JP4316743B2 - 回路装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体記憶装置(メモリデバイス)において階層形式の行(row)復号化を実行するための回路装置に関する。
【0002】
より詳細には、しかし限定的にではなく、本発明は上述のように、列に編成されたセクタを有する、メモリセルの少なくとも1つのマトリックスを含むデバイスに関し、前記マトリックスにおいてそれぞれのセクタが、行を共有するマトリックスセクタ全般に通じるメインワード線に個々に連結された、特定のローカルワード線のグループを有する。
【0003】
【従来の技術】
周知のように、半導体集積、不揮発性記憶装置(メモリデバイス)の構成で最も広く利用されているメモリマトリックスアーキテクチャはNORタイプである。
【0004】
このタイプのアーキテクチャでは、1つのマトリックス列に属する複数のメモリセルがドレーン端子を共有する一方、1つのマトリックス行に属する複数のメモリセルがゲート端子を共有する。他方では、ソース端子が1つのマトリックスセクタの全てのセルによって共有される。NORマトリックスの一部を例として図1に示す。
【0005】
所定の記憶場所を一義的に位置させるためには、所定の行と所定の列を識別すれば十分であり、1つのメモリセルはその交点において見出される。
【0006】
前述のように、不揮発性メモリにおいて、メモリセルはまた、ドレーンとソース伝導端子を有する浮動ゲートトランジスタを備える。
【0007】
読み出し、書き込み、および消去のそれぞれの動作中にメモリセルの端子に印加されるバイアス電圧の値を図2A、図2B、および図2Cに示す。
【0008】
フラッシュEEPROMタイプの不揮発性メモリの前提条件は、その中に格納された情報は、ビットのグループあるいはパッケージとして消去されなければいけないということである。消去動作は、ソース端子にバイアスをかけることを含む単一動作であり、全てのセルがこの端子を共有するため、書き込み、読み出しを独立した方法で行うことができる反面、消去は同時に行わなければならない。
【0009】
特にフラッシュメモリでは、消去動作はセクタ単位で実行し、同一ソース線に通じる全てのセルを同時に消去しなければならない。
【0010】
不揮発性メモリマトリックスの範疇では、セクタは行、あるいは列のどちらに編成することも可能である。行タイプの編成では、セクタの大きさはそこに含まれる行数によって得られる。記憶装置のアーキテクチャは、装置の性能および信頼性と共に、電気回路面積の消費を最適化するために、セクタの数とサイズ(大きさ)に適合するよう設計される。
【0011】
全てのマトリックスセクタに共有されるはずの1つのビット線が、「ドレーンストレス」として知られる問題のために提供することができない場合があるため、それぞれのセクタは「ローカルビット線」と呼ばれる特定の列のグループを含むように配列される。
【0012】
ローカルビット線は、パス(pass)トランジスタを介して個別に「メインビット線」と呼ばれる主要メタル配線接続(main metallization connection)に接続される。
【0013】
それぞれのセクタは、他のマトリックスセクタのセルがドレーンストレスにより影響される必要がないよう、アドレスされたセクタで通電されただけのローカルなグループのパストランジスタを割り当てられる。
【0014】
セクタが行に編成される不揮発性メモリマトリックスの従来のアーキテクチャを図3に概略的に示す。また、それぞれのセクタと結び付けられた種々の行デコーダ(複号器)をそこに示す。
【0015】
このようなアーキテクチャは、ストレス現象を回避するために、各セクタ用の復号器およびローカル列復号器を設けることを必要とするため、回路スペース(空間)要件が高い。
【0016】
さらに、メモリマトリックスの行は、物理的には、1つの行にある複数のセルの全てのゲート端子に相互接続する、多結晶シリコン片として存在することに注意しなければならない。
【0017】
電気的な見地から、それぞれの多結晶シリコン片を分散RC回路と見なすことができる。例えば、「1024」個のような比較的少数のセルを想定すると、マトリックスの1行に関係づけられ、そしてRC回路により定義される時定数はおよそ10ナノ秒となる。
【0018】
この値は、電気信号が1つのマトリックス行を通過するために与えられる時間間隔を表し、前記時間間隔はメモリアクセス時間に直接影響を与える。理解されるように、メモリアクセス時間は可能な限り短く保たなければならない。
