのバイアス電圧の調整を行うことのできるフィードバック方式の光受信装置が開示されている。
【0005】
【特許文献1】
特開2003−69500号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、前記自己バイアス方式の光受信装置は、受光回路に存在する浮遊容量によりバイアス電圧の設定に時間的遅れが生じる。したがって、光受信装置に順次与えられる光信号の受信強度に急峻な落差がある場合、迅速にバイアス電圧を設定できないという問題がある。
また、前記特許文献1記載の光受信装置が、短い時間間隔(1ナノ秒程度)毎に光信号を受信する場合、ビットエラーの測定に時間がかかることに加えて、フィードバックループが時定数を持っているので、光信号の受信に十分に追従できないという問題がある。
【0007】
そこで、本発明は、順次与えられる光信号に急峻な落差があっても検出感度が低下せず、かつ、光強度の強い信号が入力されても飽和せず受信することのできるAPDを用いた光受信装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するための請求項1記載の発明は、光信号を受信するアバランシェフォトダイオードと、前記アバランシェフォトダイオードにバイアス電圧を供給する直流電源と、そのアバランシェフォトダイオードの受信感度を設定する受信制御部とを有する光受信装置において、前記直流電源は、出力電圧可変型の複数の電源と、それらの電源を切り換えるスイッチ回路とを含み、前記受信制御部は、受信している光信号の受信強度に応じて出力電圧値を設定するための電圧値設定信号を前記複数の電源のうちの1つの電源に与え、前記複数の電源の他の1つの電源において次に受信される光信号の受信強度に応じた出力電圧値を設定しておき、前記受信制御部は、前記1つの電源を用いてアバランシェフォトダイオードにバイアス電圧を供給し、受信している光信号が終了し、次の光信号を受信する前の時点に前記他の1つの電源を選択するための切換タイミング信号を前記スイッチ回路に与えることによって、前記他の1つの電源において設定したバイアス電圧をアバランシェフォトダイオードに供給するものである。
【0013】
この構成によれば、スイッチ回路に切換タイミング信号を与えることによって、1つの電源を用いてAPDの受信感度が良好となるような値のバイアス電圧をAPDに与えることができる。また、APDが次に受信する光信号の受信感度が良好となるような値のバイアス電圧を他の電源にバイアス電圧を設定しておく。そして、次に光信号が入ってくる直前にスイッチ回路を切り換えることにより、次の光信号を受信するときに、その設定したバイアス電圧をAPDに供給することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、添付図面を参照しながら詳細に説明する。
図1は、この発明の一実施形態に係る光受信装置が適用されるPONシステムの一例を示すブロック図である。
局舎内のPONシステム構成部分を親局又は親局装置といい、加入者宅内のPONシステム構成部分を子局という。PONシステムは、親局1、複数の子局5、及び光分岐器3a、3bを備え、親局1と光分岐器3aとの間を幹線光ファイバ2で接続し、光分岐器3aと光分岐器3bとの間、光分岐器3aと子局5との間、及び光分岐器3bと子局5との間をそれぞれ支線光ファイバ4で接続している。幹線光ファイバ2と支線光ファイバ4とを総称して「光ファイバ」という。光ファイバはシングルモードファイバを用いている。
【0015】
親局1から子局5への下り光信号及び子局5から親局1への上り光信号は、それぞれパケットで構成される。
親局1は、幹線光ファイバ2との接続端となる光伝送路終端装置(OLT;Optical Line Terminals)、レイヤ2スイッチ、及び上位のネットワークの接続端となるブロードバンドアクセスルータ等を備えている。
OLTには、子局5から送られてきた上りパケットを受信するための光受信装置6や、子局5に下りパケットを送信するための光送信装置等が含まれている。
【0016】