【0019】
集積記憶回路における高いセル集積密度のために、ローカルビット線およびメインビット線は、2異層メタル平面あるいは金属被覆層を形成(蒸着)する結果になるプロセスによって形成される。そして3番目のメタル被覆層(配線層)が提供されなければ、多結晶シリコン行を短絡させることができず、また、行を荷電(charge)する時間を削減することができない。
【0020】
別の従来の技術的解決策は、列に編成される不揮発性メモリマトリックスを提供する。この場合、マトリックス行は全てのセクタに共有され、セクタのサイズ(大きさ)は列の数によって決定される。
【0021】
図4は、列に編成されるメモリマトリックスの一部を示す概要図である。
【0022】
このタイプのアーキテクチャでは、それぞれのビット線の寄生キャパシタンスを非常に低く抑えることができ、そのことはメモリ内容の読み出しに係わる回路部分に有益である。
【0023】
さらに、行の複号化をいくつかのマトリックスセクタで共有することになり、回路空間の節約をもたらす。
【0024】
マトリックスが2層メタルレベル(配線層)を提供する技術的なプロセスによって製造される場合には、1つの層がビット線を形成するのに使用され、他の層が荷電(charge)フェーズの間にその寄生抵抗を減らすために行を短絡させるのに使用される。
【0025】
前述のアーキテクチャはいくつかの点で有利な反面、セルがアドレスされるたびに同一行にある全てのセルが同様にバイアスされ、いわゆる「ゲートストレス」に影響されてしまうという欠点を持っている。
【0026】
従って、単一の供給電圧を備えるフラッシュ記憶装置における現代のすう勢では、一貫して、セルのゲート端子を負の電圧でバイアスした状態で、消去フェーズをセクタによって実行する。列に編成されたセクタを持つマトリックスに使用する、負電荷電圧のゲート消去モードは、記憶装置に受け入れ難い量のゲートストレスをもたらす。
【0027】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の基礎をなす技術的な課題は、列に編成されるメモリマトリックスにおいて負電荷電圧消去を可能にする回路装置を提供することであり、前記回路装置により、単一電圧供給を有する不揮発性記憶装置のための従来の技術による解決策の限界と欠点を克服することにある。
【0028】
【課題を解決するための手段】
本発明がよって立つ原理は、伝導端子の一方をローカルワード線へ、もう一方をグランド基準電圧へと接続した追加トランジスタによる、階層型の行復号化フェーズを実行する原理である。
【0029】
この原理に基づいて、技術的な課題を、前述した、添付の請求項1以下の特徴部分に定義した回路装置によって解決する。
【0030】
本発明によるデバイスの特徴および利点は、添付の図面を参照して非限定的な例として与えられた、以下の発明の実施の形態の説明から明らかとなろう。
【0031】
【発明の実施の形態】
添付図面、特に図5の例を参照すると、概して符号1で概略的に図示されるのが回路装置であり、この回路装置が本発明を具体化し、不揮発性メモリマトリックス2のセクタを負の電圧によって消去することを可能にする。前記マトリックスは、例えばフラッシュEEPROMタイプのメモリセルを含んでもよい。
【0032】
図5で概略的に図示するのは、第1のセクタ3および第2のセクタ4を含むマトリックス2の一部である。2つのセクタ3と4のそれぞれを、実際のセクタに組み込まれる何千というセルのほんの一部(5で表す)とともに概略的に図示する。
【0033】
セル5は、頭字語LWL(Local Word Line)で示される、複数のローカルワード線(または行)として配列される。最初の行はLWL<0>、2番目の行はLWL<1>等と称する。
【0034】
それぞれのマトリックス行に平行に提供されるのが、符号MWL(Main Word Line)により表されるメインワード線または行であり、このメインワード線または行はセクタ3および4のような、行を共有する全てのセクタ全般に通じている。
【0035】
有利には、本発明の回路装置は各セクタ内で、メモリマトリックスの各ローカル行LWLの上流に接続される。
【0036】
記憶装置(メモリデバイス)には、2.5から3.6ボルトの範囲の値を有する単一供給電圧Vddが供給され、同時にグランド(接地)信号などの2番目の電圧基準GNDに接続される。
【0037】
記憶装置1は、一方をメインワード線MWL、そして他方をローカルワード線LWLに接続される伝導端子を有する、PMOSタイプの第1のトランジスタM1を含む。
【0038】
トランジスタM1の本体端子はバイアス信号VPCXを受信し、ゲート端子は信号PCHを受信する。
【0039】
1つのセクタ3あるいは4のマトリックス行と結び付いた、装置1の全てのトランジスタM1のゲート端子は、全て一緒に接続されて同じ電圧信号を受信する。
【0040】
装置1はさらに、一方をメインワード線MWL、そして他方をローカルワード線LWLに接続される伝導端子を有する、NMOSタイプのトランジスタM2を含む。
【0041】
トランジスタM2の本体端子は消去フェーズの間に負電圧(およそ−8V)のバイアス信号HVNEGを受信し、そのゲート端子は信号NCHを受信する。
HVNEGの電圧値は、他の動作フェーズの間中、0V(すなわち、GND)となる。
【0042】
1つのセクタ3あるいは4のマトリックス行と結び付いた、装置1の全てのトランジスタM2のゲート端子は、全て一緒に接続されて同じ電圧信号を受信する。
【0043】
NMOSタイプのトランジスタM3は、ローカルワード線LWLと基準電圧GNDの間でその伝導端子と有利に接続される。
【0044】
トランジスタM3の本体端子は、負、もしくはゼロの電圧でバイアス信号HVNEGを受信し、そのゲート端子は信号DISCHを受信する。
【0045】
1つのセクタ3あるいは4のマトリックス行と結び付いた、装置1の全てのトランジスタM3のゲート端子は、全て一緒に接続されて同じ電圧信号を受信する。
【0046】
さらに有利には、NMOSトランジスタM2およびM3は、以下に説明するように、「トリプルウェル」技術を用いて形成される。
【0047】
ここで、本発明による装置1の動作を、ワード線がVPCXの電圧値にバイアスされる場合について説明する。
【0048】
電圧VPCXは行復号供給電圧であり、読み出しフェーズの間はVdd、プログラムフェーズの間は約10Vの電圧Vddとなる。
【0049】
電圧VPCXは、読み出し動作がワード線について昇圧された電圧を必要とする時でさえ、供給電圧Vddより高くてもよい。
【0050】
電圧HVNEGは、それが負の値(−8V)をとる消去フェーズの間を除いて常に接地GNDの値である。
【0051】
1)WL=VPCXかつLWL=VPCXである第1の場合を分析する。
アドレスされたセクタがある場合を見てみると、トランジスタM1のゲート端子は接地GNDの値で信号PCHを受信し、トランジスタM1は、メインワード線MWLからローカルワード線LWLまで、正の電圧のフル伝送を保証する。
【0052】
トランジスタM1の本体端子は、利用可能な電位の最高値、すなわちVPCXの値にある。
【0053】
トランジスタM3は、ローカルワード線LWLをグランド(接地)に接着するのを避けるためにオフ状態にある。
【0054】
トランジスタM2の存在は、ここでは完全に影響力をもたない。これは、もしオンであれば、ローカルワード線LWLをそのゲートしきい値電圧まで荷電(charge)することを支援し、もしオフであれば、その貢献は無になるからである。
【0055】
したがって、トランジスタM2をオンにすることによって、ローカルワード線LWLの荷電フェーズの有効性は拡張される。
【0056】
2)MWL=VPCXかつLWL=GNDの第2の場合を分析する。
現在アドレスされたセクタがない場合を見てみると、トランジスタM1はオフ状態でなければならず、したがって、信号PCHがVPCXの値に近づく。トランジスタM2も同様に、メインワード線MWLから電荷をドレーンしないようにオフ状態でなければならない。
【0057】
したがって、第3のトランジスタは、ラインLWKが接地に接着するのを避けるためにオン状態でなければならない。そのためには、信号DISCHをVddまでバイアスすれば十分である。
【0058】
3)ここで、WL=GNDかつLWL=GNDの第3の場合を分析する。
これらの条件の下では、トランジスタM1はそのゲート端子が負の電圧値に近づかない限り、接地電位を伝送することが不可能なP−チャンネルトランジスタであるため、トランジスタM1の状態は影響力を持たない。したがって、ラインLWLを接地に接着するためには、トランジスタM2およびM3に作用して、そのゲート端子にVddまでバイアスをかけることができる。
【0059】