親局1は、上位のネットワーク(インターネットなど)から送られてくるパケットを光送信装置によって子局5に送信したり、光受信装置6が受信したパケットを上位のネットワークに送り出す機能を持っている。
子局5は、宅内に設置されるパーソナルコンピュータ、パーソナルコンピュータのブロードバンド光信号を光ネットワークに送受する光加入者線終端装置(ONU;Optical Network Unit)等を備えている。
【0017】
前記PONシステムの動作を簡単に説明すると、上位のネットワークから親局1に入ってくる下りパケットは、親局1においてレイヤ2スイッチで所定の処理が行われる。そして、光送信装置によって、光信号は光ファイバを介して各子局5に一斉に送信される。この送信された光信号は、光分岐器3a、3bで分岐され、光分岐器3a、3bにつながる子局5に送信されるが、送信先アドレスの合致した子局5がその光信号を取り込み、パケットを復号解読する。
【0018】
一方、子局5から送信される上りパケットは、光分岐器3a、3bを経由して親局1に送信される。親局1では、光受信装置6によりこのパケットが受信されて、レイヤ2スイッチで所定の処理が行われた後に、ここからブロードバンドアクセスルータを介して上位のネットワークに送信される。
子局5から送信される上りパケットは、互いに時間的に競合しないようにする必要がある。そのために、親局1から子局5に下りパケットを一斉送信するときに、各子局5に対して上り光信号時間スロット(以下単に「スロット」という)を割り当てる。スロットを割り当てられた子局5は、その割り当てられたスロットに上りパケットを送出する。したがって、子局5間の上りパケットの競合は回避される。なお、親局1と子局5との間で時計を共有している必要があるが、この時計の時刻合わせは、パケットの通信を行うときに、時刻情報をパケットの中に含ませることによって行うことができる。
【0019】
親局1は、各子局5から順次、上りパケットを受けることになるが、その光信号強度は、光ファイバの経路によって異なる。たとえば、光ファイバの長さが子局5ごとに違うし、光分岐器3bを通るか通らないかでも異なる。
図2は、各子局5からの上りパケットの強度の違いを説明するためのグラフであり、横軸に時間、縦軸に受信強度をとっている。
受信装置6は、時刻t1〜t2の間にパケット1を、時刻t3〜t4の間にパケット2を、時刻t5〜t6の間にパケット3を、及び時刻t7〜t8の間にパケット4をそれぞれ受信しており、パケット1〜4で、受信強度が様々に異なっている。なお、各パケットを構成するオンオフ信号の単位周期は、1ナノ秒程度となっている。
【0020】
図3は、光伝送路終端装置OLTにおける光受信装置6の構成を示すブロック図である。
光受信装置6には、上り光信号を受光するAPDが設けられており、APDの受光信号は、電流信号を電圧信号に変換するためのトランスインピーダンスアンプ11を通して、ポストアンプに入力されている。さらにAPDにバイアス電圧を与える電圧可変型の直流電源12と、光受信装置6の受光感度を制御するための光受信制御回路13とが設けられている。
【0021】
光受信制御回路13は、APDのバイアス電圧を制御するためのバイアス制御部14と、各子局5からの受信時期と光受信制御回路13とをシンクロナイズさせるための時計15と、各子局5に対して割り当てたスロットのタイムスケジュールを記憶するタイムスケジュール記憶部16と、各子局5からの受信強度を記憶する受信強度記憶部17とを備えている。
なお、前記光受信制御回路13、バイアス制御部14、時計15、タイムスケジュール記憶部16および受信強度記憶部17の以下に説明する機能は、光受信装置6に設けられたコンピュータが所定のプログラムを実行することによって実現されるものである。
【0022】
光受信制御回路13は、各子局5から受ける光の強度を測定し、その強度情報を受信強度記憶部17に記憶している。測定時点は、任意であるが、たとえばこのPONシステムの立ち上げ時や当該子局5の加入時に測定する。測定方法は、APDのバイアス電圧をある値に固定して、そのときにAPDを流れる電流を測定することによって、APDの特性に基づき光の強度を決定する。