上記に概説した3つの動作条件は、図6に概略的に示される。図6では、アドレスされたセクタの内、外において、必要とされるバイアスレベルが示されている。
【0060】
トランジスタM1のゲート端子は、GNDとVPCXの間の電圧レベルで動作するよう設定される論理信号PCHによって駆動される。
【0061】
トランジスタM2およびM3のゲート端子は、GNDとVddの間の電圧レベルで動作するように設定された、それぞれの論理信号NCHおよびDISCHによって駆動される。
【0062】
興味深いことに、セクタごとに3つの制御信号で十分であることが理解されるであろう。
【0063】
ここで、負電圧での消去フェーズについて考察する。この場合、全てのワード線MWLは−8Vの電圧HVNEGにまでバイアスされる。
【0064】
A)セクタは消去中である。
トランジスタM1の状態は、ローカルワード線LWLを介して受け渡される電圧が負であるため、影響力を持たない。従って、トランジスタM1のゲート端子は供給電圧Vddと同じ値にされる。同時にトランジスタM2がオンされ、負電圧を受け容れて、ローカルワード線LWLに負電圧HVNEGでバイアスをかける。
【0065】
トランジスタM3は、電荷が接地GNDから負の電圧ソースに移されるのを防ぐために、オフされる。このトランジスタM3は、図7に示されるように、消去されているセクタの信号DISCHを値HVNEGにバイアスをかけることによって、オフされる。
【0066】
B)セクタは消去中ではない。
PCH=VPCXかつNCH=HVNEGであるため、トランジスタM1およびM2はオフ状態にある。他方、トランジスタM3は、ローカルワード線LWLをFRオート(浮遊)させないように、活性化(作動)される。そのために、トランジスタM3のゲートに信号DISCH=Vddが加えられる。
【0067】
アドレスされていないセクタのローカルワード線LWLは、全て接地電位にバイアスされる。
【0068】
消去のために、行復号化の最終段のインバータのストレスを単一化する(monomize)するために、VPCXは一般的にVddに等しいか、もしくはそれより幾分低い電圧である。
【0069】
トランジスタM2およびM3は、さまざまな動作状態で負の電圧になることが見られるため、トリプルウェル技術を使用して適切な形に形成される。
【0070】
図7は、消去中のセクタおよび消去されていないセクタの、両方のセクタのさまざまなバイアスレベルを示す。
【0071】
本発明の解決策の主要な利点は、所定のセクタが係わる全ての動作を管理するための制御信号の数が削減されることである。信号PCH、NCHおよびDISCHは、1つのセクタの全てのローカルワード線によって共有される。
【0072】
上記の構成は、単一の機能が選択されていないメイン線MWLからローカル線LWLへ接地電圧レベルを伝送することである、トランジスタM2を除外することによって変形してもよい。
【0073】
トランジスタM1のゲート端子を接地電圧の値より(少なくとも1つのPチャネルの閾値およびそれに関連する本体部分によって)低くバイアスすることが実際必要である。しかしながら、単一供給電圧メモリでは、負電圧は通常利用できず、負電圧は特別に設けられた回路で作られなければならないことに注意されたい。
【0074】
以上のことから、本発明の装置によって、階層形式の行復号化を実行することも可能となることが理解される。
【0075】
この点に関して、図8は本発明の変形例を概略的に示す。
【0076】
この変形例では、複数のライン11が、符号10で示す、単一のメインワード線MWLより分岐し、ローカルワード線LWLに平行に走っている。
【0077】
このようにして、まるでそれぞれのローカル線LWLにはメインワード線がまったく設けられていないかのようであり、そのため、行ピッチでのメタル配線接続はもはや必要とされない。
【0078】
この解決策は、隣接するワード線メタル配線の間で結合寄生容量の値を減少させるため、メインワード線MWLの荷電時間に関して大いに有利である。同時にそれを用いれば、金属被覆行(配線)(metallization lines)の間に起こる短絡の可能性は減少し、産業的規模における生産の見地からの明白な利益をもたらす。
【0079】
最後に、行復号化も同様にそこから利益をもたらされる。実際、メインワード線MWLの各復号化ドライバ回路やそれに関連する制御回路を、ワード線ピッチで設ける必要はもはや無くなり、その代わり、2つ以上のワード線のピッチで設ければよい。これは省スペース(空間)をもたらし、特筆すべきは、例えば、従来よりもはるかに複雑な行復号化を実行可能であり、また、読み出しの際の消費電力を効率的に低下させることができる。
【0080】
最後に言及した態様は、読み出しに昇電圧ワード線を利用するメモリには、根本的な重要性を持っている。
【0081】
図8では、4層(level)の階層形式、すなわち、4本のローカル線LWLが各メインワード線MWLに対応する行復号化の機構を示す。
【0082】
この解決策は各セクタに、より多数の制御信号を必要とする。この場合、すなわち4つの別個の信号、NCH<0>、NCH<1>、NCH<2>、NCH<3>、4つの信号PCH、および4つの信号DISCHが存在する。
【0083】
本発明で提案する回路設計は、ワード線の荷電時間を効果的に削減する。
【0084】
メインワード線MWLはメタル配線層から形成され、それはその実際の寄生抵抗をわずかなものにする。しかし、寄生抵抗の値は無視してもよい程度というわけではなく、それは下の層およびそれと並んで走るメインワード線MWLのメタル配線の両方へのカップリングによるものである。しかしながら、本発明の階層復号化構造によって、最後に言及した付加分を大いに削減することができる。
【0085】
他方、ローカル線LWLは多結晶シリコン層から形成され、その寄生コンポーネント(成分)の見地から、図9中のブロック12で示されるような分散RC回路によって表すことができる。
【0086】
ワード線の荷電に関連する時定数の削減への通常のアプローチは、多結晶シリコン行をメタル配線層へ短絡させるアプローチである。しかし、そうするためには、メタル配線をワード線ピッチで設計しなければならず、これにより、図9にCmainで示す寄生容量を増加させてしまい、またメタル配線を改善されたリトグラフで形成することが要求される。
【0087】
図10で示すように、本発明の解決策によって荷電の問題が解決される。実際、メインワード線MWLおよびローカルワード線LWLの間で伝導端子が接続される、P−チャンネル荷電トランジスタM4が提供される。このトランジスタを設けることは、ローカル線LWLへの荷電時間を削減するのに効果的であり、その両端間に渡ってバイアスすることを可能にする。
【0088】
もちろん、トランジスタM1、M2およびM4は、そのターン・オン抵抗がローカルワード線LWLの荷電過渡(電圧)に影響を与えないように、寸法取りしなければならない。
【0089】
本発明の装置により、負の電圧をセルのゲート端子にかけることによって、セクタが列に編成される場合であっても、メモリ消去を行うことが可能となる。これは、行ベースの編成と比較して、復号化回路による占有スペース(空間)を減少させて達成される。
【0090】
加えて、この装置は占有スペース、行復号化設計、および寄生容量の減少という点で相当な利点をもたらす、階層型の行復号化を可能にする。
【0091】
最後に、メタル配線ストラッピングに頼らずに、マトリックス行への荷電時間を短くすることができる。
【0092】
特許請求の範囲で定義された本発明装置に対して、変更および変形を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】NORタイプのメモリマトリックスの一部を示す概略図である。
【図2】図2A、図2Bおよび図2Cは、メモリセルおよび、読み出し、書き込み、消去の各フェーズの間にセル端子にそれぞれ印加される典型的な関連バイアス電圧値の概要を示す。
【図3】行形式に配列されたセクタを持つ不揮発性メモリマトリックスのための従来技術のアーキテクチャを概略的に示す。
【図4】列形式に配列されたセクタを持つメモリマトリックスの一部を示す概略図である。
【図5】階層形式の行復号化を実行するための、本発明による第一の実施の形態を示す概略図である。
【図6】本発明による、列に編成された、複号化装置を含むメモリマトリックスの一部を示す概略図である。
【図7】マトリックスセクタ消去フェーズの間に見られる、本発明による、列に編成され、複号化装置を含むメモリマトリックスの一部を示す概略図である。
【図8】本発明の変形例による、列に編成されたメモリマトリックスの一部を示す概略図である。
【図9】図5に示された回路装置のコンポーネント、抵抗およびその容量性負荷を取り出した状態を示す概略図である。
【図10】図5の装置の他の変形例の概略を示す。
【符号の説明】