また、光受信制御回路13は、タイムスケジュール記憶部16に記憶されているタイムスケジュールおよび受信強度記憶部17に記憶されている前記強度情報を参照することにより、どの時刻にどの子局5からどの光強度の上りパケットが受信されるかが予め分かっている。
【0023】
図4は、APDの増倍率Mと逆バイアス電圧との関係を示すグラフである。
光受信制御回路13は、小さな受信強度に対しては大きな増倍率Mを設定し、強い入力光信号に対しては小さな増倍率Mを設定する。そのために、光受信制御回路13は、このグラフに基づいて、受信強度とAPDの最適バイアス電圧との関係を規定したテーブルに持っている。したがって、光受信制御回路13は、たとえばAPDの増倍度を図4のM1にしたいとき、APDの最適バイアス電圧をV1に、APDの増倍度をM2にしたいとき、APDの最適バイアス電圧をV2に、APDの増倍度をM3にしたいとき、APDの最適バイアス電圧をV3にそれぞれ決定する。
【0024】
光受信制御回路13がAPDの最適バイアス電圧を決定すると、バイアス制御部14は、特定の子局5から上りパケットが受信される時刻にその最適バイアス電圧がAPDに与えられるように設定する。具体的には、前の子局から上りパケットの受信が終わり、当該特定の子局5から上りパケットが受信されるまでの空いた時間帯(たとえば、図2の時刻t2〜t3の間や、時刻t4〜t5の間など)に、直流電源12に対して、出力電圧を変化させるタイミングを設定するためのタイミング信号と、出力電圧値を設定するための電圧値設定信号とを直流電源12に与える。
【0025】
図5は、直流電源12の回路構成例を示すブロック図である。
直流電源12は、バイアス制御部14から与えられるタイミング信号および電圧値設定信号を受信し、そのタイミング信号に基づいて、電圧値設定信号を出力する論理回路(FPGA)20と、論理回路20から出力される電圧値設定信号を、その信号に対応する電圧値であるアナログ電圧に変換するD/Aデジタル・アナログコンバータ21と、そのアナログ電圧を増幅するパワーオペアンプとを備えている。パワーオペアンプから出力される電圧は、バイアス電圧としてAPDに与えられるようになっている。
【0026】
直流電源12にはさらに、直流電源12の入力電圧(3.3Vまたは5V)を、D/Aデジタル・アナログコンバータ21およびパワーアンプに入力電圧(80Vなど)に変換するためのDC−DCコンバータ(たとえばLinear Technology LT1930/LT1930A)22が備えられている。
この回路において、バイアス制御部14から与えられる電圧値設定信号に対応する電圧値であるバイアス電圧が、タイミング信号に基づいて最適なタイミングでAPDに与えられる。これによって、特定の子局5から上りパケットが受信される時刻にAPDに受信感度を最良としたバイアス電圧が供給されるので、光受信装置6は当該特定の子局5からの上り光信号を適正な感度で受信することができる。そしてAPDに時間的に様々な強度の光信号が入力されても対応できるので、S/N比を確保し、かつ飽和することなく、光信号を受信することができる。
【0027】
図6は、光受信装置6の構成の他の例を示すブロック図である。
ここでは、3つの異なる電圧の直流電源120、121、122を、スイッチ回路18によって切り換えている。光受信制御回路13は、各直流電源120〜122の電圧値を記憶し、受信強度記憶部17に記憶された各子局5の受信強度とそれらの電圧値とを比較し、APDに最適バイアス電圧を供給することのできる直流電源を決定する。そして、バイアス制御部14は、特定の子局5から上りパケットが受信される時間にあわせて、直流電源120〜122の切り換えを制御するための切換タイミング信号をスイッチ回路18に与える。これによって、スイッチ回路18は直流電源120〜122を切り換えるようになるので、電圧可変型の直流電源を用いる必要がなくなり、それぞれの直流電源の回路構成を単純化できる。しかしながら、各子局5から与えられる上りパケットの受信レベルの数にきめ細かく対応するには、用意する直流電源の数が多く必要となる。
【0028】
図7は、APDの逆バイアス電圧を時系列的に示すグラフであり、図7(a)は、図3の光受信制御回路13に上りパケットが与えられた場合を示しており、図7(b)は、図6の光受信制御回路13に上りパケットが与えられた場合を示している。
図6の直流電源120〜122の出力電圧は、常に一定であるので、図7(b)に示すように、スイッチ回路18で切り換えることにより、APDには、安定したバイアス電圧が瞬時に供給される。一方、図3の直流電源12は、タイミング信号および電圧値設定信号に基づいて出力電圧の調整を行っているので、図7(a)に示すように、APDに供給される電圧の昇降に時間がかかる。
【0029】
図8は、光受信装置6の構成のさらに他の例を示すブロック図である。この図8の構成は、請求項1記載の発明に対応する構成となる。
ここでは、電圧可変型の直流電源123a、123bが用意され、切換スイッチ19はこれらの直流電源123a又は123bを切り換えている。光受信制御回路13は、特定の子局から受信される上りパケットにあわせて、最適バイアス電圧V1を決定し、その次の子局から受信される上りパケットにあわせて、次の最適バイアス電圧V2を決定する。そして、バイアス制御部14は、一方の直流電源123aに対して、電圧値を最適バイアス電圧V1に設定するための電圧値設定信号を供給する。また、スイッチ回路19に対して、直流電源123aに切り換えるための切換タイミング信号を供給する。
【0030】
前記「特定の子局」から上りパケットが受信されている間、バイアス制御部14は、他方の直流電源123bに対して、電圧値を次の最適バイアス電圧V2に設定するための電圧値設定信号を供給する。これによって、他方の直流電源123bは、最適バイアス電圧V2に設定された状態で待機していることになる。
前記「特定の子局」からの上りパケットの受信が終了し、「次の子局」からの上りパケットの受信が始まる前に、バイアス制御部14は、スイッチ回路19に対して、直流電源123bに切り換えるための切換タイミング信号を供給する。これによって、他方の直流電源123bからの電圧の供給が速やかに始まる。他方の直流電源123bは、最適バイアス電圧V2に設定された状態で待機した後なので、電源電圧が安定している。
【0031】
他方の直流電源123bからの電圧の供給が行われている間、バイアス制御部14は、さらに次の最適バイアス電圧V3を設定するための電圧値設定信号を、一方の直流電源123aに供給する。一方の直流電源123aは、「さらに次の子局」からの上り光信号のために、最適バイアス電圧V3に設定された状態で待機していることになる。このような手順を繰り返すことによって、APDに対して、常に安定したバイアス電圧を供給できる。
【0032】
図9は、図8の直流電源123の回路構成例を示すブロック図である。
直流電源123は、バイアス制御部14から与えられる電圧値設定信号を、その信号に対応する電圧値であるアナログ電圧に変換するD/Aデジタル・アナログコンバータ23と、D/Aデジタル・アナログコンバータ23から出力されるアナログ電圧と、直流電源123に入力される電圧Vcc(たとえば5V)とを選択的に切り換えて出力することのできるスイッチングDC/DC回路24とを備えている。
【0033】
スイッチングDC/DC回路24の出力信号はFET1のゲート端子に入力されているので、D/Aデジタル・アナログコンバータ23から出力されるアナログ電圧が、直流電源123から出力される。
図10は、図8のスイッチ回路19の回路構成例を示すブロック図である。
スイッチ回路19は、バイアス制御部14から与えられた切換タイミング信号を増幅する増幅器26、切換タイミング信号を反転する反転器25、その反転された信号を増幅する増幅器27、および直流電源123aに設定されている最適バイアス電圧の供給と、直流電源123bに設定されている最適バイアス電圧の供給とを選択的に切り換えるためのFET2、3を備えている。なお、この図において、スイッチ回路19に直流電源123aおよび直流電源123bがそれぞれ接続されているが、直流電源123aに設定されているバイアス電圧は、直流電源123bに設定されているバイアス電圧より大きいものとする。
【0034】
スイッチ回路19に切換タイミング信号「0」が与えられると、FET2のドレインーソース間がオフとなるので、スイッチ回路19と直流電源123aとは切断される。また、FET3のドレインーソース間はオンとなるが、直流電源123bからFET3に向かう途中にダイオード28が逆向きに接続されているので、直流電源123bに設定されている低いバイアス電圧がAPDに供給される。