1 記憶装置、2 不揮発性メモリマトリックス、3 セクタ、4 セクタ、5 メモリセル、11 ライン、DISCH 論理信号、HVNEG バイアス信号、LWL ローカルワード線、M1 トランジスタ、M2 トランジスタ、M3 トランジスタ、M4 チャンネル荷電トランジスタ、NCH 論理信号、PCH 論理信号、VPCX バイアス信号、Vdd 供給電圧。
Claims (7)
- 不揮発性半導体記憶装置において階層形式の行(row)復号化を実行するための回路装置であって、列に編成されたセクタ(3、4)を有するメモリセル(5)の少なくとも1つのマトリックスを含み、各セクタ(3、4)が、行を共有するマトリックスセクタ全般に通じるメインワード線(MWL)に個々に連結された、特定のローカルワード線(LWL)のグループを有する回路装置において、
一方をメインワード線(MWL)、そして他方をローカルワード線(LWL)に接続される伝導端子を有する、PMOSタイプの第1のトランジスタ(M1)と、
一方をローカルワード線(LWL)、そして他方を基準電圧(GND)に接続される伝導端子を有する、NMOSタイプの第2のトランジスタ(M3)と
を備え、
1つのセクタ(3、4)でマトリックス行と関連づけられた全ての前記第1のトランジスタ(M1)のゲート端子は共に接続されて、同じ第1の電圧信号(PCH)を受信し、
1つのセクタ(3、4)でマトリックス行と関連づけられた全ての第2のトランジスタ(M3)のゲート端子は共に接続されて、同じ第2の電圧信号(DISCH)を受信し、該第2の電圧信号(DISCH)は、前記第1の電圧信号(PCH)と異なる信号である、回路装置。 - 一方をメインワード線(MWL)、そして他方をローカルワード線(LWL)に接続される伝導端子を有する、NMOSタイプの追加トランジスタ(M2)を含むことを特徴とする、請求項1に記載の回路装置。
- 前記第2のトランジスタ(M3)および前記追加トランジスタ(M2)がトリプルウェル技術を使用して形成されることを特徴とする、請求項2に記載の回路装置。
- 前記第2のトランジスタ(M3)および追加のトランジスタ(M2)は、メモリセルの内容の消去フェーズの間に負の電圧信号(HVNEG)を印加されるボディ端子をそれぞれ有することを特徴とする、請求項2に記載の回路装置。
- 1つのセクタ(3、4)でマトリックス行と関連づけられた全ての追加トランジスタ(M2)のゲート端子は共に接合され、そして同じ第3の電圧信号(NCH)を受信することを特徴とする、請求項2に記載の回路装置。
- ローカルワード線(LWL)への荷電時間を削減するため、メインワード線(MWL)およびローカルワード線(LWL)の間で接続された伝導端子を有する荷電トランジスタ(M4)をさらに含むことを特徴とする、請求項2に記載の回路装置。
- 前記荷電トランジスタ(M4)は、P−チャネルトランジスタであることを特徴とする、請求項6に記載の回路装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP98830570.2 | 1998-09-30 | ||
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JP4316743B2 true JP4316743B2 (ja) | 2009-08-19 |
Family
ID=8236808
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28002499A Expired - Fee Related JP4316743B2 (ja) | 1998-09-30 | 1999-09-30 | 回路装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6515911B2 (ja) |
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EP0991075B1 (en) | 2004-05-06 |
US6515911B2 (en) | 2003-02-04 |
DE69823659D1 (de) | 2004-06-09 |
US20020021584A1 (en) | 2002-02-21 |
JP2000113689A (ja) | 2000-04-21 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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