【0035】
スイッチ回路19に切換タイミング信号「1」が与えられると、FET2のドレインーソース間がオンとなり、FET3のドレインーソース間がオフとなる。これによって、直流電源123aに設定されている高いバイアス電圧がAPDに供給される。
スイッチ回路19は、上述のような回路動作を行うので、切換タイミング信号が与えられてから短時間(約80nsec)で、直流電源123aに設定されているバイアス電圧、または直流電源123bに設定されているバイアス電圧をAPDに供給することができる。
【0036】
以上で、本発明の実施の形態を説明したが、本発明の実施は、前記の形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変更を施すことが可能である。たとえば、今までの実施形態では、受信強度記憶部17に記憶されている各子局5からの受信強度に基づいて最適なバイアス電圧を決定していた。しかし、この構成に代えて、各子局からの受信強度に対応する最適なバイアス電圧を予め記憶しておき、このバイアス電圧に基づいてバイアス制御部14が、APDのバイアス電圧を制御するような構成としてもよい。
【0037】
また、逆バイアス電圧と増倍率との関係は、温度によって変動する。従って、本発明において、逆バイアス電圧の設定に従来から一般に行われているように温度条件を加えてもよい。
【0038】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、子局からの上り光信号の受信強度の変化に追従して、APDの受光感度を適切に、かつ迅速に設定することができるので、高感度受信と耐強入力特性を同時に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態に係る光受信装置が適用されるPONシステムの一例を示すブロック図である。
【図2】光受信装置が受信する上り光信号を説明するためのグラフである。
【図3】光伝送路終端装置OLTにおける光受信装置の構成の一例を示すブロック図である。
【図4】APDの増倍率Mと逆バイアス電圧との関係を示すグラフである。
【図5】直流電源12の回路構成例を示すブロック図である。
【図6】光受信装置の構成の他の例を示すブロック図である。
【図7】APDの逆バイアス電圧を時系列的に示すグラフである。
【図8】光受信装置の構成のさらに他の例を示すブロック図である。
【図9】直流電源123の回路構成例を示すブロック図である。
【図10】スイッチ回路19の回路構成例を示すブロック図である。
【符号の説明】
1 親局
5 子局
6 光受信装置
12、120〜123 直流電源
13 光受信制御回路
14 バイアス制御部
APD アバランシェフォトダイオード
OLT 親局の光伝送路終端装置
ONU 子局の光加入者線終端装置
Claims (1)
- 光信号を受信するアバランシェフォトダイオードと、前記アバランシェフォトダイオードにバイアス電圧を供給する直流電源と、そのアバランシェフォトダイオードの受信感度を設定する受信制御部とを有する光受信装置において、
前記直流電源は、出力電圧可変型の複数の電源と、それらの電源を切り換えるスイッチ回路とを含み、
前記受信制御部は、受信している光信号の受信強度に応じて出力電圧値を設定するための電圧値設定信号を前記複数の電源のうちの1つの電源に与え、前記複数の電源のうちの他の1つの電源において次に受信される光信号の受信強度に応じた出力電圧値を設定しておき、
前記受信制御部は、前記1つの電源を用いてアバランシェフォトダイオードにバイアス電圧を供給し、受信している光信号が終了し、次の光信号を受信する前の時点に、前記他の1つの電源を選択するための切換タイミング信号を前記スイッチ回路に与えることによって、前記他の1つの電源において設定したバイアス電圧をアバランシェフォトダイオードに供給することを特徴とする光受信装置。
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